JP6250552B2 - マルチレベルソーラーセルメタライゼーション - Google Patents
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Description
本出願は、2011年12月30日に出願した米国特許仮出願番号第61/582,184号に対する優先権を主張し、引用により全体が本明細書に組み込まれる。
開示した主題の特徴、特質、および利点は、図面を併用すると下記に記述した詳細な説明からより明確になり、図面では類似の参照番号は類似の構成を示す。
裏面コンタクト/裏面接合アーキテクチャとのTFSSの組み合わせに関して、第1のキャリア(以後キャリア1)に関する2つの選択を開示する。これらの選択肢を図1に示す。残りの文書では、裏面コンタクト/裏面接合セルの太陽が当たる側は、セル「おもて側」と互換的に呼ばれ、一方で、太陽が当たらない側は、セル「裏側」と互換的に呼ばれることになる。
第2のキャリアは、裏面コンタクト型/裏面接合セルの特定の状況では、好ましくはいくつかの基準を満足すベきである。明らかなものは、第2のキャリアが残りのプロセスステップを通してTFSSを支持しなければならないことである。第2に、第2のキャリアが張り付けられる側(我々の特定のアーキテクチャに関しては裏側)上への以前の処理を、第2のキャリアが保護すベきであり、一方で、他方の側(おもて側)を処理する。これは、第2のキャリアが好ましくはおもて側の処理中に使用されるウェット化学薬品(特にそして主に、TFSSの太陽が当たる側を洗浄しテクスチャリングするため使用するウェット化学薬品)に対して比較的影響を受けないまたは耐性があることを必要とする。第3に、第2のキャリアは、その不可欠な部分として高導電率メタライゼーション層(好ましくは、アルミニウムおよび/または銅を含む)を有することも持たないこともある。第2のキャリアがメタライゼーションを有するケースに関して、キャリア(好ましくは、非常に低コストの恒久的に張り付けられたキャリア)であることに加えて、第2のキャリアは、低抵抗でセル上の金属に継ぎ目なしに張り付けられるメタライゼーションを与える。最後に、優先度が高くはないが、第2のキャリアは、優れたおもて側パッシベーションを実現するために十分な(それゆえ、好ましくは、約180℃の温度に少なくとも至るまで、より好ましくは、約250℃さらには300℃の温度に少なくとも至るまで)シリコンとの何らかのCTEミスマッチに起因してTFSS内にクラックを生成せずに、かつキャリア材料を劣化させずに、熱処理能力を有するベきである。ソーラーセル裏側に張り付けられたこの第2のキャリアは、今後は、ソーラーセル「バックプレーン」として識別されることになる。
図1に示したプロセスフローを、プロセスフローの2つの広いカテゴリーへとさらに分類することができる。すなわち、エミッタがエピタキシャル成長プロセスの必須部分として形成されず、TFSSの後で作られるエクスサイチュエミッタを、大気圧化学気相堆積(APCVD)エピタキシャル成長などの技術を使用して製造する。そして、インサイチュエミッタは、キャリア1テンプレート/多孔質シリコン選択肢にとっては適切であり、TFSSのシリコンエピタキシャル成長の一部として成長する(したがって、エミッタの引き続く形成のための必要性を取り除く)。本開示は、エクスサイチュエミッタ形成を有する実施形態に焦点を当てる。しかしながら、インサイチュエミッタに基づくフローは、当業者によっていくつかの事例においてやはり適用可能であり得る。エクスサイチュエミッタおよびインサイチュエミッタの前述の選択肢に関して、下記の検討事項に留意すベきである。
1.エピタキシを使用してインサイチュでリン系のn型エピタキシャル基板を成長した後で、エクスサイチュでホウ素ドープしたp+エミッタは形成される。パターン形成したエクスサイチュエミッタは、好ましくは、APCVD BSG(高濃度にホウ素をドープしたガラス)、BSGのレーザアブレーション、続いてエミッタのドライブインの組み合わせを使用して形成される。
2.エクスサイチュエミッタは、インサイチュエミッタのケースでは存在する、ソーラーセルの大量生産中のエピタキシャルオートドーピングのリスクを取り除く。
3.エクスサイチュエミッタは、ベースをエミッタとアイソレーションするために(またはパターン形成したエミッタおよびベース領域を形成するために)シリコンのパルスピコ秒レーザアブレーションに関する必要性を取り除く。
a.約25μm(ミクロン)〜50μmのエピ厚さ。より一般的には、この範囲を5μm〜おおよそ200μmの従来からの厚さとすることが可能である。
b.リン系のn型ベースドーピング。一般に、これを、他のn型ドーパント材料(例えば、ヒ素またはアンチモンまたはインジウム)とすることができ、同様に、ホウ素またはガリウムドーピングによって形成されるものなどのp型ベースとすることができるが、これに限定されない。
a.キャリア1(厚いウェハ/インゴットのいずれかのテンプレート)上のプロセスは、下記を含む。
i.APCVDに基づくプロセスは、好ましくは、エクスサイチュエミッタを形成するために炉アニールと共に使用される。APCVDは、一般に、ホウケイ酸ガラス(BSG)およびリンケイ酸ガラス(PSG)の両者を有する。しかしながら、APCVD PSGに代わる他の代替物もやはり可能であり、論じられる。
ii.上に述ベたように、テンプレート/多孔質シリコン(PS)の第1のキャリアに関係する別の一実施形態では、エクスサイチュAPCVDエミッタを、エピタキシャルに基づくインサイチュエミッタ、続いてベースをエミッタ領域からアイソレーションするためのレーザに基づくシリコンアブレーションによって置き換えることができる。
iii.エミッタ−ベースアイソレーション、エミッタおよびベースコンタクト、ならびにセル上のバスバーレスAlフィンガのためのパルスピコ秒ベースのレーザアブレーションパターン。一般的なケースでは、パターンを、ナノ秒(ns)レーザなどの他のレーザによって画定することができる。加えて、セル上のAl(またはAl−Siなどのアルミニウム合金)フィンガを、より優れたセル性能のために導電性の任意の設計のものとすることができる。これは、バックプレーンのところなどのセル上のメタライゼーションレベルより上で接続されたそれ自体のバスバーを有する(単一基板上の)いくつかのミニセルを含むことができるが、これに限定されない。
iv.任意選択の酸化を伴うアニールステップ、これはBSGドーパント(および、存在する場合にはPSG)のドライビングおよび活性化の両者、ならびに熱酸化膜系の裏表面パッシベーションを作ることを扱う。好ましい実施形態では、これは、同じステップで行われる。しかしながら、必要がある場合には、一般に別々のステップへと分解することができる。加えて、これを、チューブに基づく熱処理炉またはインライン熱処理炉のいずれかにおいて行うことができる。
v.メタル1堆積ステップ、これを、プラズマスパッタリングまたは蒸着またはイオンビーム堆積などの物理気相堆積(PVD)などの真空系堆積とすることができ、次いでこの後に、前記メタル1層をパターニングするために、パルスピコ秒レーザアブレーションステップなどのレーザアブレーションが続く。あるいは、メタル1(M1)堆積ステップは、処理したTFSS裏側にパターン形成した金属インクまたはペーストを直接堆積するために、例えば、インクジェット、スクリーン印刷、ステンシル印刷、またはエアロゾルジェット印刷を使用するダイレクトライト印刷を必然的に含むことができる。
vi.キャリア1がテンプレート/多孔質シリコン(PS)である場合には、好ましい処理方法の実施形態は、早まったTFSSリフティングまたはバブリングのリスクのために、後で(エピタキシャル成長からキャリア2へ張り付けたTFSSのリフトオフ分離の終了までの間に)キャリア1上にウェット処理を使用しないことである。しかしながら、これを、限定する意味では解釈すベきではない。開示した主題は、例えば、ケイ酸塩ガラスなどの誘電体膜を除去するためにHF蒸気などのエッチング蒸気の使用を通してウェット処理またはセミウェット処理を行うことが可能である一般的なケースを含む。
vii.バックプレーンのキャリア1上のラミネーションおよびキャリア2に張り付けたままでキャリア1からのTFSSのリリース。
i.処理した多孔質シリコン層から生じる疑似単結晶シリコン(QMS)層を除去するためのポストリリースウェットエッチング。これは、おもて表面をテクスチャリングするためのウェット処理使用を含む。好ましい実施形態では、これらのウェットステップを、KOH系(またはNaOH系)エッチング化学薬品を使用して単一ステップで実行する。しかしながら、必要である場合には、一般に、これらを、2つの別々のステップに分解することが可能であり、両ステップともKOH系化学薬品を使用するか、QMS除去ステップが、TMAH系の化学薬品または別のKOH系(もしくはNaOH系)の化学薬品を使用する。KOHまたはTMAHのいずれか(KOHは、より低いコストの理由のために有利なことがある)を用いたテクスチャのないQMS除去を行うだけの可能性もある。そして、ウェットテクスチャの代わりに、いずれか、レーザまたはプラズマ処理に基づくドライテクスチャの使用、またはテクスチャなしおよび広帯域太陽光に効果的に結合するための他の手段の使用−これらの「他の」手段は、誘電体粒子、または銀粒子もしくは金粒子などの分散されたナノ粒子を頼りにすることがある。
ii.テクスチャリングを伴う場合には、ポストテクスチャ表面洗浄プロセスは、裏面接合/裏面コンタクト型セルにとって重要なステップである。このクリーニングステップは、クリーニングプロセスに続く高品質おもて表面パッシベーション層の形成を可能にする。この目的のための具体的なクリーニング化学薬品を、HF/HCl化学薬品および/またはオゾン処理したHF化学薬品に基づくものとすることができるが、いわゆるRCA洗浄などのより費用がかかる代替案を使用することが可能である。テクスチャ洗浄の後でかつパッシベーション直前に希釈HF浸漬を実行することは、より低いおもて表面再結合速度(したがって、より高品質パッシベーション)を得るためにも重要である。プリプレグまたは下にある追加の接着剤層を有しかつテクスチャおよびポストテクスチャ洗浄プロセス中にバックプレーンの最小限の完全性を有するプリプレグなどの有機バックプレーン材料のケースに関して、a−Siまたはa−SiOx(アモルファスシリコン酸化物)に加えて窒化シリコンなどの1つ以上のパッシベーション層の堆積に先立つ追加のプロセスステップを開示し、この追加のプロセスステップは、バックプレーン材料から再堆積された有機残渣ならびに自然酸化膜の両者を除去するために、減圧または大気圧プラズマまたは(水素ラジカルおよび/またはイオンなどの)ラジカルのストリームを使用することである。このようなプロセスを、(PECVDパッシベーションなどの)パッシベーション機器の初期段階中に好ましくは統合することができる、または代わりにオフラインで実行することができる。
この部類には、a)レーザを使用してベースおよびエミッタコンタクトをドライブするために(ならびに、同時にベースおよびエミッタコンタクトホールを開口するために)パルスnsレーザ処理を使用するホットアブレーション、b)炉アニールがベースコンタクト拡散領域を作る場合のコールドアブレーション(好ましくはパルスpsレーザ処理を使用する)の2つのサブカテゴリーがある。図4は、2つのキャリアを用いて薄い裏面接合/裏面コンタクト型ソーラーセルを製造するために選択エミッタを伴うホットレーザアブレーションを使用する(好ましくはパルスnsレーザ処理を使用する)プロセスフローである(図3におけるフロー選択肢1A1に対応する)。プロセスは、マザーテンプレート結晶シリコンウェハのクリーニングで始まる。一例では、これを、200mm直径、200μm〜1.2mm厚さの半導体標準ウェハとすることができる。別の一例では、これを、一辺165mmの完全な正方形、200μm〜1.2mm厚さの結晶シリコンウェハとすることができる。テンプレートを、例えば、KOHなどの化学薬品、およびHF、HClもしくはこれらの組み合わせ(HF/HCl)などの酸、および/またはオゾン処理したHFを含む化学薬品を使用して洗浄する。クリーニングを、金属不純物および有機不純物を洗浄するために知られた任意の他の薬品洗浄を使用して実行することが可能である。別の例は、RCA洗浄である。しかしながら、RCA洗浄は、ソーラーセル製造の目的にとっては多くの費用がかかる。クリーニングの後に、(好ましくは、HF/IPA中での)電気化学エッチングを使用する二層または多層(少なくとも2つの異なる気孔率)の多孔質シリコン形成が続く。形成した第1の層(または最上層)は、低気孔率層である(例えば、これを、限定しないが15〜40%の範囲内の気孔率を有する層とすることが可能である)。この後に、テンプレートにより近く、テンプレートから低気孔率層を分離するように下方に形成されるより高い気孔率を有する第2の層(埋め込み層)(例えば、これを、限定しないが45〜70%気孔率の範囲内の気孔率を有する層とすることが可能である)が続く。一般に、いくつかの鍵となる要件を促進する層である限り、単層、三層または段階的な気孔率の多孔質シリコンなどの他の構成も可能である。鍵となる要件は、低気孔率多孔質シリコン層の上面上に良い品質のエピタキシャルシリコン層の形成を可能にする優れた上部エピタキシャルシード層、テンプレートからのTFSSリフトオフ分離のために高多孔質層の要求に応じた破壊による信頼性が高くかつ高いリリース歩留り、テンプレート上の処理ステップ(好ましくは、限定されないが、リフトオフ分離までのTFSSの形成後のすべてドライのテンプレート上の処理ステップ)中にテンプレートキャリアからのTFSSの早過ぎるリリースまたはバブリングがないことが含まれる。多孔質シリコン形成プロセスの後に、乾燥ステップ、次に、水素プリベーク、および好ましくは、約5μm〜約50μmの厚さ範囲内のエピタキシャルシリコン成長が続く。水素プリベークおよびエピタキシャル成長プロセスの両者は、好ましくは同時に実行される。成長プロセスの必須部分は、プリベーク条件の選択である。水素プリベーク(好ましくは、エピタキシャル成長反応装置内でのその場プリベーク)プロセスステップ中には、プリベークが自然酸化膜および他の可能性のある表面汚染を除去するだけでなく、シリコンのリフローおよび固相拡散も生じさせ、その結果、多孔質シリコンの表面気孔が(低気孔率多孔質シリコンの表面エネルギーの低下によって生じるドライビングフォースのために)低気孔率層の表面を封止し、したがって、高品質TFSS層の引き続くエピタキシャル成長用の優れたエピタキシャルシード層を生成する。これは、より優れたエピタキシャル成長および長い少数キャリアライフタイムを有する高品質その場ドープのTFSS層の形成を容易にする。エピタキシャル成長プロセスの後に、好ましくは、インライン大気圧CVD(APCVD)反応装置を使用するBSG堆積が続く。BSG層は、最終的には、熱アニールを使用して下にあるTFSS中へのBSGからのホウ素の熱拡散によってエミッタ領域を形成するためのホウ素源として働く。図4には厚さが150nmと示されているが、これを、バックミラーおよびエミッタドーピングの要件によって調節することができる。実際には、BSG厚さを、約50nm〜250nmに至るまでの範囲内にすることができ、BSG層を、(約10nm〜100nmの範囲内のアンドープのガラス厚さを有する)酸化膜のアンドープ層でキャップすることができる。BSG層堆積の後に、BSG層のピコ秒(ps)パルスレーザアブレーションが続き、このレーザアブレーションはシリコンで停止し、下にあるシリコンに損傷を与えない(パルスnsレーザアブレーションと比較して無視できる熱の影響を受けたゾーン)。アブレーションした領域は、最終的にはデバイスのベース部になり、そこではエミッタが拡散されず、ドープしたベースコンタクト領域が露出されることになる。デバイス設計に応じて、この面積割合(ベース開口部の割合)は、約3%〜約20%に至るまでの範囲に及ぶことが可能である(80%〜97%のおおよその範囲内のエミッタ面積比に対応する)。より大きなエミッタ面積割合が、より高いセル効率にとって好ましく、これを、パルスpsレーザ処理の使用を介して可能にする。非常に大きな開口部、すなわちベースの大きな割合は、少数キャリアがエミッタに到達するまでにより長い距離を移動しなければならないという結果をもたらす。これは、セル変換効率を引き下げる多くの再結合(電気的シェーディングとしても知られる)という結果をもたらす。開口部の幅のより狭いサイズは、ベース拡散領域およびこの領域内部のコンタクト領域を位置合わせして配置することを可能にすることによって制限される。BSGのレーザアブレーションの後に、任意選択で、アンドープケイ酸塩ガラス(USG)のAPCVDが続き、PSG/USGが続き、三層を形成する。下にあるUSG層は、その厚さに応じて、アニール中のリン拡散の程度を制御する。より厚いUSG層は、リン拡散を防止し、裏表面電界(今後は、BSF)のない真に分離した接合(そこではエミッタ拡散領域およびベース拡散領域が接触しない)を結果としてもらすことになる。BSF層は、デバイスの開回路電圧(Voc)の増加を助けることが可能である。下にあるUSG層が、薄い(またはまったく堆積されない)場合には、一部のリンは、熱アニールステップ中にTFSS表面領域へと拡散する。これは、BSF形成ならびにいわゆるアバッテッドジャンクションセル構造の両者を結果としてもたらす。それぞれPSG層およびBSG層中のリン濃度およびホウ素濃度を、エミッタ領域およびベース領域内に適切なドーピング濃度をもたらすように制御する。セル設計要件に応じて、BSG層およびPSG層中のこれらのドーパント濃度を、約2%〜7%に至るまでの範囲内とすることができる。USG/PSG/USGを堆積した後で(パルスpsレーザアブレーション直接パターニングプロセスの後で)、デバイスを多機能炉アニールステップを通して処理する。ここでは、窒素(または不活性ガス)雰囲気中での不活性アニール、および任意選択の酸化アニールの両方を行うことがあり、任意選択で(好ましくは、鉄などの金属汚染をゲッタリングするために約550℃〜650℃の温度範囲内で実行される)低温その場ゲッタリングアニールが続き、任意選択で(約400℃〜500℃の温度範囲内での)低温その場フォーミングガスアニールが続く。ゴールは、同じ多機能炉アニールプロセスレシピ内で、これらのその場アニールステップの条件を最適化することである。その結果、良い品質の裏表面酸化膜パッシベーション、望ましいリンおよびホウ素ドーパントドライブインおよびドーパント活性化、金属不純物のゲッタリング、および裏側パッシベーション特性のさらなる改善を、単一機器内で実現する。酸化アルミニウムが負電荷の取り込みを可能にする傾向があり、これが順に、電子、エミッタ少数キャリアをその表面からはね返し、その領域内の非常に優れた表面パッシベーションを提供することが可能であるので、すぐ隣接した裏表面に酸化アルミニウムAl2O3の薄い層を有することは、有利なことがある。このようなAl2O3層を、BSG層の堆積用に使用する同じAPCVD機器内でその場でかつ最初のステップとして堆積することが可能である。Al2O3を組み入れるフローを、本開示において後で開示する。
図10は、シリコンナノ粒子リン系ベースドーピング(ペーストまたはインク)に関するプロセスフローを概説する。Al PVDで始まるプロセスフローのバックエンドならびにテンプレート洗浄/多孔質シリコン/エピ/APCVD BSG/USG堆積、およびBSGスタックのレーザアブレーションから構成されるフロントエンドは、以前に開示されている、図4および図8を参照する。3つの説明したフロー選択肢2の下位変形形態(選択肢2A、2B、および2C)のうち、選択肢2Aおよび2Bは、ホットアブレーションを使用し、選択肢2Cは、コールドアブレーションを使用する。図10、図11、および図12は、それぞれ、図3の選択肢2A、2B、および2Cについての全体のプロセスフローを示す。
ここでは、以前のフローと比較した相違は、ベースコンタクトが市販のリンペーストを使用して形成されることである。BSGスタックのレーザアブレーションに至るまでで、かつAl PVDを含むその後のすべてのプロセスステップは、選択肢1と同じままであり得る。それぞれ図3のフロー選択肢3A、3B、および3Cに対応する図13、図14、および図15中に示した3つのリンペースト系ベースドーピング変形形態がある。さまざまな態様で、これら3つの下位選択肢は、わずかな相違で以前に論じたナノ粒子ペーストに関する3つの下位選択肢に反映される。図13(フロー選択肢3A)および図14(フロー選択肢3B)は、ホットアブレーションを使用し、一方で、図15(選択肢3C)は、コールドアブレーションプロセスである。加えて、図13(フロー選択肢3A)は、1つのAPCVDを使用し、一方で、図14(フロー選択肢3B)および図15(選択肢3C)は、2つのAPCVD機器を使用する。
図16、図17、および図18は、ベースドーピングのために炉POCl3(オキシ塩化リン)を使用するフローのセットである。図に示されるように、BSGレーザアブレーションを含むこれに至るまでのすべてのステップ、ならびにAl PVDを含むこの後のすべてのステップを、以前に開示したものと同じにすることができる。それぞれ、図3のフロー選択肢4A、4B、および4Cに対応する図16、図17、および図18に示した3つのPOCl3に基づくベースドーピング変形形態がある。図16(フロー選択肢A)および図17(フロー選択肢B)は、ホットアブレーションを使用し、一方で、図18(フロー選択肢C)は、コールドアブレーションプロセスである。加えて、示したように、図16(フロー選択肢4A)は、1つのAPCVDを使用し、一方で、図17(フロー選択肢4B)および図18(選択肢4C)は、2つのAPCVD機器を使用する。
この項では、(ベースコンタクトを作るためにPSGを使用する)上に選択肢1として説明したプロセスフローの変形形態を説明する。この変形形態では、いくつかのステップが統合され、高効率の裏面コンタクトの薄いセルを作るために削減された数の機器を使用するために、CE印刷ステップを削除する。これらの最低限のステップフローの規定する特質は、セルAl金属/ミラーの上面上ならびにメタルフィンガ上に事前に形成したピングリッドアレイを有するバックプレーンメタルフィンガ上の被覆層として両者を形成した、低温はんだ合金(例えば、138℃はんだ融点を有する58%Bi−42%Sn、または140〜145℃の融点を有するBi−45%Sn−0.33%Ag)を使用することによって、導電性エポキシのスクリーン印刷を削除することである。一旦バックプレーンをアライメントしてセル上に置き、バックプレーンピングリッドアレイを熱ラミネーションプロセス中にセルにはんだ張り付けする。
以前には、2つのタイプのキャリア1の例を開示した。第1のタイプのキャリア1は、テンプレートを使用し、第2のタイプのキャリア1は、厚いウェハまたはインゴットであり、インゴットから、薄いCZまたはFZスライスが、水素イオン注入を含む無数の利用可能な技術を使用してへき開され、または薄片にされる。下記の項は、薄いシリコン基板を得るためのウェハへき開手法と共にバックプレーン技術革新を利用するセルレベルプロセスフローを説明する。陽子注入に基づくへき開は、<111>テクスチャの基板を生成し、これは好ましくはドライテクスチャリングを必要とするはずである。実施形態は、極薄基板(例えば、はるかに厚い再使用可能なウェハ、例えば、数mmまたは数cm厚であるウェハまたはブリックから分離した/へき開した約1μm〜80μm厚の基板)の陽子注入へき開/スライシングを示す。
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはブリックまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、(妥当な陽子注入ドーズ量でのへき開を容易にするために)典型的には(111)方位の基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・セルおもて表面テクスチャリングを含む
・インサイチュおもて表面電界(FSF)リンドーピングを用いてまたは用いずに平坦なまたは事前にテクスチャリングしたテンプレート上に実行することができる
・フロー1A1と同じであるが、互いに組み合わせたセルメタル(例えば、AlまたはAl/SnまたはAl/NiV/Sn)フィンガ用のダイレクトライトプロセスを有する ・金属堆積を、スクリーン印刷、レーザ転写印刷、インクジェット印刷、エアロゾル印刷などのダイレクトライトプロセスを使用して実行することができる
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、典型的には(111)方位の基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・セルおもて表面テクスチャリングがない(テクスチャレス)−代わりに、光トラッピングが(誘電体粒子または金属粒子などの)粒子光トラッピング層のコーティングによって支援される
・おもて表面電界(FSF)リンドーピングを含む
・金属堆積を、プラズマスパッタリング、真空蒸着、大気圧アーク/熱溶射コーティング、等を使用して実行することができる
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、典型的には(111)方位の基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・セルおもて表面テクスチャリングがない(テクスチャレス)−代わりに、光トラッピングが(誘電体粒子または金属粒子などの)粒子光トラッピング層のコーティングによって支援される
・おもて表面電界(FSF)リンドーピングを含む
・金属堆積を、スクリーン印刷、レーザ転写印刷、インクジェット印刷、エアロゾル印刷、等などのダイレクトライトプロセスを使用して実行することができる
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはブリックまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、典型的には(111)方位の基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・3つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよび炉アニールを使用して形成したベースコンタクト拡散
・金属堆積を、プラズマスパッタリング、真空蒸着、大気圧アーク/熱溶射コーティング、等を使用して実行することができる
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはブリックまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、典型的には(111)基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・3つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよび炉アニールを使用して形成したベースコンタクト拡散
・金属堆積を、レーザ転写印刷、インクジェット印刷、エアロゾル印刷、等などのダイレクトライトプロセスを使用して実行することができる
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、典型的には(111)基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・1つだけのAPCVDプロセスステップを使用する
・スクリーン印刷したまたはインクジェット印刷したシリコンナノ粒子リンペーストを使用して形成したベースコンタクト拡散
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはブリックまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、薄い基板は、典型的には(111)方位の基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・2つのAPCVDプロセスステップを使用する
・スクリーン印刷したまたはインクジェット印刷したシリコンナノ粒子リンペーストを使用して形成したベースコンタクト拡散
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはブリックまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、薄い基板は、典型的には(111)方位の基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・ホットアブレーションプロセスがなく、選択エミッタがない
・2つのAPCVDプロセスステップを使用する
・スクリーン印刷したまたはインクジェット印刷したシリコンナノ粒子リンペーストを使用して形成したベースコンタクト拡散
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはブリックまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、薄い基板は、典型的には(111)方位の基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・1つだけのAPCVDプロセスステップを使用する
・(例えば、スクリーン印刷によって付けた)標準の市販リンペーストを使用して形成したベースコンタクト拡散
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはブリックまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、薄い基板は、典型的には(111)方位の基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・2つのAPCVDプロセスステップを使用する
・(例えば、スクリーン印刷を使用して付けた)標準の市販リンペーストを使用して形成したベースコンタクト拡散
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはブリックまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、薄い基板は、典型的には(111)方位の基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・ホットアブレーションプロセスがなく、選択エミッタがない
・2つのAPCVDプロセスステップを使用する
・(例えば、スクリーン印刷を使用して付けた)標準の市販リンペーストを使用して形成したベースコンタクト拡散
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはブリックまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、薄い基板は、典型的には(111)方位の基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・1つだけのAPCVDプロセスステップを使用する
・POCl3炉ドーピングを使用して形成したベースコンタクト拡散
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはブリックまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、薄い基板は、典型的には(111)方位の基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・2つのAPCVDプロセスステップを使用する
・POCl3炉ドーピングを使用して形成したベースコンタクト拡散
・(例えば、MeV陽子注入の後で)再使用可能な厚いウェハまたはブリックまたはインゴット片からスライシング/へき開することによって形成した薄い基板であって、薄い基板は、典型的には(111)方位の基板であり、ドライレーザまたはプラズマテクスチャリングを必要とする薄い基板
・ホットアブレーションプロセスがなく、選択エミッタがない
・2つのAPCVDプロセスステップを使用する
・POCl3炉ドーピングを使用して形成したベースコンタクト拡散
フローのこのカテゴリーでは、バックプレーン技術を使用するバルクCZ(チョクラルスキー)およびFZ(フロートゾーン)ウェハのための代表的な裏面コンタクト型/裏面接合プロセスフローを詳細に説明する。識別する要因の中には、バックプレーンの挿入およびやはり直接パターン画定のためのピコ秒レーザプロセスの広範囲にわたる使用も含む。明示的には述ベないが、望まれる場合には、バックプレーン技術を、はるかに薄いセル吸収体を形成するためにエッチングによってウェハを薄くするためにバルクFZおよびCZウェハ上に使用することができ、これは、非常に長いライフタイムを与えなくてもよい安価なバルクウェハが望まれる時には有用であり得る。これらのより安価な比較的短いライフタイムのウェハを、やはりp型バルクドーピングのものとすることができる。示されたすべてのプロセスフローは、n型ベース(バルク)ドーピングである好ましいドーピングを有するウェハの例である。
CZ/FZ選択肢I:テクスチャの前に形成されるPSGに基づくおもて表面電界(FSF)。
CZ/FZ選択肢II:テクスチャの前に形成されるPOCl3に基づくFSF。プロセスは、POCl3ガラス除去ステップを持たない。
CZ/FZ選択肢III:POCl3ガラス除去を有するPOCl3に基づくFSF。
CZ/FZ選択肢IV:テクスチャの後に形成されるPSGに基づくFSF。
CZ/FZ選択肢V:FSFなし。
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・分離したベース−エミッタ接合
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・おもて側FSFならびに裏側ベースコンタクト拡散のために使用するAPCVD PSG
・プレテクスチャFSF形成
・インラインバックプレーン張り付け
・金属堆積を、プラズマスパッタリング、真空蒸着、大気圧アーク/熱溶射コーティング、等を使用して実行することができる
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・分離したベース−エミッタ接合
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・おもて側FSFならびに裏側ベースコンタクト拡散のために使用するAPCVD PSG
・プレテクスチャFSF形成
・インラインバックプレーン張り付け
・金属堆積を、レーザ転写印刷、インクジェット印刷、エアロゾル印刷、等などのダイレクトライトプロセスを使用して実行することができる
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・分離したベース−エミッタ接合
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・裏側ベースコンタクト拡散のためにだけ使用するAPCVD PSG
・同時にまたは逐次的にアニールおよび酸化するために使用するPOCl3−チューブに基づくアニール
・POCl3ガラス除去なし
・プレテクスチャFSF形成
・金属堆積を、真空スパッタリング、真空蒸着、大気圧アーク/熱溶射コーティング、等を使用して実行することができる
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・分離したベース−エミッタ接合
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・裏側ベースコンタクト拡散のためにだけ使用するAPCVD PSG
・同時にまたは逐次的にアニールおよび酸化するために使用するPOCl3に基づく炉アニール
・POCl3ガラス除去なし
・プレテクスチャFSF形成
・金属堆積を、スクリーン印刷、レーザ転写印刷、インクジェット印刷、エアロゾル印刷、等などのダイレクトライトプロセスを使用して実行することができる
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・分離したベース−エミッタ接合
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・裏側ベースコンタクト拡散のためにだけ使用するAPCVD PSG
・同時にまたは逐次的にアニールおよび酸化するために使用するPOCl3に基づく炉アニール
・POCl3ガラス除去を有する
・プレテクスチャFSF形成
・金属堆積を、プラズマスパッタリング、真空蒸着、大気圧アーク/熱溶射コーティング、等を使用して実行することができる
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・分離したベース−エミッタ接合
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・裏側ベースコンタクト拡散のためにだけ使用するAPCVD PSG
・同時にまたは逐次的にアニールおよび酸化するために使用するPOCl3に基づく炉アニール
・POCl3ガラス除去を有する
・プレテクスチャFSF形成
・金属堆積を、スクリーン印刷、レーザ転写印刷、インクジェット印刷、エアロゾル印刷、等などのダイレクトライトプロセスを使用して実行することができる
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・分離したベース−エミッタ接合
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・おもて側FSFならびに裏側ベースコンタクト拡散のために使用するAPCVD PSG
・ポストテクスチャFSF形成
・金属堆積を、プラズマスパッタリング、真空蒸着、大気圧アーク/熱溶射コーティング、等を使用して実行することができる
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・分離したベース−エミッタ接合
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・おもて側FSFならびに裏側ベースコンタクト拡散のために使用するAPCVD PSG、
・ポストテクスチャFSF形成
・金属堆積を、スクリーン印刷、レーザ転写印刷、インクジェット印刷、エアロゾル印刷、等などのダイレクトライトプロセスを使用して実行することができる
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・分離したベース−エミッタ接合
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・裏側ベースコンタクト拡散のために使用するAPCVD PSG
・FSFなし
・金属堆積を、プラズマスパッタリング、真空蒸着、大気圧アーク/熱溶射コーティング、等を使用して実行することができる
・(ホットアブレーションプロセスを使用する)追加のプロセスステップを用いない選択エミッタを含む
・分離したベース−エミッタ接合
・2つのAPCVDプロセスを使用する
・APCVD PSGおよびホットレーザアブレーションを使用して形成したベースコンタクト拡散
・裏側ベースコンタクト拡散のために使用するAPCVD PSG
・FSFなし
・金属堆積を、スクリーン印刷、レーザ転写印刷、インクジェット印刷、エアロゾル印刷、等などのダイレクトライトプロセスを使用して実行することができる
今日の市場における大部分のシリコン系のソーラーセルは、ホモ接合に基づく。ヘテロ接合、特に、より広いバンドギャップエミッタを有するものは、より高いVocの電位、したがってより高い効率能力から利益を得る。薄いシリコンセルとともにヘテロ接合を形成するためのいくつかのコスト効率の高い方法を提供する。ヘテロ接合は、エミッタに水素化したアモルファスシリコン(a−Si)の導入によって主に実現され、これは、結晶シリコンと比較した時により広いバンドギャップを与える。アモルファスシリコンを用いるこのようなセルを処理する時の1つの主な課題は、アモルファスシリコン堆積の後に、実効的なプロセス温度をシリコンの結晶化温度よりも低く、典型的には、400℃よりも低く維持することである。実際には、アモルファスSi(またはシリコン酸化膜)の堆積を、約150℃〜200℃の範囲内の温度でPECVDを使用して行う。
A)チョクラルスキー(CZ)もしくはフロートゾーン(FZ)技術(テクスチャリングしたまたは未テクスチャリング)のいずれかを使用して得たインゴットまたはマルチ結晶鋳造インゴットから、ワイヤーソー切断、ポリシング、ラッピング、エッチング、またはイオン注入(水素もしくはヘリウム)に基づくバルクインゴットのスライシングなどの技術を使用して得られる平坦なウェハ。
B)四塩化シリコン(STC)、トリクロロシラン(TCS)、ジクロロシラン(DCS)、またはシランなどの、シリコンを堆積するために使用する任意の前駆物質を使用して直接生成されるエピタキシャル成長基板または多結晶成長基板。これらの基板は、エピタキシャル成長プロセスの一部として、裏表面電界(BFF)、バルクドーピング、おもて表面電界(FSF)、およびエミッタなどの完成したソーラーセル内に慣習的であるようなドーパント拡散を持っても持たなくてもよい。方法は、ソーラーセルを形成するドーピングのいくつかの組み合わせのうちのいずれかに広くかつ等しく適用可能である。例えば、(1)ホウ素をドープしたp型エミッタを有する、リンを使用するn型バルクドーピング、および(2)リンに基づくn型エミッタを有する、ホウ素を使用するp型バルクドーピング。これらのn型に基づくソーラーセルが、ホウ素をドープしたp型ベースを有するシリコンソーラーセル材料においてしばしば見られる光誘起劣化効果を示す傾向があるので、p型エミッタを有するn型ドープしたベース層の使用が、好まれてきている。
これは少なくとも2つの別個のケースを有する。第1のケースでは、エピタキシャル層を、パターンを持たない平坦で、テクスチャリングしていないテンプレートの上面上に成長させる。テンプレートを標準チョクラルスキー(CZ)成長を使用して成長させることができる。または、テンプレート製造のコストを節約するためにシード付けした鋳造疑似単結晶インゴットとして製造することができる。マルチ結晶テンプレート材料も使用することができ、これは、マルチ結晶の薄いセルをもたらすことになる。本明細書においては、実質的に平坦な基板を、エピタキシャル基板と呼ぶ。リリースされたエピタキシャル基板は、パターンがなくやはり平坦である。第2のケースは、テンプレート上に、下にあるパターンまたはテクスチャがある場合である。しかしながら、このテクスチャのサイズスケールは、エピタキシャル基板の厚さよりも実質的に小さい。したがって、リリースされたエピタキシャル層は、やはりテクスチャリングされるが、依然として実質的に平坦である。本明細書においては、この基板もエピタキシャル基板と呼ぶ。
ここでは、下にあるテンプレートは、事前にパターン形成されているまたは事前に構造を作られており、パターンの幾何学的形状またはテクスチャは、エピタキシャル膜の厚さと実質的に同等またはこれよりも大きい程度のものである。したがって、エピタキシャル膜をリリースした時に、テンプレートは、実質的に非平坦3D幾何学的形状を有することになる。このパラダイム内では、事前にパターン形成した幾何学的形状のいくつかの例、例えば、ピラミッドに基づくセルが考えられる。本明細書においては、この基板もエピタキシャル基板と呼ぶ。
パターン形成した第1の層メタルを含む薄膜エピタキシャルソーラーセル構造(TFSS)にラミネートするバックプレーン材料として選択する材料は、いくつかの重要な特性を念頭に置いて選択され、そのいくつかを下記に示す。第1に、材料は、シリコンに対してその熱膨張係数に関して相応に一致しなければならない。第2に、材料は、それ自体で、またはブランケットもしくはパターン形成した接着剤層の助けを借りてのいずれかで、TFSSに対する優れた接着を示さなければならない。かつ、完成したソーラーセルへのバックプレーン補強型TFSSの製造のために必要であり、モジュールにしたソーラーセルの有効な寿命期間の全体を通してソーラーセルに求められる温度範囲、圧力範囲、および湿度範囲の全体にわたってこの接着を与えなければならない。第3に、バックプレーン補強型TFSSは、ソーラーセルへのおよびモジュールへの製造の全体を通して、化学薬品、ガス環境、およびすべての取り扱いステップに耐えることが可能である必要がある。第4に、材料は、コスト競争力があり、有毒でなく、容易に入手可能である必要がある。
メタルの第2の層は、好ましくは第1の層メタルフィンガに対して基本的に直交する関係に構造が形成され、各端子について1つ以上のバスバーストリップの起きうる例外を有する。直交する関係は、第2の層メタルのパターニングに対する要件を大きく緩和することができる。例えば、第1の層メタルのパターニング要件が、100または数100マイクロメートル以内である場合には、第2の層メタルのパターニング要件は、数ミリメートルから数センチメートルの範囲内である。これは、単純なシャドーマスクまたは非常に安価な印刷、ローラーコーティングまたはスプレイ塗布などの非常に経済的なパターニング技術の使用を可能にする。また、打抜きの大面積メタルフィンガの使用を可能にする。この緩和を、直交関係幾何学的形状についての概念によって可能にし、取り出しのためにビアに達する前に電流が各第1の層メタルフィンガ内で進まなければならない距離は、適度に短い。
図64および図67は、オアシス構造の例の実施形態を示す。ラミネーションの時点おいてテンプレートによって支持されるTFSS上へと1つよりも多くの構成要素の単一ステップラミネーションによって、オアシスタイプのバックプレーン構造を実現することができる。または、1つ以上のラミネーションステップを別々に使用して、オアシスタイプのバックプレーンを形成することができ、次にテンプレートで支持されたTFSSに付けることができる。後者の経路を選択する場合には、TFSS側またはバックプレーン側のいずれかにいくつかの層を付ける追加の選択肢がある。これは、例えば、TFSSとバックプレーンとの間に接着を与え、スクリーン印刷などのプロセスによって、またはプレラミネーション開孔されるまたはポストラミネーション開孔されるプリプレグなどの誘電体シートをラミネートすることによって付けられる誘電性接着剤にも当てはまる。同じことが、導電性接着剤または導電性エポキシなどの導電性材料にも当てはまる。これを、誘電体がない領域内に付けることができる。すなわち、TFSS上のメタルフィンガとバックプレーン上の次層の金属との間の誘電体中のビアを貫通する導電性コンタクトを与える。これらのケースでは、誘電体が異なる側への2つのラミネーションを受けなければならないので、b−ステージ可能であるような、または少なくとも部分的にリフロー可能であるような少なくとも誘電性接着剤にとって有利なことがある。誘電体が十分に硬化されるように選択されるTFSSにバックプレーンを接続するラミネーションステップのサーマルバジェットをその時には有することが有利なように見える。典型的な誘電体の選択は、プリプレグ材料のシートまたは、ポリエステルもしくは他の樹脂などのスクリーン印刷可能な誘電性接着剤である。
図72Bは、オアシス構造を形成するための選択肢を図示する。実施形態は、単一ステップでまたは別々のステップでのバックプレーンの製造および張り付けを含み、その結果、バックプレーンを格納するまたはステージすることが可能である。
オアシスバックプレーンが、テンプレート上のTFSSに張り付けることに先立って製造され、印刷した誘電性接着剤がTFSSをバックプレーンに結合するために使用される図64G〜図64Fに示したものなどのプロセスフロー実施形態では、下記の開始材料を利用することができる。好ましくは、テドラー、マイラー、テオネックスまたは他のPENまたはPET材料、続いて事前に開孔されたアクセスホールを有する誘電体シート(EVA、Z68またはプリプレグ)から作られた化学的に耐性のあるトップカバーシートを、大面積メタルフィンガの構造上へと配置する。メタルフィンガは、放電製造方法、レーザマーキングに続いて(アルミニウムを使用する場合には、KOHなどの材料中での)エッチングによって、例えば、はんだ付け可能なアルミニウム、すなわち、NiおよびSnの薄い層を有するAl、の平坦なシートから構造を形成することができる。またはメタルフィンガを、1つ以上の打抜きダイを使用して打抜くことが可能である。これらの構造はアライメントされ、互いに上にレイアップされ、任意選択で、リリースシートを用いてまたは両側が粘着性のない表面で覆われ、次に一緒にラミネートされる。正しい材料の選択、適切な真空、温度範囲、ランピングおよびラミネーション圧力などのラミネーション条件の選択で、誘電体材料はフローし構造を平坦化する。裏側コンタクト領域内などの平坦化が望ましくない領域は、適切な形状をしたラミネーションコンタクトチャックを設けることによってまたはエッジから材料が流出し穴を閉じることを防止するために(例えば、これらの穴の切断中に大きくしたレーザ出力を使用して)コンタクトホールのエッジを事前に硬化することによって開口したままにすることができる。
上に説明した印刷した誘電性接着剤プロセスを使用するラミネーションの代替として、誘電体シート、例えば、事前に開孔したプリプレグ材料も大きなメタルフィンガ含んでいるバックプレーンとTFSSとの間の接着剤として使用することができる。図75の断面図は、このプロセスを示す(2ステップラミネーションを用いる)事前に開孔した誘電体シートを使用するオアシスフローを図示する。ここでは、所望の領域内に導電性接着剤を印刷し、印刷した導電性接着剤のグリッドにアライメント式で事前に開孔した誘電体シートをレイアップする。そのプロセスに関して、導電性接着剤がB−ステージ可能である。その結果、レイアッププロセス中に導電性接着剤を乾燥させ滲ませないことができるが、ラミネーション中には依然としてリフローし、TFSS上の金属とバックプレーン金属との間の優れたコンタクトを与えることが望ましい。ラミネーション後のプロセスの残りは、印刷した誘電性接着剤を使用する以前に説明したケースと同様である。
ラミネーション中に適正なサーマルバジェットおよび熱シーケンスを有すると、バックプレーンラミネーションおよびテンプレート上のTFSSへのバックプレーンのラミネーションのために別々のステップを有することよりはむしろ、単一ステップでオアシス構造のすべての構成要素を張り付けることが可能である。
図77A〜図77Dは、プルート−ハイブリッド構造についてのプロセスステップを図示する。図77Aは、プリプレグビアドリリングプロセス中のプルート−ハイブリッド構造の断面である。図77Bは、金属堆積およびアイソレーションプロセス中のプルート−ハイブリッド構造の断面である(金属アイソレーションは図に平行であり、それゆえ図示されない)。一実施形態では、Al(+NiV+Sn)PVDおよびアイソレーション。図77Cは、導電性エポキシスクリーン印刷およびバックプレーンラミネーション後のプルート−ハイブリッド構造のベースコンタクトを通る断面である。図77Dは、導電性エポキシスクリーン印刷およびバックプレーンラミネーション後のプルート−ハイブリッド構造のエミッタコンタクトを通る断面である。図73A〜図73Eに図示したように、ハイブリッド構造のためのプロセスフローを、パッシベーションおよび表面の準備の後でレーザドリリングによってビアホールを開口するプロセスに至るまでおよびこれを含むプルートに基づくフローに実質的に同じにすることができる。プルート構造およびフローに対する相違ならびにオアシス構造およびフローに対する類似性は、メッキプロセスを使用して高くするメタライゼーション構造よりはむしろ、図77のハイブリッド構造がバックプレーン補強型TFSSに張り付けられた大きなメタルフィンガの構造を含むことである。そうするために、プルートフローにおいて説明したようなビア清浄化後に、第1に、金属コンタクトは、ビアの底部から誘電体、例えばプリプレグの上面上へとルーティングされる。これを、1つ以上のステップで実行することができる。いくつかのステップを使用する場合には、ビアは、最初に、ステンシルまたはスクリーン印刷したペーストを使用して少なくとも部分的に埋められる。次に、メタルフィンガを、例えばスリット付きのシャドーマスクを通してPVDによって堆積する。あるいは、金属のルーティングのプロセスが、1つのステップでまたはシーケンスで実行される場合には、可能性のある有機残留物および自然酸化膜を除去するために、プレスパッタエッチングおよび/またはアッシングを行うことによって、ビアの底部の表面を、例えば、PVD堆積の直前に洗浄することが可能であり、有機残留物および自然酸化膜の両者は、高いコンタクト抵抗または劣悪なコンタクト信頼性の一因になることがある。
オアシスタイプの構造と同様に、浸漬コンタクトボンディング構造を処理する。主要なプロセスステップの相違を、図69および図70に示し、下記のように説明することができる。すなわち、TFSS上の薄いメタルフィンガのパターニングの後で、上記の構造について説明したように、導電性バンプのアレイを用いてこれらのフィンガを覆う。この場合には、オアシス構造と同様に基本的に2つの代替形態がある。1つは、事前に製造したバックプレーンへの導電性バンプのアレイを有するTFSSのボンディングであり、第2は、バックプレーンのすべての構成要素のレイアップおよび共通ラミネーションである。両者の代替形態は、オアシスフローにおいて説明したような構造およびフローの選択肢を有する。両者のケースでは、浸漬コンタクトボンディング構造に関して、接着性誘電体は、導電性バンプのアレイに対して相補的にパターン形成されたビアホールのアレイを含まない。むしろ、誘電体を、ランダムにまたは規則的に穿孔されたアレイとして付け、ラミネーションにおいて生じるリフロー中に誘電体の軟化に際して貫通して穴を開けるように導電性バンプ用の十分な開口領域を提供する。あるいは、誘電体は、まだ事前に穴を開けられず、適切に適合する誘電体の選択で、バンプが依然として誘電体に穴を開けることができ、誘電体を貫通する低コンタクト抵抗コンタクトを形成し、TFSSメタルフィンガとバックプレーン上の大きな幅のメタルフィンガとの間にコンタクトを形成するように働くように、導電性バンプを成形する。
i.より薄いM1は、吸収体層にかかる応力が小さく、その結果、降伏の堅牢性を提供し、また、ソーラーセルのより大きな面積へのM1のスケーリングを可能にする。このことは、ソーラー産業が、コスト低減(いくつかの場合では、裏面コンタクト/裏面接合結晶シリコンソーラーセル設計を有するような性能向上)によって引き起こされてより脆弱でより薄い吸収体層を目指している場合に特に重要とすることができる。
ii.より狭幅のM1は、裏面コンタクト/裏面接合ソーラーセルにおけるエミッタ部分を増大させることができ、これにより、電気的シェーディングの低減およびセル変換効率の向上を可能にする。
i.n型およびp型拡散(ベースおよびエミッタコンタクト領域)とは無関係の良好なコンタクト抵抗を提供する。
ii.約1ミクロン以上の波長を有する赤外フォトンに対して高品質バックミラーとしての役割を果たすため効果的な赤外(IR)反射性を有する。
iii.大量生産に対するコスト効率を維持しながら、低抵抗率(例えば、パターン厚さまたは材料選択により達成される)を有する。これは、銀のような高価な高導電性材料を避けて、アルミニウムおよび/または銅の選択をもたらすことができる。
iv. Cuのようなシリコンにおけるライフタイムを大幅に短くする金属タイプを使用する設計において、金属スタックは、シリコンライフタイム低減金属が、Ti,TiW,TiN,Ta,またはTaN,TiW,もしくはNiなどの有効拡散障壁材料によってシールドされるように設計すベきである。あるいは、アルミニウムなど、シリコンに適した高導電性で低コストの金属を用いることもできる。
(1)M1を堆積しパターニングする方法
(2)M1の上面上に電気絶縁誘電体層またはシートを形成する方法(例えば、堆積、ラミネーション、その他により)
(3)M1をM2と接続するよう誘電体を貫通するビアホールを形成し、次いで清浄化する方法
(4)M2を堆積しパターニングする方法
・指定の最大許容セル効率損失(0.25%または0.50%絶対)では、オンセルAl金属のシート抵抗とバックプレーンAl−箔フィンガペアの必要数との間には強い相関関係がある。
・ρ=3μΩ.cmを有するPVD−Alにおける0.2〜0.50μm、あるいはρ=3μΩ.cmを有するダイレクトライトAlインクにおける2〜5μmの実際のオンセルAl厚さ範囲では、バックプレーンAl−金属−箔フィンガペア(F)の必要数は、絶対効率損失を0.25%に制限すると3〜4である。
・オンセルAl厚さのより薄い範囲(例えば、PVD−Alにおける0.2μm、またはより大きな硬化インク抵抗率ρ=45μΩ.cmを有するダイレクトライトAlインクにおける2〜3μm)では、バックプレーンAl−金属−箔フィンガのF=3ペアでも、絶対セル効率損失を0.50%に制限することになる。
112 第2のレベルのメタルベースコンタクトフィンガ
114 エミッタ穴
116 ベース穴
118 第1のレベルのメタルエミッタフィンガ
120 第1のレベルのメタルベースフィンガ
122 トレンチ
126 トレンチ
128 穴
Claims (16)
- 裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法であって、
受光おもて側およびパターン形成したエミッタおよびベース領域を有する裏側を含む結晶半導体基板の裏側にベース電極およびエミッタ電極の互いに組み合わせられたパターンを有する導電性金属の第1の層を形成するステップと、
前記導電性金属の第1の層に電気絶縁層を形成し、前記電気絶縁層が前記導電性金属の第1の層と導電性金属の第2の層との間に電気絶縁を提供するようにするステップと、
前記導電性金属の第1の層へのアクセスを可能にするよう、前記電気絶縁層に穴を形成するステップと、
前記穴を通じて前記導電性金属の第1の層に接触する導電性金属の第2の層を、前記電気絶縁層上にシード層を堆積させ、該シード層をメッキすることにより、前記電気絶縁層上に形成するステップと、
を含み、エミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンを有する前記導電性金属の第2の層が、前記導電性金属の第1の層に直交して形成され、前記導電性金属の第2の層のエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられた前記パターンにおける電極の数が、前記導電性金属の第1の層のエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられた前記パターンにおける電極の数よりも少ない、裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。 - 前記導電性金属の第2の層におけるエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンの電極の数が、前記導電性金属の第1の層におけるエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンの電極の数よりも約5〜50倍の範囲で少ない、請求項1に記載の方法。
- 前記導電性金属の第1の層が、約30%〜50%の範囲のベース金属幅比を有するパターンで形成され、前記導電性金属の第2の層が直交フィンガの少なくとも2つのペアを含むパターンで形成される、請求項1に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 前記導電性金属の第1の層が、約30%〜50%の範囲のベース金属幅比を有するパターンで形成され、前記導電性金属の第2の層が直交フィンガの3または4つのペアを含むパターンで形成される、請求項1に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 前記導電性金属の第1の層が、プラズマスパッタリングによって堆積され、レーザアブレーションを用いてパターン形成される、請求項1に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 前記導電性金属の第1の層が、スクリーン印刷プロセスを用いて堆積される、請求項1に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 前記導電性金属の第1の層が、インクジェット印刷プロセスを用いて堆積される、請求項1に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 前記導電性金属の第1の層が、エアロゾルジェット印刷プロセスを用いて堆積される、請求項1に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 前記導電性金属の第1の層が、ステンシル印刷プロセスを用いて堆積される、請求項1に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 前記電気絶縁層が、薄い絶縁層のダイレクト印刷によって形成される、請求項1に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 前記電気絶縁層が、薄い絶縁層の堆積によって形成される、請求項1に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 前記電気絶縁層が、薄いプリプレグシートのラミネーションによって形成される、請求項1に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 前記プリプレグシート内の穴が、該プリプレグシートを貫通して開孔される、請求項12に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 前記プリプレグシートのラミネーションの前に前記第1の導電性メタライゼーション層上で前記穴の所定の位置に位置付けられるように金属パッドを堆積するステップをさらに含む、請求項13に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 前記導電性金属の第2の層が、パターン形成した金属箔シートを張り付けることにより形成される、請求項1に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
- 裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法であって、
受光おもて側およびパターン形成したエミッタおよびベース領域を有する裏側を含む結晶半導体基板の裏側にベース電極およびエミッタ電極の互いに組み合わせられたパターンを有する導電性金属の第1の層を形成するステップと、
前記導電性金属の第1の層に電気絶縁層を形成し、前記電気絶縁層が前記導電性金属の第1の層と導電性金属の第2の層との間に電気絶縁を提供するようにするステップと、
前記導電性金属の第1の層へのアクセスを可能にするよう、前記電気絶縁層に穴を形成するステップと、
前記穴を通じて前記導電性金属の第1の層に接触する導電性金属の第2の層を、金属箔シートを張り付けて、ダイレクトカットを用いて前記金属箔シートをパターニングすることにより、前記電気絶縁層上に形成するステップと、
を含み、エミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンを有する前記導電性金属の第2の層が、前記導電性金属の第1の層に直交して形成され、前記導電性金属の第2の層のエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられた前記パターンにおける電極の数が、前記導電性金属の第1の層のエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられた前記パターンにおける電極の数よりも少ない、裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
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