CN114256387A - 一种钙钛矿-异质结三端mwt结构叠层太阳能电池的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种钙钛矿‑异质结三端MWT结构叠层太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池制造领域。正面减少了阴影遮挡面积，使其具有高的光电转换效率和高的开路电压，增加了发电量，减少组件功率损失。所述叠层太阳能电池包括层叠的钙钛矿电池以及MWT异质结硅基底电池；所述钙钛矿电池结构从上到下依次包括第一透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层；所述MWT异质结硅基底电池从上到下依次包括第二透明导电层、N型掺杂非晶硅层、本征非晶硅层、N型单晶硅基底、本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、背面ITO导电层。突破了对钙钛矿顶电池材料的带隙限制，增大了对电池材料的选择范围，有利于电池效率的提升。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及一种钙钛矿-异质结三端MWT结构叠层太阳能电池及其制备方法。
背景技术
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池作为新型高效率、低成本太阳能电池在全世界范围内被广泛关注。短短几年时间里，钙钛矿电池的光电转换效率从2009年的3 .8％迅速攀升到超过25％以上，已接近商业化硅基太阳能电池的效率。叠层太阳电池采用不同禁带宽度的材料吸收太阳光，可减少高于带隙的高能量太阳光的热化损失，以及低于带隙的低能量太阳光不能被吸收的损失，提高电池光电转换效率。近几年，钙钛矿/晶硅叠层太阳电池因具有带隙匹配、光电转换效率高、工艺简单等特性，成为新兴的研究热点。
钙钛矿/晶硅叠层电池主要包括四端和两端结构。
四端结构是分离的顶电池与底电池，其优点是各个子电池的制备工艺不互相制约，能各自采用最优的工艺条件。但是四端叠层电池对电极有较高的要求，要求四个电极其中三个为透明电极，进光面电极需要具备在宽光谱范围内的高透过，中间两个电极需要具备在红外光谱范围内的高透过。而且采用四端结构意味着功率电子元件要加倍，相应地，度电成本将提高。
两端结构是在晶硅电池上直接生长钙钛矿电池，中间通过复合层或隧道结将两个子电池串联起来。两端叠层电池仅需要一个宽光谱透明电极，有利于降低制造成本。但两端叠层电池串联的电流由两个子电池中较小的电流决定，故要求两个子电池具有近似的电流，这个电流匹配要求会将顶电池理想带隙限制在 1．7～1．8 eV 的狭窄范围内，为制备高效率叠层电池带来较大的难度。
发明内容
本发明针对以上问题，提出了一种钙钛矿-异质结三端MWT结构叠层太阳能电池的制备方法，通过MWT的穿孔结构将电极全部引到电池背面，正面减少了阴影遮挡面积，使其具有高的光电转换效率和高的开路电压，增加了发电量，还可以利用现有二维低温背接触封装方式制备组件，减少组件功率损失。
本发明的技术方案为：所述叠层太阳能电池包括层叠的钙钛矿电池以及MWT异质结硅基底电池；
所述钙钛矿电池结构从上到下依次包括第一透明导电层1、空穴传输层2、钙钛矿吸收层3、电子传输层4；所述MWT异质结硅基底电池从上到下依次包括第二透明导电层5、N型掺杂非晶硅层6、本征非晶硅层7、N型单晶硅基底8、本征非晶硅层7、P型掺杂非晶硅层9、背面ITO导电层10；
所述叠层太阳能电池还开设有同时贯穿钙钛矿电池和MWT异质结硅基底电池的第一贯穿孔，以及贯穿MWT异质结硅基底电池的第二贯穿孔，所述第一贯穿孔中设有第一堵孔电极11，所述第二贯穿孔中设有第二堵孔电极12；
所述第一堵孔电极11连接第一透明导电层1，并与第二透明导电层5绝缘；所述第二堵孔电极12同时连接电子传输层4及第二透明导电层5，并与背面ITO导电层10绝缘；
所述第一透明导电层1的正面还设有正面栅线，所述背面ITO导电层10的背面还设有正电极13、背面栅线，所述正面栅线与第一堵孔电极11连接，所述有正电极连接背面ITO导电层10，所述背面栅线与正电极13连接，从而在叠层太阳能电池的背面通过正电极、第一堵孔电极的底端、第二堵孔电极的底端形成三端结构。
所述第一贯穿孔具有m×m个，m为大于1的整数；所述第二贯穿孔具有n×n个，n为大于1的整数。
按以下步骤进行制备：
S1、制备异质结底电池；
S1.1、取硅片：取N型单晶或多晶或铸锭单晶硅片作为硅衬底，厚度为80~160μm；
S1.2、激光打孔：按照n×n孔洞点阵图形，在硅片上打孔，形成直径为0.1~0.3mm的圆形孔洞；n为大于1的整数；
S1.3、抛光与氧化：将打孔后硅片进行双面抛光，硅片正面使用链式臭氧氧化或管式热氧氧化，在正面形成2-10nm氧化层；
S1.4、制绒与清洗：采用碱与制绒添加剂进行单面织构化，去除硅片表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率；同时在硅片正面形成均匀绒面，可以起到陷光作用，提高对光的吸收；RCA清洗提高硅片表面的洁净度；
S1.5、本征非晶硅层沉积：在硅片正背双面使用CVD沉积3-10nm本征非晶硅薄膜。
S1.6、正面N型非晶硅沉积：在正面使用CVD沉积N型掺杂非晶硅薄膜，膜厚为2-10nm；
S1.7、背面P型非晶硅沉积: 在背面使用CVD沉积P型掺杂非晶硅薄膜，膜厚为2-10nm；
S1.8、背面进行ITO导电膜沉积：使用PVD在正背面沉积导电薄膜ITO，膜层厚度为50-100nm；
S1.9、正面制备ITO透明导电层：选用电子束蒸发工艺，ITO(氧化铟锡)厚度40-60nm，在300-1100nm的太阳光透过率在85％-90％，电阻率3.0~4.0×10 -4Ω·cm，从而形成第二透明导电层；
S1.10、隔离绝缘：在背面n×n个孔洞周围印刷环形ITO蚀刻浆料，印刷浆料宽度0.05-0.3mm，印刷蚀刻环内直径大于负极点直径1~5μm；
在正面第二组m×m个激光孔洞所在位置的周围预先印刷环形ITO蚀刻浆料，印刷浆料宽度0.05-0.3mm，印刷蚀刻环内直径大于250μm，在100-180℃条件下烘干，浆料将ITO刻掉，实现孔洞附近ITO与其他区域的绝缘隔离，纯水冲洗并烘干；m为大于1的整数；
S2、制备钙钛矿顶电池；
S2.1、电子传输层制备：在底电池的上部的透明导电层上制备电子传输层，电子传输层的材料可以是C60、[6，6]－苯基－C61－丁酸异甲酯(PCBM)、SnO 2、TiO 2中的一种或多种；利用原子层沉积工艺(ALD)在80℃～120℃条件下，进行120次～200次循环，制备材质为SnO2或TiO2的电子传输层，电子传输层的厚度可以为10nm～30nm；
S2.2、钙钛矿吸收层制备：选用带宽1.5-2.5ev材料，采用旋涂的方法在电子传输层上制备钙钛矿光吸收层，将含有ABX3结构的溶液旋涂至在上述制备的电子传输层上，在50℃~100℃烘干5~10min，厚度为800-1000nm；其中，A为CH3 NH3阳离子、C4H9 NH3阳离子、NH2＝CHNH2阳离子、Cs阳离子中的一种或多种；B为Pb2+、Sn2+中的一种或两种的组合；X为I-、Cl-、Br-中的一种或多种；
S2.3、空穴传输层制备：在上述制备的钙钛矿吸收层上制备空穴传输层，空穴传输层材料包括PTAA、P3HT、Poly-TPD、NiOx、V2O5、MoOx、PEDOT:PSS、WOx、Spiro-OMeTAD、CuSCN、Cu2O、、m-MTDATA CuI、Spiro-TTB、F4-TCNQ、F6-TCNNQ或TAPC中的一种或多种的组合，厚度为0-500nm；
S2.4、透明导电层制备：选用电子束蒸发制备ITO透明导电层，制备ITO的厚度20-30nm，在300-1100nm的太阳光透过率在86％-92％，从而形成第一透明导电层；
S3、制备叠层电池金属电极；
