DE102011051606B4 - Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffprofils - Google Patents

Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffprofils Download PDF

Info

Publication number
DE102011051606B4
DE102011051606B4 DE102011051606.9A DE102011051606A DE102011051606B4 DE 102011051606 B4 DE102011051606 B4 DE 102011051606B4 DE 102011051606 A DE102011051606 A DE 102011051606A DE 102011051606 B4 DE102011051606 B4 DE 102011051606B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
phosphorus
dopant
dopant profile
semiconductor device
profile
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102011051606.9A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102011051606A1 (de
Inventor
Gabriele BLENDIN
Joerg HORZEL
Agata Lachowicz
Berthold Schum
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority to DE102011051606.9A priority Critical patent/DE102011051606B4/de
Priority to CN201180052076.3A priority patent/CN103262217B/zh
Priority to US13/819,956 priority patent/US8889536B2/en
Priority to PCT/EP2011/064851 priority patent/WO2012028593A1/de
Priority to EP11767185.9A priority patent/EP2491577B1/de
Publication of DE102011051606A1 publication Critical patent/DE102011051606A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102011051606B4 publication Critical patent/DE102011051606B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

Verfahren zum Ausbilden eines von einer Oberfläche eines platten- oder waferförmigen Halbleiterbauelements ausgehenden Dotierstoffprofils mit Phosphor als Dotand durch Applizieren einer Phosphordotierstoffquelle auf die Oberfläche, Ausbilden eines ersten Dotierstoffprofils bei auf der Oberfläche vorhandener Dotierstoffquelle, Entfernen der Dotierstoffquelle und Ausbilden eines im Vergleich zu dem ersten Dotierstoffprofil eine größere Tiefe aufweisenden zweiten Dotierstoffprofils, wobei nach Ausbilden des ersten Dotierstoffprofils die Dotierstoffquelle entfernt und auf der Oberfläche vorhandene SixPy-Phasen, elektrisch inaktiver Phosphor und freier Phosphor entfernt werden.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ausbilden eines von einer Oberfläche eines platten- oder waferförmigen Halbleiterbauelements aus Silicium ausgehenden Dotierstoffprofils mit Phosphor als Dotierstoff durch Applizieren einer Phosphordotierstoffquelle auf die Oberfläche, Ausbilden eines ersten Dotierstoffprofils bei auf der Oberfläche vorhandener Dotierstoffquelle, Entfernen der Dotierstoffquelle und Ausbilden eines im Vergleich zu dem ersten Dotierstoffprofil eine größere Tiefe aufweisenden zweiten Dotierstoffprofils.
  • Zur Herstellung eines hochdotierten Oberflächenbereichs eines aus p-Silicium bestehenden Halbleiterbauelements, um bei einer Solarzelle einen Emitter auszubilden und gleichzeitig eine gute Kontaktierung zu ermöglichen, kann nach dem Stand der Technik eine Phosphorquelle appliziert werden, um von dieser ausgehend Phosphor in den Halbleiter einzutreiben. Dabei entstehen bei einer hohen Dotierstoffkonzentration an Phosphor üblicherweise SixPy-Präzipitate in der Siliciumoberfläche. Die hohen Dotierstoffkonzentrationen sind jedoch nach allgemeiner Auffassung erforderlich, um in für die Massenproduktion von Siliciumsolarzellen geeigneten Verfahren ausreichend tiefe Emitter zu erzeugen (≥ 0,2 im tief), die gleichzeitig eine ausreichende Oberflächenkonzentration an Phosphor aufweisen, die die Verwendung von Ag-Pasten zur Kontaktbildung zulassen. Üblicherweise wird der Dotierstoff in einem Temperatur(T)-Zeit(t)-Behandlungsschritt eingetrieben.
  • Vorteilhafterweise kann ein Verfahren zum Einsatz gelangen, bei dem der Dotierstoff in zwei T-t-Behandlungsschritten eingetrieben wird, wobei optional nach dem ersten T-t-Schritt die Diffusionsquelle entfernt wird ( WO-A-2010/066626 ).
  • Entfernen der Dotierstoffquelle nach dem ersten Diffusionsschritt heißt, dass noch vorhandener Dotierstoff sowie während der Temperaturbehandlung entstandenes Phosphorsilikatglas entfernt werden.
  • Im Verlaufe der typischen Diffusionsverfahren wird eine Phase der Zusammensetzung SixPy bzw. Six, PyOz, die in Form von orientierungsabhängigen Nadeln (siehe 1) auskristallisieren kann, in der hochdotierten oberflächennahen Si-Schicht erzeugt. Diese Präzipitate haben eine sehr geringe Leitfähigkeit, können zur Rekombination von Ladungsträgern führen, Kristallgitterstörungen im Si-Kristall erzeugen und führen zu mechanischen Spannungen in der Si-Oberfläche, die die elektrischen Eigenschaften des Halbleiterbauelements negativ beeinflussen können.
  • Um Solarzellen mit niedrigeren Oberflächenkonzentrationen für hocheffiziente Konzepte auf dünnen Wafern herstellen zu können, ist es wichtig, einen kostengünstigen Prozess wie Inline-Prozess mit flüssigen Phosphorquellen als Dotierstoffquelle für den Diffusionsschritt zu verwenden, der keine Präzipitate in der Oberfläche der Wafer erzeugt.
  • Die Phasen der Zusammensetzung SixPy bzw. Six, PyOz bzw. die Präzipitate können durch HF-Lösungen, wie sie üblicherweise zum Entfernen der Phosphorsilicatglasschicht nach der Diffusion eingesetzt werden, nicht entfernt werden.
  • Aus der EP 2 180 520 A1 sowie der Veröffentlichung „The Electrochemical Society”, 2010, Abstract #1649, 218th ECS Meeting, wird das Vorhandensein von Phosphorsilikatglas bzw. phosphorigen Präzipitaten in der Oberfläche von Solarzellen beschrieben.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so weiterzubilden, dass ein optimiertes Dotierstoffprofil auf einem Siliciumhalbmaterial, insbesondere bestimmt zur Herstellung einer Solarzelle, ausgebildet werden kann.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe im Wesentlichen dadurch gelöst, dass nach Ausbilden des ersten Dotierstoffprofils die Dotierstoffquelle entfernt und auf der Oberfläche vorhandene SixPy Phasen, elektrisch inaktives Phosphor und freier Phosphor, also nicht in das Si-Kristallgitter eingebauter Phosphor, entfernt werden, wobei anschließend der zweite Temperaturbehandlungsschritt zur Ausbildung des endgültigen (zweiten) Dotierstoffprofils durchgeführt wird, ohne dass sich Präzipitate auf der Oberfläche ausbilden.
  • Freies Phosphor ist dabei Phosphor, das nicht in das Si-Kristallgitter des Halbleiterbauelements eingebracht ist.
  • Unter SixPy Phasen, die auch SixPyOz einschließen, versteht man jede Form der Phase, insbesondere Präzipitate.
  • Optional kann gleichzeitig im nahe an der Oberfläche liegenden Bereich des Wafers ein Anteil des überschüssigen Phosphors im Halbleiterbauelement wie Wafer mit entfernt werden.
  • Nahe bedeutet bis maximal 10 nm. Insoweit umfasst dieses Ätzen des oberflächennahen Bereichs die Erfindung.
  • Erfindungsgemäß wird ein an und für sich bekannter zweistufiger Diffusionsprozess zur Herstellung einer mit Phosphor dotierten Schicht aus Silicumwafern, die zur Herstellung von Solarzellen auf Siliciumwaferbasis benötigt werden, dahingehend weitergebildet, dass nach dem ersten Diffusionsschritt SixPy und SixPyOz (SIP-Verbindungen), elektrisch inaktiver Phosphor und nicht ins Si-Kristallgitter eingebauter Phosphor entfernt werden. Dabei ist insbesondere vorgesehen, dass das selektive Entfernen der Präzipitate durch Anwendung einer alkalischen Ätzlösung, die ein Oxidationsmittel enthält, durchgeführt wird, wobei die alkalische Ätzlösung die Oberfläche über eine Zeit t3 mit 15 s ≤ t3 ≤ 5 min, insbesondere 30 s ≤ t3 ≤ 60 s bei einer Temperatur T3 mit RT (Raumtemperatur) ≤ T3 ≤ 60°C, vorzugsweise 35°C ≤ T3 ≤ 45°C, kontaktiert.
  • Unabhängig hiervon sieht die Erfindung vor, dass zur Ausbildung des ersten Dotierstoffprofils das Halbleiterbauelement einer Temperatur T1 mit T1 ≥ 750°C über eine Zeit t1 ausgesetzt wird, während der in der Oberflächenschicht des Halbleiterbauelements in einem Dickenbereich D mit 150 nm ≥ D ≥ 20 nm eine Phosphorkonzentration K mit K ≥ 1020 Phosphoratome/cm3 an der Oberfläche entsteht, und dass zur Ausbildung des zweiten Dotierstoffprofils das Halbleiterbauelement einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird, wobei t2 > t1 ist. Dabei ist insbesondere vorgesehen, dass die Temperatur T2 ≥ T1, insbesondere T2 in etwa T1 ist, wobei 750°C ≤ T1, T2 ≤ 1000°C, insbesondere 800°C ≤ T1, T2 ≤ 900°C ist.
  • Die Phosphorkonzentration im Oberflächenbereich weist sodann bis zu einer Tiefe bis 20 nm von der Oberfläche ausgehend eine Konzentration K ≤ 5·1020 Phosphoratome/cm3 auf.
  • Ferner sollte das erste Dotierstoffprofil während einer Zeit t1 mit 0,5 min ≤ t1 ≤ 10 min, insbesondere 1 min ≤ t1 ≤ 5 min, und das zweite Dotierstoffprofil während einer Zeit t2 mit 10 min ≤ t2 ≤ 180 min, insbesondere 20 min ≤ t2 ≤ 80 min, ausgebildet werden.
  • Insbesondere besteht auch die Möglichkeit, diesen Prozess nur selektiv auf Teilen der Waferoberfläche durchzuführen. Hierzu können die Bereiche, auf denen die Präzipitate vermieden werden sollen, mit einer entsprechenden Ätzpaste bedruckt werden. Die Ätzpasten können entsprechend der einzusetzenden Ätzlösungen zusammengesetzt sein.
  • Insbesondere ist auch vorgesehen, dass nach Ausbilden des ersten Dotierstoffprofils und Entfernen der Dotierstoffquelle eine ätzresistente Maske auf die Oberfläche aufgebracht wird, die eine Geometrie aufweist, die der einer auf die Oberfläche aufzubringenden Metallisierung entspricht.
  • Die Phosphordiffusion kann auf unterschiedliche Art und Weise stattfinden. Es kann z. B. POCl3 als P-Quelle verwendet werden und der Prozess als Batchprozess ablaufen. Es kann aber auch ein Inlineverfahren verwendet werden.
  • Bei diesen Inlineverfahren können unterschiedliche P-Quellen verwendet werden, z. B. H3PO4 in Lösungsmittel oder in Wasser gelöst, die mit einer Spin-on-, Sprüh-, Nebel- oder Tauch-Anlage aufgebracht werden können. Nach dem Aufbringen der Phosphorquelle werden die Siliciumwafer in einem Durchlaufofen einem ersten T(Temperatur)-t(Zeit)-Profil unterzogen. Das T-t-Profil ist so ausgelegt, dass der Phosphor in das Silicium teilweise eindiffundiert. Auf der Oberfläche entsteht durch Reaktion mit Sauerstoff eine Phosphorsilikatglasschicht (PSG).
  • In diesem ersten Hochtemperaturschritt wird ein flaches, d. h. nicht tief eingetriebenes, Phosphorprofil erzeugt. Die Tiefe dieses Profils liegt in der Größenordnung von 100 nm. In 2 ist ein entsprechendes erstes Dotierstoffprofil in Form eines Phosphorprofils in Silicium nach der ersten Wärmebehandlung dargestellt, wobei das Substrat einer Temperatur von 870°C über eine Zeit von 2 min ausgesetzt war.
  • Solch ein Profil kann auch mit einem POCl3-Diffusionsprozess hergestellt werden, bei dem mit entsprechender Gasführung ebenfalls Präzipitate entstehen können.
  • Bei diesem ersten Diffusionsschritt entsteht bei sehr hohen Phosphorkonzentrationen, die insbesondere im Inlineverfahren nötig sind, an der Grenzfläche des Siliciumwafers zum PSG eine Phase der Zusammensetzung SixPy bzw. SixPyOz, die im weiteren Verlauf der Diffusion in Form von nadelförmigen Präzipitaten auskristallisieren kann. Dies wird anhand der 3 prinzipiell verdeutlicht. So wird rein prinzipiell ein Querschnitt eines aus Silicium bestehenden Wafers 10 dargestellt, auf dem sich durch Auftragen einer Phosphor enthaltenden Dotierstoffquelle im Oberflächenbereich ein aufgrund des eindiffundierten Phosphors entstehender dotierter n-Bereich 12 ausbildet. Dieser Bereich 12 ist von einer Phosphorsilikatglasschicht 14 abgedeckt. Ferner ist prinzipiell dargestellt, dass sich im Grenzbereich zwischen dem Si-Wafer, d. h. dem dotierten Bereich 12, und dem Phosphorsilikatglas 14 aus der SixPy bzw. SixPyOz-Phase Präzipitate 16 ausgebildet haben, die eine Defektstruktur bilden.
  • Die auskristallisierten Präzipitate sind um Größenordnungen schlechter leitend als regulär diffundierte Bereiche, lassen sich nicht mit den üblichen Ätzmischungen zur Entfernung von PSG wegätzen und können zusätzliche Störungen und Versetzungen in darunter liegenden Kristallzonen verursachen. Durch unterschiedliche Gitterkonstanten erzeugen die SiP-Verbindungen im Si-Gitter Versetzungen und Spannungen. Diese Defekte reduzieren die Qualität der Halbleiterbauelemente wie Solarzellen.
  • Die den Stand der Technik prinzipiell verdeutlichende 4 zeigt, dass an der Oberfläche des n-dotierten Bereichs 12 eines nach einem Standardprozess behandelten Wafers 10 Präzipitate 16 auskristallisiert sind. Dieses Auskristallisieren ist nach einer langen Diffusionszeit (z. B. mehr als 10 min) mit einer hohen P-Konzentration auf der Oberfläche des Wafers in Form von SiP-Verbindungen zu beobachten, die mit dem (Rasterelektronenmikroskop) REM deutlich sichtbar werden.
  • Sie bilden Stäbchen an der Oberfläche mit den Maßen: Breite 10–20 nm, Länge 100–200 nm. Die Größe und Häufigkeit dieser Präzipitate hängt von der P-Konzentration und der Diffusionszeit ab.
  • Nach dem ersten Hochtemperaturschritt mit einer hochkonzentrierten P-Quelle (Phosphor liegt während des Temperaturschritts stets im Überschuss vor) wird das PSG aufgelöst und die SixPy bzw. SixPyOz-Phase sowie der elektrisch inaktive Phosphor und nicht ins Si-Kristallgitter eingebauter Phosphor erfindungsgemäß entfernt, ohne dass im Wesentlichen die regulär diffundierte, ca. 100 nm tiefe Emitterschicht des Substrats wie Wafers geätzt wird. Der Ätzschritt wird dabei derart durchgeführt, dass die Konzentration des Phosphors im Oberflächenbereich des Wafers grundsätzlich dem Wert der Löslichkeit von Phosphor in Silicium, d. h. 5·1020 at/cm3 entspricht oder geringer ist. Hierdurch wird sichergestellt, dass im Verlauf der weiteren Diffusion Präzipitate nicht mehr entstehen können.
  • Während des Ätzens der Präzipitate kann gegebenenfalls eine oberflächennahe Schicht des Substrats, also insbesondere der Emitterschicht geätzt werden. Dieser Bereich beläuft sich auf üblicherweise maximal 20 nm. Dieses Ätzen des oberflächennahen Bereichs ist somit unter die erfindungsgemäße Lehre zu subsumieren.
  • Des Weiteren ist darauf hinzuweisen, dass grundsätzlich vor Ätzen der Präzipitate die Dotierstoffquelle bzw. das PSG entfernt wird. Hierzu wird üblicherweise eine HF-Lösung benutzt.
  • Das Entfernen des PSG sowie der SiP-Verbindungen, des elektrisch inaktiven Phosphors und nicht ins Si-Kristallgitter eingebauten Phosphors und eventuell überschüssigen Phosphors in der Oberfläche kann nur auf bestimmten Bereichen der Emitteroberfläche, d. h., selektiv vorgenommen werden. Hierzu muss nach dem ersten Temperaturschritt eine ätzresistente Maske in gleicher Form wie das Metallisierungs-Grid aufgebracht werden. Danach wird auch bei diesen Wafern das PSG und die SiP-Verbindungen sowie eventuell ein Teil der hochdotierten Schicht entfernt, aber nur in den Zwischenbereichen, in denen keine Metallkontakte aufgebracht werden sollen.
  • Weiterhin ist es möglich, diese Wafer mit PSG auf der Oberfläche mit dem Laser selektiv einzudiffundieren und dann erst den Ätzschritt bzw. Reinigungsschritt durchzuführen.
  • Soll ein selektives Entfernen des Phosphorsilikatglases sowie der Präzipitate und somit auch des inaktiven Phosphors und des nicht ins Si-Kristallgitter eingebauten Phosphors erfolgen, kann eine Maskierung benutzt werden. Es besteht auch die Möglichkeit, den Ätzschritt zum Entfernen der SixPy-Verbindungen, des inaktiven Phosphors sowie des freien Phosphors mittels einer Ätzpaste durchzuführen, die selektiv auf zu ätzende Bereiche aufgebracht wird.
  • Die Phase der Zusammensetzung SixPy bzw. Six, PyOz bzw. die Präzipitate sowie der elektrisch inaktive Phosphor und der nicht ins Si-Kristallgitter eingebaute Phosphor werden nach dem ersten Diffusionsschritt vorzugsweise nasschemisch, durch Tauchen in eine wässrige alkalische Lösung, die ein Oxidationsmittel enthält, selektiv entfernt.
  • Bevorzugterweise wird als alkalische Komponente für die wässrige alkalische Lösung eine Komponente aus der Gruppe NaOH, KOH verwendet. Als Oxidationsmittel ist bevorzugterweise eine Komponente aus der Gruppe Natriumhypochlorit, Natriumperoxidsulfat, Wasserstoffperoxid zu nennen.
  • Wendet man eine entsprechende wässrige alkalische Lösung mit einem Oxidationsmittel über eine Kontaktzeit zwischen 5 sec bis 5 min, vorzugsweise 30 sec bis 60 sec, bei einer Temperatur zwischen 20°C und 60°C, insbesondere zwischen 35°C und 45°C, an, so werden selektiv die Präzipitate entfernt. Dies äußert sich durch Gräben, wie diese der 5 zu entnehmen sind, die eine Röntgenelektronenmikroskopaufnahme eines Siliciumsubstrats wiedergibt, das der der 1 entspricht.
  • Nachdem das selektive Entfernen der Präzipitate im Wesentlichen ohne Ätzen der hochdotierten Oberflächenschicht erfolgt ist, wird das Halbleiterbauelement bzw. -substrat ohne eine erneute Zuführung einer Phosphorquelle einem weiteren T-t-Behandlungsschritt unterzogen. Dabei ist die Zeit, innerhalb der das zweite Diffusionsprofil ausgebildet ist, deutlich länger als die zur Ausbildung des ersten Dotierstoffprofils.
  • Während des zweiten Behandlungsschritts diffundiert das bereits im ersten Verfahrensschritt eindiffundierte Phosphor tiefer in das Halbleitersubstrat ein, so dass das zweite Phosphordotierprofil entsteht, ohne dass jedoch die störenden SixPy-Verbindungen bzw. Six, PyOz-Verbindungen und die aus diesen auskristallisierten Präzipitate auftreten.
  • In Abhängigkeit von der Zeitdauer und der Temperatur kann das zweite Dotierstoffprofil eine geringe Oberflächenkonzentration und eine sehr große Eindringtiefe aufweisen.
  • Dies ist der 6 zu entnehmen, der ein zweites Dotierstoffprofil in Form einer Phosphorkonzentration nach dem zweiten Temperaturschritt zu entnehmen ist. Die zur Anwendung gelangte Temperatur lag bei 830°C. Die Zeitdauer, über die die Temperatur auf den Wafer einwirkte, belief sich auf 60 min.
  • Zum selektiven Entfernen der Präzipitate kann eine alkalische Ätzlösung mit zumindest einem Oxidationsmittel aus der Gruppe Peroxidisulfate, Peroxomonosulfate, Hypochlorit, Wasserstoffperoxid verwendet werden, wobei insbesondere Natriumhypochlorit und Natriumperoxodisulfat zu nennen sind. Als alkalische Komponente der alkalischen Ätzlösung wird zumindest eine Komponente aus der Gruppe NaOH, KOH, Ammoniak, Ammoniakderivate, Alkylamine, Alkanolamine, Hydroxyalkyl-Alkylamine, Polyalkyleamine, cyclische N-substituierte Amine und TMAH verwendet.
  • Ferner kann die alkalische Ätzlösung zumindest eine Komponente aus der Gruppe Komplexierungsmittel, Tenside, Stabilisatoren enthalten. Dabei kommen insbesondere als Komplexierungsmittel ein Komplexbildner aus der Gruppe Hydroxyphenole, Amine, Hydroxycarbonsäuren, Polyalkohole, Phosphorsäuren, Polyphosphate in Frage. Als Hydroxycarbonsäuren kommen Zitronensäure oder Weinsäure, als Polyalkohole kommen Glycerin, Sorbitol und andere Zucker und Zuckeralkohole in Frage.
  • Die Kontaktzeit der Oberfläche des Halbleiterbauelements mit der alkalischen Ätzlösung sollte 5 sec bis 5 min, vorzugsweise 30 sec bis 60 sec, bei einer Temperatur zwischen Raumtemperatur und 60°C, vorzugsweise zwischen 35°C und 45°C betragen.
  • Bei Verwendung einer entsprechenden Ätzlösung und insbesondere unter Berücksichtigung der zuvor genannten Parameter werden die Präzipitate, die nach dem 2. Temperaturschritt ohne optimierte Parameter zu sehen sind, weggeätzt, so dass sich leere Gräben ergeben.
  • Nachdem die Präzipitate weggeätzt sind, wird das Halbleiterbauelement, also insbesondere der Wafer ohne Zuführung einer Dotierstoffquelle einer erneuten T-t-Behandlung unterzogen. Dabei ist die Zeit im Vergleich zur Ausbildung des ersten Dotierstoffprofils erheblich größer zu wählen. Insbesondere sollte zur Ausbildung des zweiten Dotierstoffprofils eine Temperatur zwischen 750°C und 1000°C über einen Zeitraum zwischen 10 min und 120 min, insbesondere zwischen 20 min und 60 min einwirken. Demgegenüber beläuft sich die Zeit zur Ausbildung des ersten Dotierstoffprofils zwischen 0,5 min und 10 min, vorzugsweise zwischen 1 min und 5 min. Die Temperatur wird üblicherweise in der gleichen Größenordnung gewählt.
  • Der eindiffundierte Phosphor nach dem ersten T-t-Profil kann sodann während des zweiten T-t-Profils sehr tief in das Halbleitersubstrat eingetrieben werden. Die Tiefe hängt von der Temperatur und Zeitdauer (zweites T-t-Profil) ab.
  • Wird der Prozess selektiv angewandt, sind im Bereich unterhalb der Metallisierung Standard-P-Profile erzielbar, die mit jeder kommerziellen Paste mit Siebdruck kontaktiert werden können. Im Zwischenfingerbereich hat das Dotierstoffprofil eine geringere Oberflächenkonzentration und ist in der Oberfläche defektarm, da hier die Präzipitate vermieden werden und deshalb keine Defekte die Solarzellenleistung begrenzen.
  • Optional besteht auch die Möglichkeit, mit den angegebenen Ätzlösungen die Präzipitate nach dem vollständigen Diffusionsschritt von den Waferoberflächen zu entfernen.
  • Unabhängig hiervon zeichnet sich die Erfindung dadurch aus, dass das zweite Dotierstoffprofil derart ausgebildet ist, dass sich im oberflächennahen Bereich des Halbleiterbauelements bis zu einer Tiefe von 40 nm eine Phosphorkonzentration zwischen 1·1019 P/cm3 und 5·1020 P/cm3 ergibt. Weiterhin kann durch Einstellen des Temperatur(T)-Zeit(t)-Profils im zweiten Temperaturschritt (Diffusionsschritt) die Tiefe des Profils variiert werden, so dass sich in einem Abstand D mit D ≅ 500 nm von der Oberfläche des Halbleiterbauelements eine Phosphorkonzentration von zumindest 1·1016 P/cm3 ergibt, wie dies z. B. in 6 dargestellt ist.
  • Des Weiteren ist darauf hinzuweisen, das bevorzugterweise als Dotierstoffquelle eine Phosphorsäure enthaltende Lösung verwendet wird. Optional kann aber auch eine kurze POCl3-Diffusion als erster Prozessschritt verwendet werden.
  • Die beigefügten Figuren zeigen:
  • 1 eine Aufnahme eines monokristallinen Siliciumsubstrats (p-Typ) nach Phosphorsilikatglasentfernung,
  • 2 eine Darstellung des mit SIMS (Sekundär-Ionen-Massen-Spektrometer) gemessenen Phosphorprofil nach dem 1. Temperaturschritt (1. Dotierstoffprofil),
  • 3 eine Prinzipdarstellung eines monokristallinen Si-Wafers nach dem ersten Temperaturschritt,
  • 4 eine weitere Prinzipdarstellung eines monokristallinen Si-Wafers,
  • 5 eine Röntgenelektronenmikroskop-Aufnahme des der 1 zu entnehmenden Siliciumsubstrats nach Entfernung der Präzipitate in alkalischer Natriumhypochloritlösung bei einer Temperatur von 40°C und einer Kontaktzeit von 1 min und
  • 6 eine Darstellung eines mit SIMS gemessenen Phosphorprofils, welches mit dem optimierten Prozess zur Vermeidung von Präzipitaten hergestellt wurde, nach dem 2. Temperaturschritt (2. Dotierstoffprofil).

Claims (18)

  1. Verfahren zum Ausbilden eines von einer Oberfläche eines platten- oder waferförmigen Halbleiterbauelements ausgehenden Dotierstoffprofils mit Phosphor als Dotand durch Applizieren einer Phosphordotierstoffquelle auf die Oberfläche, Ausbilden eines ersten Dotierstoffprofils bei auf der Oberfläche vorhandener Dotierstoffquelle, Entfernen der Dotierstoffquelle und Ausbilden eines im Vergleich zu dem ersten Dotierstoffprofil eine größere Tiefe aufweisenden zweiten Dotierstoffprofils, wobei nach Ausbilden des ersten Dotierstoffprofils die Dotierstoffquelle entfernt und auf der Oberfläche vorhandene SixPy-Phasen, elektrisch inaktiver Phosphor und freier Phosphor entfernt werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass nach Ausbilden des ersten Dotierstoffprofils und Entfernen der Dotierstoffquelle eine ätzresistente Maske auf die Oberfläche aufgebracht wird, die eine Geometrie aufweist, die der einer auf die Oberfläche aufzubringenden Metallisierung entspricht.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ausbildung des ersten Dotierstoffprofils das Halbleiterbauelement einer Temperatur T1 mit T1 ≥ 750°C über eine Zeit t1 ausgesetzt wird, während der in der Oberflächenschicht des Halbleiterbauelements in einem Dickenbereich D mit 120 nm ≥ D ≥ 80 nm eine Phosphorkonzentration K mit 1016 Phosphoratome/cm3 ≤ K ≤ 1021 Phosphoratome/cm3, im oberflächennahen Bereich bis zu einer Dicke DO mit DO gleich 20 nm eine Phosphorkonzentration KO mit KO ≥ 1020 Phosphoratome/cm3 entsteht, und dass zur Ausbildung des zweiten Dotierstoffprofils das Halbleiterbauelement einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird, wobei t2 > t1 ist.
  4. Verfahren nach zumindest einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur T2 ≥ T1, insbesondere T2 in etwa T1 ist, wobei 750°C ≤ T1, T2 ≤ 1000°C, insbesondere 800°C ≤ T1, T2 ≤ 900°C ist.
  5. Verfahren nach zumindest einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Dotierstoffprofil während einer Zeit t1 mit 0,5 min ≤ t1 ≤ 10 min, insbesondere 1 min ≤ t1 ≤ 5 min, und das zweite Dotierstoffprofil während einer Zeit t2 mit 10 min ≤ t2 ≤ 180 min, insbesondere 20 min ≤ t2 ≤ 80 min, ausgebildet wird.
  6. Verfahren nach zumindest einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Entfernen der Präzipitate durch Anwendung einer alkalischen Ätzlösung, die ein Oxidationsmittel enthält, durchgeführt wird, wobei die alkalische Ätzlösung die Oberfläche insbesondere über eine Zeit t3 mit 5 s ≤ t3 ≤ 5 min, insbesondere 30 s ≤ t3 ≤ 60 s, vorzugsweise bei einer Temperatur T3 mit RT (Raumtemperatur) ≤ T3 ≤ 60°C, vorzugsweise 35°C ≤ T3 ≤ 45°C, kontaktiert.
  7. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche zum Entfernen der Präzipitate mit einer alkalischen Ätzlösung mit zumindest einem Oxid aus der Gruppe Peroxidisulfate, Peroxomonosulfate, Hypochlorit, Wasserstoffperoxid kontaktiert wird.
  8. Verfahren nach zumindest einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die alkalische Komponente der alkalischen Ätzlösung zumindest eine Komponente aus der Gruppe NaOH, KOH, Ammoniak, Ammoniakderivate, Alkylamine, Alkanolamine, Hydroxyalkyl-Alkylamine, Polyalkylenamine, cyclische N-substituierte Amine, Tetraalkylammoniumhydroxid verwendet.
  9. Verfahren nach zumindest einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die alkalische Ätzlösung ferner zumindest eine Komponente aus der Gruppe Komplexierungsmittel, Tenside, Stabilisatoren enthält.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass als Komplexierungsmittel ein Komplexbildner aus der Gruppe Hydroxyphenole, Amine, Hydroxycarbonsäuren, Polyalkohole, Phosphorsäuren, Polyphosphate verwendet wird.
  11. Verfahren nach zumindest einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass als alkalische Ätzlösung eine verdünnte Hypochlorit-Lösung der Zusammensetzung – NaOH: 1 bis 50 g/L, vorzugsweise 5 bis 10 g/L, – Natriumhypochlorit: Lösung mit 6 bis 14% aktivem Chlor, 150–750 mL/L, vorzugsweise 250 bis 300 mL/L, und – als weitere mögliche Komponente KOH verwendet wird.
  12. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine alkalische Ätzlösung mit Ammoniumperoxiddisulfat als Oxidationsmittel mit einer Zusammensetzung verwendet wird: – NaOH: 1 bis 50 g/L, vorzugsweise 5 bis 10 g/L, – Ammoniumperoxodisulfat 5 bis 350 g/L, vorzugsweise 50 bis 250 g/L, sowie – zumindest eine Komponente aus der Gruppe KOH, Ammoniak bzw. Ammoniakderivate, Amine als alkalische Komponente, andere Peroxodisulfatsalze wie z. B. Natrium- bzw. Kaliumperoxodisulfate, Peroxomonosulfate, wie z. B. Kaliumperoxomonosulfate.
  13. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim Entfernen der Präzipitate ein oberflächennaher Bereich bis zu einer Dicke d mit d ≤ 10 nm geätzt wird.
  14. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass insbesondere unter Anwendung einer ätzresistenten Maske oder bereichsweisen Auftragens einer Ätzpaste ausschließlich bereichsweise die SixPy-Phasen, elektrisch inaktives Phosphor und nicht ins Si-Kristallgitter eingebautes Phosphor entfernt werden.
  15. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Dotierstoffprofil derart ausgebildet ist, dass sich im oberflächennahen Bereichs des Halbleiterbauelements bis zu einer Tiefe von 40 nm eine Phosphorkonzentration zwischen 1·1019 P/cm3 und 5·1020 P/cm3 ergibt.
  16. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Dotierstoffquelle eine Phosphorsäure enthaltende Lösung verwendet wird.
  17. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Dotierstoffprofil derart ausgebildet wird, dass in einem Abstand D mit D ≅ 500 nm von der Oberfläche des Halbleiterbauelements eine Phosphorkonzentration von zumindest 1·1016 P/cm3 ergibt.
  18. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Dotierstoffprofil derart ausgebildet wird, dass sich im oberflächennahen Bereich des Halbleiterbauelements bis zu einer Tiefe von 40 nm eine Phosphorkonzentration zwischen 1·1019 P/cm3 und 5·1020 P/cm3 ergibt und dass in einem Abstand D mit D ≅ 500 nm von der Oberfläche des Halbleiterbauelements eine Phosphorkonzentration von zumindest 1·1016 P/cm3 ergibt.
DE102011051606.9A 2010-08-30 2011-07-06 Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffprofils Expired - Fee Related DE102011051606B4 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011051606.9A DE102011051606B4 (de) 2011-07-06 2011-07-06 Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffprofils
CN201180052076.3A CN103262217B (zh) 2010-08-30 2011-08-30 形成掺杂剂分布图的方法
US13/819,956 US8889536B2 (en) 2010-08-30 2011-08-30 Method for forming a dopant profile
PCT/EP2011/064851 WO2012028593A1 (de) 2010-08-30 2011-08-30 Verfahren zum ausbilden eines dotierstoffprofils
EP11767185.9A EP2491577B1 (de) 2010-08-30 2011-08-30 Verfahren zum ausbilden eines dotierstoffprofils

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011051606.9A DE102011051606B4 (de) 2011-07-06 2011-07-06 Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffprofils

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102011051606A1 DE102011051606A1 (de) 2013-01-10
DE102011051606B4 true DE102011051606B4 (de) 2016-07-14

Family

ID=47426356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011051606.9A Expired - Fee Related DE102011051606B4 (de) 2010-08-30 2011-07-06 Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffprofils

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102011051606B4 (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2180520A1 (de) * 2007-08-01 2010-04-28 Tsoi, Bronya Wandler für elektromagnetische emissionen
DE102010037321A1 (de) * 2010-08-30 2012-03-01 Schott Solar Ag Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffpfofils

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008055515A1 (de) 2008-12-12 2010-07-15 Schott Solar Ag Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffprofils

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2180520A1 (de) * 2007-08-01 2010-04-28 Tsoi, Bronya Wandler für elektromagnetische emissionen
DE102010037321A1 (de) * 2010-08-30 2012-03-01 Schott Solar Ag Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffpfofils

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KIM, Jin-Sung u. a.: Phosphorous Precipitates in Selective Emitter Formed Using Screen Printed Phosphorous Diffusion Paste, In : Meet. Abstr. - Electrochem. Soc. 1002, 1649 (2010) - ISSN : 1091-8213 (print), 2151-2043 (online) *

Also Published As

Publication number Publication date
DE102011051606A1 (de) 2013-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112010005344B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit Rückseitenkontakt
WO2012028723A2 (de) Verfahren zum nasschemischen ätzen einer hochdotierten halbleiterschicht
DE102011050055A1 (de) Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Silziumschicht
EP2491577B1 (de) Verfahren zum ausbilden eines dotierstoffprofils
EP1977442A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements mit unterschiedlich stark dotierten bereichen
DE102014111282A1 (de) Verfahren zum sauren Ätzen von Silizium-Wafern
WO2010115730A1 (de) Verfahren zur herstellung von solarzellen mit selektivem emitter
DE19654791B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trennen einer Halbleiterschicht von einem Substrat
WO2015036181A1 (de) Verfahren zur herstellung einer solarzelle umfassend eine dotierung durch ionenimplantation und abscheiden einer ausdiffusionsbarriere
EP2823505B1 (de) Verfahren zum erzeugen eines dotierbereiches in einer halbleiterschicht
DE102014103303A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Solarzellen mit simultan rückgeätzten dotierten Bereichen
DE102011051606B4 (de) Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffprofils
DE112013001393T5 (de) Verfahren zum Dünnen der aktiven Siliziumschicht eines Substrats vom Typ "Silizium-auf-lsolator" (SOI))
DE102010037321A1 (de) Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffpfofils
DE102008048498A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Solarzelle, auf Basis einer Siliziumdünnschicht
WO2010122168A2 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes, insbesondere einer solarzelle, auf basis einer halbleiterdünnschicht mit einem direkten halbleiter oder mit germanium
DE102009004559A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Solarzelle, auf Basis einer Halbleiterdünnschicht mit einem direkten Halbleitermaterial
DE69233120T2 (de) Ätzlösung für das Ätzen von porösem Silizium, Ätzmethode unter Verwendung der Ätzlösung und Verfahren zur Vorbereitung einer Halbleiteranordnung unter Verwendung der Ätzlösung
WO2011058106A2 (de) Verfahren zum bilden von dünnen halbleiterschichtsubstraten zum herstellen von solarzellen
WO2022218905A1 (de) Verfahren zur präparation eines germaniumsubstrats und germaniumsubstratstruktur für ein epitaktisches aufwachsen einer germaniumschicht
DE3027197A1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleitereinrichtung
DE112021003338T5 (de) Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Einkristall-Substrats und Silizium-Einkristall-Substrat
DE19740905C1 (de) Verfahren zum Beseitigen von Sauerstoff-Restverunreinigungen aus tiegelgezogenen Siliziumwafern
DE102011053085A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
DE102012107537A1 (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines monokristallinen Halbleiterwafers und Verfahren zur Herstellung einer monokristallinen Halbleiterwafer-Solarzelle

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANG, DE

Free format text: FORMER OWNER: SCHOTT SOLAR AG, 55122 MAINZ, DE

Effective date: 20130808

R082 Change of representative

Representative=s name: STOFFREGEN, HANS-HERBERT, DIPL.-PHYS. DR.RER.N, DE

Effective date: 20130808

R018 Grant decision by examination section/examining division
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee