JP2012202786A - 熱式センサおよびその製造方法 - Google Patents
熱式センサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012202786A JP2012202786A JP2011066964A JP2011066964A JP2012202786A JP 2012202786 A JP2012202786 A JP 2012202786A JP 2011066964 A JP2011066964 A JP 2011066964A JP 2011066964 A JP2011066964 A JP 2011066964A JP 2012202786 A JP2012202786 A JP 2012202786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- control circuit
- laminated film
- heating resistor
- intermediate layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6845—Micromachined devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
- G01F1/69—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
- G01F1/692—Thin-film arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
【解決手段】 発熱抵抗体(24)上に複数の絶縁膜を含む積層膜(25―27)を設け、その上に中間層(29)を設け、その上に複数の絶縁膜を含む積層膜(30、32、33)を設ける。そして、中間層を窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化チタン、窒化タングステン、またはチタンタングステンのいずれかからなる層とする。係る構成により、中間層をエッチストッパ層として検出部の上部における積層膜(30、32、33)を除去可能になり、これらに起因する感度低下、残留応力の変化等の課題を解決する。
【選択図】 図13
Description
2 半導体基板
3 空気流量計測部
4 回路部
5 電極
6 ワイヤボンディング
7 外部端子
8 ダイヤフラム
9 樹脂モールド
10 半導体基板
11、13、14 酸化シリコン膜
12、15 窒化シリコン膜
16、 拡散層
17、 ゲート酸化膜
18、 ゲート電極
19、 拡散層
20、 酸化シリコン膜
21、 窒化シリコン膜
22、 酸化シリコン膜
23、 金属プラグ
24、 金属膜
25、27、32 酸化シリコン膜
26、 窒化シリコン膜
28、 第1の配線層
29 エッチストッパ層
30 酸化シリコン膜
31 第2の配線層
33 窒化シリコン膜
34 電極
35 開口部
36 有機保護膜
37 流量検出部
38 ダイヤフラム
39 エッチストッパ層
40 空気流量センサ
41 空気通路
42 副通路
43 支持体
44 連結部
45 空気流量計
46 吸気空気
47 溝
Claims (15)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第1積層膜と、
前記第1積層膜層上に設けられ、発熱抵抗体を有する検出部と、
前記半導体基板上に設けられ、前記発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、
前記発熱抵抗体上および前記制御回路の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第2積層膜と、
前記第2積層膜上に設けられる中間層と、
前記中間層上および前記制御回路の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第3積層膜と、を有し、
前記中間層は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化チタン、窒化タングステン、またはチタンタングステンのいずれかからなることを特徴とする熱式センサ。 - 請求項1において、
前記中間層は、前記検出部の上方には設けられず、かつ、前記制御回路の上方に設けられることを特徴とする熱式センサ。 - 請求項1において、
前記中間層は、前記検出部の上方および前記制御回路の上方に設けられることを特徴とする熱式センサ。 - 請求項1において、
前記発熱抵抗体と前記制御回路とを接続する配線層をさらに有し、
前記配線層と前記制御回路とは、前記発熱抵抗体と同層に設けられる金属層を介して導通することを特徴とする熱式センサ。 - 請求項1において、
前記発熱抵抗体と前記制御回路とを接続する配線層をさらに有し、
前記制御回路と前記熱式センサの外部とを接続する電極は、前記配線層上に形成されることを特徴とする熱式センサ。 - 請求項1において、
前記中間層の膜厚は、200nm以下であることを特徴とする熱式センサ。 - 請求項6において、
前記中間層の膜厚は、20nm以上100nm以下であることを特徴とする熱式センサ。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第1積層膜と、
前記第1積層膜上に設けられ、発熱抵抗体を有する検出部と、
前記半導体基板上に設けられ、前記発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、
前記発熱抵抗体上および前記制御回路の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第2積層膜と、
前記第2積層膜上に設けられる中間層と、
前記中間層上のうち前記検出部の上方を除いた領域に設けられ、複数の絶縁膜を含む第3積層膜と、を有することを特徴とする熱式センサ。 - 請求項8において、
前記中間層は、前記検出部の上方には設けられず、かつ、前記制御回路の上方に設けられることを特徴とする熱式センサ。 - 請求項8において、
前記中間層は、フッ素系ガスによるドライエッチングまたはフッ酸水溶液によるウエットエッチングにおける選択比が前記第3積層膜に含まれるどの絶縁膜よりも大きい材料からなることを特徴とする熱式センサ。 - 発熱抵抗体を有する検出部と、前記発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、を具備する熱式センサの製造方法であって、
(a)半導体基板の上方に、複数の絶縁膜を含む第1積層膜を形成する工程と、
(b)前記第1積層膜上に、前記発熱抵抗体を形成する工程と、
(c)前記半導体基板上に、前記制御回路を形成する工程と、
(d)前記発熱抵抗体上および前記制御回路の上方に、複数の絶縁膜を含む第2積層膜を形成する工程と、
(e)前記第2積層膜上に、中間層を形成する工程と、
(f)前記中間層上に、複数の絶縁膜を含む第3積層膜を形成する工程と、
(g)前記第3積層膜のうち前記検出部の上方に位置する部分を、前記中間層をエッチストッパ層としてエッチングする工程と、
を有することを特徴とする熱式センサの製造方法。 - 請求項11において、
前記工程(e)において、前記中間層を、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化チタン、窒化タングステン、チタンタングステンのいずれかで形成することを特徴とする熱式センサの製造方法。 - 請求項11において、
(h)前記工程(g)の後に、前記中間層のうち前記検出部の上方に位置する部分をエッチングする工程を、さらに有することを特徴とする熱式センサの製造方法。 - 請求項11において、
(i)前記工程(f)の前に、前記発熱抵抗体と前記制御回路とを接続する配線層を形成する工程を、さらに有し、
前記工程(b)において、前記配線層と前記制御回路とを接続する金属層を、さらに形成することを特徴とする熱式センサの製造方法。 - 請求項11において、
(i)前記工程(f)の前に、前記発熱抵抗体と前記制御回路とを接続する配線層を形成する工程を、さらに有し、
前記工程(g)において、前記第3積層膜のうち前記配線層の上方に位置する部分を、さらにエッチングすることを特徴とする熱式センサの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011066964A JP5526065B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 熱式センサおよびその製造方法 |
EP11010054.2A EP2503305B1 (en) | 2011-03-25 | 2011-12-21 | Thermal fluid flow sensor and method of manufacturing the same |
CN201110461924.8A CN102692255B (zh) | 2011-03-25 | 2011-12-31 | 热式传感器及其制造方法 |
US13/351,157 US8714008B2 (en) | 2011-03-25 | 2012-01-16 | Thermal fluid flow sensor and method of manufacturing the same |
US14/253,938 US9379302B2 (en) | 2011-03-25 | 2014-04-16 | Method of manufacturing the thermal fluid flow sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011066964A JP5526065B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 熱式センサおよびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012202786A true JP2012202786A (ja) | 2012-10-22 |
JP2012202786A5 JP2012202786A5 (ja) | 2013-12-12 |
JP5526065B2 JP5526065B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=45470181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011066964A Expired - Fee Related JP5526065B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 熱式センサおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8714008B2 (ja) |
EP (1) | EP2503305B1 (ja) |
JP (1) | JP5526065B2 (ja) |
CN (1) | CN102692255B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014097723A1 (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-26 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 物理量センサ |
WO2015011936A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2015-01-29 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量計 |
WO2015064213A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 空気流量測定装置 |
WO2015166770A1 (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量センサ |
WO2015182257A1 (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-03 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 流量センサおよびその製造方法 |
WO2016111096A1 (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体流量センサ |
US11268841B2 (en) | 2018-02-16 | 2022-03-08 | Hitachi Astemo, Ltd. | Semiconductor element and flow rate measurement device using same |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5114463B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2013-01-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 発熱抵抗式空気流量測定装置 |
US9103705B2 (en) * | 2012-02-27 | 2015-08-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Combined environmental parameter sensor |
JP5758851B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2015-08-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流量計 |
JP5675716B2 (ja) | 2012-06-29 | 2015-02-25 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量センサ |
JP5884769B2 (ja) * | 2013-05-09 | 2016-03-15 | 株式会社デンソー | 空気流量計測装置 |
CN103996716B (zh) * | 2014-04-25 | 2017-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法 |
US10031006B2 (en) * | 2014-07-30 | 2018-07-24 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Sensor including a printed circuit board with semiconductor parts having a first and second resin |
JP2016145764A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-12 | 株式会社東芝 | マイクロ分析パッケージ |
US9286991B1 (en) * | 2015-02-17 | 2016-03-15 | Darryl G. Walker | Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements |
JP2019027881A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | アズビル株式会社 | 測定装置 |
US10510637B2 (en) * | 2017-08-30 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Devices and methods for heat dissipation of semiconductor integrated circuits |
KR102501675B1 (ko) * | 2018-07-13 | 2023-02-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CN113207203A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-08-03 | 安徽精卓光显技术有限责任公司 | 一种无基材加热膜生产方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60142268A (ja) | 1983-12-27 | 1985-07-27 | 株式会社山武 | 流速センサ |
DE3444347A1 (de) * | 1984-12-05 | 1986-06-12 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Vorrichtung zur luftmengenmessung |
US4735086A (en) * | 1987-06-26 | 1988-04-05 | Ford Motor Company | Thick film mass airflow meter with minimal thermal radiation loss |
US5231878A (en) * | 1991-12-23 | 1993-08-03 | Ford Motor Company | Mass air flow sensor |
DE4418207C1 (de) * | 1994-05-25 | 1995-06-22 | Siemens Ag | Thermischer Sensor/Aktuator in Halbleitermaterial |
US5763775A (en) * | 1996-03-13 | 1998-06-09 | Ricoh Company, Ltd. | Flow sensor having first and second temperature detecting portions for accurate measuring of a flow rate and a manufacturing method thereof |
DE19952055A1 (de) * | 1999-10-28 | 2001-05-17 | Bosch Gmbh Robert | Massenflußsensor mit verbesserter Membranstabilität |
US7154372B2 (en) * | 2001-01-10 | 2006-12-26 | Sensirion Ag | Micromechanical flow sensor with tensile coating |
JP3698679B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2005-09-21 | 株式会社日立製作所 | ガス流量計及びその製造方法 |
US7765679B2 (en) * | 2004-03-11 | 2010-08-03 | Siargo, Inc. | Method of manufacturing a flow rate sensor |
JP4882732B2 (ja) | 2006-12-22 | 2012-02-22 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2008170382A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Hitachi Ltd | 熱式流体流量センサ及びその製造方法 |
JP5202007B2 (ja) | 2008-01-29 | 2013-06-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体流量センサ |
JP5276964B2 (ja) * | 2008-12-08 | 2013-08-28 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 |
JP2010281758A (ja) | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 熱式空気流量計 |
-
2011
- 2011-03-25 JP JP2011066964A patent/JP5526065B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-21 EP EP11010054.2A patent/EP2503305B1/en not_active Not-in-force
- 2011-12-31 CN CN201110461924.8A patent/CN102692255B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-16 US US13/351,157 patent/US8714008B2/en active Active
-
2014
- 2014-04-16 US US14/253,938 patent/US9379302B2/en active Active
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014119330A (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 物理量センサ |
WO2014097723A1 (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-26 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 物理量センサ |
US9851233B2 (en) | 2012-12-17 | 2017-12-26 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Physical quantity sensor |
EP3026402A1 (en) * | 2013-07-24 | 2016-06-01 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal air flowmeter |
WO2015011936A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2015-01-29 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量計 |
JP2015021953A (ja) * | 2013-07-24 | 2015-02-02 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量計 |
US9945706B2 (en) | 2013-07-24 | 2018-04-17 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal-type air flow meter |
EP3026402A4 (en) * | 2013-07-24 | 2017-04-05 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal air flowmeter |
WO2015064213A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 空気流量測定装置 |
JP2015210201A (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-24 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量センサ |
WO2015166770A1 (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量センサ |
JP2015224993A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 流量センサおよびその製造方法 |
WO2015182257A1 (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-03 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 流量センサおよびその製造方法 |
WO2016111096A1 (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体流量センサ |
JP2016128770A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体流量センサ |
US10393557B2 (en) | 2015-01-09 | 2019-08-27 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal fluid flow sensor |
US11268841B2 (en) | 2018-02-16 | 2022-03-08 | Hitachi Astemo, Ltd. | Semiconductor element and flow rate measurement device using same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5526065B2 (ja) | 2014-06-18 |
CN102692255A (zh) | 2012-09-26 |
US9379302B2 (en) | 2016-06-28 |
EP2503305A1 (en) | 2012-09-26 |
US20120240674A1 (en) | 2012-09-27 |
US20140227819A1 (en) | 2014-08-14 |
US8714008B2 (en) | 2014-05-06 |
CN102692255B (zh) | 2015-07-01 |
EP2503305B1 (en) | 2019-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5526065B2 (ja) | 熱式センサおよびその製造方法 | |
US8429964B2 (en) | Thermal fluid flow sensor having stacked insulating films above and below heater and temperature-measuring resistive elements | |
JP5406674B2 (ja) | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 | |
JP6018903B2 (ja) | 物理量センサ | |
JP5933480B2 (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
US10393557B2 (en) | Thermal fluid flow sensor | |
JP2017215224A (ja) | 半導体圧力センサ | |
US20100218613A1 (en) | Semiconductor device including a cavity | |
JP2009051005A (ja) | Mems・半導体複合回路の製造方法 | |
JP5753807B2 (ja) | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 | |
JP5145688B2 (ja) | Mems・半導体複合回路の製造方法 | |
JP6215773B2 (ja) | 流量センサおよびその製造方法 | |
JP4380196B2 (ja) | センサ装置 | |
JP6158156B2 (ja) | 熱式流体センサの製造方法 | |
JP4558421B2 (ja) | 半導体センサ | |
JP2017142175A (ja) | 圧力センサ及びその製造方法 | |
JP2008235749A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131025 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131025 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140318 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140414 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5526065 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |