JP7261923B1 - 光起電力モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
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- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
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Abstract
Description
Claims (11)
- 複数のセルストリングセットを含んだ電池モジュールと、
第1接続構造及び第2接続構造と、を含み、
前記セルストリングセットは、第1方向に沿って離隔して配置されたセルストリングを含み、前記セルストリングセットは第1電気的接続方式で接続される複数の前記セルストリングからなり、前記セルストリングは第1電気的接続方式で接続される複数の太陽電池からなり、前記太陽電池は第1導電型の第1グリッド線及び第2導電型の第2グリッド線を備え、且つ第1方向に沿って、前記第1グリッド線と、それぞれの太陽電池において隣接する第2グリッド線とのピッチはピッチLであり、
前記セルストリングセットは第1セルストリングセット及び第2セルストリングセットを含み、第2方向に沿って、前記第1セルストリングセットと前記第2セルストリングセットが第2電気的接続方式で接続され、
前記第1接続構造は第1方向に沿って延び、前記第1接続構造が前記セルストリングに接続され、前記第2接続構造が前記グリッド線に接続され、且つ前記セルストリングの端部に位置する前記第2接続構造が前記第1接続構造に接続され、前記第1接続構造は、少なくとも1本の中部第1接続構造を含み、前記中部第1接続構造はそれぞれ前記第1セルストリングセットのセルストリング及び前記第2セルストリングセットのセルストリングに接続され、前記中部第1接続構造の端部に接続される第2接続構造と、隣接する前記中部第1接続構造の端部に接続される第2接続構造とは隣接し、且つ前記第1方向に沿う距離がSであり、距離Sは前記ピッチLより大きく、
前記第1接続構造はさらに端部第1接続構造を含み、前記端部第1接続構造は前記セルストリングの前記中部第1接続構造から離れる他端を接続し、前記セルストリングの前記太陽電池の数量は偶数であり、前記第1方向に沿って、前記端部第1接続構造の端部に接続される第2接続構造と、隣接する前記端部第1接続構造の端部に接続される第2接続構造とは隣接し、且つ前記第1方向に沿う距離がNであり、距離Nは前記ピッチLの2倍より小さい、
ことを特徴とする光起電力モジュール。 - 前記第2方向に沿って、前記第1セルストリングセットの前記中部第1接続構造に近い太陽電池の第1グリッド線は前記第2セルストリングセットの前記中部第1接続構造に近い太陽電池の第1グリッド線の延長線上にあり、且つ前記第1セルストリングセットの前記中部第1接続構造に近い太陽電池の第2グリッド線は、前記第2セルストリングセットの前記中部第1接続構造に近い太陽電池の第2グリッド線の延長線上にある、
ことを特徴とする請求項1に記載の光起電力モジュール。 - 前記太陽電池は分割式電池であり、且つ前記太陽電池は偶数本のグリッド線を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の光起電力モジュール。
- 前記太陽電池はバック接合型電池である、ことを特徴とする請求項1に記載の光起電力モジュール。
- 前記中部第1接続構造の端部に接続される第2接続構造と、隣接する前記中部第1接続構造の端部に接続される第2接続構造とは隣接し、且つ前記第1方向に沿う距離Sは前記ピッチLの2倍より大きい、
ことを特徴とする請求項1に記載の光起電力モジュール。 - 前記ピッチLの範囲は3.5mm~20mmであり、および/または、前記中部第1接続構造の端部に接続される第2接続構造と、隣接する前記中部第1接続構造の端部に接続される第2接続構造とは隣接し、且つ前記第1方向に沿う距離Sの範囲は8mm~50mmである、
ことを特徴とする請求項1または5に記載の光起電力モジュール。 - 前記セルストリングセットは第1セルストリングと、隣接する第2セルストリングと、を含み、且つ前記第1セルストリング上の太陽電池のエッジのグリッド線が第2セルストリング上の太陽電池のエッジのグリッド線と隣接し、且つ導電型が逆である、
ことを特徴とする請求項1に記載の光起電力モジュール。 - 初期電池を提供することと、
電池モジュールを形成し、複数の太陽電池が第2接続構造により第1電気的接続方式でセルストリングを接続して形成し、複数の前記セルストリングは第1電気的接続方式で接続されることによりセルストリングセットを構成し、前記セルストリングは第1方向に沿って離隔して配置されており、複数の前記セルストリングセットは前記電池モジュールを構成し、前記太陽電池は第1導電型の第1グリッド線及び第2導電型の第2グリッド線を備え、且つ第1方向に沿って、前記第1グリッド線と、それぞれの太陽電池において隣接する第2グリッド線とのピッチはピッチLであり、前記セルストリングセットは第1セルストリングセット及び第2セルストリングセットを含み、第2方向に沿って、前記第1セルストリングセットと第2セルストリングセットが第2電気的接続方式で接続されることと、
第1接続構造及び第2接続構造を形成することであって、前記第1接続構造は第1方向に沿って延び、前記第1接続構造が前記セルストリングに接続され、前記第2接続構造がグリッド線に接続されることと、を含み、
前記第1接続構造は、少なくとも1本の中部第1接続構造を含み、前記中部第1接続構造はそれぞれ前記第1セルストリングセットのセルストリング及び第2セルストリングセットのセルストリングに接続され、前記セルストリングの端部に位置する太陽電池の前記第2接続構造が前記中部第1接続構造に接続され、前記中部第1接続構造の端部に接続される第2接続構造と、隣接する前記中部第1接続構造の端部に接続される第2接続構造とは隣接し、且つ前記第1方向に沿う距離がSであり、距離Sは前記ピッチLより大きく、
前記第1接続構造はさらに端部第1接続構造を含み、前記端部第1接続構造は前記セルストリングの前記中部第1接続構造から離れる他端を接続し、前記セルストリングの前記太陽電池の数量は偶数であり、前記第1方向に沿って、前記端部第1接続構造の端部に接続される第2接続構造と、隣接する前記端部第1接続構造の端部に接続される第2接続構造とは隣接し、且つ前記第1方向に沿う距離がNであり、距離Nは前記ピッチLの2倍より小さい、
