RU2139601C1 - Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой - Google Patents
Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой Download PDFInfo
- Publication number
- RU2139601C1 RU2139601C1 RU98121561A RU98121561A RU2139601C1 RU 2139601 C1 RU2139601 C1 RU 2139601C1 RU 98121561 A RU98121561 A RU 98121561A RU 98121561 A RU98121561 A RU 98121561A RU 2139601 C1 RU2139601 C1 RU 2139601C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- solar cells
- phosphorus
- solar cell
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFRNDJFRRKMHTL-UHFFFAOYSA-N [3-octanoyloxy-2,2-bis(octanoyloxymethyl)propyl] octanoate Chemical compound CCCCCCCC(=O)OCC(COC(=O)CCCCCCC)(COC(=O)CCCCCCC)COC(=O)CCCCCCC CFRNDJFRRKMHTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPLINGWPGOHIGP-UHFFFAOYSA-N [O].[Si].[P] Chemical compound [O].[Si].[P] SPLINGWPGOHIGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 235000015927 pasta Nutrition 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Использование: технология изготовления оптоэлектронных приборов, в частности солнечных элементов (СЭ). Сущность изобретения: изготовление СЭ с n+-p-p+ структурой проводят в следующей последовательности: осуществляют одновременную диффузию бора и фосфора из нанесенных на тыльную и лицевую поверхности боросиликатной и фосфоросиликатной пленок соответственно; производят химическое удаление окисных пленок с обеих сторон подложки; текстурируют лицевую поверхность СЭ; создают n+-слой; формируют токосъемные контакты. В результате получают СЭ с эффективностью 16,6%, обладающие двухсторонней чувствительностью. Техническим результатом изобретения является снижение трудоемкости изготовления СЭ при одновременном повышении его эффективности. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.
Description
Изобретение относится к области изготовления оптоэлектронных приборов, в частности фотоэлектрических солнечных элементов (СЭ).
Известен способ изготовления СЭ (Screen printed bifacial solar cells on CZ substrates, F. Recart, G. Bueno, R. Gutierrez, F. Hernando, J.C. Jimeno. Материалы 2-й всемирной конференции по фотоэлектричеству. Вена, 6-10 июля, 1998), включающий: текстурирование кремниевой подложки; диффузию бора из газовой фазы; окисление обеих поверхностей подложки; нанесение маскирующего слоя на тыльную поверхность; химическое удаление окисла и поверхностного слоя кремния с лицевой стороны; текстурирование лицевой поверхности СЭ; создание n+-слоя; формирование контактов.
В результате получают СЭ с параметрами:
Voc = 592 mV, Isc = 29,8 мА/см2, КПД = 13,2%.
Voc = 592 mV, Isc = 29,8 мА/см2, КПД = 13,2%.
К недостаткам известного способа следует отнести необходимость проведения вспомогательной высокотемпературной операции окисления, которая приводит к ухудшению рекомбинационных параметров подложки и как следствие - к уменьшению эффективности СЭ; а также формирования маскирующего слоя и проведения операции двух раздельных процессов текстурирования.
Задачей предлагаемого изобретения является уменьшение количества технологических операций и повышение эффективности СЭ.
В результате использования предлагаемого способа существенно сокращается количество технологических операций и повышается эффективность СЭ.
Вышеуказанный результат достигается тем, что изготовление СЭ с n+-p-p+ структурой проводят в следующей последовательности:
1) осуществляют одновременную диффузию бора и фосфора из нанесенных на тыльную и лицевую поверхности боросиликатной и фосфоросиликатной пленок соответственно;
2) проводят химическое удаление окисных пленок с обеих сторон подложки;
3) текстурируют лицевую поверхность СЭ;
4) создают n-слой;
5) формируют токосъемные контакты.
1) осуществляют одновременную диффузию бора и фосфора из нанесенных на тыльную и лицевую поверхности боросиликатной и фосфоросиликатной пленок соответственно;
2) проводят химическое удаление окисных пленок с обеих сторон подложки;
3) текстурируют лицевую поверхность СЭ;
4) создают n-слой;
5) формируют токосъемные контакты.
Сущность предлагаемого изобретения иллюстрируется чертежом, на котором схематично изображена последовательность технологических операций.
Предлагаемый способ не только не содержит дополнительной высокотемпературной операции окисления, что в известном способе приводит к уменьшению эффективности, но и сокращает общее число технологических операций, что указывает на его преимущество по отношению к прототипу.
Процесс одновременной диффузии бора и фосфора из легирующих источников широко применяется в производстве n+-p-p+ и p+-n-n+ СЭ с полированной химически или механически поверхностью. Этот процесс обеспечивает полное сохранение или увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в подложке. В предлагаемом способе он используется для формирования только p+-слоя при сохранении рекомбинационных параметров подложки. Наименьшее дефектообразование в объеме подложки происходит именно при одновременной диффузии бора (при соотношении содержания окись кремния/окись бора не менее 1) и фосфора. Образующийся же n+-слой стравливают в растворе, содержащем щелочь при последующем текстурировании. При этом образуется структура, имеющая одну полированную сторону со сформированным p+-слоем и текстурированную поверхность с другой стороны подложки. Далее формируют n+-слой при пониженной температуре для обеспечения высокой коротковолновой чувствительности.
Предлагаемый способ не только сокращает количество технологических операций при изготовлении СЭ, но и выявляет совершенно новое качество у изготовленных по этому способу СЭ. Речь идет о появлении нового эффекта - появления повышенной чувствительности СЭ в длиноволновой области спектра. В результате плотность тока короткого замыкания изготовленных по предлагаемому способу СЭ достигает рекордных значений до 40 мА/см2 на фотоактивную поверхность, а эффективность СЭ достигает 16,6%.
Следовательно, за счет указанной в предлагаемом способе совокупности и последовательности операций достигается не только упрощение технологического процесса, но и повышение качества СЭ.
Дополнительного преимущества можно достичь тем, что формирование на лицевой стороне СЭ n+-слоя производят путем диффузии фосфора из нанесенного источника, содержащего по меньшей мере окись кремния и окись фосфора в соотношении, не меньшем чем 1:3. При этом образуется сложное нестехиометрическое кремнефосфорокислородное соединение, обладающее коэффициентом преломления 1,7-1,8, что дает возможность использовать образующуюся пленку в качестве просветляющего покрытия на текстурированной лицевой поверхности СЭ. Формирование просветляющего покрытия одновременно с диффузией фосфора обеспечивает дополнительное снижение трудоемкости предлагаемого способа.
Пример конкретного выполнения
Использовались подложки монокристаллического кремния p-типа проводимости ЭКДБ-15 с ориентацией (100). После удаления нарушенного после резки слоя путем травления в растворе гидроокиси натрия с концентрацией 25%, подложки отмывались в перекисно-аммиачном растворе. На лицевую сторону подложки наносилась пленка двуокиси кремния, содержащая 15% (весовых) пятиокиси фосфора, на тыльную - 50% (весовых) окиси бора. Диффузия проводилась в атмосфере азота при температуре 1000oC в течение 20 минут. Образовавшийся p+-слой имел слоевое сопротивление 35 Ом и глубину около 1 мкм. После диффузии в 10% растворе плавиковой кислоты удалялись образовавшиеся окисные слои. Затем в растворе, содержащем 2% гидроокиси натрия и 4% изопропилового спирта при температуре 80oC в течение 12 минут осуществлялось удаление n+-слоя и текстурирование лицевой поверхности СЭ. Вторая диффузия фосфора проводилась из нанесенной пленки фосфоросиликатного стекла, содержащего 75% P2O5 при температуре 830oC в течение 40 минут. Слоевое сопротивление было 70 Ом, глубина около 0,3 мкм. После обтравливания торцов на обе стороны подложки методом трафаретной печати серебряной пастой ППС-7 был нанесен контактный рисунок. Вжигание пасты проводилось в конвейерной печи ПЭК-8 при температуре 700oC.
Использовались подложки монокристаллического кремния p-типа проводимости ЭКДБ-15 с ориентацией (100). После удаления нарушенного после резки слоя путем травления в растворе гидроокиси натрия с концентрацией 25%, подложки отмывались в перекисно-аммиачном растворе. На лицевую сторону подложки наносилась пленка двуокиси кремния, содержащая 15% (весовых) пятиокиси фосфора, на тыльную - 50% (весовых) окиси бора. Диффузия проводилась в атмосфере азота при температуре 1000oC в течение 20 минут. Образовавшийся p+-слой имел слоевое сопротивление 35 Ом и глубину около 1 мкм. После диффузии в 10% растворе плавиковой кислоты удалялись образовавшиеся окисные слои. Затем в растворе, содержащем 2% гидроокиси натрия и 4% изопропилового спирта при температуре 80oC в течение 12 минут осуществлялось удаление n+-слоя и текстурирование лицевой поверхности СЭ. Вторая диффузия фосфора проводилась из нанесенной пленки фосфоросиликатного стекла, содержащего 75% P2O5 при температуре 830oC в течение 40 минут. Слоевое сопротивление было 70 Ом, глубина около 0,3 мкм. После обтравливания торцов на обе стороны подложки методом трафаретной печати серебряной пастой ППС-7 был нанесен контактный рисунок. Вжигание пасты проводилось в конвейерной печи ПЭК-8 при температуре 700oC.
Получены при этом следующие параметры
Voc = 628 mV, Isc = 36,1 мА/см2, КПД = 16,6%.
Voc = 628 mV, Isc = 36,1 мА/см2, КПД = 16,6%.
Приведенные результаты, по мнению авторов, демонстрируют несомненные преимущества предлагаемого способа.
Claims (2)
1. Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой, включающий операции создания на тыльной поверхности подложки p+-слоя, легированного бором, удаления слоя кремния и формирование на лицевой стороне n+-слоя, легированного фосфором, текстурирования и формирования контактов, отличающийся тем, что создание на тыльной поверхности p+-слоя производят путем термообработки подложки с нанесенными на лицевую и тыльную поверхности фосфоросиликатной и боросиликатной пленками соответственно, а удаление слоя кремния и текстурирование на лицевой поверхности осуществляют в одном технологическом процессе.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что формирование n+-слоя, легированного фосфором, на лицевой стороне солнечного элемента осуществляют за счет диффузии фосфора из нанесенного источника, содержащего по меньшей мере окись кремния и окись фосфора в соотношении не меньшем чем 1 : 3.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU98121561A RU2139601C1 (ru) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU98121561A RU2139601C1 (ru) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2139601C1 true RU2139601C1 (ru) | 1999-10-10 |
Family
ID=20212806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU98121561A RU2139601C1 (ru) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2139601C1 (ru) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100413098C (zh) * | 2006-03-14 | 2008-08-20 | 江苏林洋新能源有限公司 | 磷硼同时扩散制造高效硅太阳电池的方法 |
EP1968123A2 (de) | 2007-02-28 | 2008-09-10 | Centrotherm Photovoltaics Technology GmbH | Vefahren zur Herstellung von Siliziumsolarzellen |
WO2009022945A1 (fr) | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Bronya Tsoi | Convertisseur d'émission électromagnétique |
WO2009142529A1 (ru) | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Tsoi Bronya | Преобразователь электромагнитного излучения и батарея |
WO2011061693A2 (en) | 2009-11-18 | 2011-05-26 | Solar Wind Ltd. | Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof |
RU2469439C1 (ru) * | 2011-06-23 | 2012-12-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Солнечный ветер" | Способ изготовления солнечного элемента с двухсторонней чувствительностью |
RU2474008C2 (ru) * | 2008-03-14 | 2013-01-27 | Норут Нарвик Ас | Способ текстурирования кремниевых поверхностей |
US8586862B2 (en) | 2009-11-18 | 2013-11-19 | Solar Wind Technologies, Inc. | Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof |
US8796060B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-08-05 | Solar Wind Technologies, Inc. | Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof |
RU2562701C2 (ru) * | 2010-06-10 | 2015-09-10 | Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. | Печь для вжигания электрода солнечного элемента, способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент |
WO2017072758A1 (en) | 2015-10-25 | 2017-05-04 | Solaround Ltd. | Method of bifacial cell fabrication |
RU2815034C1 (ru) * | 2020-12-04 | 2024-03-11 | Энпв Гмбх | Контактирующий задней стороной солнечный элемент и изготовление такого элемента |
-
1998
- 1998-12-04 RU RU98121561A patent/RU2139601C1/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
F.Recart et al.Screen printed bifacial solar cells on CZ substrates. The Materials of the Second World Conf. on Photoelectricity. Viena, 6-10 Yul, 1998. * |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100413098C (zh) * | 2006-03-14 | 2008-08-20 | 江苏林洋新能源有限公司 | 磷硼同时扩散制造高效硅太阳电池的方法 |
EP1968123A2 (de) | 2007-02-28 | 2008-09-10 | Centrotherm Photovoltaics Technology GmbH | Vefahren zur Herstellung von Siliziumsolarzellen |
EP1968123A3 (de) * | 2007-02-28 | 2010-06-02 | Centrotherm Photovoltaics Technology GmbH | Vefahren zur Herstellung von Siliziumsolarzellen |
WO2009022945A1 (fr) | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Bronya Tsoi | Convertisseur d'émission électromagnétique |
RU2474008C2 (ru) * | 2008-03-14 | 2013-01-27 | Норут Нарвик Ас | Способ текстурирования кремниевых поверхностей |
WO2009142529A1 (ru) | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Tsoi Bronya | Преобразователь электромагнитного излучения и батарея |
WO2011061694A2 (en) | 2009-11-18 | 2011-05-26 | Solar Wind Ltd. | Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof |
WO2011061693A2 (en) | 2009-11-18 | 2011-05-26 | Solar Wind Ltd. | Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof |
US8586862B2 (en) | 2009-11-18 | 2013-11-19 | Solar Wind Technologies, Inc. | Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof |
US8796060B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-08-05 | Solar Wind Technologies, Inc. | Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof |
RU2562701C2 (ru) * | 2010-06-10 | 2015-09-10 | Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. | Печь для вжигания электрода солнечного элемента, способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент |
RU2469439C1 (ru) * | 2011-06-23 | 2012-12-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Солнечный ветер" | Способ изготовления солнечного элемента с двухсторонней чувствительностью |
WO2017072758A1 (en) | 2015-10-25 | 2017-05-04 | Solaround Ltd. | Method of bifacial cell fabrication |
RU2815034C1 (ru) * | 2020-12-04 | 2024-03-11 | Энпв Гмбх | Контактирующий задней стороной солнечный элемент и изготовление такого элемента |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU2005264235B2 (en) | Electrode material, solar cell and process for producing solar cell | |
US20100032012A1 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
EP1876650A1 (en) | Solar cell manufacturing method and solar cell | |
WO2012008061A1 (ja) | ボロン拡散層を有するシリコン太陽電池セル及びその製造方法 | |
CN110265497B (zh) | 一种选择性发射极的n型晶体硅太阳电池及其制备方法 | |
CN102959717B (zh) | 太阳能电池单元及其制造方法 | |
HUT63711A (en) | Method for making semiconductor device, as well as solar element made from said semiconductor device | |
JP5737204B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JP2011129867A (ja) | ボロン拡散層を有するシリコン太陽電池セル及びその製造方法 | |
RU2139601C1 (ru) | Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой | |
US20150083183A1 (en) | Solar cell, manufacturing method for solar cell, and solar cell module | |
CN115483310A (zh) | 太阳电池的制备方法、发射结及太阳电池 | |
CN103354954A (zh) | 制作具有正面纹理和平滑背面表面的硅太阳能电池的方法 | |
CN111509089A (zh) | 一种双面太阳能电池及其制作方法 | |
KR102674774B1 (ko) | 고광전변환효율 태양전지 및 고광전변환효율 태양전지의 제조 방법 | |
RU2210142C1 (ru) | Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой | |
CN113257954B (zh) | 一种解决碱抛se-perc电池el不良的方法 | |
JP2003273382A (ja) | 太陽電池素子 | |
KR950003953B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 | |
JP5426846B2 (ja) | 基板の拡散層形成方法 | |
JPH06252428A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
JP6741626B2 (ja) | 高効率裏面電極型太陽電池及びその製造方法 | |
CN113659033A (zh) | 一种p型背接触太阳能电池的制备方法 | |
CN113241391A (zh) | 一种减少背场复合损失的perc电池加工工艺 | |
KR100322708B1 (ko) | 자체전압인가형태양전지의제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC4A | Invention patent assignment |
Effective date: 20101113 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20101205 |