JPH10270735A - 太陽電池セルおよびその製造方法 - Google Patents
太陽電池セルおよびその製造方法Info
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- JPH10270735A JPH10270735A JP9076382A JP7638297A JPH10270735A JP H10270735 A JPH10270735 A JP H10270735A JP 9076382 A JP9076382 A JP 9076382A JP 7638297 A JP7638297 A JP 7638297A JP H10270735 A JPH10270735 A JP H10270735A
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- solar cell
- cell
- electrode
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来例では高さ０．４ｍｍ以上の半田溜りや
半田玉が発生するため、ウェハを瓦積み用の所定のセル
サイズにダイシングする際、裏面のメイングリッド部分
の半田溜りや半田玉を一枚ずつ観察し、不具合品につい
て修正する作業が必要であった。 【解決手段】 セルを瓦積み状に直列接続してなる太陽
電池モジュール用の太陽電池セルは、裏面電極パターン
の形状が細線状となっていることを特徴とするものであ
る。
半田玉が発生するため、ウェハを瓦積み用の所定のセル
サイズにダイシングする際、裏面のメイングリッド部分
の半田溜りや半田玉を一枚ずつ観察し、不具合品につい
て修正する作業が必要であった。 【解決手段】 セルを瓦積み状に直列接続してなる太陽
電池モジュール用の太陽電池セルは、裏面電極パターン
の形状が細線状となっていることを特徴とするものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、瓦積み状に直列接
続してなる太陽電池モジュール用の太陽電池セルの構造
および製造方法に関する。
続してなる太陽電池モジュール用の太陽電池セルの構造
および製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例の太陽電池セルの構造およびその
製造方法を図５に示す。工程は、（１）０．４ｍｍ厚、
結晶方位（１００）面のｐ型シリコン基板を数％の水酸
化ナトリウムとイソプロピルアルコールを溶かした８０
℃の溶液中で３０分間処理し、基板表面のダメージを取
り去ると共に表面にピラミッド状の凹凸を形成する「テ
クスチャーエッチング工程」、（２）温度１０００℃で
約３０分間処理し、ｎ型不純物（一般的にはリンＰ）を
拡散することにより基板表面にｐｎ接合を形成する「リ
ン拡散工程」、（３）スプレー法を用い、金属酸化物を
受光面に塗布し、反射防止膜を形成する「反射防止膜形
成工程」、（４）受光面を耐酸性テープで覆った後、フ
ッ酸、硝酸の混合液で３０秒間処理し、裏面および側面
の不要なｎ型拡散層を除去する「接合分離工程」、
（５）裏面専用の銀ペーストを裏面にスクリーン印刷
し、１５０℃〜２００℃で乾燥する「裏面ペースト印刷
工程」、（６）表面専用の銀ペーストを表面にスクリー
ン印刷し、１５０℃〜２００℃で乾燥後、７００℃〜８
００℃で焼成する「表面ペースト印刷／焼成工程」、
（７）１９０℃に加熱した銀入り半田（例えば、ＱＱＳ
５７１Ｓｎ６２等）槽にフラックスを塗布した基板を３
０秒間浸漬し、表面および裏面の銀電極部を半田で被服
した後、キシレン、トルエン、アセトン等の有機溶剤で
フラックスを洗浄除去する。さらに、半田溜まり、半田
玉の発生による太陽電池セルの凹凸をなくすために半田
鏝で修正する「半田ディップ／洗浄／半田修正工程」、
（８）ダイサー（または、ダイシングマシーン）で表電
極パターンにそって太陽電池セルを所定のセルサイズの
大きさに切断加工（ダイシング）し、瓦積み用の大陽電
池セルが完成する「ダイシング工程」、である。
製造方法を図５に示す。工程は、（１）０．４ｍｍ厚、
結晶方位（１００）面のｐ型シリコン基板を数％の水酸
化ナトリウムとイソプロピルアルコールを溶かした８０
℃の溶液中で３０分間処理し、基板表面のダメージを取
り去ると共に表面にピラミッド状の凹凸を形成する「テ
クスチャーエッチング工程」、（２）温度１０００℃で
約３０分間処理し、ｎ型不純物（一般的にはリンＰ）を
拡散することにより基板表面にｐｎ接合を形成する「リ
ン拡散工程」、（３）スプレー法を用い、金属酸化物を
受光面に塗布し、反射防止膜を形成する「反射防止膜形
成工程」、（４）受光面を耐酸性テープで覆った後、フ
ッ酸、硝酸の混合液で３０秒間処理し、裏面および側面
の不要なｎ型拡散層を除去する「接合分離工程」、
（５）裏面専用の銀ペーストを裏面にスクリーン印刷
し、１５０℃〜２００℃で乾燥する「裏面ペースト印刷
工程」、（６）表面専用の銀ペーストを表面にスクリー
ン印刷し、１５０℃〜２００℃で乾燥後、７００℃〜８
００℃で焼成する「表面ペースト印刷／焼成工程」、
（７）１９０℃に加熱した銀入り半田（例えば、ＱＱＳ
５７１Ｓｎ６２等）槽にフラックスを塗布した基板を３
０秒間浸漬し、表面および裏面の銀電極部を半田で被服
した後、キシレン、トルエン、アセトン等の有機溶剤で
フラックスを洗浄除去する。さらに、半田溜まり、半田
玉の発生による太陽電池セルの凹凸をなくすために半田
鏝で修正する「半田ディップ／洗浄／半田修正工程」、
（８）ダイサー（または、ダイシングマシーン）で表電
極パターンにそって太陽電池セルを所定のセルサイズの
大きさに切断加工（ダイシング）し、瓦積み用の大陽電
池セルが完成する「ダイシング工程」、である。
【０００３】従来例の瓦積み用の太陽電池セルの表電極
パターンを図６に、また、裏電極パターンを図７に示
す。図６において、５インチ擬似角セルの場合の表電極
パターンは、３８個の単位パターン（１枚のセルサイ
ズ）の配列から成り、１つの単位パターンは１本のメイ
ングリッド（幅１〜５ｍｍ程度）と９本数の細いグリッ
ド（幅０．１〜０．３ｍｍ程度）から成る。
パターンを図６に、また、裏電極パターンを図７に示
す。図６において、５インチ擬似角セルの場合の表電極
パターンは、３８個の単位パターン（１枚のセルサイ
ズ）の配列から成り、１つの単位パターンは１本のメイ
ングリッド（幅１〜５ｍｍ程度）と９本数の細いグリッ
ド（幅０．１〜０．３ｍｍ程度）から成る。
【０００４】また、図７は従来例の裏電極パターンであ
り、図７（ａ）は直列接続用のメイングリッドを粗い格
子状に配設した例であり、図７（ｂ）は細いグリッドの
みをクロスハッチ状に配設した例である。図７（ａ）で
は、メイングリッドの幅は１〜５ｍｍ程度であり、細い
グリッドの幅は０．１〜０．３ｍｍ程度である。
り、図７（ａ）は直列接続用のメイングリッドを粗い格
子状に配設した例であり、図７（ｂ）は細いグリッドの
みをクロスハッチ状に配設した例である。図７（ａ）で
は、メイングリッドの幅は１〜５ｍｍ程度であり、細い
グリッドの幅は０．１〜０．３ｍｍ程度である。
【０００５】そして、この裏面の直列接続用のメイング
リッドは表面のメイングリッドとほぼ上下の位置関係に
配設されている。また、図７（ｂ）では、細いグリッド
の幅は０．４ｍｍ程度、間隔１ｍｍ程度の格子状であ
る。
リッドは表面のメイングリッドとほぼ上下の位置関係に
配設されている。また、図７（ｂ）では、細いグリッド
の幅は０．４ｍｍ程度、間隔１ｍｍ程度の格子状であ
る。
【０００６】従来例の瓦積み用大陽電池セルとして、表
面銀電極パターンに図６、裏面銀電極パターンに図７
（ａ）を組み合わせる場合、セルサイズ毎に専用の裏電
極パターンが必要である。
面銀電極パターンに図６、裏面銀電極パターンに図７
（ａ）を組み合わせる場合、セルサイズ毎に専用の裏電
極パターンが必要である。
【０００７】また、従来例の瓦積み用大陽電池セルとし
て、表面銀電極パターンに図６、裏面銀電極パターンに
図７（ｂ）を組み合わせる場合の問題点は、瓦積み状に
した場合の十分な電極引張り強度が得られないことであ
る。
て、表面銀電極パターンに図６、裏面銀電極パターンに
図７（ｂ）を組み合わせる場合の問題点は、瓦積み状に
した場合の十分な電極引張り強度が得られないことであ
る。
【０００８】図８は、図７（ａ）の従来例の裏面銀電極
パターンを用いた場合の半田ディップ工程後に発生する
半田溜りと半田玉の発生を説明する図である。図８
（ａ）は、切り出された１枚のセルサイズを示し、裏面
銀電極パターンの平面図の拡大図であり、幅１〜５ｍｍ
程度のメイングリッドに半田溜りや半田玉が発生する。
図８（ｂ）は裏面銀電極パターンの側面図の拡大図であ
り、ｐ型シリコン基板／裏面銀電極／半田と積層されて
おり、半田の表面に高さ０．４ｍｍ以上の半田溜りが発
生していることを説明している。図８（ｃ）は裏面銀電
極パターンの側断面図の拡大図であり、ｐ型シリコン基
板／裏面銀電極／半田と積層されており、半田の表面に
高さ０．４ｍｍ以上の半田玉が発生していることを説明
している。
パターンを用いた場合の半田ディップ工程後に発生する
半田溜りと半田玉の発生を説明する図である。図８
（ａ）は、切り出された１枚のセルサイズを示し、裏面
銀電極パターンの平面図の拡大図であり、幅１〜５ｍｍ
程度のメイングリッドに半田溜りや半田玉が発生する。
図８（ｂ）は裏面銀電極パターンの側面図の拡大図であ
り、ｐ型シリコン基板／裏面銀電極／半田と積層されて
おり、半田の表面に高さ０．４ｍｍ以上の半田溜りが発
生していることを説明している。図８（ｃ）は裏面銀電
極パターンの側断面図の拡大図であり、ｐ型シリコン基
板／裏面銀電極／半田と積層されており、半田の表面に
高さ０．４ｍｍ以上の半田玉が発生していることを説明
している。
【０００９】図９は、図７（ｂ）の従来例の裏面銀電極
パターンを用いた場合の半田ディップ工程後に発生する
半田溜りと半田玉の発生を説明する図である。図９
（ａ）は、切り出された１枚のセルサイズを示し、裏面
銀電極パターンの平面の拡大図であり、幅０．４ｍｍ程
度、間隔１ｍｍ程度の格子状の細いグリッドに半田溜り
や半田玉が発生する。図９（ｂ）は裏面銀電極パターン
の側面斜視図の拡大図であり、ｐ型シリコン基板／裏面
銀電極／半田と積層されており、間隔１ｍｍ程度の格子
状の細いグリッドの半田の表面に高さ０．４ｍｍ以上の
半田溜りが発生していることを説明している。図９
（ｃ）は裏面銀電極パターンの側断面図の拡大図であ
り、ｐ型シリコン基板／裏面銀電極／半田と積層されて
おり、半田の表面に高さ０．４ｍｍ以上の半田溜りや半
田玉が発生していることを説明している。
パターンを用いた場合の半田ディップ工程後に発生する
半田溜りと半田玉の発生を説明する図である。図９
（ａ）は、切り出された１枚のセルサイズを示し、裏面
銀電極パターンの平面の拡大図であり、幅０．４ｍｍ程
度、間隔１ｍｍ程度の格子状の細いグリッドに半田溜り
や半田玉が発生する。図９（ｂ）は裏面銀電極パターン
の側面斜視図の拡大図であり、ｐ型シリコン基板／裏面
銀電極／半田と積層されており、間隔１ｍｍ程度の格子
状の細いグリッドの半田の表面に高さ０．４ｍｍ以上の
半田溜りが発生していることを説明している。図９
（ｃ）は裏面銀電極パターンの側断面図の拡大図であ
り、ｐ型シリコン基板／裏面銀電極／半田と積層されて
おり、半田の表面に高さ０．４ｍｍ以上の半田溜りや半
田玉が発生していることを説明している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図８、図９で説明した
ように、高さ０．４ｍｍ以上の半田溜りや半田玉が発生
するため、瓦積み用の所定のセルサイズにダイシングす
る際、裏面のメイングリッド部分の半田溜りや半田玉を
一枚ずつ観察し、不具合品について修正する作業が必要
である。また、十分な電極引張り強度も必要である。要
約すると以下のようになる。
ように、高さ０．４ｍｍ以上の半田溜りや半田玉が発生
するため、瓦積み用の所定のセルサイズにダイシングす
る際、裏面のメイングリッド部分の半田溜りや半田玉を
一枚ずつ観察し、不具合品について修正する作業が必要
である。また、十分な電極引張り強度も必要である。要
