JP2012146838A5 - - Google Patents
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- 基板面を有する炭化珪素基板を準備する工程と、
前記基板面の一部を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に接触するように前記基板面上にコンタクト電極を形成する工程とを備え、
前記コンタクト電極はＡｌ、ＴｉおよびＳｉ原子を含有し、前記コンタクト電極を形成する工程は、Ｓｉ原子およびＴｉ原子の一方と、Ａｌ原子とを含有する合金から作られた合金膜を形成する工程と、前記合金膜上にＳｉ原子およびＴｉ原子の他方の膜を形成する工程とを含み、さらに
前記炭化珪素基板と前記コンタクト電極とがオーミックに接続されるように前記コンタクト電極をアニールする工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記合金膜は、前記合金から作られたターゲットを用いたスパッタ法によって形成される、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記合金膜はＳｉ原子を含有する、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記合金膜はＴｉ原子を含有する、請求項３に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜は酸化珪素膜および窒化珪素膜の少なくともいずれかを含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程をさらに備える、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜は層間絶縁膜である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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