JPS6066866A - 炭化珪素mos構造の製造方法 - Google Patents
炭化珪素mos構造の製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
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- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、炭化工1素を半N′4体利別として、炭化」
1素下導体上に酸化11位を堆積したMOS(MeLa
l−Oxide −Semiconductor )構
造の」(す造方法に関するものである3、 〈il、AJ、技(d;J> 炭化用2(・2は、広い禁制帯幅をもち(2,2〜3.
:3eV)、’l、たオI(的、fS学的及び機械的に
極めて安5j!で、放帽線損(1,5にも強いというQ
、’jLQをもっている1、このため炭化J1素を゛1
′導体4′A別とした1−/ンシメタ、クイオードをは
じめとする+IL−1’素子は、fi素などの他の半導
体桐材を用いた素1′てに、使用が困難な高温、大電力
、放射線!!((川′:qの1、f酷な・柔性において
も使用することができ、l;’IIい侶頼1に1と安定
性を示す素子として広範な分野での応用が期待されてい
る。
1素下導体上に酸化11位を堆積したMOS(MeLa
l−Oxide −Semiconductor )構
造の」(す造方法に関するものである3、 〈il、AJ、技(d;J> 炭化用2(・2は、広い禁制帯幅をもち(2,2〜3.
:3eV)、’l、たオI(的、fS学的及び機械的に
極めて安5j!で、放帽線損(1,5にも強いというQ
、’jLQをもっている1、このため炭化J1素を゛1
′導体4′A別とした1−/ンシメタ、クイオードをは
じめとする+IL−1’素子は、fi素などの他の半導
体桐材を用いた素1′てに、使用が困難な高温、大電力
、放射線!!((川′:qの1、f酷な・柔性において
も使用することができ、l;’IIい侶頼1に1と安定
性を示す素子として広範な分野での応用が期待されてい
る。
まだ半導体(Sen〕i conductor )表面
に酸化11・;>(Qxide)を形成し、その上に金
属(M e 1. a I )’11:極を設置するM
OS J???造は、M08クイf −1−。
に酸化11・;>(Qxide)を形成し、その上に金
属(M e 1. a I )’11:極を設置するM
OS J???造は、M08クイf −1−。
MO5電界効果トランジスマスM OS集積回路などの
電子素子の基本構造として、」1素′しr’h 14−
素rなどに広く応用されている。
電子素子の基本構造として、」1素′しr’h 14−
素rなどに広く応用されている。
上記炭化珪素半導体のM OS JM i告を用い/C
クイオード、1−ランジスク、集積回路などの4・3「
も、」二連の炭化珪素の特畏を生かして広面”1な分ψ
Fでの用途が期イ、5される。しかしなから、炭化J1
斗、し4に体を用いてAI OS t++7)造を作成
し」、“)とし7だ場n、珪素中心体で通常用いられて
いるHj)jH^・2化θ、’:’j”O−’ Il’
ll用して炭化珪素を酸化しても、酸化」J、i 、H
1多Q、j−仔<、また炭化珪素と酸化膜の境界ii[
1域が広がり1、て頂i5な界面を示さないことが多い
1、この/こめNl OS構1.2j ’fとる素rt
ic ・V、要とされる500−20(JOAR冒すの
+11;す“2をもち、1うJ化11素牢−導体表面と
2(111夕な17、l−間をもち、しかも高い1,1
.j気絶縁性を小す酸化11i’jを・1し成すること
か困つ、+1Fであった。
クイオード、1−ランジスク、集積回路などの4・3「
も、」二連の炭化珪素の特畏を生かして広面”1な分ψ
Fでの用途が期イ、5される。しかしなから、炭化J1
斗、し4に体を用いてAI OS t++7)造を作成
し」、“)とし7だ場n、珪素中心体で通常用いられて
いるHj)jH^・2化θ、’:’j”O−’ Il’
ll用して炭化珪素を酸化しても、酸化」J、i 、H
1多Q、j−仔<、また炭化珪素と酸化膜の境界ii[
1域が広がり1、て頂i5な界面を示さないことが多い
1、この/こめNl OS構1.2j ’fとる素rt
ic ・V、要とされる500−20(JOAR冒すの
+11;す“2をもち、1うJ化11素牢−導体表面と
2(111夕な17、l−間をもち、しかも高い1,1
.j気絶縁性を小す酸化11i’jを・1し成すること
か困つ、+1Fであった。
〈づ[′1明の「1的)
本テ11明は1」ホの問題点に:j!:iみてなさ才し
たもので、炭化fl素を1′・r4 fA< AA利と
して、該炭化珪素上に、MOS Jjtj造をもつ市1
1.(・21′を作成するにi+)I+ L lと酸化
11:、、!を安′桂: L、 −CIi”1′1実に
イ′1成することができる炭化用=’t: MOS 1
1′A j占のI’i1’i造ノJ/)ぐをIR,I共
する4、く実力(IL 例〉 本発明kJ1、炭化1[素の表面に11素の7’−’r
・膜を堆積させ、:j#、 、Ll素薄11’i”3を
酸化して酸化膜を)1つ成し、該l賀化J1素j11−
1−1に金1萬’l’li: l1li<を被着してM
(J S (’:i霞(tを1′]成するもの−C′
、次に実施例を挙げて、1゛1細に説明−J−る1、 ”l’; 1図におい一〇、1、ノJ化」l署−21の
表面1に、モノ7・−ノン(Si11.)カメのζW)
分野により」j7もの薄1(・□、′!2をlイ1偵さ
−V1−る。、該珪素薄11ら!2の形成は2〜5分の
が)分IQ’1(により300〜600Aの膜1−jが
?i、)られた。珪素薄膜2が形成された炭化]−1素
1を’B)分数1ゴーで流されている酸素カメ雰囲−(
中でioo。
たもので、炭化fl素を1′・r4 fA< AA利と
して、該炭化珪素上に、MOS Jjtj造をもつ市1
1.(・21′を作成するにi+)I+ L lと酸化
11:、、!を安′桂: L、 −CIi”1′1実に
イ′1成することができる炭化用=’t: MOS 1
1′A j占のI’i1’i造ノJ/)ぐをIR,I共
する4、く実力(IL 例〉 本発明kJ1、炭化1[素の表面に11素の7’−’r
・膜を堆積させ、:j#、 、Ll素薄11’i”3を
酸化して酸化膜を)1つ成し、該l賀化J1素j11−
1−1に金1萬’l’li: l1li<を被着してM
(J S (’:i霞(tを1′]成するもの−C′
、次に実施例を挙げて、1゛1細に説明−J−る1、 ”l’; 1図におい一〇、1、ノJ化」l署−21の
表面1に、モノ7・−ノン(Si11.)カメのζW)
分野により」j7もの薄1(・□、′!2をlイ1偵さ
−V1−る。、該珪素薄11ら!2の形成は2〜5分の
が)分IQ’1(により300〜600Aの膜1−jが
?i、)られた。珪素薄膜2が形成された炭化]−1素
1を’B)分数1ゴーで流されている酸素カメ雰囲−(
中でioo。
−1100℃)1f+A 1!J: VCl噛L、f、
c: a:; 7−1;・1lliij 2を熱酸化干
る。該熱酸化により炭化叫素1上の月7(・、7;、(
1ル寝2は酸化されて第2図に示ず如くIJ/さ60
U〜J 200入の酸化膜3が形成される。該酸化++
1;ij 3.1にアルミニウム(ハe )を蒸着する
ことにより第:3図に小すM OS Ht;造が作成さ
れる。−1,記4’、lj に酸1′旧11ゑ;3C1
、[蹟い電気絶縁性を示し、1だ炭化用7(2し1月」
・1表面との境界も急峻な界面をもつ[・、し々rなM
OS t’i”i凸であった。
c: a:; 7−1;・1lliij 2を熱酸化干
る。該熱酸化により炭化叫素1上の月7(・、7;、(
1ル寝2は酸化されて第2図に示ず如くIJ/さ60
U〜J 200入の酸化膜3が形成される。該酸化++
1;ij 3.1にアルミニウム(ハe )を蒸着する
ことにより第:3図に小すM OS Ht;造が作成さ
れる。−1,記4’、lj に酸1′旧11ゑ;3C1
、[蹟い電気絶縁性を示し、1だ炭化用7(2し1月」
・1表面との境界も急峻な界面をもつ[・、し々rなM
OS t’i”i凸であった。
」−記実施例において炭化叫素1は、’lh: I”J
”; r’を11′4成するに必要な不純物拡散冑の処
理かj>lI’+’i: M17こされて、集積回路等
の″rljイ素rか形成さ11る。、以−にの実施例に
おいては、■、1.(・、のj111t’+ 7〕、と
し2て、モノシランカスの熱分解をj目いたか、1由の
カス、例えば四Jj、、+化f、l素(S i Ce
、+ ) ノ熱分1’l’lニ1 +でもよく、丑だ、
スパン夕lノ15、ノAh’+法、り1.:+ −))
シ′屯法晴の方法にJ:って月、素をJfl(h’i
I、でも」、い1.また珪素の酸化法として酸素を用い
て熱酸化をflな一2/こか、水蒸気を用いた熱酸化で
もよく、まだ′市1’l’+’ l赫にl(酸化、ブラ
スマ陽極酸化鳩の他の方法によ−、ても」:い。、金属
市(萌としてアルミニウム/ξか曲の金k(でもよい。
”; r’を11′4成するに必要な不純物拡散冑の処
理かj>lI’+’i: M17こされて、集積回路等
の″rljイ素rか形成さ11る。、以−にの実施例に
おいては、■、1.(・、のj111t’+ 7〕、と
し2て、モノシランカスの熱分解をj目いたか、1由の
カス、例えば四Jj、、+化f、l素(S i Ce
、+ ) ノ熱分1’l’lニ1 +でもよく、丑だ、
スパン夕lノ15、ノAh’+法、り1.:+ −))
シ′屯法晴の方法にJ:って月、素をJfl(h’i
I、でも」、い1.また珪素の酸化法として酸素を用い
て熱酸化をflな一2/こか、水蒸気を用いた熱酸化で
もよく、まだ′市1’l’+’ l赫にl(酸化、ブラ
スマ陽極酸化鳩の他の方法によ−、ても」:い。、金属
市(萌としてアルミニウム/ξか曲の金k(でもよい。
〈 タカ 果 〉
本発明VCよる方法は、1大化J’、1−j(−j上に
IL1拍した酸化叶没の速いjl、+、を酸化してr+
々化膜を形成するため、う・月1.゛j間でIiIi
’(lの酸化119jを?↓)ることかできる。
IL1拍した酸化叶没の速いjl、+、を酸化してr+
々化膜を形成するため、う・月1.゛j間でIiIi
’(lの酸化119jを?↓)ることかできる。
寸だ酸化jjら′!j″、jC↓」イllL′i した
jl素の脱111Jによ−、てρ(定されるため、部シ
゛化1i:1f度、酸化11.7間等の酸化膜(’lの
影−1”i・をうけることなく11!7!I°Iを制御
することができ、目′1゛管理か10・:・、に答易な
製造方法を11)ることかできる 水力/ノ、により、IVI OS l’7ii造素J′
作成に心安なハ1;1)”−6−・もし、かつ炭化J1
素との境9+5も急11俊な界面をもつ艮灯な’1′’
JPlを小すIvl OS Jfli造を製作すること
か”I’ l’!!と乙・る、。
jl素の脱111Jによ−、てρ(定されるため、部シ
゛化1i:1f度、酸化11.7間等の酸化膜(’lの
影−1”i・をうけることなく11!7!I°Iを制御
することができ、目′1゛管理か10・:・、に答易な
製造方法を11)ることかできる 水力/ノ、により、IVI OS l’7ii造素J′
作成に心安なハ1;1)”−6−・もし、かつ炭化J1
素との境9+5も急11俊な界面をもつ艮灯な’1′’
JPlを小すIvl OS Jfli造を製作すること
か”I’ l’!!と乙・る、。
木イjj IIJI IJ、中(l(1\I OS J
’:17 aの製造のみ/rらず、MOS Jl′l′
i 、L告を)I’ii成・)3)素とするタイオー1
−11ジンノスタ、集積回路′:9の各素−1′中のM
OS 1117i造の製造にも通用することができる
。
’:17 aの製造のみ/rらず、MOS Jl′l′
i 、L告を)I’ii成・)3)素とするタイオー1
−11ジンノスタ、集積回路′:9の各素−1′中のM
OS 1117i造の製造にも通用することができる
。
第1図乃至第3図は本発明の天h11】、例の説1明に
供する断面図である。
供する断面図である。
Claims (1)
- 11ジJfに月+(SiC)の表面に珪素(Sl)の薄
膜を堆kl(L−1該J’l素薄膜を酸化して酸化膜を
形成し、該酸化lX−1−に金属薄膜を被)111する
ことを1徴とする炭化f1素M OS t’il′i造
の1(ν造/J法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17748283A JPS6066866A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 炭化珪素mos構造の製造方法 |
DE19843434727 DE3434727A1 (de) | 1983-09-24 | 1984-09-21 | Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid(sic)-metalloxidhalbleiter-(mos)-bauteilen |
US07/759,120 US5272107A (en) | 1983-09-24 | 1991-09-09 | Manufacture of silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor (MOS) device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17748283A JPS6066866A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 炭化珪素mos構造の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6066866A true JPS6066866A (ja) | 1985-04-17 |
JPH055182B2 JPH055182B2 (ja) | 1993-01-21 |
Family
ID=16031676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17748283A Granted JPS6066866A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 炭化珪素mos構造の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6066866A (ja) |
DE (1) | DE3434727A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6281764A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 炭化シリコン電界効果トランジスタの製造方法 |
JPS62209855A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 炭化けい素を用いた半導体素子 |
JP2006216918A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Kyoto Univ | 半導体素子の製造方法 |
JP2012004273A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造装置 |
JP2012004275A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2012004269A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造装置 |
JP2013502739A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-24 | クリー インコーポレイテッド | チャネルを空乏化する界面電荷を有するゲート絶縁層を備えたトランジスタ及び関連した製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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US5612260A (en) * | 1992-06-05 | 1997-03-18 | Cree Research, Inc. | Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures |
KR20000068738A (ko) * | 1997-08-13 | 2000-11-25 | 모리시타 요이찌 | 반도체기판 및 반도체소자 |
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IT1089298B (it) * | 1977-01-17 | 1985-06-18 | Mostek Corp | Procedimento per fabbricare un dispositivo semiconduttore |
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- 1983-09-24 JP JP17748283A patent/JPS6066866A/ja active Granted
-
1984
- 1984-09-21 DE DE19843434727 patent/DE3434727A1/de active Granted
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6281764A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 炭化シリコン電界効果トランジスタの製造方法 |
JPS62209855A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 炭化けい素を用いた半導体素子 |
JP2006216918A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Kyoto Univ | 半導体素子の製造方法 |
JP2013502739A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-24 | クリー インコーポレイテッド | チャネルを空乏化する界面電荷を有するゲート絶縁層を備えたトランジスタ及び関連した製造方法 |
JP2012004273A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造装置 |
JP2012004275A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2012004269A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造装置 |
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