RU2017105090A - Солнечный элемент и способ его изготовления - Google Patents
Солнечный элемент и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2017105090A RU2017105090A RU2017105090A RU2017105090A RU2017105090A RU 2017105090 A RU2017105090 A RU 2017105090A RU 2017105090 A RU2017105090 A RU 2017105090A RU 2017105090 A RU2017105090 A RU 2017105090A RU 2017105090 A RU2017105090 A RU 2017105090A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- conductivity
- bus electrode
- type
- current collector
- insulating film
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims 5
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 5
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims 4
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 claims 4
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims 4
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- -1 phenolic fluorides Chemical class 0.000 claims 4
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 4
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Claims (25)
1. Солнечный элемент, содержащий:
полупроводниковую подложку с проводимостью первого типа, причем одна из главных поверхностей подложки является ее светоприемной поверхностью, а другая главная поверхность является ее тыльной стороной, на которой имеются область с проводимостью первого типа и область с проводимостью второго типа, отличной от проводимости первого типа;
первый гребенчатый электрод, состоящий из первого контактного участка, присоединенного к области с проводимостью первого типа, и из первого коллектора тока, сформированного на первом контактном участке;
второй гребенчатый электрод, состоящий из второго контактного участка, присоединенного к области с проводимостью второго типа, и из второго коллектора тока, сформированного на втором контактном участке;
первый шинный электрод, находящийся в электрическом контакте с первым коллектором тока;
второй шинный электрод, находящийся в электрическом контакте со вторым коллектором тока, и
изолирующую пленку, расположенную по меньшей мере во всей области, находящейся непосредственно под первым шинным электродом и вторым шинным электродом; при этом
электрический контакт между первым коллектором тока и первым шинным электродом, а также электрический контакт между вторым коллектором тока и вторым шинным электродом локализованы на изолирующей пленке, а
каждому из первого контактного участка и второго контактного участка придан, по меньшей мере в области непосредственно под изолирующей пленкой, непрерывный линейный контур.
2. Элемент по п. 1, в котором каждому из первого шинного электрода, второго шинного электрода, при этом изолирующей пленке также придан непрерывный линейный контур.
3. Элемент по п. 1, в котором общее количество первых шинных электродов и вторых шинных электродов выбрано в интервале 4-10.
4. Элемент по п. 2, в котором общее количество первых шинных электродов и вторых шинных электродов выбрано в интервале 4-10.
5. Элемент по п. 1, в котором изолирующая пленка, выполнена из материала, который содержит одну или более смол, выбранных из группы, состоящей из силиконовых, полиимидных, полиамид-имидных, фтористых фенольных, меламиновых, карбамидных, эпоксидных, акриловых, полиэстерных и поливиниловых смол и полиуретанов.
6. Элемент по п. 2, в котором изолирующая пленка, выполнена из материала, который содержит одну или более смол, выбранных из группы, состоящей из силиконовых, полиимидных, полиамид-имидных, фтористых фенольных, меламиновых, карбамидных, эпоксидных, акриловых, полиэстерных и поливиниловых смол и полиуретанов.
7. Элемент по п. 3, в котором изолирующая пленка, выполнена из материала, который содержит одну или более смол, выбранных из группы, состоящей из силиконовых, полиимидных, полиамид-имидных, фтористых фенольных, меламиновых, карбамидных, эпоксидных, акриловых, полиэстерных и поливиниловых смол и полиуретанов.
8. Элемент по п. 4, в котором изолирующая пленка, выполнена из материала, который содержит одну или более смол, выбранных из группы, состоящей из силиконовых, полиимидных, полиамид-имидных, фтористых фенольных, меламиновых, карбамидных, эпоксидных, акриловых, полиэстерных и поливиниловых смол и полиуретанов.
9. Элемент по любому из пп. 1-8, в котором толщина изолирующей пленки составляет 1-60 мкм.
10. Элемент по любому из пп. 1-8, в котором каждый из первого коллектора тока, второго коллектора тока, первого шинного электрода и второго шинного электрода выполнен из материала, содержащего один или более электропроводных материалов, выбранных из группы, состоящей из Ag, Cu, Au, Al, Zn, In, Sn, Bi, и Pb, и смолу одного или более типов, выбранную из группы, состоящей из эпоксидных, акриловых, полиэстерных, фенольных и силиконовых смол.
11. Способ изготовления солнечного элемента, содержащего полупроводниковую подложку с проводимостью первого типа, причем одна из главных поверхностей полупроводниковой подложки является ее светоприемной поверхностью, а другая главная поверхность является ее тыльной стороной, на которой имеются область с проводимостью первого типа и область с проводимостью второго типа, отличной от проводимости первого типа, включающий следующие операции:
формируют на тыльной стороне область с проводимостью первого типа и область с проводимостью второго типа;
формируют первый контактный участок, присоединенный к области с проводимостью первого типа, и второй контактный участок, присоединенный к области с проводимостью второго типа, причем каждому из указанных участков придают, по меньшей мере на его части, непрерывный линейный контур;
формируют изолирующую пленку таким образом, чтобы она покрывала боковые и верхнюю стороны первого контактного участка и второго контактного участка в их частях, имеющих непрерывный линейный контур;
формируют первый шинный электрод и второй шинный электрод только на изолирующей пленке;
формируют первый коллектор тока, находящийся в электрическом контакте с первым шинным электродом на первом контактном участке, и второй коллектор тока, находящийся в электрическом контакте со вторым шинным электродом на втором контактном участке.
12. Способ по п. 11, в котором операцию формирования первого шинного электрода и второго шинного электрода и операцию формирования первого коллектора тока и второго коллектора тока осуществляют одновременно.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014-201269 | 2014-09-30 | ||
| JP2014201269A JP6199839B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 太陽電池及びその製造方法 |
| PCT/JP2015/003326 WO2016051628A1 (ja) | 2014-09-30 | 2015-07-02 | 太陽電池及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2017105090A true RU2017105090A (ru) | 2018-11-02 |
Family
ID=55629708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017105090A RU2017105090A (ru) | 2014-09-30 | 2015-07-02 | Солнечный элемент и способ его изготовления |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10115840B2 (ru) |
| EP (1) | EP3203530B1 (ru) |
| JP (1) | JP6199839B2 (ru) |
| KR (1) | KR102366908B1 (ru) |
| CN (1) | CN106575679B (ru) |
| BR (1) | BR112017003016A2 (ru) |
| ES (1) | ES2767530T3 (ru) |
| MY (1) | MY180307A (ru) |
| PH (1) | PH12017500341A1 (ru) |
| RU (1) | RU2017105090A (ru) |
| SG (1) | SG11201701356WA (ru) |
| TW (1) | TWI673885B (ru) |
| WO (1) | WO2016051628A1 (ru) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USD754597S1 (en) * | 2013-04-26 | 2016-04-26 | Soliculture, Inc. | Solar module |
| CN108713255B (zh) * | 2016-02-26 | 2021-12-21 | 京瓷株式会社 | 太阳能电池元件 |
| USD810676S1 (en) * | 2016-08-12 | 2018-02-20 | Solaria Corporation | Solar cell article |
| USD817264S1 (en) * | 2016-08-12 | 2018-05-08 | Solaria Corporation | Solar cell article |
| USD810675S1 (en) * | 2016-08-12 | 2018-02-20 | Solaria Corporation | Solar cell article |
| USD815028S1 (en) * | 2016-08-12 | 2018-04-10 | Solaria Corporation | Solar cell article |
| USD815029S1 (en) * | 2016-08-12 | 2018-04-10 | Solaria Corporation | Solar cell article |
| JPWO2018078669A1 (ja) | 2016-10-25 | 2018-10-25 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法 |
| CN110073498A (zh) * | 2016-11-07 | 2019-07-30 | 信越化学工业株式会社 | 高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法 |
| EP3343643B1 (en) * | 2016-11-07 | 2021-08-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for manufacturing high-efficiency solar cell |
| US10998463B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-05-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | High efficiency solar cell and method for manufacturing high efficiency solar cell |
| JP6243581B1 (ja) * | 2016-12-01 | 2017-12-06 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池セル及び高光電変換効率太陽電池セルの製造方法 |
| JP6986726B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2021-12-22 | アートビーム有限会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
| JP6875252B2 (ja) * | 2017-10-26 | 2021-05-19 | 信越化学工業株式会社 | ポリイミドペーストの乾燥方法及び高光電変換効率太陽電池の製造方法 |
| JPWO2021020465A1 (ru) * | 2019-07-31 | 2021-02-04 | ||
| CN111477698A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-07-31 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种ibc太阳能电池的电极制备方法 |
| KR20210103850A (ko) * | 2020-02-14 | 2021-08-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지, 그리고 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5168010A (en) | 1974-12-10 | 1976-06-12 | Niigata Engineering Co Ltd | Sharyono shudensochi |
| US20050115602A1 (en) * | 2003-11-28 | 2005-06-02 | Kyocera Corporation | Photo-electric conversion cell and array, and photo-electric generation system |
| US20060130891A1 (en) | 2004-10-29 | 2006-06-22 | Carlson David E | Back-contact photovoltaic cells |
| CN101395722B (zh) | 2006-03-01 | 2010-06-02 | 三洋电机株式会社 | 太阳能电池单元和使用该太阳能电池单元的太阳能电池模块 |
| JP4697194B2 (ja) | 2006-10-13 | 2011-06-08 | 日立化成工業株式会社 | 太陽電池セルの接続方法及び太陽電池モジュール |
| DE102007003682A1 (de) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Verschaltung von Rückseitenkontaktsolarzellen mit Lötstoplack und Metalldrähten |
| US7804022B2 (en) | 2007-03-16 | 2010-09-28 | Sunpower Corporation | Solar cell contact fingers and solder pad arrangement for enhanced efficiency |
| JP2008282926A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| WO2009025147A1 (ja) * | 2007-08-23 | 2009-02-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | 裏面接合型太陽電池、配線基板付き裏面接合型太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
| JP5252472B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-07-31 | シャープ株式会社 | 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール |
| JP5067815B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2012-11-07 | シャープ株式会社 | 素子間配線部材、光電変換素子接続体および光電変換モジュール |
| DE102007059486A1 (de) | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Rückkontaktsolarzelle mit länglichen, ineinander verschachtelten Emitter- und Basisbereichen an der Rückseite und Herstellungsverfahren hierfür |
| JP2009206366A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| KR100974221B1 (ko) | 2008-04-17 | 2010-08-06 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 어닐링을 이용한 태양전지의 선택적 에미터형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 |
| CN102742013B (zh) | 2008-08-04 | 2014-12-17 | 松下电器产业株式会社 | 柔性半导体装置的制造方法 |
| JP2011003724A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP5289291B2 (ja) | 2009-12-01 | 2013-09-11 | デクセリアルズ株式会社 | 電子部品の製造方法、電子部品および導電性フィルム |
| JP5495777B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-05-21 | 京セラ株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP5214755B2 (ja) | 2011-03-03 | 2013-06-19 | シャープ株式会社 | 裏面電極型太陽電池セル、裏面電極型太陽電池サブセルおよび太陽電池モジュール |
| KR101103501B1 (ko) | 2011-05-30 | 2012-01-09 | 한화케미칼 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| US20140352753A1 (en) * | 2011-09-29 | 2014-12-04 | Dow Global Technologies Llc | Photovoltaic cell interconnect |
| US10383207B2 (en) * | 2011-10-31 | 2019-08-13 | Cellink Corporation | Interdigitated foil interconnect for rear-contact solar cells |
| US20130160825A1 (en) | 2011-12-22 | 2013-06-27 | E I Du Pont De Nemours And Company | Back contact photovoltaic module with glass back-sheet |
| DE112012006610T5 (de) | 2012-06-29 | 2015-04-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solarzelle, Solarzellenmodul und Verfahren zum Fertigen einer Solarzelle |
| JP2014075532A (ja) | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Panasonic Corp | 太陽電池モジュール |
| KR102124520B1 (ko) | 2013-10-29 | 2020-06-18 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법 |
| KR102175893B1 (ko) | 2014-02-24 | 2020-11-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈의 제조 방법 |
| CN104064609A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-09-24 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种背接触太阳能电池组件及其制备方法 |
-
2014
- 2014-09-30 JP JP2014201269A patent/JP6199839B2/ja active Active
-
2015
- 2015-07-02 ES ES15846154T patent/ES2767530T3/es active Active
- 2015-07-02 MY MYPI2017700463A patent/MY180307A/en unknown
- 2015-07-02 WO PCT/JP2015/003326 patent/WO2016051628A1/ja active Application Filing
- 2015-07-02 RU RU2017105090A patent/RU2017105090A/ru unknown
- 2015-07-02 SG SG11201701356WA patent/SG11201701356WA/en unknown
- 2015-07-02 EP EP15846154.1A patent/EP3203530B1/en active Active
- 2015-07-02 CN CN201580044813.3A patent/CN106575679B/zh active Active
- 2015-07-02 BR BR112017003016A patent/BR112017003016A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2015-07-02 KR KR1020177003897A patent/KR102366908B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-02 US US15/503,894 patent/US10115840B2/en active Active
- 2015-09-23 TW TW104131467A patent/TWI673885B/zh active
-
2017
- 2017-02-24 PH PH12017500341A patent/PH12017500341A1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3203530B1 (en) | 2019-12-04 |
| ES2767530T3 (es) | 2020-06-17 |
| TW201626584A (zh) | 2016-07-16 |
| EP3203530A1 (en) | 2017-08-09 |
| TWI673885B (zh) | 2019-10-01 |
| CN106575679A (zh) | 2017-04-19 |
| KR102366908B1 (ko) | 2022-02-23 |
| KR20170057231A (ko) | 2017-05-24 |
| JP2016072467A (ja) | 2016-05-09 |
| CN106575679B (zh) | 2018-08-31 |
| JP6199839B2 (ja) | 2017-09-20 |
| MY180307A (en) | 2020-11-28 |
| SG11201701356WA (en) | 2017-03-30 |
| US20170170338A1 (en) | 2017-06-15 |
| US10115840B2 (en) | 2018-10-30 |
| EP3203530A4 (en) | 2018-04-18 |
| BR112017003016A2 (pt) | 2017-12-12 |
| PH12017500341A1 (en) | 2017-07-17 |
| WO2016051628A1 (ja) | 2016-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2017105090A (ru) | Солнечный элемент и способ его изготовления | |
| RU2016150513A (ru) | Солнечный элемент и способ его изготовления | |
| JP2008544540A5 (ru) | ||
| JP2013511142A5 (ru) | ||
| KR20130112873A (ko) | 개선된 션트 저항을 갖는 후면 접촉 광전지 | |
| JP2015076612A5 (ru) | ||
| CN104868004A (zh) | 太阳能电池模块 | |
| TW201721892A (zh) | 用於太陽能電池之一維金屬化 | |
| JP2014131041A5 (ru) | ||
| EA201690890A1 (ru) | Стекло по меньшей мере с двумя электрическими присоединяющими элементами и соединительным проводником | |
| EA201692520A1 (ru) | Фотоэлектрический элемент | |
| US20160380134A1 (en) | Wire-based metallization for solar cells | |
| TR201907248T4 (tr) | Bakır esaslı iletken şeritlerle donatılmış cam substrat. | |
| JP6365898B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP2012023357A5 (ja) | 光電変換装置 | |
| EP2806465A3 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| RU2019127556A (ru) | Тонкопленочный фотогальванический модуль с интегрированной электроникой и способы его производства | |
| KR102298434B1 (ko) | 태양 전지 모듈과 그 제조 방법 | |
| US9748458B2 (en) | Light emitting diode module and method of manufacturing the same | |
| US20150243813A1 (en) | Solar cell, method for manufacturing the same, and solar cell module | |
| KR101328138B1 (ko) | 태양전지 모듈 및 그 제조 방법 | |
| TWI655785B (zh) | 背側接觸層及光伏模組 | |
| JP2012156504A (ja) | パワー半導体素子及び少なくとも１つのソーラセルに関するパワー半導体素子の配置構造 | |
| WO2015032901A3 (de) | Strahlungsemittierende vorrichtung und verfahren zur herstellung derselben | |
| JP6325925B2 (ja) | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |