JP2011071494A5 - 半導体基板の再生方法 - Google Patents

Claims (4)

1. 周縁部に凸部を有する半導体基板であって、
   前記凸部は、表面の絶縁層と、前記絶縁層の下の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の下の水素イオンを含む第２の半導体領域と、を有し、
   前記半導体基板に対して前記絶縁層を除去する第１のエッチング処理を行い、
   前記第１のエッチング処理後に、前記第１及び前記第２の半導体領域を除去する第２のエッチング処理を行い、
   前記第２のエッチング処理は、前記第１及び前記第２の半導体領域を酸化する物質、酸化された前記第１及び前記第２の半導体領域を溶解する物質、および、前記第１及び前記第２の半導体領域の酸化の速度および酸化された前記第１及び前記第２の半導体領域の溶解の速度を制御する物質、を含む混合液を用いて行われることを特徴とする半導体基板の再生方法。
2. 周縁部に凸部を有する半導体基板であって、
   前記凸部は、表面の絶縁層と、前記絶縁層の下の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の下の水素イオンを含む第２の半導体領域と、を有し、
   前記半導体基板に対して前記絶縁層を除去する第１のエッチング処理を行い、
   前記第１のエッチング処理後に、前記第１及び前記第２の半導体領域を除去する第２のエッチング処理を行い、
   前記第２のエッチング処理は、フッ酸と硝酸と酢酸とを含む混合液を用いて行い、
   前記混合液のフッ酸と硝酸と酢酸との体積比は、フッ酸よりは硝酸が大きく、硝酸よりは酢酸が大きいことを特徴とする半導体基板の再生方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   周縁部に前記凸部を有する前記半導体基板は、前記半導体基板の中央部にあった半導体領域が分離されることにより、形成されることを特徴とする半導体基板の再生方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第２のエッチング処理の後に、表面を研磨することを特徴とする半導体基板の再生方法。