JP2012202786A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 半導体基板と、
   前記半導体基板の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第１積層膜と、
   前記第１積層膜層上に設けられ、発熱抵抗体を有する検出部と、
   前記半導体基板上に設けられ、前記発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、
   前記発熱抵抗体上および前記制御回路の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第２積層膜と、
   前記第２積層膜上に設けられる中間層と、
   前記中間層の上方に設けられ、前記制御回路と熱式センサの外部とを接続する電極と、
   前記中間層上、前記制御回路、および、前記電極の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第３積層膜と、を有し、
   前記中間層は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化チタン、窒化タングステン、またはチタンタングステンのいずれかからなることを特徴とする熱式センサ。
2. 請求項１において、
   前記中間層は、前記検出部の上方には設けられず、かつ、前記制御回路の上方に設けられることを特徴とする熱式センサ。
3. 請求項１において、
   前記中間層は、前記検出部の上方および前記制御回路の上方に設けられることを特徴とする熱式センサ。
4. 請求項１において、
   前記発熱抵抗体と前記制御回路とを接続する配線層をさらに有し、
   前記配線層と前記制御回路とは、前記発熱抵抗体と同層に設けられる金属層を介して導通することを特徴とする熱式センサ。
5. 請求項１において、
   前記発熱抵抗体と前記制御回路とを接続する配線層をさらに有し、
   前記電極は、前記配線層上に形成されることを特徴とする熱式センサ。
6. 請求項１において、
   前記中間層の膜厚は、２００ｎｍ以下であることを特徴とする熱式センサ。
7. 請求項６において、
   前記中間層の膜厚は、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする熱式センサ。
8. 半導体基板と、
   前記半導体基板の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第１積層膜と、
   前記第１積層膜上に設けられ、発熱抵抗体を有する検出部と、
   前記半導体基板上に設けられ、前記発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、
   前記発熱抵抗体上および前記制御回路の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第２積層膜と、
   前記第２積層膜上に設けられる中間層と、
   前記中間層の上方に設けられ、前記制御回路と熱式センサの外部とを接続する電極と、
   前記中間層上のうち前記検出部の上方を除いた領域に設けられ、複数の絶縁膜を含む第３積層膜と、を有することを特徴とする熱式センサ。
9. 請求項８において、
   前記中間層は、前記検出部の上方には設けられず、かつ、前記制御回路の上方に設けられることを特徴とする熱式センサ。
10. 請求項８において、
    前記中間層は、フッ素系ガスによるドライエッチングまたはフッ酸水溶液によるウエットエッチングにおける選択比が前記第３積層膜に含まれるどの絶縁膜よりも大きい材料からなることを特徴とする熱式センサ。
11. 発熱抵抗体を有する検出部と、前記発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、を具備する熱式センサの製造方法であって、
    （ａ）半導体基板の上方に、複数の絶縁膜を含む第１積層膜を形成する工程と、
    （ｂ）前記第１積層膜上に、前記発熱抵抗体を形成する工程と、
    （ｃ）前記半導体基板上に、前記制御回路を形成する工程と、
    （ｄ）前記発熱抵抗体上および前記制御回路の上方に、複数の絶縁膜を含む第２積層膜を形成する工程と、
    （ｅ）前記第２積層膜上に、中間層を形成する工程と、
    （ｈ）前記中間層上に、前記制御回路と前記熱式センサとを接続する電極を形成する工程と、
    （ｆ）前記中間層上および前記電極上に、複数の絶縁膜を含む第３積層膜を形成する工程と、
    （ｇ）前記第３積層膜のうち前記検出部の上方に位置する部分を、前記中間層をエッチストッパ層としてエッチングする工程と、
    を有することを特徴とする熱式センサの製造方法。
12. 請求項１１において、
    前記工程（ｅ）において、前記中間層を、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化チタン、窒化タングステン、チタンタングステンのいずれかで形成することを特徴とする熱式センサの製造方法。
13. 請求項１１において、
    （ｈ）前記工程（ｇ）の後に、前記中間層のうち前記検出部の上方に位置する部分をエッチングする工程を、さらに有することを特徴とする熱式センサの製造方法。
14. 請求項１１において、
    （ｉ）前記工程（ｆ）の前に、前記発熱抵抗体と前記制御回路とを接続する配線層を形成する工程を、さらに有し、
    前記工程（ｂ）において、前記配線層と前記制御回路とを接続する金属層を、さらに形成することを特徴とする熱式センサの製造方法。
15. 請求項１１において、
    （ｉ）前記工程（ｆ）の前に、前記発熱抵抗体と前記制御回路とを接続する配線層を形成する工程を、さらに有し、
    前記工程（ｇ）において、前記第３積層膜のうち前記配線層の上方に位置する部分を、さらにエッチングすることを特徴とする熱式センサの製造方法。