CN115207134B - 背接触异质结电池片、光伏组件及其制作方法 - Google Patents

背接触异质结电池片、光伏组件及其制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种背接触异质结电池片、光伏组件及其制作方法，涉及异质结光伏组件技术领域，背接触异质结电池片包括P区、N区、P区及N区的间隙、贯穿于P区及N区的电池片n等分切割线，(1≤n≤10),切割线分布在电池片本征非晶硅钝化层上。本发明提供的背接触异质结电池片具有透明导电层切损小，切片方便、成本低的优点。

Description

背接触异质结电池片、光伏组件及其制作方法
技术领域
本发明涉及异质结光伏组件技术领域，具体涉及一种背接触异质结电池片、光伏组件及其制作方法。
背景技术
目前背接触异质结电池面临的问题主要有：1)透明导电层切损大，不容易进行切片；
2)电池片背面P区及N区的比例设计、主栅数量设计，会对电池片效率产生影响；3)P区与N区的隔离是一个难题，如果两者之间的隔离区过窄则P区和N区可能被击穿产生漏电，太宽则影响电池片效率；4)常规工艺需要多步掩膜及刻蚀，导致电池片成本高，需要探索便捷的电池片生产工艺。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此，本发明的实施例提出一种背接触异质结电池片，该背接触异质结电池片具有透明导电层切损小，切片方便、成本低的优点。
本发明的实施例还提出一种光伏组件。
本发明的实施例又提出两种光伏组件制造方法。
根据本发明实施例的背接触异质结电池片包括P区、N区、所述P区和所述N区之间的间隙、贯穿所述P区和所述N区的电池片n等分切割线，所述切割线分布在电池片本征非晶硅钝化层上。
根据本发明实施例的背接触异质结电池片，通过在电池片本征非晶硅钝化层上预制切割线，可以在成型P区和N区时避让切割线，由此在沿切割线切割电池片时，不易因切割到P区11和N区12而产生切割碎片，减少了切割难度，减少了切割损伤和切割成本，提高了背接触异质结电池片的成品率。
在一些实施例中，1≤n≤10。
根据本发明实施例的光伏组件包括成列布置的多排电池片组、栅线胶膜、第一胶膜、第一玻璃板和第二玻璃板，每排所述电池片组包括多个沿排向依次衔接的异质结电池片，所述异质结电池片为上述任一实施例所述的背接触异质结电池片，任意相邻两排所述电池片的N区和P区排布顺序相反，所述异质结电池片的N区与相邻排中所述异质结电池片的P区的至少部分相对，所述N区和所述P区均位于所述异质结电池片的背侧；所述栅线胶膜上设有多条沿列向延伸的主栅线，所述栅线胶膜与多排所述电池片组的背面粘接，每个所述主栅线止抵在列向相邻并相对的所述P区和所述N区，以便于成排成列布置的多个异质结电池片通过多个主栅线串并联；所述第一胶膜压设在多排所述电池片组的顶面上；所述第一玻璃板和所述第二玻璃板分别压设在所述第一胶膜和所述栅线胶膜上。
根据本发明实施例的光伏组件，多个异质结电池片成排成列布置，并使多个异质结电池片的底面共面，由此避免相邻电池部分交叠而造成发电面积损失，降低了成本。而且，多个异质结电池片通过背侧的栅线胶膜上的多个主栅线实现串并联，由此不需要在顶面沉积透明导电膜，进而有效避免因透明导电膜的透光率而影响CTM率，光伏组件的发电效率更高。
在一些实施例中，每个所述异质结电池片包括多个交替布置的所述P区和所述N区，所述P区和所述N区的数量相等，任意相邻P区和N区之间形成隔离区，每个所述N区与相邻排的所述P区相对，所述隔离区的宽度为Z，所述N区的宽度为Wn，所述P区的宽度为Wp，其中，Wn＜Wp，10nm＜Z＜Wn。
在一些实施例中，所述主栅线的宽度为w，其中，w≤Wn≤w+Q，0≤Q≤0.2mm。
在一些实施例中，任意相邻两排所述电池片组错位布置，且错位距离为L，其中，-Wp+Wn≤L≤Wp-Wn，或L＝Wp+Z。
在一些实施例中，所述主栅线沿列向延伸的中心线与相应所述P区沿列向延伸的中心线和相应所述N区沿列向延伸的中心线重合。
在一些实施例中，所述P区上印刷或电镀有副栅线；
或者，所述栅线胶膜朝向所述异质结电池片的一侧设有与所述P区对应的副栅线。
在一些实施例中，所述光伏组件还包括第二胶膜，所述第二胶膜压设在所述栅线胶膜和所述第二玻璃板之间。
根据本发明实施例的光伏组件的制造方法包括以下步骤：
在N型衬底的背面和顶面分别沉积第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层，在第一本征非晶硅钝化层的背侧印刷切割线；
在第一本征非晶硅钝化层的背侧设置用于遮挡切割线的第一掩膜和用于遮挡P区及N区与P区间隙的第二掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧通过化学气相沉积N型非晶硅，再在N型非晶硅上通过物理气相沉积，沉积透明导电层，形成电池片N区；
去除第二掩膜及第一掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧设置用于遮挡切割线的第一掩膜和用于遮挡N区及N区与P区间隙的第三掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧通过化学气相沉积P型非晶硅，再在P型非晶硅上通过物理气相沉积，沉积透明导电层，形成P区，之后去除第三掩膜及第一掩膜；
通过切割线切割N型衬底和第一本征非晶硅钝化层，成型多个异质结电池片；
将多个异质结电池片成排成列布置；
将预制有多个主栅线的栅线胶膜粘接在成排成列布置的异质结电池片的背侧，实现成排成列布置的异质结电池片的串并联；
在成排成列布置的异质结电池片的顶面依次层压第一胶膜和第一玻璃板，在栅线胶膜的背面层压第二玻璃板。
根据本发明实施例的光伏组件的制造方法，通过在第一本征非晶硅钝化层上预制切割线，并在成型P区和N区时用第一掩膜遮挡切割线，由此成型的P区和N区在切割线处分隔开，在沿切割线切割时，不易因切割到P区和N区而产生切割碎片，减少了切割难度，减少了切割损伤，提高了异质结电池片的成品率。而且，将N型衬底沿切割线切片处理，以形成面积更小的异质结电池片，由此便于成型的光伏组件具有更高的电压。
在一些实施例中，所述异质结电池片中任意相邻P区和N区之间形成隔离区，所述第一掩膜的宽度等于所述切割线的宽度，切割线的宽度为：0.1mm-1.5mm，所述第二掩膜的宽度等于所述P区的宽度和两个隔离区的宽度之和，所述第三掩膜的宽度等于所述N区的宽度和两个所述隔离区的宽度之和，所述第三掩膜为凹槽形状掩膜，所述第三掩膜套设在所述N区上，所述第三掩膜的凹槽宽度等于N区宽度，所述第三掩膜的凹槽侧边宽度等于所述隔离区的宽度。
在一些实施例中，所述切割线的数量有多个，多个所述切割线沿所述第二掩膜的延伸方向间隔布置在所述第一本征非晶硅钝化层上。
在一些实施例中，所述异质结电池片的宽度为Ww，所述主栅线的宽度为w，所述N区的宽度为Wn，所述P区的宽度为Wp，所述隔离区的宽度为Z，每个异质结电池片对应所述主栅线的数量为n，其中，w≤Wn≤w+Q，0≤Q≤0.2mm，Wp＝[Ww-n*Wn-(2n-1)*Z]/n，通过调整w和n的数值，优化电池结构使得异质结电池片的发电效率达到设定值。
根据本发明实施例的光伏组件的制造方法包括以下步骤：
在N型衬底的背面和顶面分别沉积第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层，在第一本征非晶硅钝化层的背侧印刷切割线；
在第一本征非晶硅钝化层的背侧设置用于遮挡切割线的第一掩膜和用于遮挡P区及N区与P区间隙的第二掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧通过化学气相沉积N型非晶硅，再在N型非晶硅上通过物理气相沉积，沉积透明导电层，形成电池片N区；
去除第二掩膜及第一掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧设置用于遮挡切割线的第一掩膜和用于遮挡N区及N区与P区间隙的第三掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧通过化学气相沉积P型非晶硅，再在P型非晶硅上通过物理气相沉积，沉积透明导电层，形成P区，之后去除第三掩膜及第一掩膜；
在电池片P区印刷副栅线及主栅线；
在电池片N区印刷主栅线；
通过切割线切割N型衬底和第一本征非晶硅钝化层，成型多个异质结电池片；
通过焊带，将上下两排异质结电池片经过主栅线焊接在一起，实现成排成列布置的异质结电池片的串并联；
将焊接好的异质结电池组进行封装。
根据本发明实施例的光伏组件的制造方法的技术优势与上述实施例的光伏组件的制造方法的技术优势相同，此处不再赘述。
附图说明
图1是本发明实施例中P区及N区宽度计算方法图。
图2是根据本发明实施例的光伏组件以P区及N区宽度计算方法进行的P区N区及切割线设计示意图。
图3是根据本发明实施例的光伏组件中为本征非晶钝化层上印刷电池片切割线示意图。
图4是根据本发明实施例的光伏组件成型N型非晶硅时的示意图。
图5是根据本发明实施例的光伏组件成型N区透明导电层时的示意图。
图6是根据本发明实施例的光伏组件成型P型非晶硅时的示意图。
图7是根据本发明实施例的光伏组件成型P区透明导电层时的示意图。
图8是根据本发明实施例的背接触异质结电池片成型N区的过程剖面图，其中
图(a)在N型衬底上印刷本征非晶硅钝化层，并在本征非晶硅钝化层上印刷电池片切割线；
图(b)在第一本征非晶硅钝化层上放置第二掩膜+第一掩膜；
图(c)在第一本征非晶硅钝化层上沉积N型非晶硅；
图(d)在N型非晶硅上沉积透明导电层，形成电池片N区；
图(e)从电池片上剥除第二掩膜+第一掩膜。
图9是根据本发明实施例的背接触异质结电池片成型P区的过程剖面图，其中
图(f)在上述成型的电池片N区上套设第三掩膜+第一掩膜；
图(g)在第一本征非晶硅钝化层上沉积P型非晶硅；
图(h)在P型非晶硅上沉积透明导电层，形成电池片P区；
图(i)从电池片上剥除第三掩膜+第一掩膜。
图10是根据本发明实施例的光伏组件的示意图。
附图标记：
1、异质结电池片；11、P区；12、N区；13、隔离区；14、第一本征非晶硅钝化层；15、N型非晶硅；16、P型非晶硅；17、透明导电层；2、切割线；3、第一掩膜；4、第二掩膜；5、第三掩膜；6、主栅线。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下面结合图1-图10描述根据本发明实施例的背接触异质结电池片和光伏组件。
根据本发明实施例的背接触异质结电池片包括P区11、N区12、P区11和N区12之间的间隙、贯穿P区11和N区12的电池片n等分切割线2，切割线2分布在电池片本征非晶硅钝化层上。
根据本发明实施例的背接触异质结电池片，通过在电池片本征非晶硅钝化层上预制切割线2，可以在成型P区11和N区12时避让切割线2，由此在沿切割线2切割电池片时，不易因切割到P区11和N区12而产生切割碎片，减少了切割难度，减少了切割损伤和切割成本，提高了背接触异质结电池片的成品率。
在一些实施例中，1≤n≤10，即可以根据想要切片的数量，灵活设置相应数量的切割线2。
根据本发明实施例的光伏组件包括成列布置的多排电池片组、栅线胶膜、第一胶膜、第一玻璃板和第二玻璃板。每排电池片组包括多个沿排向依次衔接的异质结电池片1，异质结电池片1为上述任一实施例所述的背接触异质结电池片，异质结电池片1具有沿排向间隔交错设置的多个P区11和多个N区12。
任意相邻两排电池片组的N区11和P区12排布顺序相反，异质结电池片1的N区12与相邻排中异质结电池片1的P区11的至少部分相对，N区12和P区11均位于异质结电池片1的背侧。即N区12与相邻排的异质结电池片1的P区11在列向衔接，便于下述的主栅线6连接两者。
如图10所示，栅线胶膜上设有多条沿列向延伸的主栅线6，栅线胶膜与多排电池片组的背面粘接，每个主栅线6止抵在列向相邻并相对的P区11和N区12，以便于成排成列布置的多个异质结电池片1通过多个主栅线6串并联。第一胶膜压设在多排电池片组的顶面上。第一玻璃板和第二玻璃板分别压设在第一胶膜和栅线胶膜上。
根据本发明实施例的光伏组件，多个异质结电池片1成排成列布置，并使多个异质结电池片1的底面共面，由此避免相邻电池部分交叠而造成发电面积损失，降低了成本。而且，多个异质结电池片1通过背侧的栅线胶膜上的多个主栅线6实现串并联，由此不需要在顶面沉积透明导电膜，进而有效避免因透明导电膜的透光率而影响CTM率，光伏组件的发电效率更高。
需要说明地，P区11代指异质结电池片1背面中P型非晶硅16所在的区域，N区12代指异质结电池片1背面中N型非晶硅15所在的区域。
在一些实施例中，如图1和图10所示，每个异质结电池片1包括多个交替布置的P区11和N区12，P区11和N区12的数量相等，任意相邻P区11和N区12之间形成隔离区13，每个N区12与相邻排的P区11相对，隔离区13的宽度为Z，N区12的宽度为Wn，P区11的宽度为Wp，其中，Wn＜Wp，10nm＜Z＜Wn。
由此便于主栅线6止抵在列向相邻和相对的每对N区12和P区11，即异质结电池片1中的多个P区11和N区12也通过栅线胶膜实现相互串联，由此异质结电池片1的加工工序少，光伏组件的装配简单方便，且电压更高，发电效率更高。
在一些实施例中，主栅线6的宽度为w，其中，w≤Wn≤w+Q，0≤Q≤0.2mm。
即主栅线6的宽度大体等于N区12的宽度，此时P区11宽度与N区12宽度的比值更大，随着异质结电池片1背面发射极比例的增大，少数载流子更容易被收集，由此进一步增加了短路电流密度，光伏组件的发电效率更高。
优选地，主栅线6的宽度等于N区12的宽度，以每片异质结电池片1的尺寸为158*39.5mm为例，在主栅线6的宽度为0.5mm时，异质结电池片1的N区12宽度为0.5mm，P区11宽度为19.05mm，隔离区13的宽度为0.1mm。而且，此时主栅线6可以为宽0.5mm，长78mm的铜制主栅线6，铜制主栅线6预制在栅线胶膜上，铜制主栅线6的长度有效保证在列向相邻P区11和N区12的电连接。
在一些实施例中，任意相邻两排电池片组错位布置，且错位距离为L，其中，-Wp+Wn≤L≤Wp-Wn，或L＝Wp+Z。
由此，在保证成型的光伏组件的表面积一定的情况下，光伏组件在列向的最大尺寸更小，结构更紧凑，占用空间更小。而且，此时便于N区12的中心线和与N区12在列向相邻的P区11的中心线相近或共线，由此更便于主栅线6对两者的连接，光伏组件的装配效率更低。
优选地，主栅线6沿列向延伸的中心线与相应P区11沿列向延伸的中心线和相应N区12沿列向延伸的中心线重合。由此进一步提高了光伏组件的发电效率。
在一些实施例中，P区11上印刷或电镀有副栅线。
副栅线有效降低P区11的电流传输电阻，以进一步提高光伏组件的发电效率。
或者，栅线胶膜朝向异质结电池片1的一侧设有与P区11对应的副栅线。
即副栅线和主栅线6共同预制在栅线胶膜上，栅线胶膜与成排成列的多个异质结电池片1的背面粘接，即实现副栅线与P区11的相连，由此进一步降低了电流传输电阻，提高了光伏组件的发电效率。
在一些实施例中，光伏组件还包括第二胶膜，第二胶膜压设在栅线胶膜和第二玻璃板之间。
由此，光伏组件的背面的封装效果更好，有效保证主栅线6实现多个异质结电池片1的串并联，保证了光伏组件的发电效率。
如图1-图9所示，根据本发明实施例的光伏组件的制造方法包括以下步骤：
如图(a)所示，在N型衬底的背面和顶面分别沉积第一非晶硅钝化层14和第二非晶硅钝化层，在第一非晶硅钝化层14的背侧印刷切割线2。
如图(b)-图(d)所示，在第一非晶硅钝化层14的背侧设置用于遮挡切割线2的第一掩膜3和用于遮挡P区11及N区12与P区11间隙的第二掩膜4，在第一非晶硅钝化层14的背侧通过化学气相沉积N型非晶硅15，再在N型非晶硅15上通过物理气相沉积，沉积透明导电层17，形成电池片N区12。
如图(e)-图(i)所示，去除第二掩膜4及第一掩膜3，在第一非晶硅钝化层14的背侧设置用于遮挡切割线2的第一掩膜3和用于遮挡N区12及N区12与P区11间隙的第三掩膜5，在第一非晶硅钝化层14的背侧通过化学气相沉积P型非晶硅16，再在P型非晶硅16上通过物理气相沉积，沉积透明导电层17，形成P区11，之后去除第三掩膜5及第一掩膜3。
通过切割线2切割N型衬底和第一本征非晶硅钝化层14，成型多个异质结电池片1。
如图10所示，将多个异质结电池片1成排成列布置。
将预制有多个主栅线6的栅线胶膜粘接在成排成列布置的异质结电池片1的背侧，实现成排成列布置的异质结电池片1的串并联。
在成排成列布置的异质结电池片1的顶面依次层压第一胶膜和第一玻璃板，在栅线胶膜的背面层压第二玻璃板。
根据本发明实施例的光伏组件的制造方法，通过在第一非晶硅钝化层14上预制切割线2，并在成型P区11和N区12时用第一掩膜3遮挡切割线2，由此成型的P区11和N区12在切割线2处分隔开，在沿切割线2切割时，不易因切割到P区11和N区12而产生切割碎片，减少了切割难度，减少了切割损伤，提高了异质结电池片1的成品率。而且，将N型衬底沿切割线2切片处理，以形成面积更小的异质结电池片1，由此便于成型的光伏组件具有更高的电压。
需要说明地是，N型衬底也可以为P型衬底，如果是P型衬底，则电池片栅线、P区11及N区12的设置与N型衬底相反。将多个异质结电池片1成排成列布置时，还将相邻两排异质结电池片1在排向错位布置。
在一些实施例中，异质结电池片1中任意相邻P区11和N区12之间形成隔离区13，第一掩膜3的宽度等于切割线2的宽度，切割线2的宽度为：0.1mm-1.5mm，第二掩膜4的宽度等于P区11的宽度和两个隔离区13的宽度之和，第三掩膜5的宽度等于N区12的宽度和两个隔离区13的宽度之和，第三掩膜5为凹槽形状掩膜，第三掩膜5套设在N区12上，第三掩膜5的凹槽宽度等于N区12宽度，第三掩膜5的凹槽侧边宽度等于隔离区13的宽度。
由此，在N型衬底上成型N型非晶硅15、P型非晶硅16以及P区和N区的透明导电层17后，相邻N型非晶硅15和P型非晶硅16之间，以及相邻N区透明导电层17和P区透明导电层17之间形成设定宽度的隔离区13。
在一些实施例中，切割线2的数量有多个，多个切割线2沿第二掩膜4的延伸方向间隔布置在第一非晶硅钝化层14上。
如图1所述，切割线2的数量可以为三个，三个切割线2沿N区12和P区11的长度方向等间隔布置，由此沿切割线2切割后可以将电池原片切割成型四个异质结电池片1，形成四分片，由此保证光伏组件具有足够大的电压。
在一些实施例中，如图1所示，异质结电池片1的宽度为Ww，主栅线6的宽度为w，N区12的宽度为Wn，P区11的宽度为Wp，隔离区13的宽度为Z，每个异质结电池片1对应主栅线6的数量为n。其中，w≤Wn≤w+Q，0≤Q≤0.2mm，Wp＝[Ww-n*Wn-(2n-1)*Z]/n，通过调整Ww和n的数值，优化电池结构使得异质结电池片1的发电效率达到设定值。
具体地，分别做出在主栅线6宽度w不变，主栅线6数量n变化的电池片效率变化图；及主栅线6数量n不变，主栅线6宽度w变化的电池片效率变化图，找出最优的电池片效率点。由于主栅线6宽度大体等于电池片N区12的宽度，因此调整主栅线6宽度相当于调整N区12宽度；调整主栅线6数量，也相当于调整N区12的面积。两种情况下，P区11与N区12的比例均会发生变化，电池片的效率也会发生变化，这是因为随着背表面发射极比例的变化，少数载流子的收集难度变化，短路电流密度也相应变化。由此，通过对上述参数的调节，即可将异质结电池片1的发电效率调整至设定值。
根据本发明另一实施例的光伏组件的制造方法包括以下步骤：
在N型衬底的背面和顶面分别沉积第一本征非晶硅钝化层14和第二本征非晶硅钝化层，在第一本征非晶硅钝化层14的背侧印刷切割线2。
在第一本征非晶硅钝化层14的背侧设置用于遮挡切割线2的第一掩膜3和用于遮挡P区11及N区12与P区11间隙的第二掩膜4，在第一本征非晶硅钝化层14的背侧通过化学气相沉积N型非晶硅15，再在N型非晶硅15上通过物理气相沉积，沉积透明导电层17，形成电池片N区12。
去除第二掩膜4及第一掩膜3，在第一本征非晶硅钝化层14的背侧设置用于遮挡切割线2的第一掩膜3和用于遮挡N区12及N区12与P区11间隙的第三掩膜5，在第一本征非晶硅钝化层14的背侧通过化学气相沉积P型非晶硅16，再在P型非晶硅16上通过物理气相沉积，沉积透明导电层17，形成P区11，之后去除第三掩膜5及第一掩膜3。
在电池片P区11印刷副栅线及主栅线6。
在电池片N区12印刷主栅线6。
通过切割线2切割N型衬底和第一本征非晶硅钝化层14，成型多个异质结电池片1。
通过焊带，将上下两排异质结电池片1经过主栅线6焊接在一起，实现成排成列布置的异质结电池片1的串并联。
将焊接好的异质结电池组进行封装。
根据本发明实施例的光伏组件的制造方法的技术优势与上述实施例的光伏组件的制造方法的技术优势相同，此处不再赘述。
需要说明地，焊带将N区12上的主栅线6与相邻一排的对应的P区11上的主栅线6相连，以实现成排成列布置的异质结电池片1的串并联。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本发明中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管已经示出和描述了上述实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域普通技术人员对上述实施例进行的变化、修改、替换和变型均在本发明的保护范围内。

Claims (5)

1.一种光伏组件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在N型衬底的背面和顶面分别沉积第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层，在第一本征非晶硅钝化层的背侧印刷切割线；
在第一本征非晶硅钝化层的背侧设置用于遮挡切割线的第一掩膜和用于遮挡P区及N区与P区间隙的第二掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧通过化学气相沉积N型非晶硅，再在N型非晶硅上通过物理气相沉积，沉积透明导电层，形成电池片N区；
去除第二掩膜及第一掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧设置用于遮挡切割线的第一掩膜和用于遮挡N区及N区与P区间隙的第三掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧通过化学气相沉积P型非晶硅，再在P型非晶硅上通过物理气相沉积，沉积透明导电层，形成P区，之后去除第三掩膜及第一掩膜；
通过切割线切割N型衬底和第一本征非晶硅钝化层，成型多个异质结电池片；
将多个异质结电池片成排成列布置；
将预制有多个主栅线的栅线胶膜粘接在成排成列布置的异质结电池片的背侧，实现成排成列布置的异质结电池片的串并联；
在成排成列布置的异质结电池片的顶面依次层压第一胶膜和第一玻璃板，在栅线胶膜的背面层压第二玻璃板。
2.根据权利要求1所述的光伏组件的制造方法，其特征在于，所述异质结电池片中任意相邻P区和N区之间形成隔离区，所述第一掩膜的宽度等于所述切割线的宽度，切割线的宽度为：0.1mm-1.5mm，所述第二掩膜的宽度等于所述P区的宽度和两个隔离区的宽度之和，所述第三掩膜的宽度等于所述N区的宽度和两个所述隔离区的宽度之和，所述第三掩膜为凹槽形状掩膜，所述第三掩膜套设在所述N区上，所述第三掩膜的凹槽宽度等于N区宽度，所述第三掩膜的凹槽侧边宽度等于所述隔离区的宽度。
3.根据权利要求1所述的光伏组件的制造方法，其特征在于，所述切割线的数量有多个，多个所述切割线沿所述第二掩膜的延伸方向间隔布置在所述第一本征非晶硅钝化层上。
4.根据权利要求2所述的光伏组件的制造方法，其特征在于，所述异质结电池片的宽度为Ww，所述主栅线的宽度为w，所述N区的宽度为Wn，所述P区的宽度为Wp，所述隔离区的宽度为Z，每个异质结电池片对应所述主栅线的数量为n，其中，w≤Wn≤w+Q，0≤Q≤0.2mm，Wp=[Ww-n*Wn-（2n-1）*Z]/n，通过调整w和n的数值，优化电池结构使得异质结电池片的发电效率达到设定值。
5.一种光伏组件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在N型衬底的背面和顶面分别沉积第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层，在第一本征非晶硅钝化层的背侧印刷切割线；
在第一本征非晶硅钝化层的背侧设置用于遮挡切割线的第一掩膜和用于遮挡P区及N区与P区间隙的第二掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧通过化学气相沉积N型非晶硅，再在N型非晶硅上通过物理气相沉积，沉积透明导电层，形成电池片N区；
去除第二掩膜及第一掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧设置用于遮挡切割线的第一掩膜和用于遮挡N区及N区与P区间隙的第三掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧通过化学气相沉积P型非晶硅，再在P型非晶硅上通过物理气相沉积，沉积透明导电层，形成P区，之后去除第三掩膜及第一掩膜；
在电池片P区印刷副栅线及主栅线；
在电池片N区印刷主栅线；
通过切割线切割N型衬底和第一本征非晶硅钝化层，成型多个异质结电池片；
通过焊带，将上下两排异质结电池片经过主栅线焊接在一起，实现成排成列布置的异质结电池片的串并联；
将焊接好的异质结电池组进行封装。
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