約すると以下のようになる。
【００１１】従来例の瓦積み用大陽電池セルでは、 （１）表面と裏面の同−部分に直列接続用の１〜５ｍｍ
幅の太いメイングリッドが形成されており、瓦積み用太
陽電池セルのセルサイズ毎に専用の裏面パターンが必要
である。
幅の太いメイングリッドが形成されており、瓦積み用太
陽電池セルのセルサイズ毎に専用の裏面パターンが必要
である。
【００１２】（２）半田ディップの際、グリッド上に半
田溜りや半田玉が発生し、５インチの擬似角セルを所定
のセルサイズ形状にダイシングする前に、裏面のグリッ
ド部分の半田溜りや半田玉の有無を一枚ずつ観察し、不
具合品については修正する作業が必要である。
田溜りや半田玉が発生し、５インチの擬似角セルを所定
のセルサイズ形状にダイシングする前に、裏面のグリッ
ド部分の半田溜りや半田玉の有無を一枚ずつ観察し、不
具合品については修正する作業が必要である。
【００１３】（３）瓦積み用大陽電池セルをダイシング
する際、同じ大きさのセルサイズに切断するための目安
線が無いため、ダイシングミス、即ちダイシング工程に
起因するセルサイズの不具合が発生する。
する際、同じ大きさのセルサイズに切断するための目安
線が無いため、ダイシングミス、即ちダイシング工程に
起因するセルサイズの不具合が発生する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
太陽電池セルは、セルを瓦積み状に直列接続してなる太
陽電池モジュール用の太陽電池セルであり、裏面電極パ
ターンの形状が細線状となっていることを特徴とするも
のである。
太陽電池セルは、セルを瓦積み状に直列接続してなる太
陽電池モジュール用の太陽電池セルであり、裏面電極パ
ターンの形状が細線状となっていることを特徴とするも
のである。
【００１５】また、本発明の請求項２記載の太陽電池セ
ルは、太陽電池セルの前記細線状の裏面電極の形状と太
陽電池セルの細線状の表面電極の形状とがほぼ同−方向
に形成されてなることを特徴とするものである。
ルは、太陽電池セルの前記細線状の裏面電極の形状と太
陽電池セルの細線状の表面電極の形状とがほぼ同−方向
に形成されてなることを特徴とするものである。
【００１６】また、本発明の請求項３記載の太陽電池セ
ルは、太陽電池セルの前記細線状の裏面電極の幅は太さ
の異なる形状より構成されていることを特徴とするもの
である。
ルは、太陽電池セルの前記細線状の裏面電極の幅は太さ
の異なる形状より構成されていることを特徴とするもの
である。
【００１７】また、本発明の請求項４記載の太陽電池セ
ルは、前記太陽電池セルの表面銀電極パターンの周辺に
は各セルに切断するための目安線を配設したことを特徴
とするものである。
ルは、前記太陽電池セルの表面銀電極パターンの周辺に
は各セルに切断するための目安線を配設したことを特徴
とするものである。
【００１８】さらに、本発明の請求項５記載の太陽電池
セルの製造方法は、太陽電池セルの表面および裏面に半
田を被覆する半田ディップ工程は、セルの表面および裏
面の細線状の方向を半田ディップ槽の半田液面に対して
ほぼ垂直となるようにセルを半田ディップ槽に浸漬さ
せ、且つ引き上げることを特徴とするものである。
セルの製造方法は、太陽電池セルの表面および裏面に半
田を被覆する半田ディップ工程は、セルの表面および裏
面の細線状の方向を半田ディップ槽の半田液面に対して
ほぼ垂直となるようにセルを半田ディップ槽に浸漬さ
せ、且つ引き上げることを特徴とするものである。
【００１９】［作用］太陽電池セルの裏面電極パターン
の形状を細線状とし、この細線状の方向を半田ディップ
槽の半田液面に対してほぼ垂直となるようにセルを半田
ディップ槽に浸漬させ、且つ引き上げることにより、半
田溜りや半田玉な発生しない太陽電池セルを得ることが
できる。また、太陽電池セルの前記細線状の裏面電極の
幅は太さの異なる形状より構成されており、必要な電極
引張り強度を確保つしつつ、半田溜りや半田玉な発生し
ない太陽電池セルを得ることができる。
の形状を細線状とし、この細線状の方向を半田ディップ
槽の半田液面に対してほぼ垂直となるようにセルを半田
ディップ槽に浸漬させ、且つ引き上げることにより、半
田溜りや半田玉な発生しない太陽電池セルを得ることが
できる。また、太陽電池セルの前記細線状の裏面電極の
幅は太さの異なる形状より構成されており、必要な電極
引張り強度を確保つしつつ、半田溜りや半田玉な発生し
ない太陽電池セルを得ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１乃至図４は本発明の一実施の
形態に関する図である。先ず、電極引張り強度の測定法
および、電極の幅と電極引張り強度について図１０およ
び図３を用いて説明する。
形態に関する図である。先ず、電極引張り強度の測定法
および、電極の幅と電極引張り強度について図１０およ
び図３を用いて説明する。
【００２１】図１０において、ｐ−ｎ接合を有するシリ
コン基板１０上の電極１１に、８０μｍ厚の半田被覆済
みの幅３ｍｍのインターコネクター１３を融着する。１
２は融着半田層である。このインターコネクター１３を
引張り角度４５度で右上方向（図１０参照）に引張り、
この時の剥がれる時の引張り強度を「電極引張り強度」
と定義する。
コン基板１０上の電極１１に、８０μｍ厚の半田被覆済
みの幅３ｍｍのインターコネクター１３を融着する。１
２は融着半田層である。このインターコネクター１３を
引張り角度４５度で右上方向（図１０参照）に引張り、
この時の剥がれる時の引張り強度を「電極引張り強度」
と定義する。
【００２２】図３は、電極の幅を横軸に取り、縦軸に電
極引張り強度を取り、プロットしたもので、電極の幅
が、０．２ｍｍ、０．５ｍｍ、０．７ｍｍ、１．０ｍｍ
の時、電極引張り強度はそれぞれ、２２０ｇ、３８０
ｇ、４２０ｇ、４４０ｇ、であった。図３から示される
ように、太陽電池セルとして必要な電極引張り強度の最
低値を３００ｇとすると、電極の幅が０．４ｍｍ以上あ
れば十分な電極引張り強度が得られることが分かる。従
って、電極引張り強度の点からは裏面銀電極パターンの
メイングリッドの幅としては０．５ｍｍ〜２．０ｍｍ程
度の電極幅を採用すれば良いことが分かる。
極引張り強度を取り、プロットしたもので、電極の幅
が、０．２ｍｍ、０．５ｍｍ、０．７ｍｍ、１．０ｍｍ
の時、電極引張り強度はそれぞれ、２２０ｇ、３８０
ｇ、４２０ｇ、４４０ｇ、であった。図３から示される
ように、太陽電池セルとして必要な電極引張り強度の最
低値を３００ｇとすると、電極の幅が０．４ｍｍ以上あ
れば十分な電極引張り強度が得られることが分かる。従
って、電極引張り強度の点からは裏面銀電極パターンの
メイングリッドの幅としては０．５ｍｍ〜２．０ｍｍ程
度の電極幅を採用すれば良いことが分かる。
【００２３】次に、メイングリッドのパターンの配置方
向と半田溜りや半田玉の発生との関係について実験し
た。その結果、メイングリッドのパターンの配置方向を
半田デップ工程の浸漬方向や引き上げ方向と平行に配設
すれば、このメイングリッド上に半田溜りや半田玉が発
生しないことが分かった。
向と半田溜りや半田玉の発生との関係について実験し
た。その結果、メイングリッドのパターンの配置方向を
半田デップ工程の浸漬方向や引き上げ方向と平行に配設
すれば、このメイングリッド上に半田溜りや半田玉が発
生しないことが分かった。
【００２４】次に、裏面銀電極抵抗パラメータとして、
単位電極パターンにおいて、１本のメイングリッドと細
いグリッドの本数との関係を実験した。例えば、グリッ
ドの間隔を０．６ｍｍとし、セルサイズを３３ｍｍ×１
０ｍｍとする時、１本のメイングリッド（０．５ｍｍ〜
１．０ｍｍ幅）に対して、２〜７本の細いグリッド
（０．２ｍｍ幅）を配設すれば適切であることが分かっ
た。この結果に基づき、１本のメイングリッド（０．５
ｍｍ〜１．０ｍｍ幅）に対して、３本の細いグリッド
（０．２ｍｍ幅）を配設した裏面銀電極パターンを設計
した。言い換えれば、メイングリッドとメイングリッド
との間に、３本の細いグリッドが配設されている裏面銀
電極パターンである。即ち、裏面銀電極パターンは、平
行な細線状銀電極（細いグリッド）から成るが、その内
の一部の細線は他のものより幅広にしたメイングリッド
から成っている。言い換えれば、裏面銀電極パターンは
太さの異なる細線状銀電極から構成されている。また、
実際の裏面銀電極パターンでは、縦方向の細線状銀電極
（細いグリッド）を接続し、束ねるため、或る間隔で、
細線状銀電極に対して垂直方向に細線状銀電極（ブリッ
ジ用電極）を配設したパラメータが採用されている。
単位電極パターンにおいて、１本のメイングリッドと細
いグリッドの本数との関係を実験した。例えば、グリッ
ドの間隔を０．６ｍｍとし、セルサイズを３３ｍｍ×１
０ｍｍとする時、１本のメイングリッド（０．５ｍｍ〜
１．０ｍｍ幅）に対して、２〜７本の細いグリッド
（０．２ｍｍ幅）を配設すれば適切であることが分かっ
た。この結果に基づき、１本のメイングリッド（０．５
ｍｍ〜１．０ｍｍ幅）に対して、３本の細いグリッド
（０．２ｍｍ幅）を配設した裏面銀電極パターンを設計
した。言い換えれば、メイングリッドとメイングリッド
との間に、３本の細いグリッドが配設されている裏面銀
電極パターンである。即ち、裏面銀電極パターンは、平
行な細線状銀電極（細いグリッド）から成るが、その内
の一部の細線は他のものより幅広にしたメイングリッド
から成っている。言い換えれば、裏面銀電極パターンは
太さの異なる細線状銀電極から構成されている。また、
実際の裏面銀電極パターンでは、縦方向の細線状銀電極
（細いグリッド）を接続し、束ねるため、或る間隔で、
細線状銀電極に対して垂直方向に細線状銀電極（ブリッ
ジ用電極）を配設したパラメータが採用されている。
【００２５】本発明の一実施の形態よりなる太陽電池セ
ルの構造およびその製造方法を図４に示す。工程は以下
の通りである。
ルの構造およびその製造方法を図４に示す。工程は以下
の通りである。
【００２６】（１）テクスチャーエッチング工程 ０．４ｍｍ厚、結晶方位（１００）面のｐ型シリコン基
板を数％の水酸化ナトリウムとイソプロピルアルコール
を溶かした８０℃の溶液中で３０分間処理し、基板表面
のダメージを取り去ると共に表面にピラミッド状の凹凸
を形成する。
板を数％の水酸化ナトリウムとイソプロピルアルコール
を溶かした８０℃の溶液中で３０分間処理し、基板表面
のダメージを取り去ると共に表面にピラミッド状の凹凸
を形成する。
【００２７】（２）リン拡散工程 温度１０００℃で約３０分間処理し、ｎ型不純物（一般
的にはリンＰ）を拡散することにより基板表面にｐｎ接
合を形成する。
的にはリンＰ）を拡散することにより基板表面にｐｎ接
合を形成する。
【００２８】（３）反射防止膜形成工程 スプレー法を用い、金属酸化物を受光面に塗布し、反射
防止膜を形成する。
防止膜を形成する。
【００２９】（４）接合分離工程 受光面を耐酸性テープで覆った後、フッ酸、硝酸の混合
液で３０秒間処理し、裏面および側面の不要なｎ型拡散
層を除去する。
液で３０秒間処理し、裏面および側面の不要なｎ型拡散
層を除去する。
【００３０】（５）裏面ペースト印刷工程 本発明による裏面銀電極パターンの形状は、裏面パター
ンと表面パターンとの細線電極が共に同−方向になるよ
うに形成し配設されたパターンであり、平行な０．２ｍ
ｍの細線状から成るものであり、この裏面銀電極パター
ンを用いて、裏面専用の銀ペーストを基板裏面にスクリ
ーン印刷し、１５０℃〜２００℃で乾燥する。
ンと表面パターンとの細線電極が共に同−方向になるよ
うに形成し配設されたパターンであり、平行な０．２ｍ
ｍの細線状から成るものであり、この裏面銀電極パター
ンを用いて、裏面専用の銀ペーストを基板裏面にスクリ
ーン印刷し、１５０℃〜２００℃で乾燥する。
【００３１】（６）表面ペースト印刷／焼成工程 本発明による表面銀電極パターンの形状は、裏面パター
ンと表面パターンとの細線電極が共に同−方向になるよ
うに形成し配設されたパターンであり、平行な０．２ｍ
ｍの細線状から成るものであり、この表面銀電極パター
ンを用いて、表面専用の銀ペーストを基板表面にスクリ
ーン印刷し、１５０℃〜２００℃で乾燥後、７００℃〜
８００℃で焼成する、また、この表面銀電極パターンに
はダイシング工程で利用する目安線が例えば擬似角セル
の周辺に位置するよう配設されている。
ンと表面パターンとの細線電極が共に同−方向になるよ
うに形成し配設されたパターンであり、平行な０．２ｍ
ｍの細線状から成るものであり、この表面銀電極パター
ンを用いて、表面専用の銀ペーストを基板表面にスクリ
ーン印刷し、１５０℃〜２００℃で乾燥後、７００℃〜
８００℃で焼成する、また、この表面銀電極パターンに
はダイシング工程で利用する目安線が例えば擬似角セル
の周辺に位置するよう配設されている。
【００３２】（７）半田ディップ／洗浄工程 １９０℃に加熱した銀入り半田（例えば、ＱＱＳ５７１
Ｓｎ６２等）槽にフラックスを塗布した基板を３０秒間
浸漬し、表面および裏面の銀電極部を半田で被服した
後、キシレン、トルエン、アセトン等の有機溶剤でフラ
ックスを洗浄除去する。（従来例の半田溜まり、半田玉
の発生による太陽電池セルの凹凸をなくすために半田鏝
で修正する半田修正工程は不要となる。） （８）ダイシング工程 ダイサー（または、ダイシングマシーン）で表電極パタ
ーンの周辺等に配設されている目安線に沿って太陽電池
セルを所定のセルサイズの大きさに切断加工（ダイシン
グ）し、瓦積み用の大陽電池セルが完成する。
Ｓｎ６２等）槽にフラックスを塗布した基板を３０秒間
浸漬し、表面および裏面の銀電極部を半田で被服した
後、キシレン、トルエン、アセトン等の有機溶剤でフラ
ックスを洗浄除去する。（従来例の半田溜まり、半田玉
の発生による太陽電池セルの凹凸をなくすために半田鏝
で修正する半田修正工程は不要となる。） （８）ダイシング工程 ダイサー（または、ダイシングマシーン）で表電極パタ
ーンの周辺等に配設されている目安線に沿って太陽電池
セルを所定のセルサイズの大きさに切断加工（ダイシン
グ）し、瓦積み用の大陽電池セルが完成する。
【００３３】上記図４で説明した工程より成る本発明の
一実施の形態の太陽電池セルの裏面銀電極パターンを図
１に示す。図１（ａ）に示す５インチ擬似角セル１５の
裏面銀電極パターンは、３本数の細いグリッド（幅０．
２ｍｍ程度）１６に１本のメイングリッド（幅０．５〜
１．０ｍｍ程度）を配設した単位パターンから成り、或
る間隔で細線状銀電極に対して垂直方向の細線状銀電極
（ブリッジ用電極）１８が配設されている。１９は半田
デップ工程の浸漬方向および引き上げ方向を示すもので
あり、１９と平行にメイングリッドや細いグリッドから
成る細線状銀電極が配設されている。
一実施の形態の太陽電池セルの裏面銀電極パターンを図
１に示す。図１（ａ）に示す５インチ擬似角セル１５の
裏面銀電極パターンは、３本数の細いグリッド（幅０．
２ｍｍ程度）１６に１本のメイングリッド（幅０．５〜
１．０ｍｍ程度）を配設した単位パターンから成り、或
る間隔で細線状銀電極に対して垂直方向の細線状銀電極
（ブリッジ用電極）１８が配設されている。１９は半田
デップ工程の浸漬方向および引き上げ方向を示すもので
あり、１９と平行にメイングリッドや細いグリッドから
成る細線状銀電極が配設されている。
【００３４】また、メイングリッドの線幅は細いグリッ
ドの線幅に対して、＋０．５〜２．０ｍｍ程度の幅広く
することが適切であり、表面および裏面の電極上に半田
溜りの発生が見られず、且つ所定の電極引張り強度を持
ち、信頼性の高いセルが得られる。
ドの線幅に対して、＋０．５〜２．０ｍｍ程度の幅広く
することが適切であり、表面および裏面の電極上に半田
溜りの発生が見られず、且つ所定の電極引張り強度を持
ち、信頼性の高いセルが得られる。
【００３５】図１（ｂ）は、図１（ａ）の裏面銀電極パ
ターンを持つ５インチ擬似角セル１５をダイシングし
て、所定のセルサイズ２０にしたものの裏面の平面図で
ある。所定のセルサイズは、例えば、３３ｍｍ×１０ｍ
ｍで、５インチ擬似角セル１５から３８個のセルが切り
出される。１枚のセルの裏面銀電極パターンは、（１本
のメイングリッド（１７）＋３本の細いグリッド（１
６））×１３組の平行な細線状銀電極と１本のブリッジ
用電極から成る。
ターンを持つ５インチ擬似角セル１５をダイシングし
て、所定のセルサイズ２０にしたものの裏面の平面図で
ある。所定のセルサイズは、例えば、３３ｍｍ×１０ｍ
ｍで、５インチ擬似角セル１５から３８個のセルが切り
出される。１枚のセルの裏面銀電極パターンは、（１本
のメイングリッド（１７）＋３本の細いグリッド（１
６））×１３組の平行な細線状銀電極と１本のブリッジ
用電極から成る。
【００３６】図１（ｃ）は、図１（ｂ）のセルの略断面
図であり、図１（ａ）の本発明の裏面銀電極パターンを
用いた場合の半田ディップ工程後の半田の様子を説明す
る図である。接合の形成されたｐ型シリコン基板２１／
裏面銀電極（厚み１０〜２０μｍ）２２／半田と積層さ
れており、細いグリッド１６の半田層２３の厚みの高さ
は０．４ｍｍ以下であり、太いメイングリッド１７の半
田層２４の厚みの高さも０．４ｍｍ以下である。図１
（ｃ）からも明らかなように、半田溜りや半田玉は発生
しなかった。
図であり、図１（ａ）の本発明の裏面銀電極パターンを
用いた場合の半田ディップ工程後の半田の様子を説明す
る図である。接合の形成されたｐ型シリコン基板２１／
裏面銀電極（厚み１０〜２０μｍ）２２／半田と積層さ
れており、細いグリッド１６の半田層２３の厚みの高さ
は０．４ｍｍ以下であり、太いメイングリッド１７の半
田層２４の厚みの高さも０．４ｍｍ以下である。図１
（ｃ）からも明らかなように、半田溜りや半田玉は発生
しなかった。
【００３７】この単位セルを直列接続して、太陽電池モ
ジュールを製作した。また、太陽電池セルの前記細線状
の裏面電極の幅は、細いグリッドの幅０．２ｍｍ程度の
ものと、メイングリッドの幅０．５〜１．０ｍｍ程度の
ものとの太さの異なる形状より構成されており、必要な
電極引張り強度、例えば３５０ｇ以上の値を確保つしつ
つ、半田溜りや半田玉な発生しない太陽電池セルを得る
ことができる。その結果、信頼性の高い太陽電池モジュ
ールを製造することができた。
ジュールを製作した。また、太陽電池セルの前記細線状
の裏面電極の幅は、細いグリッドの幅０．２ｍｍ程度の
ものと、メイングリッドの幅０．５〜１．０ｍｍ程度の
ものとの太さの異なる形状より構成されており、必要な
電極引張り強度、例えば３５０ｇ以上の値を確保つしつ
つ、半田溜りや半田玉な発生しない太陽電池セルを得る
ことができる。その結果、信頼性の高い太陽電池モジュ
ールを製造することができた。
【００３８】図２で説明した裏面銀電極パターンを用い
れば、瓦積み用大陽電池セルの裏面パターンの統一、パ
ターンの共通化、標準化が可能となる。
れば、瓦積み用大陽電池セルの裏面パターンの統一、パ
ターンの共通化、標準化が可能となる。
【００３９】図２は、本発明の一実施の形態の太陽電池
セルの表面銀電極パターンに関する図であり、図２
（ａ）は平面パターン図であり、図２（ｂ）はダイシン
グして、所定のセルサイズ２０にした単位セルの表面の
パターンを示す図である。
セルの表面銀電極パターンに関する図であり、図２
（ａ）は平面パターン図であり、図２（ｂ）はダイシン
グして、所定のセルサイズ２０にした単位セルの表面の
パターンを示す図である。
【００４０】図２（ａ）において、本発明の５インチ擬
似角セルの場合の表面銀電極パターンは、３８個の単位
パターン（１枚のセルサイズ）の配列から成り、１つの
単位パターンは１本のメイングリッド（幅１〜５ｍｍ程
度）と９本数の細いグリッド（幅０．１〜０．３ｍｍ程
度）から成る。２５は表電極メイングリッド（幅１．０
〜５．０ｍｍ程度）、２６は表電極の細いグリッド（幅
０．１〜０．３ｍｍ程度）、２７は目安線（幅０．１〜
０．２ｍｍ程度）、である。５インチ擬似角セルの場
合、目安線２７はウェハの周辺にそれぞれ配設（計４
本）されており、前記ダイシング工程において、太陽電
池セルを所定のセルサイズの大きさに切断加工（ダイシ
ング）する時の目安線である。この目安線を用いること
により、ばらつきの少ない大きさから成る太陽電池セル
が得られる。また、２８は半田デップ工程の浸漬方向お
よび引き上げ方向を示すものであり、２８と平行に表電
極の細いグリッド２６が配設されており、半田溜りや半
田玉の発生を防止するパターンとなっている。さらに、
表電極メイングリッド２５は幅が１．０〜５．０ｍｍ程
度と広いため、半田溜りが発生することがあるが、ダイ
シング工程では、表面（被吸着面）であるため、ダイシ
ング工程への悪影響はない。
似角セルの場合の表面銀電極パターンは、３８個の単位
パターン（１枚のセルサイズ）の配列から成り、１つの
単位パターンは１本のメイングリッド（幅１〜５ｍｍ程
度）と９本数の細いグリッド（幅０．１〜０．３ｍｍ程
度）から成る。２５は表電極メイングリッド（幅１．０
〜５．０ｍｍ程度）、２６は表電極の細いグリッド（幅
０．１〜０．３ｍｍ程度）、２７は目安線（幅０．１〜
０．２ｍｍ程度）、である。５インチ擬似角セルの場
合、目安線２７はウェハの周辺にそれぞれ配設（計４
本）されており、前記ダイシング工程において、太陽電
池セルを所定のセルサイズの大きさに切断加工（ダイシ
ング）する時の目安線である。この目安線を用いること
により、ばらつきの少ない大きさから成る太陽電池セル
が得られる。また、２８は半田デップ工程の浸漬方向お
よび引き上げ方向を示すものであり、２８と平行に表電
極の細いグリッド２６が配設されており、半田溜りや半
田玉の発生を防止するパターンとなっている。さらに、
表電極メイングリッド２５は幅が１．０〜５．０ｍｍ程
度と広いため、半田溜りが発生することがあるが、ダイ
シング工程では、表面（被吸着面）であるため、ダイシ
ング工程への悪影響はない。
【００４１】図２（ｂ）は、図２（ａ）の表面銀電極パ
ターンを持つ５インチ擬似角セル１５をダイシングし
て、所定のセルサイズ２０にしたものの表面の平面図で
ある。所定のセルサイズは、例えば、３３ｍｍ×１０ｍ
ｍで、１枚のセルは、１本の表電極メイングリッド（幅
１．０〜５．０ｍｍ程度）２５と９本の表電極の細いグ
リッド（幅０．１〜０．３ｍｍ程度）２６の電極パター
ンからなり、２９は金属酸化物から成る反射防止膜であ
る。
ターンを持つ５インチ擬似角セル１５をダイシングし
て、所定のセルサイズ２０にしたものの表面の平面図で
ある。所定のセルサイズは、例えば、３３ｍｍ×１０ｍ
ｍで、１枚のセルは、１本の表電極メイングリッド（幅
１．０〜５．０ｍｍ程度）２５と９本の表電極の細いグ
リッド（幅０．１〜０．３ｍｍ程度）２６の電極パター
ンからなり、２９は金属酸化物から成る反射防止膜であ
る。
【００４２】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
の太陽電池セルによれば、セルを瓦積み状に直列接続し
てなる太陽電池モジュール用の太陽電池セルであり、裏
面電極パターンの形状が細線状となっていることを特徴
とするものであり、裏面に半田溜りや半田玉の発生しな
い太陽電池セルを得ることができる。
の太陽電池セルによれば、セルを瓦積み状に直列接続し
てなる太陽電池モジュール用の太陽電池セルであり、裏
面電極パターンの形状が細線状となっていることを特徴
とするものであり、裏面に半田溜りや半田玉の発生しな
い太陽電池セルを得ることができる。
【００４３】また、本発明の請求項２記載の太陽電池セ
ルによれば、太陽電池セルの前記細線状の裏面電極の形
状と太陽電池セルの細線状の表面電極の形状とがほぼ同
−方向に形成されてなることを特徴とするものであり、
裏面および表面に半田溜りや半田玉の発生しない太陽電
池セルを得ることができる。
ルによれば、太陽電池セルの前記細線状の裏面電極の形
状と太陽電池セルの細線状の表面電極の形状とがほぼ同
−方向に形成されてなることを特徴とするものであり、
裏面および表面に半田溜りや半田玉の発生しない太陽電
池セルを得ることができる。
【００４４】また、本発明の請求項３記載の太陽電池セ
ルは、太陽電池セルの前記細線状の裏面電極の幅は太さ
の異なる形状より構成されていることを特徴とするもの
であり、必要な電極引張り強度を確保つしつつ、半田溜
りや半田玉な発生しない太陽電池セルを得ることができ
る。
ルは、太陽電池セルの前記細線状の裏面電極の幅は太さ
の異なる形状より構成されていることを特徴とするもの
であり、必要な電極引張り強度を確保つしつつ、半田溜
りや半田玉な発生しない太陽電池セルを得ることができ
る。
【００４５】また、本発明の請求項４記載の太陽電池セ
ルは、前記太陽電池セルの表面銀電極パターンの周辺に
は各セルに切断するための目安線を配設したことを特徴
とするものであり、瓦積み用太陽電池セルを正確に切断
することができ、従来ダイシングの際、表面銀電極パタ
ーンの印刷のズレのため発生していた、ダイシングミス
による不良発生の低減が図れる。
ルは、前記太陽電池セルの表面銀電極パターンの周辺に
は各セルに切断するための目安線を配設したことを特徴
とするものであり、瓦積み用太陽電池セルを正確に切断
することができ、従来ダイシングの際、表面銀電極パタ
ーンの印刷のズレのため発生していた、ダイシングミス
による不良発生の低減が図れる。
【００４６】さらに、本発明の請求項５記載の太陽電池
セルの製造方法は、太陽電池セルの表面および裏面に半
田を被覆する半田ディップ工程は、セルの表面および裏
面の細線状の方向を半田ディップ槽の半田液面に対して
ほぼ垂直となるようにセルを半田ディップ槽に浸漬さ
せ、且つ引き上げることを特徴とするものであり、裏面
および表面に半田溜りや半田玉の発生しない太陽電池セ
ルの製造方法を得ることができる。
セルの製造方法は、太陽電池セルの表面および裏面に半
田を被覆する半田ディップ工程は、セルの表面および裏
面の細線状の方向を半田ディップ槽の半田液面に対して
ほぼ垂直となるようにセルを半田ディップ槽に浸漬さ
せ、且つ引き上げることを特徴とするものであり、裏面
および表面に半田溜りや半田玉の発生しない太陽電池セ
ルの製造方法を得ることができる。
【００４７】さらに、前記の請求項１〜４記載の太陽電
池セルおよび請求項５記載の太陽電池セルの製造を用い
ることにより、以下の効果も期待できる。
池セルおよび請求項５記載の太陽電池セルの製造を用い
ることにより、以下の効果も期待できる。
【００４８】（１）瓦積み用大陽電池セルをダイシング
した際、セルサイズにかかわらず同等の裏面形状を持つ
セルが得られるため、裏面パターンの統一化、共通化が
行え、工数削減が図れる。
した際、セルサイズにかかわらず同等の裏面形状を持つ
セルが得られるため、裏面パターンの統一化、共通化が
行え、工数削減が図れる。
【００４９】（２）半田工程において、半田溜りと半田
玉の発生がなくなるため、従来凹凸していたセル表面が
滑らかなものとなり、そのため半田修正作業の工数削減
が大幅に図れる。また、ダイシング時における吸着ミス
やセルをラミネートし、モジュールに組み立てる工程で
もセル割れが低減できコストダウンが図れる。
玉の発生がなくなるため、従来凹凸していたセル表面が
滑らかなものとなり、そのため半田修正作業の工数削減
が大幅に図れる。また、ダイシング時における吸着ミス
やセルをラミネートし、モジュールに組み立てる工程で
もセル割れが低減できコストダウンが図れる。
【００５０】（３）裏面の細線電極のうち一部の細線を
他のものより少し広くする（＋０．５〜２．０ｍｍ程度
の幅広）ことにより、電極上に半田溜りの発生が見られ
ないまま電極強度はアップし、信頼性の高いセルが得ら
れる。
他のものより少し広くする（＋０．５〜２．０ｍｍ程度
の幅広）ことにより、電極上に半田溜りの発生が見られ
ないまま電極強度はアップし、信頼性の高いセルが得ら
れる。
【図１】本発明の一実施の形態よりなる太陽電池セルの
裏面銀電極パターンを示す図であり、（ａ）は裏面銀電
極パターンを示す図であり、（ｂ）は所定のセルサイズ
を持つ太陽電池セルの裏面の平面図を示す図であり、
（ｃ）は半田ディップ工程後の半田の様子を説明する図
である。
裏面銀電極パターンを示す図であり、（ａ）は裏面銀電
極パターンを示す図であり、（ｂ）は所定のセルサイズ
を持つ太陽電池セルの裏面の平面図を示す図であり、
（ｃ）は半田ディップ工程後の半田の様子を説明する図
である。
【図２】本発明の一実施の形態よりなる太陽電池セルの
表面銀電極パターンを示す図であり、（ａ）は表面銀電
極パターンを示す図であり、（ｂ）は所定のセルサイズ
を持つ太陽電池セルの表面の平面図を示す図である。
表面銀電極パターンを示す図であり、（ａ）は表面銀電
極パターンを示す図であり、（ｂ）は所定のセルサイズ
を持つ太陽電池セルの表面の平面図を示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態よりなる太陽電池セルの
電極引張り強度に関する図であり、電極の幅を横軸に取
り、縦軸に電極引張り強度を取り、プロットした図であ
る。
電極引張り強度に関する図であり、電極の幅を横軸に取
り、縦軸に電極引張り強度を取り、プロットした図であ
る。
【図４】本発明の一実施の形態よりなる瓦積み用の太陽
電池セルの製造方法を示す工程フロー図である。
電池セルの製造方法を示す工程フロー図である。
【図５】従来例の瓦積み用の太陽電池セルの製造方法を
示す工程フロー図である。
示す工程フロー図である。
【図６】従来例の瓦積み用の太陽電池セルの表電極パタ
ーンを示す図である。
ーンを示す図である。
【図７】従来例の瓦積み用の太陽電池セルの裏電極パタ
ーンを示す図であり、（ａ）は直列接続用のメイングリ
ッドを粗い格子状に配設した例であり、（ｂ）は細いグ
リッドのみをクロスハッチ状に配設した例である。
ーンを示す図であり、（ａ）は直列接続用のメイングリ
ッドを粗い格子状に配設した例であり、（ｂ）は細いグ
リッドのみをクロスハッチ状に配設した例である。
【図８】従来例の瓦積み用の太陽電池セルの図７（ａ）
の裏電極パターンを用いた場合の半田ディップ工程後に
発生する半田溜りと半田玉の発生を説明する図であり、
（ａ）は太陽電池セルの裏面銀電極パターンの平面図の
拡大図であり、（ｂ）および（ｃ）は裏面銀電極パター
ンの側面図の拡大図である。
の裏電極パターンを用いた場合の半田ディップ工程後に
発生する半田溜りと半田玉の発生を説明する図であり、
（ａ）は太陽電池セルの裏面銀電極パターンの平面図の
拡大図であり、（ｂ）および（ｃ）は裏面銀電極パター
ンの側面図の拡大図である。
【図９】従来例の瓦積み用の太陽電池セルの図７（ｂ）
の裏電極パターンを用いた場合の半田ディップ工程後に
発生する半田溜りと半田玉の発生を説明する図であり、
（ａ）は太陽電池セルの裏面銀電極パターンの平面図の
拡大図であり、（ｂ）は半田ディップ工程後に発生する
裏面銀電極パターンの側面斜視図の拡大図であり、
（ｃ）は半田ディップ工程後に発生する半田溜りと半田
玉の発生を説明する図である。
の裏電極パターンを用いた場合の半田ディップ工程後に
発生する半田溜りと半田玉の発生を説明する図であり、
（ａ）は太陽電池セルの裏面銀電極パターンの平面図の
拡大図であり、（ｂ）は半田ディップ工程後に発生する
裏面銀電極パターンの側面斜視図の拡大図であり、
（ｃ）は半田ディップ工程後に発生する半田溜りと半田
玉の発生を説明する図である。
【図１０】電極引張り強度の測定法を説明する図であ
る。
る。
１０ ｐ−ｎ接合を有するシリコン基板 １１ 電極 １２ 融着半田層 １３ インターコネクター １５ ５インチ擬似角セル １６ 細いグリッド １７ 太いメイングリッド １８ ブリッジ用電極（細線状銀電極） １９ 半田デップ工程の浸漬方向および引き上げ方向 ２０ 所定のセルサイズ ２１ 接合の形成されたｐ型シリコン基板 ２２ 裏面銀電極 ２３ 半田層 ２４ 半田層 ２５ 表電極のメイングリッド ２６ 表電極の細いグリッド ２７ 目安線 ２８ 半田デップ工程の浸漬方向および引き上げ方向 ２９ 金属酸化物から成る反射防止膜
Claims (5)
- 【請求項１】 セルを瓦積み状に直列接続してなる太陽
電池モジュール用の太陽電池セルにおいて、裏面電極パ
ターンの形状が細線状となっていることを特徴とする太
陽電池セル。 - 【請求項２】 請求項１記載の太陽電池セルにおいて、
太陽電池セルの前記細線状の裏面電極の形状と太陽電池
セルの細線状の表面電極の形状とがほぼ同−方向に形成
されてなることを特徴とする太陽電池セル。 - 【請求項３】 請求項２記載の太陽電池セルにおいて、
太陽電池セルの前記細線状の裏面電極の幅は太さの異な
る形状より構成されていることを特徴とする太陽電池セ
ル。 - 【請求項４】 請求項２記載の太陽電池セルにおいて、
前記太陽電池セルの表面銀電極パターンの周辺には各セ
ルに切断するための目安線を配設したことを特徴とする
太陽電池セル。 - 【請求項５】 請求項１記載の太陽電池セルの製造方法
において、太陽電池セルの表面および裏面に半田を被覆
する半田ディップ工程は、セルの表面および裏面の細線
状の方向を半田ディップ槽の半田液面に対してほぼ垂直
となるようにセルを半田ディップ槽に浸漬させ、且つ引
き上げることを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9076382A JPH10270735A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9076382A JPH10270735A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270735A true JPH10270735A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13603796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9076382A Pending JPH10270735A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270735A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6521822B2 (en) * | 2000-03-21 | 2003-02-18 | Citizen Watch Co., Ltd. | Electronic unit |
| JP2003338631A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2004087986A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Kyocera Corp | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
| JP2008252147A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-10-16 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
| WO2012012981A1 (zh) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | 常州天合光能有限公司 | 一种n型背接触电池 |
| JPWO2015152020A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-04-13 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
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| CN110957386A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-04-03 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 条形电池片、太阳能电池片及光伏组件 |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP9076382A patent/JPH10270735A/ja active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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