S3.1、经上述S1、S2制备后形成叠层电池，然后进行贯穿顶电池与底电池的m×m阵列第二组激光打孔，孔径0.1~0.3mm；
S3.2、金属电极印刷：使用低温银浆采用丝网印刷方式依次进行第一组n×n孔洞堵孔电极、第二组m×m孔洞堵孔电极印刷或两组孔洞同时印刷堵孔电极，在150~160℃烘干5~15min；第一组n×n孔洞中的堵孔电极与第二透明导电层连接，将顶电池与底电池的负极引到电池背面；再印刷背面栅线与正电极，在150~160℃烘干5~15min；正面顶电池导电层印刷银细栅线，与第二组m×m孔洞中的堵孔电极连接，将顶电池的正极汇流到电池背面，在180~200℃固化20~30min，完成三端结构的叠层电池制备。
进一步的，步骤S1.10中隔离绝缘也可以使用紫外皮秒激光实现，在背面n×n孔洞周围与正面第二组m×m孔洞位置周围激光打掉ITO形成隔离。
进一步的，步骤S2.4中透明导电层的也可使用磁控溅射方式制备。
本发明制备钙钛矿为顶电池，异质结硅电池作底电池的三端MWT结构叠层电池，此方法可以减少透明电极数量，减少电子元件使用数量，相应的降低度电成本，有利于提高底电池的受光，提高电池效率；解决四端电池的现存问题；三端结构解决了二端电池两个子电池串联电流的匹配问题，突破了对钙钛矿顶电池材料的带隙限制，增大了对电池材料的选择范围，有利于电池效率的提升。此方法通过MWT的穿孔结构将电极全部引到电池背面，正面减少了阴影遮挡面积。使其具有高的光电转换效率和高的开路电压，增加了发电量，还可以利用现有二维低温背接触封装方式制备组件，减少组件功率损失。
附图说明
图1是本案的结构示意图；
图中1是第一透明导电层，2是空穴传输层，3是钙钛矿吸收层，4是电子传输层；
5是第二透明导电层，6是N型掺杂非晶硅层，7是本征非晶硅层，8是N型单晶硅基底，9是P型掺杂非晶硅层，10是背面ITO导电层；
11是第一堵孔电极，12是第二堵孔电极，13是正电极。
具体实施方式
为能清楚说明本专利的技术特点，下面通过具体实施方式，并结合其附图，对本专利进行详细阐述。
本发明如图1所示，顶电池为钙钛矿电池，底电池为异质结硅基底电池，钙钛矿电池结构依次为顶电池导电层-透明电极、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、第二透明导电层; MWT异质结底电池结构依次包括钙钛矿顶电池底部的第二透明导电层、N型掺杂非晶硅层、本征非晶硅层、N型单晶硅基底、本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、背面ITO导电层，丝网印刷低温银浆栅线电极汇流；硅片先完成n×n激光打孔然后进行底电池工艺制备；顶电池制备完成后再进行m×m激光打孔，完成丝网印刷与导电层与穿孔电极的隔离绝缘，以实现堵孔电极将第一透明导电层与第二透明导电层电流引至电池背面。
实施例1：
S1.1、取硅片：使用厚度100μmN型单晶硅片作为衬底。
S1.2、激光打孔：按照6×6孔洞点阵图形，在硅片上打孔，形成直径为0.2mm的圆形孔洞。
S1.3、抛光与氧化：将打孔后硅片进行双面抛光，硅片正面使用管式热氧氧化，氧化温度180℃，氧气流量2000sccm，在正面形成5nm氧化层。
S1.4、制绒与清洗：采用碱与单面制绒添加剂（TS03）进行单面织构化，去除硅片表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率；同时在硅片正面形成均匀绒面，可以起到陷光作用，提高对光的吸收；RCA清洗提高硅片表面的洁净度。
S1.5、本征非晶硅层沉积：在硅片正背面使用CVD沉积5nm本征非晶硅薄膜。
S1.6、正面N型非晶硅沉积：在正面使用CVD沉积N型掺杂非晶硅薄膜，膜厚为8nm。
S1.7、背面P型非晶硅沉积: 在背面使用CVD沉积P型掺杂非晶硅薄膜，膜厚为8nm。
S1.8、背面进行ITO导电膜沉积：使用PVD在正背面沉积导电薄膜ITO，膜层厚度为80nm。
S1.9、正面制备ITO（氧化铟锡）透明导电层：选用电子束蒸发工艺，制备厚度50nm的ITO透明导电层，电阻率3.0×10-4Ω·cm。
S1.10、隔离绝缘：在背面6×6个孔洞与正面第二组5×5激光孔洞周围使用皮秒紫外激光打掉ITO，背面孔洞周围隔离环内径1.2mm，正面第二组孔洞隔离环内径0.3mm，实现孔洞附近ITO与其他区域的绝缘隔离。
S2.1、电子传输层制备：在步骤9制备的透明导电层上制备电子传输层，采用蒸镀工艺在钙钛矿吸收层上制备一层PCBM薄膜层，然后利用原子层沉积工艺(ALD)在80℃条件下，进行150次循环，制备材质为TiO2的电子传输层。电子传输层的厚度可以为12nm。
S2.2、钙钛矿吸收层制备：采用旋涂的方法制备钙钛矿光吸收层，将含有C4H9NH3SnBr3结构的溶液旋涂至在上述制备的电子传输层上，在100℃烘干12min，厚度为800nm。
S2.3、空穴传输层制备：空穴传输层的材料为0.2-1.2mol/L的2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-MeOTAD)的溶液沉积到钙钛矿吸收层之上，旋涂均匀即可。
S2.4、透明导电层制备：利用磁控溅射以200W功率溅射3min形成20nm的ITO薄膜，方阻为70-80欧/□。
S3.1、将上述制备好的叠层电池进行贯穿顶电池与底电池的5x5阵列第二组激光打孔，形成孔径0.2mm的圆形孔洞。
S3.2、金属电极印刷：使用低温银浆采用丝网印刷方式同时印刷6x6孔洞与5x5两组堵孔电极孔洞，在150℃烘干10min，第一组孔洞中的堵孔电极与第二透明导电层连接，将顶电池与底电池的负极引到电池背面；再印刷背面栅线与正电极，在150℃烘干10min；最后正面顶电池导电层印刷银细栅线，与第二组5x5堵孔电极连接，将顶电池的正极汇流到电池背面，在200℃固化30min，完成三端结构的叠层电池制备。
实施例2：
S1.1、硅片：使用厚度120μm N型单晶硅片作为衬底。
S1.2、激光打孔：按照6×6孔洞点阵图形，在硅片上打孔，形成直径为0.2mm的圆形孔洞。
S1.3、抛光与氧化：将打孔后硅片进行双面抛光，硅片正面使用管式热氧氧化，氧化温度180℃，氧气流量2000sccm,在正面形成5nm氧化层。
S1.4、制绒与清洗：采用碱与单面制绒添加剂（TS03）进行单面织构化，去除硅片表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率；同时在硅片正面形成均匀绒面，可以起到陷光作用，提高对光的吸收；RCA清洗提高硅片表面的洁净度。
S1.5、本征非晶硅层沉积：在硅片正背面使用CVD沉积5nm本征非晶硅薄膜。
S1.6、正面N型非晶硅沉积：在正面使用CVD沉积N型掺杂非晶硅薄膜，膜厚为8nm。
S1.7、背面P型非晶硅沉积: 在背面使用CVD沉积P型掺杂非晶硅薄膜，膜厚为8nm。
S1.8、背面进行ITO导电膜沉积：使用PVD在正背面沉积导电薄膜ITO，膜层厚度为80nm。
S1.9、正面制备ITO(氧化铟锡)透明导电层：选用电子束蒸发工艺，制备厚度50nm的ITO透明导电层，电阻率3.0×10 -4Ω·cm。
S1.10、隔离绝缘：在背面6×6个孔洞周围印刷环形ITO蚀刻浆料，印刷浆料宽度0.2mm，印刷蚀刻环内直径1.6mm；在正面第二组5×5激光孔洞周围印刷环形ITO蚀刻浆料，印刷浆料宽度0.2mm，印刷蚀刻环内径为280μm，在150℃条件下烘干，纯水冲洗掉蚀刻浆料并烘干，实现孔洞附近ITO与其他区域的绝缘隔离。
S2.1、电子传输层制备：在步骤9制备的透明导电层上制备电子传输层，采用蒸镀工艺在电子传输层上制备一层C60薄膜层，然后利用原子层沉积工艺(ALD)在100℃条件下，进行150次循环，制备材质为SnO2的电子传输层。电子传输层的厚度可以为15nm。
S2.2、钙钛矿吸收层制备：采用旋涂的方法制备钙钛矿光吸收层，将含有CH3 NH3SnBr3结构的溶液旋涂至在上述制备的电子传输层上，在80℃烘干10min，厚度为900nm。
S2.3、空穴传输层制备：空穴传输层的材料为0.2-1.2mol/L的2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-MeOTAD)的溶液沉积到钙钛矿吸收层之上，旋涂均匀即可。
S2.4、透明导电层制备：选用电子束蒸发制备ITO(氧化铟锡)厚度20nm的透明导电层，在300-1100nm的太阳光透过率在86％-92％。
S3.1、将上述制备好的叠层电池进行贯穿顶电池与底电池的5x5阵列第二组激光打孔，形成孔径0.2mm的圆形孔洞。
S3.2、金属电极印刷：使用低温银浆采用丝网印刷方式同时印刷6x6孔洞与5x5两组堵孔电极孔洞，在150℃烘干10min，第一组孔洞中的堵孔电极与第二透明导电层连接，将顶电池与底电池的负极引到电池背面；再印刷背面栅线与正电极，在150℃烘干10min；最后正面顶电池导电层印刷银细栅线，与第二组5x5堵孔电极连接，将顶电池的正极汇流到电池背面，在200℃固化30min，完成三端结构的叠层电池制备。
本发明具体实施途径很多，以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进，这些改进也应视为本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种钙钛矿-异质结三端MWT结构叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述叠层太阳能电池包括层叠的钙钛矿电池以及MWT异质结硅基底电池；
所述钙钛矿电池结构从上到下依次包括第一透明导电层（1）、空穴传输层（2）、钙钛矿吸收层（3）、电子传输层（4）；所述MWT异质结硅基底电池从上到下依次包括第二透明导电层（5）、N型掺杂非晶硅层（6）、本征非晶硅层（7）、N型单晶硅基底（8）、本征非晶硅层（7）、P型掺杂非晶硅层（9）、背面ITO导电层（10）；
所述叠层太阳能电池还开设有同时贯穿钙钛矿电池和MWT异质结硅基底电池的第一贯穿孔，以及贯穿MWT异质结硅基底电池的第二贯穿孔，所述第一贯穿孔中设有第一堵孔电极（11），所述第二贯穿孔中设有第二堵孔电极（12）；
所述第一堵孔电极（11）连接第一透明导电层（1），并与第二透明导电层（5）绝缘；所述第二堵孔电极（12）同时连接电子传输层（4）及第二透明导电层（5），并与背面ITO导电层（10）绝缘；
所述第一透明导电层（1）的正面还设有正面栅线，所述背面ITO导电层（10）的背面还设有正电极（13）、背面栅线，所述正面栅线与第一堵孔电极（11）连接，所述有正电极连接背面ITO导电层（10），所述背面栅线与正电极（13）连接，从而在叠层太阳能电池的背面通过正电极、第一堵孔电极的底端、第二堵孔电极的底端形成三端结构；
按以下步骤进行制备：
S1、制备异质结底电池；
S1.1、取硅片：取N型单晶或多晶或铸锭单晶硅片作为硅衬底，厚度为80~160μm；
S1.2、激光打孔：按照n×n孔洞点阵图形，在硅片上打孔，形成直径为0.1~0.3mm的圆形孔洞；
S1.3、抛光与氧化：将打孔后硅片进行双面抛光，硅片正面使用链式臭氧氧化或管式热氧氧化，在正面形成2-10nm氧化层；
S1.4、制绒与清洗：采用碱与制绒添加剂进行单面织构化，去除硅片表面的损伤层；同时在硅片正面形成均匀绒面；
S1.5、本征非晶硅层沉积：在硅片正背双面使用CVD沉积3-10nm本征非晶硅薄膜；
S1.6、正面N型非晶硅沉积：在正面使用CVD沉积N型掺杂非晶硅薄膜，膜厚为2-10nm；
S1.7、背面P型非晶硅沉积: 在背面使用CVD沉积P型掺杂非晶硅薄膜，膜厚为2-10nm；
S1.8、背面进行ITO导电膜沉积：使用PVD在正背面沉积导电薄膜ITO，膜层厚度为50-100nm；
S1.9、正面制备ITO透明导电层：选用电子束蒸发工艺，ITO(氧化铟锡)厚度40-60nm，在300-1100nm的太阳光透过率在85％-90％，电阻率3.0~4.0×10 -4Ω·cm，从而形成第二透明导电层；
S1.10、隔离绝缘：在背面n×n个孔洞周围印刷环形ITO蚀刻浆料，印刷浆料宽度0.05-0.3mm，印刷蚀刻环内直径大于负极点直径1~5μm；
在正面第二组m×m个激光孔洞所在位置的周围预先印刷环形ITO蚀刻浆料，印刷浆料宽度0.05-0.3mm，印刷蚀刻环内直径大于250μm，在100-180℃条件下烘干，浆料将ITO刻掉，实现孔洞附近ITO与其他区域的绝缘隔离，纯水冲洗并烘干；
S2、制备钙钛矿顶电池；
S2.1、电子传输层制备：在底电池的上部的透明导电层上制备电子传输层，电子传输层的材料可以是C60、[6，6]－苯基－C61－丁酸异甲酯(PCBM)、SnO 2、TiO 2中的一种或多种；利用原子层沉积工艺(ALD)在80℃～120℃条件下，进行120次～200次循环，制备材质为SnO2或TiO2的电子传输层，电子传输层的厚度可以为10nm～30nm；
S2.2、钙钛矿吸收层制备：选用带宽1.5-2.5ev材料，采用旋涂的方法在电子传输层上制备钙钛矿光吸收层，将含有ABX3结构的溶液旋涂至在上述制备的电子传输层上，在50℃~100℃烘干5~10min，厚度为800-1000nm；其中，A为CH3 NH3阳离子、C4H9 NH3阳离子、NH2＝CHNH2阳离子、Cs阳离子中的一种或多种；B为Pb2+、Sn2+中的一种或两种的组合；X为I-、Cl-、Br-中的一种或多种；
S2.3、空穴传输层制备：在上述制备的钙钛矿吸收层上制备空穴传输层，空穴传输层材料包括PTAA、P3HT、Poly-TPD、NiOx、V2O5、MoOx、PEDOT:PSS、WOx、Spiro-OMeTAD、CuSCN、Cu2O、、m-MTDATA CuI、Spiro-TTB、F4-TCNQ、F6-TCNNQ或TAPC中的一种或多种的组合，厚度为0-500nm；
S2.4、透明导电层制备：选用电子束蒸发制备ITO透明导电层，制备ITO的厚度20-30nm，在300-1100nm的太阳光透过率在86％-92％，从而形成第一透明导电层；
S3、制备叠层电池金属电极；
S3.1、经上述S1、S2制备后形成叠层电池，然后进行贯穿顶电池与底电池的m×m阵列第二组激光打孔，孔径0.1~0.3mm；
S3.2、金属电极印刷：使用低温银浆采用丝网印刷方式依次进行第一组n×n孔洞堵孔电极、第二组m×m孔洞堵孔电极印刷或两组孔洞同时印刷堵孔电极，在150~160℃烘干5~15min；第一组n×n孔洞中的堵孔电极与第二透明导电层连接，将顶电池与底电池的负极引到电池背面；再印刷背面栅线与正电极，在150~160℃烘干5~15min；正面顶电池导电层印刷银细栅线，与第二组m×m孔洞中的堵孔电极连接，将顶电池的正极汇流到电池背面，在180~200℃固化20~30min，完成三端结构的叠层电池制备。
2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿-异质结三端MWT结构叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一贯穿孔具有m×m个，m为大于1的整数；所述第二贯穿孔具有n×n个，n为大于1的整数。
3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿-异质结三端MWT结构叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S1.10中隔离绝缘也可以使用紫外皮秒激光实现，在背面n×n孔洞周围与正面第二组m×m孔洞位置周围激光打掉ITO形成隔离。
4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿-异质结三端MWT结构叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S2.4中透明导电层的也可使用磁控溅射方式制备。
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