ことを特徴とする光起電力モジュールの製造方法。 - 前記セルストリングの太陽電池の数量が偶数である場合、前記第1セルストリングセット及び第2セルストリングセットを形成するステップは、第3セルストリング及び第4セルストリングを形成することと、第1セルストリングセット及び第2セルストリングセットを形成し、前記第1方向に沿って、複数の前記第3セルストリングと180度回転した前記第3セルストリングとが離隔して配列されることにより前記第1セルストリングセットを構成し、複数の180度回転した前記第4セルストリングと前記第4セルストリングとが離隔して配列されることにより前記第2セルストリングセットを構成することと、を含む、
ことを特徴とする請求項8に記載の光起電力モジュールの製造方法。 - 前記太陽電池は第1電池セルと第2電池セルを含み、前記初期電池を分割して前記第1電池セルと第2電池セルを形成し、且つ前記初期電池のカットラインに沿って対称的であり、第3セルストリング又は第5セルストリングは前記第1電池セルと180度回転した前記第2電池セルとが前記第2方向に沿って離隔して配列されることで構成され、第4セルストリング又は第6セルストリングは180度回転した前記第2電池セルと前記第1電池セルとが前記第2方向に沿って離隔して配列されることで構成される、
ことを特徴とする請求項9に記載の光起電力モジュールの製造方法。 - 第2接続構造を形成するステップは、前記第2接続構造が前記第1電池セルにおける第1導電型を有する第1グリッド線と第2電池セルにおける正対し且つ第2導電型を有する第2グリッド線とそれぞれ接続されることと、あるいは、前記第2接続構造が前記第1電池セルにおける第2導電型を有する第2グリッド線と第2電池セルにおける正対し且つ第1導電型を有する第1グリッド線とそれぞれ接続されることを含む、ことをさらに含む、
ことを特徴とする請求項10に記載の光起電力モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023012488A JP2023145341A (ja) | 2022-03-28 | 2023-01-31 | 光起電力モジュールおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210309343.0A CN114420782B (zh) | 2022-03-28 | 2022-03-28 | 光伏组件及制备方法 |
CN202210309343.0 | 2022-03-28 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023012488A Division JP2023145341A (ja) | 2022-03-28 | 2023-01-31 | 光起電力モジュールおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7261923B1 true JP7261923B1 (ja) | 2023-04-20 |
JP2023145302A JP2023145302A (ja) | 2023-10-11 |
Family
ID=81263790
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022117610A Active JP7261923B1 (ja) | 2022-03-28 | 2022-07-23 | 光起電力モジュールおよびその製造方法 |
JP2023012488A Pending JP2023145341A (ja) | 2022-03-28 | 2023-01-31 | 光起電力モジュールおよびその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023012488A Pending JP2023145341A (ja) | 2022-03-28 | 2023-01-31 | 光起電力モジュールおよびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7261923B1 (ja) |
CN (2) | CN114420782B (ja) |
AU (1) | AU2022218482B1 (ja) |
DE (1) | DE202023101532U1 (ja) |
NL (1) | NL2034445B1 (ja) |
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2022
- 2022-03-28 CN CN202210309343.0A patent/CN114420782B/zh active Active
- 2022-03-28 CN CN202210651651.1A patent/CN115207148A/zh active Pending
- 2022-07-23 JP JP2022117610A patent/JP7261923B1/ja active Active
- 2022-08-15 AU AU2022218482A patent/AU2022218482B1/en active Active
-
2023
- 2023-01-31 JP JP2023012488A patent/JP2023145341A/ja active Pending
- 2023-03-27 DE DE202023101532.8U patent/DE202023101532U1/de active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023145341A (ja) | 2023-10-11 |
CN114420782A (zh) | 2022-04-29 |
NL2034445A (en) | 2023-10-12 |
AU2022218482B1 (en) | 2023-08-17 |
NL2034445B1 (en) | 2024-06-14 |
JP2023145302A (ja) | 2023-10-11 |
CN114420782B (zh) | 2022-08-05 |
CN115207148A (zh) | 2022-10-18 |
DE202023101532U1 (de) | 2023-07-03 |
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|
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|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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