RU2369941C2 - Преобразователь электромагнитного излучения (варианты) - Google Patents

Преобразователь электромагнитного излучения (варианты) Download PDF

Info

Publication number
RU2369941C2
RU2369941C2 RU2007129517/28A RU2007129517A RU2369941C2 RU 2369941 C2 RU2369941 C2 RU 2369941C2 RU 2007129517/28 A RU2007129517/28 A RU 2007129517/28A RU 2007129517 A RU2007129517 A RU 2007129517A RU 2369941 C2 RU2369941 C2 RU 2369941C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
conductivity
type
converter according
electrode
substrate
Prior art date
Application number
RU2007129517/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2007129517A (ru
Inventor
Броня Цой (RU)
Броня Цой
Юрий Дмитриевич Будишевский (RU)
Юрий Дмитриевич Будишевский
Original Assignee
Броня Цой
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Броня Цой filed Critical Броня Цой
Priority to RU2007129517/28A priority Critical patent/RU2369941C2/ru
Priority to PCT/RU2008/000490 priority patent/WO2009022945A1/ru
Priority to EA201000133A priority patent/EA016932B1/ru
Priority to KR1020107004570A priority patent/KR101052030B1/ko
Priority to EP08827372A priority patent/EP2180520A1/en
Priority to US12/671,518 priority patent/US20100282310A1/en
Publication of RU2007129517A publication Critical patent/RU2007129517A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2369941C2 publication Critical patent/RU2369941C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/061—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being of the point-contact type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к преобразователям электромагнитного излучения. Согласно первому варианту преобразователь содержит по меньшей мере одну собирающую область с проводимостью первого типа и по меньшей мере одну собирающую область с проводимостью второго типа, а также связанные с указанными областями первый и второй токосборные проводящие электроды. При этом на первой, воспринимающей падающее электромагнитное излучение стороне подложки с проводимостью второго типа выполнено N>1 областей с проводимостью первого типа, каждая из которых расположена относительно других областей с той же проводимостью на расстоянии F<2f, где f - величина, соизмеримая с диффузионной длиной или равная диффузионной длине неравновесных неосновных носителей заряда. Согласно второму варианту преобразователь содержит одну собирающую область с проводимостью первого типа и по крайней мере одну собирающую область с проводимостью второго типа, а также связанные с указанными областями первый и второй токосборные проводящие электроды. При этом первый электрод соединен с указанной областью с проводимостью первого типа, расположенной на первой, воспринимающей падающее электромагнитное излучение стороне подложки с проводимостью второго типа, причем первый электрод содержит Т>1 участков и расстояние между каждыми двумя такими участками меньше 2f, где f - величина, соизмеримая с диффузионной длиной или равная диффузионной длине неравновесных неосновных носителей заряда, и при этом указанные участки первого электрода объединены во внутренней цепи преобразователя в токовый узел посредством по крайней мере одной токопроводящей шины. Изобретение обеспечивает повышение эффективности энергоконверсии (повышение КПД). 2 н. и 31 з.п. ф-лы, 29 ил., 1 табл.

Description

Текст описания приведен в факсимильном виде.
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Figure 00000004
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
Figure 00000008
Figure 00000009
Figure 00000010
Figure 00000011
Figure 00000012
Figure 00000013
Figure 00000014
Figure 00000015
Figure 00000016
Figure 00000017
Figure 00000018
Figure 00000019
Figure 00000020
Figure 00000021
Figure 00000022
Figure 00000023
Figure 00000024
Figure 00000025
Figure 00000026
Figure 00000027
Figure 00000028
Figure 00000029
Figure 00000030
Figure 00000031
Figure 00000032
Figure 00000033
Figure 00000034
Figure 00000035
Figure 00000036
Figure 00000037
Figure 00000038
Figure 00000039
Figure 00000040
Figure 00000041
Figure 00000042
Figure 00000043
Figure 00000044
Figure 00000045
Figure 00000046
Figure 00000047
Figure 00000048
Figure 00000049
Figure 00000050
Figure 00000051
Figure 00000052

Claims (33)

1. Преобразователь электромагнитного излучения, содержащий, по меньшей мере, одну собирающую область с проводимостью первого типа и по меньшей мере одну собирающую область с проводимостью второго типа, а также связанные с указанными областями первый и второй токосборные проводящие электроды, отличающийся тем, что на первой, воспринимающей падающее электромагнитное излучение стороне подложки с проводимостью второго типа выполнено N>1 областей с проводимостью первого типа, каждая, из которых, расположена относительно других областей с той же проводимостью на расстоянии F<2f, где f - величина соизмеримая с диффузионной длиной или равная диффузионной длине неравновесных не основных носителей заряда.
2. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что первый токосборный электрод электрически связан с каждой из указанных N областей с проводимостью первого типа.
3. Преобразователь по п.2, отличающийся тем, что первый токосборный электрод имеет N участков, каждый из которых прилегает к одной из указанных N областей с первой проводимостью, причем указанные N участков первого электрода объединены посредством по крайней мере одной токопроводящей шины.
4. Преобразователь по п.3, отличающийся тем, что указанные участки первого электрода выполнены в виде полос.
5. Преобразователь по п.4, отличающийся тем, что ширина каждой полосковой части первого электрода не превышает 50 мкм.
6. Преобразователь по п.4, отличающийся тем, что указанные полосковые участки отстоят друг от друга на расстояние менее 2f.
7. Преобразователь по любому из пп.4-6, отличающийся тем, что на первой стороне подложки между указанными участками первого электрода выполнены дискретные квантовые ловушки-углубления, имеющие в сечении пирамидальную форму и расположенные на подложке вершиной вниз на расстоянии друг от друга менее 2f.
8. Преобразователь по любому из пп.4-6, отличающийся тем, что на первой стороне подложки между указанными участками первого электрода выполнены дискретные квантовые ловушки-углубления, имеющие в сечении форму усеченных сверху пирамид, расположенных на подложке вершиной вниз на расстоянии друг от друга меньше 2f.
9. Преобразователь по п.7, отличающийся тем, что указанные квантовые ловушки-углубления имеют в плане форму продольных выемок на первой стороне преобразователя.
10. Преобразователь по п.8, отличающийся тем, что указанные квантовые ловушки-углубления имеют в плане форму продольных выемок на первой стороне преобразователя.
11. Преобразователь по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что на первой стороне подложки размещен слой прозрачного для электромагнитного излучения диэлектрика, имеющий изъятия (отверстия), по меньшей мере, в зонах расположения электрических контактов первого электрода с областями первого типа проводимости.
12. Преобразователь по любому из пп.9 и 10, отличающийся тем, что на первой стороне подложки размещен слой прозрачного для электромагнитного излучения диэлектрика, имеющий изъятия (отверстия), по меньшей мере, в зонах расположения электрических контактов первого электрода с областями первого типа проводимости.
13. Преобразователь по п.12, отличающийся тем, что под слоем диэлектрика на дне каждой из указанных выемок расположены отклоняющие области второго типа проводимости.
14. Преобразователь по п.13, отличающийся тем, что указанные отклоняющие области второго типа проводимости выполнены дискретными или полосковыми.
15. Преобразователь по любому из пп.1-6, 9, 10, 13 и 14, отличающийся тем, что второй токосборный электрод расположен со второй стороны подложки поверх слоя диэлектрика, прозрачного для электромагнитного излучения и имеющего изъятия (отверстия), по крайней мере, в зонах расположения электрических контактов второго электрода с, по крайней мере, одной областью второго типа проводимости, расположенной со второй стороны подложки.
16. Преобразователь по п.12, отличающийся тем, что второй токосборный электрод расположен со второй стороны подложки поверх слоя диэлектрика, прозрачного для электромагнитного излучения и имеющего изъятия (отверстия), по крайней мере, в зонах расположения электрических контактов второго электрода с, по крайней мере, одной областью второго типа проводимости, расположенной со второй стороны подложки.
17. Преобразователь по п.15, отличающийся тем, что указанный второй электрод имеет М>1 участков, каждый из которых электрически соединен с по крайней мере одной областью второго типа проводимости со второй стороны подложки, причем указанные участки объединены посредством по крайней мере одной токопроводящей шины.
18. Преобразователь по п.16, отличающийся тем, что указанные М участков второго электрода выполнены полосковыми, причем расстояние между каждыми двумя полосами составляет величину меньше 2f.
19. Преобразователь по любому из пп.17 и 18, отличающийся тем, что со второй его стороны между указанными участками второго электрода выполнены дискретные квантовые ловушки-углубления, имеющие в сечении пирамидальную или скошенную пирамидальную форму, расположенные на подложке вершиной внутрь толщи подложки с основанием на ее второй стороне на расстоянии друг от друга меньше 2f.
20. Преобразователь по любому из пп.17 и 18, отличающийся тем, что со второй своей стороны он содержит не менее двух легированных областей второго типа проводимости, с каждой из которых электрически соединен по крайней мере один из М участков второго электрода.
21. Преобразователь по п.19, отличающийся тем, что со второй своей стороны он содержит не менее двух легированных областей второго типа проводимости, с каждой из которых электрически соединен, по крайней мере, один из М участков второго электрода.
22. Преобразователь по п.21, отличающийся тем, что число указанных легированных областей второго типа проводимости со второй стороны подложки равно М, причем с каждой из этих областей соединен один участок второго электрода.
23. Преобразователь по п.21 или 22, отличающийся тем, что на дне каждого из указанных углублений со второй стороны расположены отклоняющие области второго типа проводимости, так что для каждой из N областей первого типа проводимости напротив нее через толщу подложки расположена, по крайней мере, одна такая отклоняющая область со второй стороны.
24. Преобразователь по п.12, отличающийся тем, что над слоем диэлектрика с первой стороны полупроводниковой подложки размещен полевой управляющий электрод.
25. Преобразователь по любому из пп.1-6, 9, 10, 13, 14, 16-18, 21, 22 и 24, отличающийся тем, что толщина полупроводниковой подложки не превышает f, где f - величина соизмеримая с диффузионной длиной или равная диффузионной длине неравновесных не основных носителей заряда.
26. Преобразователь по любому из пп.1-6, 9, 10, 13, 14, 16-18, 21, 22 и 24, отличающийся тем, что на первой его стороне встроены многокаскадные дискретные умножители потенциала.
27. Преобразователь по любому из пп.1-6, 9, 10, 13, 14, 16-18, 21, 22 и 24, отличающийся тем, что, по крайней мере, на одной из его сторон встроен трехкаскадный умножитель потенциала, причем первый каскад представляющий диодную структуру Шоттки преобразовывает коротковолновую часть, второй - среднюю часть, а третий длинноволновую часть спектра ЭМИ и при этом все три каскада объединены во внутренней цепи преобразователя в один токовый узел.
28. Преобразователь по любому из пп.1-6, 9, 10, 13, 14, 16-18, 21, 22 и 24, отличающийся тем, что токосборные элементы и электроды выполнены в виде дифракционной решетки, сетки или линз Френеля.
29. Преобразователь электромагнитного излучения, содержащий, по крайней мере, одну собирающую область с проводимостью первого типа и, по крайней мере, одну собирающую область с проводимостью второго типа, а также связанные с указанными областями первый и второй токосборные проводящие электроды, отличающийся тем, что первый электрод соединен с указанной областью с проводимостью первого типа, расположенной на первой, воспринимающей падающее электромагнитное излучение стороне подложки с проводимостью второго типа, причем первый электрод содержит Т>1 участков и расстояние между каждыми двумя такими участками меньше 2f, где f - величина соизмеримая с диффузионной длиной или равная диффузионной длине неравновесных не основных носителей заряда, и при этом указанные участки первого электрода объединены во внутренней цепи преобразователя в токовый узел посредством, по крайней мере, одной токопроводящей шины.
30. Преобразователь по п.29, отличающийся тем, что на первой стороне подложки размещен слой прозрачного для электромагнитного излучения диэлектрика, имеющий изъятия (отверстия), по меньшей мере, в зонах расположения электрических контактов участков первого электрода с указанной собирающей областью первого типа проводимости.
31. Преобразователь по любому из пп.29-30, отличающийся тем, что на первой, воспринимающей падающее электромагнитное излучение стороне полупроводниковой подложки встроены многокаскадные дискретные умножители потенциала, объединенные во внутренней цепи преобразователя в один токовый узел.
32. Преобразователь по любому из пп.29 и 30, отличающийся тем, что на любой из сторон полупроводниковой подложки конструктивно встроен трехкаскадный преобразователь, причем первый каскад представляющий диодную структуру Шоттки преобразовывает коротковолновую часть, второй - среднюю часть, а третий - длинноволновую часть спектра ЭМИ и при этом все три каскада объединены во внутренней цепи преобразователя в один токовый узел.
33. Преобразователь по любому из пп.29 и 30, отличающийся тем, что токосборные элементы и электроды выполнены в виде дифракционной решетки, сетки или линз Френеля.
RU2007129517/28A 2007-08-01 2007-08-01 Преобразователь электромагнитного излучения (варианты) RU2369941C2 (ru)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007129517/28A RU2369941C2 (ru) 2007-08-01 2007-08-01 Преобразователь электромагнитного излучения (варианты)
PCT/RU2008/000490 WO2009022945A1 (fr) 2007-08-01 2008-07-25 Convertisseur d'émission électromagnétique
EA201000133A EA016932B1 (ru) 2007-08-01 2008-07-25 Преобразователь электромагнитного излучения (варианты)
KR1020107004570A KR101052030B1 (ko) 2007-08-01 2008-07-25 전자기 방사 컨버터
EP08827372A EP2180520A1 (en) 2007-08-01 2008-07-25 Electromagnetic emission converter
US12/671,518 US20100282310A1 (en) 2007-08-01 2008-07-25 Electromagnetic emission converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007129517/28A RU2369941C2 (ru) 2007-08-01 2007-08-01 Преобразователь электромагнитного излучения (варианты)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007129517A RU2007129517A (ru) 2009-02-10
RU2369941C2 true RU2369941C2 (ru) 2009-10-10

Family

ID=40350894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007129517/28A RU2369941C2 (ru) 2007-08-01 2007-08-01 Преобразователь электромагнитного излучения (варианты)

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100282310A1 (ru)
EP (1) EP2180520A1 (ru)
KR (1) KR101052030B1 (ru)
EA (1) EA016932B1 (ru)
RU (1) RU2369941C2 (ru)
WO (1) WO2009022945A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2494496C2 (ru) * 2011-12-28 2013-09-27 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) Полупроводниковый фотоэлектрический генератор (варианты)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2009107568A (ru) * 2009-03-04 2010-09-10 Броня Цой (RU) Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения
US8288646B2 (en) * 2009-05-06 2012-10-16 UltraSolar Technology, Inc. Pyroelectric solar technology apparatus and method
US8084293B2 (en) * 2010-04-06 2011-12-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Continuously optimized solar cell metallization design through feed-forward process
DE102011051606B4 (de) * 2011-07-06 2016-07-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffprofils
DE102010037355A1 (de) * 2010-09-06 2012-03-08 Schott Solar Ag Kristalline Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer solchen
WO2012091253A1 (ko) * 2010-12-31 2012-07-05 현대중공업 주식회사 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
WO2012091254A1 (ko) * 2010-12-31 2012-07-05 현대중공업 주식회사 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
KR101180813B1 (ko) * 2011-01-18 2012-09-07 엘지전자 주식회사 태양 전지
KR20120137821A (ko) * 2011-06-13 2012-12-24 엘지전자 주식회사 태양전지
US9577056B2 (en) 2012-09-28 2017-02-21 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Semiconductor component comprising at least one contact structure for feeding in and/or leading away charge carriers
RU2548945C2 (ru) * 2013-05-06 2015-04-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) Микроструктурные элементы для селекции электромагнитного излучения и способ их изготовления
RU2680143C2 (ru) * 2016-03-11 2019-02-18 Игорь Георгиевич Рудой Способ генерации широкополосного оптического излучения с высокой яркостью
CN111051834A (zh) 2017-07-10 2020-04-21 小利兰·斯坦福大学托管委员会 电容式和触觉传感器及相关感测方法
US10490687B2 (en) 2018-01-29 2019-11-26 Waymo Llc Controlling detection time in photodetectors
CN112673338A (zh) 2018-07-10 2021-04-16 小利兰·斯坦福大学托管委员会 电容式和触觉传感器及相关感测方法
US10854646B2 (en) 2018-10-19 2020-12-01 Attollo Engineering, LLC PIN photodetector
CN212967720U (zh) * 2020-09-08 2021-04-13 东方日升（常州）新能源有限公司 一种太阳能电池金属电极结构及电池组件
CN117577700A (zh) * 2023-12-05 2024-02-20 江西沐邦高科股份有限公司 太阳能电池相关结构及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4151005A (en) * 1977-03-18 1979-04-24 Landsman Arkady P Radiation hardened semiconductor photovoltaic generator
JP3115950B2 (ja) * 1992-07-29 2000-12-11 シャープ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
JP3206350B2 (ja) 1995-01-26 2001-09-10 トヨタ自動車株式会社 太陽電池
RU2139601C1 (ru) 1998-12-04 1999-10-10 ООО Научно-производственная фирма "Кварк" Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой
JP3300812B2 (ja) 2000-01-19 2002-07-08 独立行政法人産業技術総合研究所 光電変換素子
JP3764843B2 (ja) 2000-06-06 2006-04-12 シャープ株式会社 太陽電池セル
JP4171428B2 (ja) 2003-03-20 2008-10-22 三洋電機株式会社 光起電力装置
US7388147B2 (en) 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
US6998288B1 (en) 2003-10-03 2006-02-14 Sunpower Corporation Use of doped silicon dioxide in the fabrication of solar cells
RU2284593C2 (ru) 2004-10-26 2006-09-27 Броня Цой Электроизоляционный материал
RU2284267C2 (ru) 2004-11-10 2006-09-27 Броня Цой Материал для компонентов радиоэлектронных приборов
JP4481869B2 (ja) 2005-04-26 2010-06-16 信越半導体株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
С.Зи, Физика полупроводниковых приборов, М., Мир, 1984, том.2, с.417. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2494496C2 (ru) * 2011-12-28 2013-09-27 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) Полупроводниковый фотоэлектрический генератор (варианты)

Also Published As

Publication number Publication date
EA201000133A1 (ru) 2010-06-30
EP2180520A1 (en) 2010-04-28
WO2009022945A1 (fr) 2009-02-19
US20100282310A1 (en) 2010-11-11
RU2007129517A (ru) 2009-02-10
KR101052030B1 (ko) 2011-07-26
KR20100043091A (ko) 2010-04-27
EA016932B1 (ru) 2012-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2369941C2 (ru) Преобразователь электромагнитного излучения (варианты)
US4110122A (en) High-intensity, solid-state-solar cell device
CA1073996A (en) Photovoltaic system including a lens structure
US4283589A (en) High-intensity, solid-state solar cell
WO1998053500A1 (en) Interdigitated photovoltaic power conversion device
FR2822436B1 (fr) Panneau solaire ayant des bornes electriques reparties sur sa surface
US8466582B2 (en) Method and apparatus for applying an electric field to a photovoltaic element
CN113782624A (zh) 具有特殊前表面电极设计的太阳能电池
KR20140053951A (ko) 광전지
US20160155872A1 (en) Method to assemble a rectangular cic from a circular wafer
US20100263713A1 (en) Four Terminal Monolithic Multijunction Solar Cell
PH12015500560B1 (en) A solar element comprising resonator for application in energetics
KR101231314B1 (ko) 태양전지 모듈
EA013788B1 (ru) Преобразователь электромагнитного излучения
Yurduseven et al. A transparent solar patch antenna for 2.4/2.5 GHz WLAN-WiMAX applications
KR20100068947A (ko) 태양전지
CN218677160U (zh) 背接触太阳能电池、电极网版及光伏组件
JP3198451U (ja) ４本バスバー太陽電池
JP2023033940A (ja) 太陽電池セルおよび太陽電池
Rafat A simple analytical treatment of edge-illuminated VMJ silicon solar cells
US20100263712A1 (en) Three terminal monolithic multijunction solar cell
RU2367063C2 (ru) Преобразователь электромагнитного излучения
WO2005088742A1 (fr) Diode lumineuse grande puissance
KR101029023B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
CN118398681B (zh) 一种太阳能电池

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130802

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20160920