RU2009107568A - Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения - Google Patents

Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения Download PDF

Info

Publication number
RU2009107568A
RU2009107568A RU2009107568/28A RU2009107568A RU2009107568A RU 2009107568 A RU2009107568 A RU 2009107568A RU 2009107568/28 A RU2009107568/28 A RU 2009107568/28A RU 2009107568 A RU2009107568 A RU 2009107568A RU 2009107568 A RU2009107568 A RU 2009107568A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photoconversion
layers
converter
photoconverting
sequence
Prior art date
Application number
RU2009107568/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Броня Цой (RU)
Броня Цой
Юрий Дмитриевич Будишевский (RU)
Юрий Дмитриевич Будишевский
Original Assignee
Броня Цой (RU)
Броня Цой
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Броня Цой (RU), Броня Цой filed Critical Броня Цой (RU)
Priority to RU2009107568/28A priority Critical patent/RU2009107568A/ru
Priority to KR1020117023332A priority patent/KR101685475B1/ko
Priority to AU2010221821A priority patent/AU2010221821A1/en
Priority to CN2010800185008A priority patent/CN102422433A/zh
Priority to PCT/RU2010/000089 priority patent/WO2010104414A1/ru
Priority to EP10751068.7A priority patent/EP2405487B1/en
Publication of RU2009107568A publication Critical patent/RU2009107568A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0687—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0725—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения, включающая в себя последовательность полупроводниковых слоев, образующих между собой последовательность гомопереходов с возрастающей глубиной, которая содержит более одного разнотипного перехода. ! 2. Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения, включающая в себя последовательность полупроводниковых слоев, образующих между собой последовательность гомопереходов с возрастающей глубиной, содержащую более одного разнотипного перехода, при этом по меньшей мере часть указанных слоев с одинаковым типом проводимости скоммутирована параллельно. ! 3. Фотопреобразующая часть по п.2, отличающаяся тем, что параллельно скоммутированы по крайней мере часть слоев с дырочной проводимостью. ! 4. Фотопреобразующая часть по п.3, отличающаяся тем, что параллельно скоммутированы все слои с дырочной проводимостью. ! 5. Фотопреобразующая часть по любому из пп.2-4, отличающаяся тем, что параллельно скоммутированы по крайней мере часть слоев с электронной проводимостью. ! 6. Фотопреобразующая часть по п.5, отличающаяся тем, что параллельно скоммутированы все слои с электронной проводимостью. ! 7. Фотопреобразующая часть по любому из пп.2-4 и 6, отличающаяся тем, что по крайней мере один из указанных слоев имеет разрыв сплошности. ! 8. Фотопреобразующая часть по п.5, отличающаяся тем, что по крайней мере один из указанных слоев имеет разрыв сплошности. ! 9. Преобразователь электромагнитного излучения, включающий в себя по меньшей мере М≥1 фотопреобразующих частей и токосъемные электроды, характеризующийся тем, что по крайней мере одна из �

Claims (16)

1. Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения, включающая в себя последовательность полупроводниковых слоев, образующих между собой последовательность гомопереходов с возрастающей глубиной, которая содержит более одного разнотипного перехода.
2. Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения, включающая в себя последовательность полупроводниковых слоев, образующих между собой последовательность гомопереходов с возрастающей глубиной, содержащую более одного разнотипного перехода, при этом по меньшей мере часть указанных слоев с одинаковым типом проводимости скоммутирована параллельно.
3. Фотопреобразующая часть по п.2, отличающаяся тем, что параллельно скоммутированы по крайней мере часть слоев с дырочной проводимостью.
4. Фотопреобразующая часть по п.3, отличающаяся тем, что параллельно скоммутированы все слои с дырочной проводимостью.
5. Фотопреобразующая часть по любому из пп.2-4, отличающаяся тем, что параллельно скоммутированы по крайней мере часть слоев с электронной проводимостью.
6. Фотопреобразующая часть по п.5, отличающаяся тем, что параллельно скоммутированы все слои с электронной проводимостью.
7. Фотопреобразующая часть по любому из пп.2-4 и 6, отличающаяся тем, что по крайней мере один из указанных слоев имеет разрыв сплошности.
8. Фотопреобразующая часть по п.5, отличающаяся тем, что по крайней мере один из указанных слоев имеет разрыв сплошности.
9. Преобразователь электромагнитного излучения, включающий в себя по меньшей мере М≥1 фотопреобразующих частей и токосъемные электроды, характеризующийся тем, что по крайней мере одна из М фотопреобразующих частей включает в себя последовательность скоммутированных полупроводниковых слоев, образующих между собой последовательность гомопереходов с возрастающей глубиной, которая содержит более одного разнотипного перехода.
10. Преобразователь по п.9, отличающийся тем, что он содержит одну фотопреобразующую часть указанного типа, расположенную на его лицевой стороне.
11. Преобразователь по п.9 или 10, отличающийся тем, что он содержит одну фотопреобразующую часть указанного типа, расположенную на его тыльной стороне.
12. Преобразователь по п.9, отличающийся тем, что по крайней мере на одной из своих сторон он содержит несколько обособленных друг от друга фотопреобразующих частей, хотя бы одна из которых имеет многослойную структуру описанного типа.
13. Преобразователь по п.12, отличающийся тем, что указанные несколько обособленных фотопреобразующих частей выполнены на лицевой стороне преобразователя.
14. Преобразователь по п.12 или 13, отличающийся тем, что указанные несколько обособленных фотопреобразующих частей выполнены на тыльной стороне преобразователя.
15. Преобразователь по п.13, отличающийся тем, что все указанные обособленные фотопреобразующие части имеют многослойную структуру описанного типа.
16. Преобразователь по п.14, отличающийся тем, что все указанные обособленные фотопреобразующие части имеют многослойную структуру описанного типа.
RU2009107568/28A 2009-03-04 2009-03-04 Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения RU2009107568A (ru)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009107568/28A RU2009107568A (ru) 2009-03-04 2009-03-04 Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения
KR1020117023332A KR101685475B1 (ko) 2009-03-04 2010-02-26 전자기 방사 변환기의 광-변환부(상이한 실시예들), 및 전자기 방사 변환기
AU2010221821A AU2010221821A1 (en) 2009-03-04 2010-02-26 A photo-converting part of an electromagnetic radiation converter (variant embodiments), and an electromagnetic radiation converter
CN2010800185008A CN102422433A (zh) 2009-03-04 2010-02-26 电磁辐射转换器的光转换部分(不同的实施例)以及电磁辐射转换器
PCT/RU2010/000089 WO2010104414A1 (ru) 2009-03-04 2010-02-26 Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения
EP10751068.7A EP2405487B1 (en) 2009-03-04 2010-02-26 A photo-converting part of an electromagnetic radiation converter (variant embodiments), and an electromagnetic radiation converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009107568/28A RU2009107568A (ru) 2009-03-04 2009-03-04 Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2009107568A true RU2009107568A (ru) 2010-09-10

Family

ID=42728542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009107568/28A RU2009107568A (ru) 2009-03-04 2009-03-04 Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP2405487B1 (ru)
KR (1) KR101685475B1 (ru)
CN (1) CN102422433A (ru)
AU (1) AU2010221821A1 (ru)
RU (1) RU2009107568A (ru)
WO (1) WO2010104414A1 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2994982B1 (fr) 2012-09-04 2016-01-08 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une plaquette en silicium monolithique a multi-jonctions verticales.

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3936319A (en) * 1973-10-30 1976-02-03 General Electric Company Solar cell
US3994012A (en) * 1975-05-07 1976-11-23 The Regents Of The University Of Minnesota Photovoltaic semi-conductor devices
US4227941A (en) * 1979-03-21 1980-10-14 Massachusetts Institute Of Technology Shallow-homojunction solar cells
US4688068A (en) * 1983-07-08 1987-08-18 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Quantum well multijunction photovoltaic cell
US4631352A (en) * 1985-12-17 1986-12-23 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration High band gap II-VI and III-V tunneling junctions for silicon multijunction solar cells
AUPM996094A0 (en) * 1994-12-08 1995-01-05 Pacific Solar Pty Limited Multilayer solar cells with bypass diode protection
JP3976185B2 (ja) * 2001-10-31 2007-09-12 シャープ株式会社 受光素子、回路内蔵受光素子および光ピックアップ
RU2355066C2 (ru) * 2006-06-08 2009-05-10 Броня Цой Преобразователь электромагнитного излучения
RU2367063C2 (ru) 2006-11-21 2009-09-10 Броня Цой Преобразователь электромагнитного излучения
RU2369941C2 (ru) * 2007-08-01 2009-10-10 Броня Цой Преобразователь электромагнитного излучения (варианты)

Also Published As

Publication number Publication date
KR101685475B1 (ko) 2016-12-13
WO2010104414A1 (ru) 2010-09-16
EP2405487B1 (en) 2020-12-02
CN102422433A (zh) 2012-04-18
KR20110139715A (ko) 2011-12-29
EP2405487A4 (en) 2017-08-02
EP2405487A1 (en) 2012-01-11
AU2010221821A1 (en) 2011-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2017105090A (ru) Солнечный элемент и способ его изготовления
FR2914622B1 (fr) Aeronef comprenant une structure assurant les fonctions structurale et electrique
EP2475236A3 (en) Power Switching Circuitry
TW201236138A (en) Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
WO2009041318A1 (ja) 発光素子及びそれを用いた発光装置
EP2442008A3 (en) Assemblage structure for OLED lighting modules
EP3986094A3 (en) Assembly structure and electronic device having the same
EP3799118A3 (en) Ground via clustering for crosstalk mitigation
TW200718006A (en) Electric element and electric circuit
EP2608408A3 (en) Circuit substrate for duplexers
CN104157823A (zh) 动力电池用软连接片及其加工方法
EA201690890A1 (ru) Стекло по меньшей мере с двумя электрическими присоединяющими элементами и соединительным проводником
DE112008001744A5 (de) Mehrfachrohrbearbeitungsspule
GB201110054D0 (en) Solid electrolytic capacitor assembly with multiple cathode terminations
CN102478175B (zh) 发光二极管灯条及发光二极管灯条组件
RU2009107568A (ru) Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения
JP2014165210A5 (ru)
US10181368B2 (en) Circuit protection device
EP3179627A1 (en) Photovoltaic junction box
US9648750B2 (en) Light emitting diode (LED) assembly and flexible circuit board with improved thermal conductivity
CN106299098A (zh) Commb‑led光源的外引电极、光源及制造方法
ATE475988T1 (de) Schaltungsanordnung mit bondverbindung
JP2016535944A5 (ja) 光起電力セル、回路、及び方法
AU2015266301A1 (en) Device for conducting electrical direct current
TWI655785B (zh) 背側接觸層及光伏模組

Legal Events

Date Code Title Description
FZ9A Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal)

Effective date: 20101124

FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20111214