CN220986088U - 叠层太阳能电池、光伏组件以及用电装置 - Google Patents
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- 230000005611 electricity Effects 0.000 title description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 25
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 3
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JKSIBASBWOCEBD-UHFFFAOYSA-N N,N-bis(4-methoxyphenyl)-9,9'-spirobi[fluorene]-1-amine Chemical compound COc1ccc(cc1)N(c1ccc(OC)cc1)c1cccc2-c3ccccc3C3(c4ccccc4-c4ccccc34)c12 JKSIBASBWOCEBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012296 anti-solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N methyl-cyclopentane Natural products CC1CCCC1 GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005262 decarbonization Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910003473 lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide Inorganic materials 0.000 description 1
- QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N lithium;bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide Chemical compound [Li+].FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C(F)(F)F QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- SSGHNQPVSRJHEO-UHFFFAOYSA-N selenocyanogen Chemical compound N#C[Se][Se]C#N SSGHNQPVSRJHEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种叠层太阳能电池、光伏组件以及用电装置,叠层太阳能电池包括依次层叠的钙钛矿电池、金属栅层、透明导电层以及染料敏化电池,所述叠层太阳能电池为四端串联结构。通过透明导电层将钙钛矿电池与染料敏化电池分隔,金属栅层可以降低钙钛矿电池以及透明导电层之间的接触电阻,进一步提高电子收集效率,获得光电转换性能较高的串联叠层太阳能电池。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种叠层太阳能电池、光伏组件以及用电装置。
背景技术
解决能源短缺和气候变化问题,探索无碳能源成为未来50年人类面临的重大挑战之一。在这一背景下,太阳能电池成为实现脱碳经济和可持续能源供应的关键技术之一。钙钛矿太阳电池及其叠层电池发展迅速,已成为当前光伏领域的研究热点。有机/无机卤化钙钛矿材料具备吸收系数高、带隙可调和制备工艺简单等优势。实验室中的钙钛矿太阳电池效率从2009年的3.8%迅速提升至26.1%。多结太阳能电池通过将不同带隙宽度的材料按顺序叠加形成,是目前突破单结太阳能电池33.7%的Shockley-Queisser极限的唯一途径。
然而,虽然可以利用硅电池、铜铟镓硒(CIGS)电池以及碲化镉(CdTe)电池制备叠层电池,但是存在制造工艺复杂、结构复杂、成本高且对环境不友好,因此并不适合作为叠层太阳能电池的理想选择。而且上述叠层太阳能电池按照传统四端串联连接的方式,中间层接触电阻较大,存在电荷传输效率低的问题。
实用新型内容
基于此,本实用新型一实施例提供了一种结构简单以及高电荷传输效率的叠层太阳能电池、光伏组件以及用电装置。
本实用新型一实施例提供了一种叠层太阳能电池,包括依次层叠的钙钛矿电池、金属栅层、透明导电层以及染料敏化电池,所述叠层太阳能电池为四端串联结构。
在其中一个实施例中,所述钙钛矿电池的带隙范围为1.5eV~2.5eV。
在其中一个实施例中,所述染料敏化电池的带隙范围为0.8eV~1.8eV。
在其中一个实施例中,所述钙钛矿电池包括依次层叠的电子传输层、钙钛矿吸收层以及第一空穴传输层。
在其中一个实施例中,所述染料敏化电池为固态染料敏化电池或液态染料敏化电池。
在其中一个实施例中,所述固态染料敏化电池包括依次层叠的介孔层、敏化剂吸收层以及第二空穴传输层。
在其中一个实施例中,所述液态染料敏化电池包括依次层叠的介孔层、敏化剂吸收层、氧化还原介质层以及催化剂层。
在其中一个实施例中,所述介孔层的厚度为50nm~1000nm。
在其中一个实施例中,还包括位于所述钙钛矿电池远离所述金属栅层一侧表面的第一电极。
在其中一个实施例中,所述第一电极为透明电极。
在其中一个实施例中,还包括位于所述染料敏化电池远离所述透明导电层一侧表面的第二电极。
在其中一个实施例中,所述第二电极为金属电极或透明电极。
本实用新型进一步地提供了一种光伏组件,包括如上述的叠层太阳能电池。
本实用新型还提供一种用电装置,其供电装置包括上述的叠层太阳能电池或光伏组件。
本实用新型一实施例所提供的叠层太阳能电池,通过透明导电层将钙钛矿电池与染料敏化电池分隔,金属栅层可以降低钙钛矿电池以及透明导电层之间的接触电阻,进一步提高电子收集效率,获得光电转换性能较高的串联叠层太阳能电池。
附图说明
图1为本实用新型一实施例所提供的叠层太阳能电池的结构示意图;
图2为本实用新型又一实施例所提供的叠层太阳能电池的结构示意图;
图3为本实用新型又一实施例所提供的叠层太阳能电池的结构示意图;
附图标记说明:
10:叠层太阳能电池;110:钙钛矿电池;120:金属栅层;130:透明导电层;140:染料敏化电池;150:第一电极;160:第二电极;
20:叠层太阳能电池;210:钙钛矿电池;211:电子传输层;212:钙钛矿吸收层;213:第一空穴传输层;220:金属栅层;230:透明导电层;240:固态染料敏化电池;241:介孔层;242:敏化剂吸收层;243:第二空穴传输层;250:第一电极;260:第二电极;
30:叠层太阳能电池;310:钙钛矿电池;311:电子传输层;312:钙钛矿吸收层;313:第一空穴传输层;320:金属栅层;330:透明导电层;340:液态染料敏化电池;341:介孔层;342:敏化剂吸收层;343:氧化还原介质层;344:催化剂层;350:第一电极;360:第二电极。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1所示,本实用新型一实施例提供了一种叠层太阳能电池10,包括依次层叠的钙钛矿电池110、金属栅层120、透明导电层130以及染料敏化电池140,叠层太阳能电池10为四端串联结构。
在一个具体示例中,钙钛矿电池110的带隙范围为1.5eV~2.5eV。优选地钙钛矿电池110的带隙范围为1.6eV~2.4eV。具体地,钙钛矿电池110的带隙范围可以但不限于是1.6eV、1.7eV、1.8eV、1.9eV、2eV、2.1eV、2.2eV、2.3eV或2.4eV。
在一个具体示例中,染料敏化电池140的带隙范围为0.8eV~1.8eV。优选地,染料敏化电池140的带隙范围为1eV~1.6eV。具体地,染料敏化电池140的带隙范围可以但不限于是1eV、1.1eV、1.2eV、1.3eV、1.4eV、1.5eV或1.6eV。
钙钛矿电池110和染料敏化电池140的带隙均可通过选择钙钛矿电池110中不同的钙钛矿吸收层或染料敏化电池140中不同的敏化剂吸收层来实现广泛可调,这为高性能叠层太阳能电池的设计与制备增加了理论可行性。
在一个具体示例中,金属栅层120包括金栅线、银栅线以及铜栅线中的一种或多种构成的金属栅层120,厚度为200nm~5000nm。
在一个具体示例中,透明导电层130包括透明基底以及在透明基底两侧表面形成的透明导电材料层,可以理解地,透明导电层130为双面导电的,透明基底包括玻璃以及聚合物薄膜中的一种或两种,透明导电材料层包括掺杂氟的二氧化锡层(FTO)、氧化铟锡(ITO)层、掺铟的氧化锌(IZO)层以及掺铝的氧化锌(AZO)中的一种或多种。透明导电层130中透明导电材料层的厚度为0nm~100nm,且不包括0nm,优选地,透明导电材料层的厚度为5nm~40nm。
在一个具体示例中,染料敏化电池140为固态染料敏化电池或液态染料敏化电池。
上述钙钛矿电池110和染料敏化电池140制备所需材料广泛易得,绿色环保,且制备过程无需高温,这降低了生产成本和能耗。易于实现大面积,大规模生产。钙钛矿电池110和染料敏化电池140均适用于“卷对卷”生产工艺,这大大降低生产难度。使用金属导电浆料钙钛矿电池110和双面导电透明基底形成的透明导电层130之间绘制较细的金属栅线形成的金属栅层120粘合钙钛矿电池110和透明导电层130,降低其接触电阻,并形成高速电子通道,加速电荷转移,减少界面复合。
本实用新型一实施例所提供的叠层太阳能电池10,通过透明导电层130将钙钛矿电池110与染料敏化电池140分隔,金属栅层120可以降低钙钛矿电池110以及透明导电层130之间的接触电阻,进一步提高电子收集效率,获得光电转换性能较高的串联叠层太阳能电池10。
进一步地,上述叠层太阳能电池10具有均衡的电流路径、灵活的配置、良好的可扩展性以及故障隔离性。
可以理解地,叠层太阳能电池10还包括位于钙钛矿电池110远离金属栅层120一侧表面的第一电极150,以及位于染料敏化电池140远离透明导电层130一侧表面的第二电极160。
本实用新型还提供一种光伏组件,包括如上述的叠层太阳能电池10。
本实用新型还提供一种用电装置,其供电装置包括上述的叠层太阳能电池10或光伏组件。
可以理解地,用电装置可以但不限于是可以利用电能转化为如光能、机械能、热能任何其他能量的装置,其应用场景根据需要进行变化,以用电装置为灯具为例,其具有灵活多变的场景可以但不限于是多种照明场景、多种提示场景以及多种装饰场景等场景。
进一步地,如图2所示的叠层太阳能电池20中包括依次层叠的钙钛矿电池210、金属栅层220、透明导电层230以及固态染料敏化电池240。
其中,钙钛矿电池210包括依次层叠的电子传输层211、钙钛矿吸收层212以及第一空穴传输层213。
优选地,第一空穴传输层213与金属栅层220接触。使用金属导电浆料钙钛矿电池210和双面导电透明基底形成的透明导电层230之间绘制较细的金属栅线形成的金属栅层220粘合第一空穴传输层213和透明导电层230,降低其接触电阻,并形成高速电子通道,加速电荷转移,减少界面复合。
进一步地,电子传输层211包含二氧化钛(TiO2)层、二氧化锡(SnO2)层、C60层或富勒烯衍生物(PCBM)层中的一层或多层。电子传输层211的厚度为0nm~200nm,但不包括0nm,优选地,电子传输层211的厚度为5nm~50nm。更进一步地,钙钛矿吸收层212为有机/无机卤化铅吸收层,有机/无机卤化铅吸收层的材料具体包含MAPb(IxBr1-x)3、FAPb(IxBr1-x)3、CsPb(IxBr1-x)3、MAFAPb(IxBr1-x)3、MACsPb(IxBr1-x)3、FACsPb(IxBr1-x)3、MAFACsPb(IxBr1-x)3以及MAFACsRb(IxBr1-x)3,其中0≤x≤1中的一种或多种。钙钛矿吸收层212的厚度为10nm~2000nm,优选地,钙钛矿吸收层212的厚度为50nm~500nm。
第一空穴传输层213包含2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)层、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)层、聚[双(4-苯基)(2,4,7-三甲基苯基)胺](PTAA)层以及氧化镍(NiO)层中的一层或多层。第一空穴传输层213的厚度为0nm~200nm,但不包括0nm,优选地,第一空穴传输层213的厚度为2nm~20nm。
在一个具体示例中,固态染料敏化电池240包括依次层叠的介孔层241、敏化剂吸收层242以及第二空穴传输层243。
进一步地,介孔层241包括二氧化钛层、二氧化锡层以及氧化锌层中的一层或多层。介孔层241的材料的粒径为5nm~50nm,上述颗粒组成的粗糙平面,可以增加敏化剂的负载量,并增加光在电池内部的散射,提高光的利用率。
介孔层241的厚度为50nm~1000nm,优选地,介孔层241的厚度为80nm~200nm。
敏化剂吸收层242为N3、N719、TUS-38、T7、DX3、D149、D205、WS-69、Y123、C272、CYC-B11、D149、D205以及Y123中的一种或多种。敏化剂吸收层242的厚度为0nm~30nm,但不包括0nm,优选地,敏化剂吸收层242的厚度为2nm~10nm。
第二空穴传输层243包含2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)层、聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOP)层、聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)层、聚三己基噻吩(P3HT)层、Cs2SnI6层、CsSnI3–xFx层、CuSCN、Cu(tmby)2层或Co(bpy)3层中的一层或多层。第二空穴传输层243的厚度为5nm~200nm,优选地,第二空穴传输层243的厚度为10nm~80nm。
在一个具体示例中,还包括位于钙钛矿电池210远离金属栅层220一侧表面的第一电极250。进一步地,第一电极250为透明电极。
具体地,第一电极250包括透明基底以及透明导电材料层,透明基底包括玻璃以及聚合物薄膜中的一种或两种,透明导电材料层包括掺杂氟的二氧化锡层(FTO)、氧化铟锡(ITO)层、掺铟的氧化锌(IZO)层以及掺铝的氧化锌(AZO)中的一种或多种。第一电极250中透明导电材料层的厚度为0nm~100nm,且不包括0nm,优选地,透明导电材料层的厚度为5nm~40nm。
在一个具体示例中,还包括位于固态染料敏化电池240远离透明导电层230一侧表面的第二电极260。更进一步地,第二电极260为金属电极。具体地,第二电极260可以但不限于是包含金电极、银电极以及铜电极中的一种或多种。第二电极260的厚度为10nm~200nm,优选地,第二电极260的厚度为20nm~100nm。
上述叠层太阳能电池20可以但不限于按照以下步骤进行制备:
采用磁控溅射、电子束蒸发或电化学扩散等工艺沉积在透明基底上制备透明导电材料层形成第一电极250。
采用旋涂、狭缝涂布、刮涂、喷涂、蒸镀、磁控溅射以及原子层沉积等工艺中的一种或多种,在第一电极250上沉积电子传输层211。
进一步地,采用蒸镀、旋涂、狭缝涂布、喷涂以及刮涂等工艺中的一种或多种,在电子传输层211上沉积钙钛矿吸收层212,沉积过程中需采用反溶剂萃取法、真空辅助干燥法、氮气吹扫以及基底加热等方法中的一种或多种控制钙钛矿薄膜结晶进程,以提升钙钛矿薄膜质量。
进一步地,采用旋涂、狭缝涂布、刮涂、喷涂、蒸镀以及磁控溅射后原子层沉积等工艺中的一种或多种,在钙钛矿吸收层212上沉积第一空穴传输层213。
进一步地,采用磁控溅射、电子束蒸发或电化学扩散等工艺在透明基底的正反两面均沉积一层透明导电材料层,制备透明导电层230。
进一步地,采用丝网印刷、刮涂、狭缝涂布、旋涂以及喷涂等工艺中的一种或多种在双面导电透明基底的一侧表面上沉积介孔层241。
采用浸渍法完成染料的沉积,即将介孔层241浸入染料溶液中一定时间,染料吸附在介孔层241上,从而形成敏化剂吸收层242。
采用旋涂、喷涂、刮涂、狭缝涂布、丝网印刷以及蒸镀等工艺中的一种或多种,在介孔层241上沉积第二空穴传输层243。
采用蒸镀、磁控溅射以及原子层沉积等工艺中的一种或多种,在第二空穴传输层243上沉积金属电极作为第二电极260。
使用金属导电浆料在第一空穴传输层213和透明导电层230之间绘制较细的金属栅线,制备金属栅层220粘合钙钛矿电池210和透明导电层230。
根据本实用新型的实施例可提供一种基于固态结构染料敏化电池的钙钛矿/染料敏化叠层太阳能电池20的制作方法,制作方法如下:
在高透玻璃上通过磁控溅射沉积一层10nm的氧化铟锡(ITO),制备第一电极250。
采用原子层沉积法在第一电极250上沉积一层厚度为10nm的SnO2,作为电子传输层211。
将配制好的Cs0.6FA0.4Pb(I0.7Br0.3)3钙钛矿前驱体溶液,通过旋涂法沉积在电子传输层211上,制作厚度为200nm的有机/无机卤化铅吸收层作为钙钛矿吸收层212,该过程需通过反溶剂萃取、真空辅助干燥以及氮气吹扫等方法中的一种多种,控制钙钛矿结晶过程,以制备高质量钙钛矿薄膜,提升电池效率。
将配制的PTAA氯苯溶液充分搅拌至PTAA完全溶解后,采用旋涂法在有机/无机卤化铅吸收层上沉积制备厚度为20nm的第一空穴传输层213。
随后在一块新的高透玻璃的正反两面分别通过磁控溅射沉积一层厚度为10nm的ITO,来制备透明导电层230。
进一步地,采用丝网印刷工艺,将粒径为20nm的锐钛矿型纳米TiO2沉积在透明导电层230的一侧表面,制作厚度为80nm的介孔层241。TiO2纳米颗粒在烧结干燥后,会形成具有大比表面积的粗糙平面,有利于吸附更多的敏化剂分子,并增加反射,提高光的利用率。
进一步地,将上述介孔层241加热至105℃保持5分钟,然后趁热放入50mM Y123染料溶液中浸泡12小时,制作为厚度5nm的敏化剂吸收层242。在敏化过程中加热,有利于减少水分子与染料敏化剂在介孔层241上的竞争吸附作用,提高敏化剂分子的吸附量,从而增加光生电流密度。
进一步地,使用无水乙醇冲洗多余染料,并用氮气吹干,然后在敏化剂吸收层242上依次旋涂Spiro-OMeTAD(溶剂为氯苯)、TBP和LiTFSI(溶剂为乙腈)制作厚度40nm的第二空穴传输层243。
进一步地,使用蒸镀工艺,在第二空穴传输层243上沉积厚度为50nm的Ag膜,作为第二电极260。
进一步地,使用Ag浆在第一空穴传输层213和透明导电层230之间绘制较细的金属栅线形成金属栅层220粘合钙钛矿电池210和透明导电层230,与固态染料敏化电池240形成叠层太阳能电池20,降低其接触电阻,进一步提高电子收集效率,获得光电转换性能较高的串联叠层太阳能电池20。
需要说明的是,如图2所示的叠层太阳能电池20仅为钙钛矿电池210与固态染料敏化电池240一种结构连接方式,上述连接后第一电极250为负极,第二电极260为正极,也可以第一电极250为正极,第二电极260为负极,对应叠层太阳能电池20中对应结构需要进行适应性调整即可。
进一步地,如图3所示的又一种叠层太阳能电池30中,包括依次层叠的钙钛矿电池310、金属栅层320、透明导电层330以及液态染料敏化电池340。钙钛矿电池310包括依次层叠的电子传输层311、钙钛矿吸收层312以及第一空穴传输层313,第一空穴传输层313与金属栅层320接触。
液态染料敏化电池340包括依次层叠的介孔层341、敏化剂吸收层342、氧化还原介质层343以及催化剂层344,进一步地,介孔层341与透明导电层330接触。
可以理解地,叠层太阳能电池30中氧化还原介质层343的材料为电解液,电解液具体地包括I-/I3 -、Br-/Br3 -、SeCN-/(SeCN)2、Co2+/3+、Cu+/2+、T-/T2或TEMPO+/TEMPO中的任意一种,氧化还原介质层343的厚度200nm~2000nm。
进一步地,催化剂层344的材料包括金属硫化物、金属氧化物、合金、金属单质以及碳材料中的任意一种,催化剂层344的厚度20nm~200nm。
叠层太阳能电池30还包括位于钙钛矿电池310远离金属栅层320一侧表面的第一电极350,液态染料敏化电池340远离透明导电层330一侧表面的第二电极360。进一步地,第一电极350与第二电极360均为透明电极。
具体地,第一电极350与第二电极360各自独立地包括透明基底以及透明导电材料层,透明基底包括玻璃以及聚合物薄膜中的一种或两种,透明导电材料层包括掺杂氟的二氧化锡层(FTO)、氧化铟锡(ITO)层、掺铟的氧化锌(IZO)层以及掺铝的氧化锌(AZO)中的一种或多种。
可以理解地,如图3所示的叠层太阳能电池30中除氧化还原介质层343、催化剂层344以及第二电极360需要进一步限定,而叠层太阳能电池30中其他结构与如图2所示的叠层太阳能电池20中对应结构,材料的选择、性能和厚度的限定的范围是完全相同的。
需要说明的是,如图3所示的叠层太阳能电池30仅为钙钛矿电池310与液态染料敏化电池340一种连接方式,上述连接后第一电极350为负极,第二电极360为正极,也可以第一电极350为正极,第二电极360为负极,对应叠层太阳能电池30中对应结构需要进行适应性调整即可。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,便于具体和详细地理解本实用新型的技术方案,但并不能因此而理解为对申请专利保护范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。应当理解,本领域技术人员在本实用新型提供的技术方案的基础上,通过合乎逻辑地分析、推理或者有限的实验得到的技术方案,均在本实用新型所附权利要求的保护范围内。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求的内容为准,说明书可以用于解释权利要求的内容。
Claims (14)
1.一种叠层太阳能电池,其特征在于,包括依次层叠的钙钛矿电池、金属栅层、透明导电层以及染料敏化电池,所述叠层太阳能电池为四端串联结构。
2.如权利要求1所述的叠层太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿电池的带隙范围为1.5eV~2.5eV。
3.如权利要求1所述的叠层太阳能电池,其特征在于,所述染料敏化电池的带隙范围为0.8eV~1.8eV。
4.如权利要求1所述的叠层太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿电池包括依次层叠的电子传输层、钙钛矿吸收层以及第一空穴传输层。
5.如权利要求1所述的叠层太阳能电池,其特征在于,所述染料敏化电池为固态染料敏化电池或液态染料敏化电池。
6.如权利要求5所述的叠层太阳能电池,其特征在于,所述固态染料敏化电池包括依次层叠的介孔层、敏化剂吸收层以及第二空穴传输层。
7.如权利要求5所述的叠层太阳能电池,其特征在于,所述液态染料敏化电池包括依次层叠的介孔层、敏化剂吸收层、氧化还原介质层以及催化剂层。
8.如权利要求6或7所述的叠层太阳能电池,其特征在于,所述介孔层的厚度为50nm~1000nm。
9.如权利要求1~7任一项所述的叠层太阳能电池,其特征在于,还包括位于所述钙钛矿电池远离所述金属栅层一侧表面的第一电极。
10.如权利要求9所述的叠层太阳能电池,其特征在于,所述第一电极为透明电极。
11.如权利要求1~7任一项所述的叠层太阳能电池,其特征在于,还包括位于所述染料敏化电池远离所述透明导电层一侧表面的第二电极。
12.如权利要求11所述的叠层太阳能电池,其特征在于,所述第二电极为金属电极或透明电极。
13.一种光伏组件,其特征在于,包括如权利要求1~12任一项所述的叠层太阳能电池。
14.一种用电装置,其特征在于,其供电装置包括1~12任一项所述的叠层太阳能电池或如权利要求13所述的光伏组件。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322898426.0U CN220986088U (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | 叠层太阳能电池、光伏组件以及用电装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
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CN220986088U true CN220986088U (zh) | 2024-05-17 |
Family
ID=91036794
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN202322898426.0U Active CN220986088U (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | 叠层太阳能电池、光伏组件以及用电装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN220986088U (zh) |
-
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