CN114122178B - 光伏组件及其制备方法 - Google Patents
光伏组件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114122178B CN114122178B CN202210084706.5A CN202210084706A CN114122178B CN 114122178 B CN114122178 B CN 114122178B CN 202210084706 A CN202210084706 A CN 202210084706A CN 114122178 B CN114122178 B CN 114122178B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductive film
- bus bar
- battery
- battery piece
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种光伏组件及其制备方法，光伏组件包括多个电池片组、第一导电膜以及第一汇流条和第二汇流条，多个所述电池片组沿列向依次排列，所述电池片组包括沿排向依次排列的多个电池片，在排向的任意相邻两个所述电池片通过所述第一导电膜相连，其中，所述第一导电膜涂布在两个所述电池片中一者的底表面和两个所述电池片中另一者的顶表面上，每个所述电池片组中位于边缘的两个所述电池片中的一者与所述第一汇流条相连，每个所述电池片组中位于边缘的两个所述电池片中的另一者与所述第二汇流条相连。本发明提供的光伏组件具备电池片之间连接电阻小、电池片有效面积大CTM率高的优点。
Description
技术领域
本发明涉及光伏制造技术领域，尤其涉及一种光伏组件及其制备方法。
背景技术
目前光伏组件封装技术有全片、半片以及叠瓦等封装方式。其中全片、半片封装方式需要用到焊带，焊带本身会覆盖光伏电池的一部分面积影响光吸收，同时由于焊带自身柔韧性的缘故，串联的前后电池片之间需留给焊带有一定的间隙避免造成电池片隐裂，结合起来导致全片、半片组件的CTM率难以提升。叠瓦组件需让电池片与电池片进行交叠重合，虽然CTM率较高，但因交叠导致的电池片面积损失也难以避免。
另一方面，目前异质结电池普遍采用ITO靶材加上低温银浆栅线的方式导出电流。ITO靶材和低温银浆材料成本高，电阻率也高，在性能和经济性两方面制约着异质结电池的发展。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此，本发明的实施例提出一种光伏组件，该光伏组件具有电池片之间连接电阻小、电池片有效面积大CTM率高的优点。
本发明的实施例提出一种光伏组件制备方法。
根据本发明实施例的光伏组件，光伏组件包括多个电池片组、第一导电膜以及第一汇流条和第二汇流条，多个所述电池片组沿列向依次排列，所述电池片组包括沿排向依次排列的多个电池片，在排向的任意相邻两个所述电池片通过所述第一导电膜相连，其中，所述第一导电膜涂布在两个所述电池片中一者的底表面和两个所述电池片中另一者的顶表面上，每个所述电池片组中位于边缘的两个所述电池片中的一者与所述第一汇流条相连，每个所述电池片组中位于边缘的两个所述电池片中的另一者与所述第二汇流条相连。
根据本发明实施例的光伏组件具有电池片之间连接电阻小、电池片有效面积大CTM率高的优点。
在一些实施例中，所述光伏组件还包括第二导电膜和第三导电膜，每个所述电池片组中位于边缘的两个所述电池片中的一者通过所述第二导电膜与所述第一汇流条相连，每个所述电池片组中位于边缘的两个所述电池片中的另一者通过所述第三导电膜与所述第二汇流条相连，其中，所述第二导电膜涂布在所述第一汇流条的底表面和相应所述电池片的背离所述第一导电膜的表面上，所述第三导电膜涂布在所述第二汇流条的底表面和相应所述电池片的背离所述第一导电膜的表面上。
在一些实施例中，多个所述电池片组中的所有所述电池片的顶表面共面。
在一些实施例中，所述电池片为异质结电池片。
在一些实施例中，所述异质结电池片包括：N型晶硅片、本征层非晶硅和P型、N型掺杂层非晶硅，所述N型晶硅片的正面依次沉积形成本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层，所述N型晶硅片的背面依次沉积形成本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层。
在一些实施例中，所述第一导电膜为纳米银线透明导电膜。
在一些实施例中，所述光伏组件还包括两个一一对应的EVA层和玻璃板，两个所述EVA层设置在所述电池片厚度方向的两侧，所述玻璃板与相应所述EVA层远离所述电池片的一侧贴合。
在一些实施例中，所述电池片为全片、半片和多分片中的至少一者。
根据本发明实施例的光伏组件制作方法，光伏组件制作方法包括以下步骤；由下至上依次叠放玻璃板、EVA层和第二导电膜，在第二导电膜的上方沿排向依次叠放第一汇流条和第一个电池片，在第一个电池片上方涂布第一个第一导电膜，第一个第一导电膜的至少部分叠放在EVA层上并位于第一电池片背离第一汇流条的一侧，在第一个第一导电膜的至少部分上叠放第二个电池片，在第二个电池片上方涂布第二个第一导电膜，第二个第一导电膜的至少部分叠放在EVA层上并位于第二电池片背离第一汇流条的一侧，重复上一步骤，直至在第N-1个第一导电膜的至少部分上叠放第N个电池片，在第N个电池片上方涂布第三导电膜，第三导电膜的至少部分叠放在EVA层上并位于第N个电池片背离第一汇流条的一侧，在第三导电膜的至少部分上叠放第二汇流条，在第一汇流条、第二汇流条和电池片的上方依次铺设另一EVA层和玻璃板，层压两个玻璃板，固化第一导电膜、第二导电膜和第三导电膜。
在一些实施例中，在排向的任意相邻两个所述第一导电膜间隔开，所述第二导电膜与相邻所述第一导电膜在排向间隔开，所述第三导电膜与相邻所述第一导电膜在排向间隔开。
附图说明
图1是根据本发明实施例中光伏组件的俯视示意图。
图2是根据本发明实施例中光伏组件的剖面示意图。
图3是根据本发明实施例中光伏组件制作方法的玻璃板、EVA层和第二导电膜叠放位置示意图。
图4是根据本发明实施例中光伏组件制作方法的沿排向依次叠放第一汇流条和第一个电池片的叠放位置示意图。
图5是根据本发明实施例中光伏组件制作方法的第一个电池片涂布第一个第一导电膜示意图。
图6是根据本发明实施例中光伏组件制作方法的第一个电池片涂布第一个第一导电膜并叠放第二个电池片示意图。
图7是根据本发明实施例中光伏组件制作方法的电池片上方涂布第三导电膜示意图。
图8是根据本发明实施例中光伏组件制作方法的第三导电膜上叠放第二汇流条示意图。
图9是根据本发明实施例中光伏组件制作方法的铺设另一EVA层和玻璃板示意图。
附图标记：100、光伏组件；110、电池片；120、第一导电膜；121、第二导电膜；122、第三导电膜；130、第一汇流条；131、第二汇流条；140、EVA层；150、玻璃板。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
如图1至图9所示，根据本发明实施例的光伏组件100，光伏组件100包括多个电池片组、第一导电膜120以及第一汇流条130和第二汇流条131，多个电池片组沿列向依次排列，电池片组包括沿排向依次排列的多个电池片110，在排向的任意相邻两个电池片110通过第一导电膜120相连，其中，第一导电膜120涂布在两个电池片110中一者的底表面和两个电池片110中另一者的顶表面上，每个电池片组中位于边缘的两个电池片110中的一者与第一汇流条130相连，每个电池片组中位于边缘的两个电池片110中的另一者与第二汇流条131相连。第一导电膜120有多个，第一汇流条130的轴向方向和第二汇流条131的轴向方向均与列向方向一致。如图1和图2所示，图中箭头A方向为光伏组件100的排向，图中箭头B方向为光伏组件100的列向。
根据本发明实施例的光伏组件具有电池片之间连接电阻小、电池片有效面积大CTM率高的优点。
在一些实施例中，如图1、图2、图7、图8和图9所示，光伏组件100还包括第二导电膜121和第三导电膜122，每个电池片组中位于边缘的两个电池片110中的一者通过第二导电膜121与第一汇流条130相连，每个电池片组中位于边缘的两个电池片110中的另一者通过第三导电膜122与第二汇流条131相连，其中，第二导电膜121涂布在第一汇流条130的底表面和相应电池片110的背离第一导电膜120的表面上，第三导电膜122涂布在第二汇流条131的底表面和相应电池片110的背离第一导电膜120的表面上。第一汇流条130和第二汇流条131用于导出整个光伏组件100的电流。
由此，第二导电膜121实现了电池片组与第一汇流条130的连接，第三导电膜122实现了电池片组与第二汇流条131的连接，第二导电膜121和第三导电膜122降低了第一汇流条130和第二汇流条131与电池片110之间的连接电阻，提高第一汇流条130和第二汇流条131的汇流效果。
在一些实施例中，如图1-9所示，多个电池片组中的所有电池片110的顶表面共面。
由此，多个电池片组的电池片顶表面共面有助于电池片组贴附第一导电膜和封装电池片组，电池片之间不存在交叠区域，保证了电池片有效面积。
在一些实施例中，电池片110为异质结电池片110。
由此，异质结电池片制作工序少、光电效率高，能够提高电池片组件的发电效率。
在一些实施例中，异质结电池片110包括：N型晶硅片、本征层非晶硅和P型、N型掺杂层非晶硅，N型晶硅片的正面依次沉积形成本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层，N型晶硅片的背面依次沉积形成本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层。
由此，异质结电池片通过正面的N型掺杂非晶硅层和背面的P型掺杂非晶硅层能形成 PN结和场钝化效应，改善界面间的载流子传输行为，提升光的吸收效果，从而保证电荷有效传输，提高异质结太阳能电池的光电转换效率。本征非晶硅层的主要作用是钝化硅表面的缺陷，进而降低载流子复合实现较高的少子寿命和开路电压。
在一些实施例中，第一导电膜120为纳米银线透明导电膜。
由此，纳米银线透明导电膜起到导出电池片110电流和串联连接电池片110的作用，纳米银线透明导电膜透光性好，能够提高降低导电膜对电池片110效率的影响，纳米银线透明导电膜的电阻率仅为ITO的1/3能够降低连接电阻提高电池片110效率，纳米银线透明导电膜极佳的柔性和极薄的厚度缩小电池片110之间的间隙排列，使光伏组件100的电池片110排列更为密集。
在一些实施例中，第二导电膜121和第三导电膜122为纳米银线透明导电膜。
由此，第二导电膜121和第三导电膜122能够更好地导出电池片110电流。
在一些实施例中，如图2和图9所示，光伏组件100还包括两个一一对应的EVA层140和玻璃板150，两个EVA层140设置在电池片110厚度方向的两侧，玻璃板150与相应EVA层140远离电池片110的一侧贴合。
由此，EVA能够增强光伏组件100的透光性，EVA层140设置在玻璃板150和电池片组之间起到粘结作用，保护电池片组。玻璃板150对光伏组件100的电池片组进行封装起到保护作用。
在一些实施例中，电池片110为全片、半片和多分片中的至少一者。
由此，电池片为全片电池工艺成熟、制造成本低，电池片为半片时抗遮挡性能好，可以降低热斑风险，电池片为多分片能够降低电池片在光伏组件100内串并联后的电流，在减少电流损失的同时，还能够降低热斑效应，提升组件可靠性。
根据本发明实施例的光伏组件制作方法，如图3-9所示，光伏组件制作方法包括以下步骤；由下至上依次叠放玻璃板150、EVA层140和第二导电膜121，在第二导电膜121的上方沿排向依次叠放第一汇流条130和第一个电池片110，在第一个电池片110上方涂布第一个第一导电膜120，第一个第一导电膜120的至少部分叠放在EVA层140上并位于第一电池片110背离第一汇流条130的一侧，在第一个第一导电膜120的至少部分上叠放第二个电池片110，在第二个电池片110上方涂布第二个第一导电膜120，第二个第一导电膜120的至少部分叠放在EVA层140上并位于第二电池片110背离第一汇流条130的一侧，重复上一步骤，直至在第N-1个第一导电膜120的至少部分上叠放第N个电池片110，在第N个电池片110上方涂布第三导电膜122，第三导电膜122的至少部分叠放在EVA层140上并位于第N个电池片110背离第一汇流条130的一侧，在第三导电膜122的至少部分上叠放第二汇流条131，在第一汇流条130、第二汇流条131和电池片110的上方依次铺设另一EVA层140和玻璃板150，层压两个玻璃板150，固化第一导电膜120、第二导电膜121和第三导电膜122，依靠层压和固化时的温度使得第一导电膜120、第二导电膜121和第三导电膜122固化并贴附于电池片110的正背面。
根据本发明实施例的光伏组件制作方法的技术优势与上述光伏组件的技术优势相同，此处不再赘述。
在一些实施例中，如图7-9所示，在排向的任意相邻两个第一导电膜120间隔开，第二导电膜121与相邻第一导电膜120在排向间隔开，第三导电膜122与相邻第一导电膜120在排向间隔开。
具体地，相邻两个第一导电膜120之间在排向的间隔相等，第二导电膜121与相邻第一导电膜120之间在排向的间隔相等，第三导电膜122与相邻第一导电膜120之间在排向的间隔相等，便于控制第一导电膜120、第二导电膜121和第三导电膜122在电池片110上的覆盖面积，降低光伏组件100制造成本。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征 “上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本发明中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、 “示例”、“具体示例”、或“一些示例”等意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (6)
1.一种光伏组件，其特征在于，包括：
多个电池片组，多个所述电池片组沿列向依次排列，所述电池片组包括沿排向依次排列的多个电池片；
第一导电膜，在排向的任意相邻两个所述电池片通过所述第一导电膜相连，其中，所述第一导电膜涂布在两个所述电池片中一者的底表面和两个所述电池片中另一者的顶表面上；以及
第一汇流条和第二汇流条，每个所述电池片组中位于边缘的两个所述电池片中的一者与所述第一汇流条相连，每个所述电池片组中位于边缘的两个所述电池片中的另一者与所述第二汇流条相连；
第二导电膜和第三导电膜，每个所述电池片组中位于边缘的两个所述电池片中的一者通过所述第二导电膜与所述第一汇流条相连，每个所述电池片组中位于边缘的两个所述电池片中的另一者通过所述第三导电膜与所述第二汇流条相连；其中，
所述第二导电膜涂布在所述第一汇流条的底表面和相应所述电池片的背离所述第一导电膜的表面上，所述第三导电膜涂布在所述第二汇流条的底表面和相应所述电池片的背离所述第一导电膜的表面上；
所述第一导电膜、第二导电膜和第三导电膜为纳米银线透明导电膜；
所述电池片为异质结电池片，所述异质结电池片包括：N型晶硅片、本征层非晶硅和P型、N型掺杂层非晶硅，所述N型晶硅片的正面依次沉积形成本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层，所述N型晶硅片的背面依次沉积形成本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层。
2.根据权利要求1所述的光伏组件，其特征在于，多个所述电池片组中的所有所述电池片的顶表面共面。
3.根据权利要求1所述的光伏组件，其特征在于，所述光伏组件还包括两个一一对应的EVA层和玻璃板，两个所述EVA层设置在所述电池片厚度方向的两侧，所述玻璃板与相应所述EVA层远离所述电池片的一侧贴合。
4.根据权利要求1所述的光伏组件，其特征在于，所述电池片为全片、半片和多分片中的至少一者。
5.一种光伏组件制作方法，利用权利要求1-4任一项所述的光伏组件，其特征在于，包括以下步骤：
由下至上依次叠放玻璃板、EVA层和第二导电膜；
在第二导电膜的上方沿排向依次叠放第一汇流条和第一个电池片；
在第一个电池片上方涂布第一个第一导电膜，第一个第一导电膜的至少部分叠放在EVA层上并位于第一电池片背离第一汇流条的一侧；
在第一个第一导电膜的至少部分上叠放第二个电池片，在第二个电池片上方涂布第二个第一导电膜，第二个第一导电膜的至少部分叠放在EVA层上并位于第二电池片背离第一汇流条的一侧；
重复上一步骤，直至在第N-1个第一导电膜的至少部分上叠放第N个电池片；
在第N个电池片上方涂布第三导电膜，第三导电膜的至少部分叠放在EVA层上并位于第N个电池片背离第一汇流条的一侧；
在第三导电膜的至少部分上叠放第二汇流条；
在第一汇流条、第二汇流条和电池片的上方依次铺设另一EVA层和玻璃板；
层压两个玻璃板，固化第一导电膜、第二导电膜和第三导电膜。
6.根据权利要求5所述的光伏组件制作方法，其特征在于，在排向的任意相邻两个所述第一导电膜间隔开，所述第二导电膜与相邻所述第一导电膜在排向间隔开，所述第三导电膜与相邻所述第一导电膜在排向间隔开。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210084706.5A CN114122178B (zh) | 2022-01-25 | 2022-01-25 | 光伏组件及其制备方法 |
| PCT/CN2023/072172 WO2023143144A1 (zh) | 2022-01-25 | 2023-01-13 | 光伏组件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210084706.5A CN114122178B (zh) | 2022-01-25 | 2022-01-25 | 光伏组件及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114122178A CN114122178A (zh) | 2022-03-01 |
| CN114122178B true CN114122178B (zh) | 2022-05-17 |
Family
ID=80361073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210084706.5A Active CN114122178B (zh) | 2022-01-25 | 2022-01-25 | 光伏组件及其制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114122178B (zh) |
| WO (1) | WO2023143144A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114122178B (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-17 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 光伏组件及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104350677A (zh) * | 2012-06-04 | 2015-02-11 | 夏普株式会社 | 太阳能电池模块以及太阳能电池模块的制造方法 |
| CN110808306A (zh) * | 2018-07-20 | 2020-02-18 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 光伏器件互连件、含其的光伏器件及形成互连件的方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014013875A (ja) * | 2012-06-04 | 2014-01-23 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
| KR20140110231A (ko) * | 2013-03-06 | 2014-09-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| CN204946915U (zh) * | 2015-04-30 | 2016-01-06 | 比亚迪股份有限公司 | 太阳能电池组件 |
| CN105702759B (zh) * | 2016-04-28 | 2018-03-09 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池主栅电极结构及其制备方法 |
| CN106784052A (zh) * | 2017-02-10 | 2017-05-31 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种太阳能电池组件 |
| CN111244216A (zh) * | 2020-01-23 | 2020-06-05 | 成都晔凡科技有限公司 | 叠瓦组件的制造方法及叠瓦组件 |
| CN114122178B (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-17 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 光伏组件及其制备方法 |
-
2022
- 2022-01-25 CN CN202210084706.5A patent/CN114122178B/zh active Active
-
2023
- 2023-01-13 WO PCT/CN2023/072172 patent/WO2023143144A1/zh unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104350677A (zh) * | 2012-06-04 | 2015-02-11 | 夏普株式会社 | 太阳能电池模块以及太阳能电池模块的制造方法 |
| CN110808306A (zh) * | 2018-07-20 | 2020-02-18 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 光伏器件互连件、含其的光伏器件及形成互连件的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114122178A (zh) | 2022-03-01 |
| WO2023143144A1 (zh) | 2023-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10074755B2 (en) | High efficiency solar panel | |
| US8158878B2 (en) | Thin film solar cell module | |
| EP3095139B1 (en) | High efficiency solar panel | |
| KR102053138B1 (ko) | 태양 전지 | |
| US20180019349A1 (en) | Gridless photovoltaic cells and methods of producing a string using the same | |
| CN109216478B (zh) | 单面叠瓦太阳能电池组件及制备方法 | |
| WO2015106167A2 (en) | Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes | |
| EP2816609B1 (en) | Solar cell | |
| CN114122178B (zh) | 光伏组件及其制备方法 | |
| CN215418193U (zh) | 电池片和具有其的光伏组件 | |
| KR20190013927A (ko) | 광전지, 광전지 어레이, 태양 전지 및 광전지 준비 방법 | |
| JP7529859B1 (ja) | 太陽光発電アセンブリ及び太陽光発電アセンブリの製造方法 | |
| CN213071154U (zh) | 光伏组件 | |
| US10644181B2 (en) | Photovoltaic module | |
| JP7530221B2 (ja) | 太陽電池ストリング及び太陽電池モジュール | |
| US11189738B2 (en) | Solar cell side surface interconnects | |
| CN216849965U (zh) | 异质结光伏组件 | |
| CN116632075A (zh) | 电池片及光伏组件 | |
| CN111725335A (zh) | Hbc高效太阳能电池背电极连接及封装一体化结构 | |
| CN107579122B (zh) | 电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法 | |
| CN216849964U (zh) | 异质结光伏组件 | |
| CN114420771B (zh) | 异质结光伏组件和异质结光伏组件的制造方法 | |
| CN114093969B (zh) | 电池片和具有其的光伏组件及光伏组件的制作方法 | |
| CN111628028B (zh) | 一种采用导电复合膜串联的背接触太阳电池组件 | |
| CN220543923U (zh) | 电池片及光伏组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230227 Address after: 102209 building a, Huaneng talent innovation and entrepreneurship base, Beiqijia future science and Technology City, Changping District, Beijing Patentee after: HUANENG CLEAN ENERGY Research Institute Patentee after: Huaneng Jilin Power Generation Co.,Ltd. Patentee after: Huaneng Group R&D Center Co., Ltd. Address before: 102209 building a, Huaneng talent innovation and entrepreneurship base, South District, future science and Technology City, Beiqijia Town, Changping District, Beijing Patentee before: HUANENG CLEAN ENERGY Research Institute Patentee before: Huaneng Group R&D Center Co., Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |