JPS6281764A - 炭化シリコン電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
炭化シリコン電界効果トランジスタの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は高温動作が可能な炭化シリコン(SiC)デバ
イスの製造方法に関する。
イスの製造方法に関する。
[従来の技術]
SiCは高温での動作が可能な半導体である。
SiCをシリコン(Si)基板上に成長させる技術は近
−5年とみに発展し、例えば面方位(100)のSi基
板11丁; 作製するのが難しかった。SiCの電気的特性の評価な
ども、Si基板を溶解して得たSiC薄片で行われなけ
ればならないという不便があった。
−5年とみに発展し、例えば面方位(100)のSi基
板11丁; 作製するのが難しかった。SiCの電気的特性の評価な
ども、Si基板を溶解して得たSiC薄片で行われなけ
ればならないという不便があった。
また絶縁層としてSiC表面を酸化して得られる5i0
2膜を利用する場合、SiCの酸化速度がSiに比へて
非常に遅く、十分な厚さの5i07膜が得にくいので、
NH9)ランジスタその他のデ/<イスが作製し難い
という欠点があった。
2膜を利用する場合、SiCの酸化速度がSiに比へて
非常に遅く、十分な厚さの5i07膜が得にくいので、
NH9)ランジスタその他のデ/<イスが作製し難い
という欠点があった。
[発明が解決しようとする問題点コ
本発明は、このようなSiC上に絶縁膜が形成し難く、
デバイス作製が容易でないという欠点を改善し、絶縁の
ための十分な厚さの絶縁膜を確保を形成可能な材料を炭
化シリコン上に被着する工程と、被着した絶縁形成可能
材料を所望の形状に加工し炭化シリコンの表面の一部を
露出させる工程と、加工された絶縁膜形成可能材料の表
面に絶縁11りを形成する工程と、露出された炭化シリ
コンの上部と絶縁膜形成可能材料の表面に形成された絶
縁膜上にまたがって導電層を形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
デバイス作製が容易でないという欠点を改善し、絶縁の
ための十分な厚さの絶縁膜を確保を形成可能な材料を炭
化シリコン上に被着する工程と、被着した絶縁形成可能
材料を所望の形状に加工し炭化シリコンの表面の一部を
露出させる工程と、加工された絶縁膜形成可能材料の表
面に絶縁11りを形成する工程と、露出された炭化シリ
コンの上部と絶縁膜形成可能材料の表面に形成された絶
縁膜上にまたがって導電層を形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
[作用コ
第1図(A)ないしくC)を参照して、本発明の詳細な
説明する。
説明する。
SiCl上にSi、金属シリサイド、Ta、Ti等の酸
化膜や窒化膜などの絶縁膜を形成し易い材料2をCVO
、蒸着、スパッタその他適宜な方法で被着し、被着され
た絶縁膜形成可能材料2をエツチングなどによって所望
の形状に加工し、SiC1の表骨方法で絶縁膜3を形成
すると、SiCは化学的にに示すようにこのような状態
の絶縁膜上にへ文などの導’rf94を形成すると、導
電層4はSiCl とは薄い絶縁膜3Aで、絶縁膜形成
可能材料2とは厚い絶縁膜3Bで絶縁される。絶縁膜3
A 、 3Bの厚さは自由に制御できるので、SiCデ
バイスの作製を容易にすることができる。
化膜や窒化膜などの絶縁膜を形成し易い材料2をCVO
、蒸着、スパッタその他適宜な方法で被着し、被着され
た絶縁膜形成可能材料2をエツチングなどによって所望
の形状に加工し、SiC1の表骨方法で絶縁膜3を形成
すると、SiCは化学的にに示すようにこのような状態
の絶縁膜上にへ文などの導’rf94を形成すると、導
電層4はSiCl とは薄い絶縁膜3Aで、絶縁膜形成
可能材料2とは厚い絶縁膜3Bで絶縁される。絶縁膜3
A 、 3Bの厚さは自由に制御できるので、SiCデ
バイスの作製を容易にすることができる。
なお、導電層4をSIc I と直接接触させたい場合
には、絶縁膜3を3Aの厚さだけエツチングして除去す
れば、SiCIの表面を露出し、絶縁膜形成材料2上に
は十分な厚さの絶縁膜3Bを残すことができるので、そ
の後導電層4を形成すればよい。
には、絶縁膜3を3Aの厚さだけエツチングして除去す
れば、SiCIの表面を露出し、絶縁膜形成材料2上に
は十分な厚さの絶縁膜3Bを残すことができるので、そ
の後導電層4を形成すればよい。
[実施例]
電
S:iCをn層とするMOSFETを作製した実施例を
説明よる部分断面図である。
説明よる部分断面図である。
まずS i 7Ji板10上に、例えばSiH4とC3
HBを用いた化学気相成長法によって、Si0層20を
0.5仄m程度の厚さを成長させる。次にSiC層上に
フォトレジストによるマスクを設け、フロンおよび酸素
によるプラズマエツチングを行って必要な形状および個
数のSiCの島を残してSiC層を除去する。図に1上
便宜に1個の島のみを示す0次に水蒸気雰囲気中で11
50℃約30分加熱し、熱酸化を行う。この酸化によっ
