JP2012004275A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 炭化珪素半導体装置を製造する方法であって、
   少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含む炭化珪素半導体を準備する工程と、
   前記炭化珪素半導体の前記第１の表面を洗浄することにより、第２の表面を形成する工程と、
   前記第２の表面上に珪素元素を含む膜を形成する工程と、
   前記珪素元素を含む膜を酸化することにより、前記炭化珪素半導体装置を構成する酸化膜を形成する工程とを備え、
   前記第１の表面は、水素ガスと塩化水素ガスとを混合した混合ガスを用い、かつ混合ガス中の塩化水素ガスの含有率（塩化水素ガス／（塩化水素ガス＋水素ガス）×１００）が１０％以下であるドライエッチング処理、および、酸素を含む溶液、酸素ガスを含む雰囲気での熱酸化、酸素プラズマの少なくともいずれかを用いて、第１の表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を除去する処理、の少なくとも一方の処理により、洗浄される、炭化珪素半導体装置の製造方法。
2. 前記珪素元素を含む膜が炭化珪素である、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
3. 前記珪素元素を含む膜が珪素である、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
4. 前記珪素元素を含む膜を形成する工程は、
   前記炭化珪素半導体装置を構成する前記酸化膜の厚みを決定する工程と、
   前記珪素元素を含む膜をすべて酸化したときに、決定した前記酸化膜の厚みになるように、前記珪素元素を含む膜の厚みを制御する工程とを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。