て形成されるS i07膜11の厚さは5iC201−
では約0.05用層であるが、Si IQにではその約
10倍の0.55μ朧に達する0表面の5i07層をS
iC20の表面が露出するまで5例えば(NH4F +
HF)液を、用いてエツチングし除去する(第2図(A
))。
HBを用いた化学気相成長法によって、Si0層20を
0.5仄m程度の厚さを成長させる。次にSiC層上に
フォトレジストによるマスクを設け、フロンおよび酸素
によるプラズマエツチングを行って必要な形状および個
数のSiCの島を残してSiC層を除去する。図に1上
便宜に1個の島のみを示す0次に水蒸気雰囲気中で11
50℃約30分加熱し、熱酸化を行う。この酸化によっ
て形成されるS i07膜11の厚さは5iC201−
では約0.05用層であるが、Si IQにではその約
10倍の0.55μ朧に達する0表面の5i07層をS
iC20の表面が露出するまで5例えば(NH4F +
HF)液を、用いてエツチングし除去する(第2図(A
))。
露出された5iCj:およびSi基板にの5i02の−
にに、例えばSiH4の熱分解による化学気相成長法文
を添加しておく。
にに、例えばSiH4の熱分解による化学気相成長法文
を添加しておく。
次に多結晶S1層30をソースおよびド1/イン電極と
して用いるため、多結晶Si 30のゲート電極に相当
する部分その他不要部分を除去する(第2図(C) )
、多結晶Siの除去は、腐食剤として例えば(HF
−)INO:、)液を用い、フォトエツチングを行えば
よい。
して用いるため、多結晶Si 30のゲート電極に相当
する部分その他不要部分を除去する(第2図(C) )
、多結晶Siの除去は、腐食剤として例えば(HF
−)INO:、)液を用い、フォトエツチングを行えば
よい。
多結晶Si 30の不要部分を除いた後に、例えば11
50℃で約8時間乾燥雰囲気中で熱酸化を行い、S i
02膜31を形成する(第2図(D))。形成されたS
i02膜31の厚さは多結晶Si 30の上では約0
.5 grn 、 SiC20の上では約400人で
ある。
50℃で約8時間乾燥雰囲気中で熱酸化を行い、S i
02膜31を形成する(第2図(D))。形成されたS
i02膜31の厚さは多結晶Si 30の上では約0
.5 grn 、 SiC20の上では約400人で
ある。
先に多結晶Si 30中に添加しておいた不純物はこの
熱酸化中にSiC中に拡散してソースおよびドレれる。
熱酸化中にSiC中に拡散してソースおよびドレれる。
」1
多結晶Si 30 、30の上部の5i02膜31に、
CF4を用いたプラズマエツチングあるいは(NHa
F +HF)液を用いた湿式エツチングなどによってコ
ンタクトホールを形成し、電極(配線)金属として例え
ばlを0.7 ル0の厚さに蒸着する。腐食液として例
えばH3PO4−HNO3系溶液を用い、フォトエツチ
ングによって1蒸着膜を必要な形状に加工してソース電
極41(43)、ドレイン電極43(41)、ゲート電
極42として、PチャネルMO9FETが完成する(第
2図(E))。
CF4を用いたプラズマエツチングあるいは(NHa
F +HF)液を用いた湿式エツチングなどによってコ
ンタクトホールを形成し、電極(配線)金属として例え
ばlを0.7 ル0の厚さに蒸着する。腐食液として例
えばH3PO4−HNO3系溶液を用い、フォトエツチ
ングによって1蒸着膜を必要な形状に加工してソース電
極41(43)、ドレイン電極43(41)、ゲート電
極42として、PチャネルMO9FETが完成する(第
2図(E))。
一方、5i0211莫31を形成する工程(第2図(D
))において1000°C以下の低温で絶縁膜を形成し
た場合は、多結晶Si 30中に添加しておいた不純物
はSiC中へは殆んど拡散せず、むしろ多結晶Si 3
0はSiCとオーム性接触を示すので、上記一連の製造
工程によりnチャネルのMOSFETを形成することS
i基板IO上にSiC層を成長させその上に絶縁膜形成
可能材料として多結晶Si 30を設け、多結晶Si
30を加工し、酸化させて絶縁膜として510231を
形成するまでは実施例1の第2図CD)までと同様であ
るので詳しい説明を省略する。
))において1000°C以下の低温で絶縁膜を形成し
た場合は、多結晶Si 30中に添加しておいた不純物
はSiC中へは殆んど拡散せず、むしろ多結晶Si 3
0はSiCとオーム性接触を示すので、上記一連の製造
工程によりnチャネルのMOSFETを形成することS
i基板IO上にSiC層を成長させその上に絶縁膜形成
可能材料として多結晶Si 30を設け、多結晶Si
30を加工し、酸化させて絶縁膜として510231を
形成するまでは実施例1の第2図CD)までと同様であ
るので詳しい説明を省略する。
ただしこの場合SiC層20と領域50.51はオーム
性接触を有する必要がある。このためには多結晶Si
30中に添加する不純物をSi0層2oと同一導電型を
示すリンにするか、多結晶Si 3Qを耐着した後の熱
処理工程の温度を1000℃程度文はそれ以下として、
領域50.51を作らず多結晶Si 30とSi0層2
0どをオーム性接触とすればよい。
性接触を有する必要がある。このためには多結晶Si
30中に添加する不純物をSi0層2oと同一導電型を
示すリンにするか、多結晶Si 3Qを耐着した後の熱
処理工程の温度を1000℃程度文はそれ以下として、
領域50.51を作らず多結晶Si 30とSi0層2
0どをオーム性接触とすればよい。
絶縁膜5in231をSiC20の上の絶縁膜の厚さだ
次に導電層として例えば白金を0.7 ルm厚に蒸着し
て露出したSiC20と直接接触させ、必要な部、ニー 分を残して他の部分を例えば硝酸と塩酸の混酸による湿
式エツチングあるいは0F4−0.、を用いたプラズマ
エツチングなどによって除去し、ゲート電極61とする
(第3図(B))。
次に導電層として例えば白金を0.7 ルm厚に蒸着し
て露出したSiC20と直接接触させ、必要な部、ニー 分を残して他の部分を例えば硝酸と塩酸の混酸による湿
式エツチングあるいは0F4−0.、を用いたプラズマ
エツチングなどによって除去し、ゲート電極61とする
(第3図(B))。
次に実施例1と同様に5i0231にコンタクトホール
を設け、ソース(ドレイン)電極62.ドレイン(ソー
ス)電極63を設けて、SiC上のMESFETが完成
する(第3図(C:))。
を設け、ソース(ドレイン)電極62.ドレイン(ソー
ス)電極63を設けて、SiC上のMESFETが完成
する(第3図(C:))。
実施例1,2では絶縁膜として酸化膜を用いた例を説明
したが、必要に応じて窒化IIIJを用いることもでき
る。またSiC上に形成するデバイスは、上述の実施例
に示したものには限られない。
したが、必要に応じて窒化IIIJを用いることもでき
る。またSiC上に形成するデバイスは、上述の実施例
に示したものには限られない。
[発明の効果]
以上説明したように、 SiCと絶縁膜形成可能な一材
料とに同時に絶縁膜を形成し、両者の絶縁膜形−緩速度
の差を利用して、SiC上には薄い絶縁膜を、絶縁膜形
成可能材ネ」の上には厚い絶縁膜を効一 まるいわゆるセルファライン構成を実施することができ
る。
料とに同時に絶縁膜を形成し、両者の絶縁膜形−緩速度
の差を利用して、SiC上には薄い絶縁膜を、絶縁膜形
成可能材ネ」の上には厚い絶縁膜を効一 まるいわゆるセルファライン構成を実施することができ
る。
第1図(A)ないしくC)は本発明の詳細な説明する部
分断面図、 第2図(A)ないしくE)は本発明の詳細な説明する部
分断面図、 ffTJS図(A)ないしくC)は本発明の他の実施例
を説明する部分断面図である。 1・・・5iC1 2・・・絶縁j1り形成可能材料、 3・・・絶縁膜、 30・・・多結晶Si、 ’41・・・ソース(トレイン)電極、゛1パ 42・・・ゲート電極。 43・・・ドレイン(ソース) 電a。 51・・・ソース(ドレイン)、 52・・・ドレイン(ソース)、 61・・・ゲート電極。 62・・・ソース(ドレイン)電極、 63・・・ドレイン(ソース)電極。 第1図 第2図
分断面図、 第2図(A)ないしくE)は本発明の詳細な説明する部
分断面図、 ffTJS図(A)ないしくC)は本発明の他の実施例
を説明する部分断面図である。 1・・・5iC1 2・・・絶縁j1り形成可能材料、 3・・・絶縁膜、 30・・・多結晶Si、 ’41・・・ソース(トレイン)電極、゛1パ 42・・・ゲート電極。 43・・・ドレイン(ソース) 電a。 51・・・ソース(ドレイン)、 52・・・ドレイン(ソース)、 61・・・ゲート電極。 62・・・ソース(ドレイン)電極、 63・・・ドレイン(ソース)電極。 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁膜を形成可能な材料を炭化シリコン上に被着する工
程と、 前記被着した絶縁形成可能材料を所望の形状に加工し前
記炭化シリコンの表面の一部を露出させる工程と、 前記加工された絶縁膜形成可能材料の表面に絶縁膜を形
成する工程と、 前記露出された炭化シリコンの上部と前記絶縁膜形成可
能材料の表面に形成された絶縁膜上にまたがつて導電層
を形成する工程とを含むことを特徴とする炭化シリコン
デバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60222954A JP2615390B2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 炭化シリコン電界効果トランジスタの製造方法 |
US06/914,498 US4757028A (en) | 1985-10-07 | 1986-10-02 | Process for preparing a silicon carbide device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60222954A JP2615390B2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 炭化シリコン電界効果トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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