JPS6271271A - 炭化珪素半導体の電極構造 - Google Patents

炭化珪素半導体の電極構造

Info

Publication number
JPS6271271A
JPS6271271A JP60211661A JP21166185A JPS6271271A JP S6271271 A JPS6271271 A JP S6271271A JP 60211661 A JP60211661 A JP 60211661A JP 21166185 A JP21166185 A JP 21166185A JP S6271271 A JPS6271271 A JP S6271271A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode
depositing
single crystal
crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60211661A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0582991B2 (ja
Inventor
Masaki Furukawa
勝紀 古川
Akira Suzuki
彰 鈴木
Mitsuhiro Shigeta
光浩 繁田
Atsuko Uemoto
植本　敦子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP60211661A priority Critical patent/JPS6271271A/ja
Priority to DE19863632209 priority patent/DE3632209A1/de
Publication of JPS6271271A publication Critical patent/JPS6271271A/ja
Priority to US07/403,016 priority patent/US4990994A/en
Publication of JPH0582991B2 publication Critical patent/JPH0582991B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は炭化珪素半導体のオーム性電極構造に関するも
のである。
〈従来の技術〉 従来の炭化珪素ＤｉＣ）半導体に形成する電極としては
、ｎ型ＳｉＣではニッケル（Ｎｉ）、Ｐ型ＳｉＣではア
ルミニウム（Ａｔ）とシリコン（Ｓｉ）の共晶から成る
各材料を真空蒸着し、その蒸着膜を１１００℃前後の高
温で合金化することにより得られるものが用いられてい
た。ＳｉＣには多くの結晶構造が存在し、結晶構造によ
り２．２乃至３．３エレクトロンボルトの禁制帯幅を有
する。また、ＳｉＣは、熱的、化学的及び機械的に極め
て安定でワイドギャップ半導体としてはめずらしくｐ型
及びｎ型共安定に存在する材料である。従って、ＳｉＣ
単結晶に外部回路と電気的接続するための電極を形成し
た半導体素子は、高温動作素子、大電力用素子、耐放射
線素子、光電変換用素子その他種々の電子技術分野への
利用が期待される。
〈発明が解決しようとする問題点〉 ＳｉＣ半導体に上述の如く電極を形成する場合、電極膜
蒸着後に合金化を目的としたｌ】００℃前後の高温熱処
理を必要とするが、合金化の過程で電極金属の凝集が起
り、均一なオーム性電極を炸裂することが困難となる。
また電極金属の凝集によってこれと接するＳｉＣ単結晶
に応力がかかり、結晶歪や転位の増大等に起因する結晶
性の低下が現われる。従って、ＳｉＣ単結晶と電極との
間での電気的コンタクトが劣化するのみならず、大面積
素子の場合には電極がＳｉＣ半導体から剥離する等の障
害が生じ、半導体素子としての信頼性を維持することが
できなくなる。
く問題点を解決するための手段〉 本発明は上述の問題点に鑑み、ＳｉＣ単結晶と電極間の
オーミックコンタクトを確実に得ることのできる電極構
造を作製するために、チタン（Ｔｉ）蒸着膜またはＴｉ
　　と他の金属の多層蒸着膜をＳｉＣ単結晶に形成し、
蒸着膜形成後の高温熱処理を不要としたことを特徴とす
る。電極膜をこのようなＴｔ系薫蒸着膜すること（てよ
り電極膜の蒸着後高温熱処理を施すことなく緻密な膜質
を有しかつ密着力の強い金属電極が得られる。従って金
属凝集に起因する全ての問題点が解消されることとなり
信頼性のある半導体素子を作製することが可能となる。
〈実施例〉 第１図囚は本発明の１実施例の説明に供するＳｉＣ半導
体素子の模式構成図である。
ＳｉＣ単結晶１にｐ型及びｎ型不純物をドープして電界
効果素子等の半導体動作素子構造を形成する。次にこの
ＳｉＣ単結単結晶形極形成を必要とする面にＴｉを抵抗
加熱または電子ビーム蒸着する。
蒸着の際の真空度はＩ　０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ以下とする
。本実施例の電標はマスク蒸着法あるいは蒸着後のエツ
チングによりパターン成形されたＴｉ　　層２で構成て
れる。蒸着によって形成されたＴｉ　層２は下地のＳｉ
傳結晶Ｉと強固な密着性を示し、また膜質も非常に緻密
な状態になるという性質を有する。
従ってこの７１層２に直ちに配線して外部結線すること
ができオーミックコンタクトの電極構造が得られる。７
１層２の厚さは２００＾〜８００Ａ程度に薄く設定すれ
ば充分である。
第１図（Ｂ＞Ｉｉ本発明の他の実施例の説明に供するＳ
ｉＣ半導体素子の模式構成図である。
上記同様半導体動作素子構造の形成されたＳｉＣ単結晶
１の電極形成面にＴｉを抵抗加熱または電子ビーム蒸着
する。得られる７１層２の厚さは２００Ａ〜８０ＱＡ程
度とする。次に同様に抵抗加熱または電子ビーム蒸着法
によりＡｔを１１層２上に重畳形成する。得られる１４
層３の厚さは１０００λ〜３０００Ａ程度とする。蒸着
の際の真空度は上記同様に１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下に制御
する。
以上により７１層２と１４層３から放る２層構造の電極
がＳｉＣ単結単結晶形成される。本実施例の電極構造で
は、７１層２が下地のＳｉＣ単結単結晶形固に密着して
オーミックコンタクトを形成し、１４層３が外部配線に
対して接続の容易な■を提供するため、７１層２と１４
層３の２層電極はＳｉＣ単結単結晶形して安定なオーミ
ック電極となる。また厚い１４層３により電極構造部が
保護されるため、外部衝撃等に対しても信頼性が確保さ
　　７れる〇 第２図はＳｉＣ単結単結晶形裏両面に上述の実施例に示
す電極構造を付加し電流を流した場合の電流−電圧特性
を示す特性図である。電圧の増減に対して電流値は直線
的に変化しオーム性電極として有効に機能していること
がわかる。
尚、上記実施例において、１１層２上に重畳する金属は
Ａｔ以外にＮｉ、　Ｃｕその他高導電性の金属を用いる
ことができる。また７１層２とＡｔ層３間の一体化をよ
り強くするために相互拡散性を：ｓ、、？Ｓ４する第３
の金属を介在させ必要に応じて凝集の起らない低温での
熱処理を施すようにしても良い。
〈発明の効果〉 以上詳説した如く本発明によればＳｉＣ半導体用のオー
ム性電極が確実に得られるため、ＳｉＣ半導体素子の信
頼性が向上し各種電子装置への応用がより一層実用に近
いものとなる。また高温熱処理を必要としないため素子
の劣化か抑制され、製作が容易となる。
【図面の簡単な説明】 第１図（至）［Ｆ］）はそれぞれ本発明の詳細な説明に
供するＳｉＣ半導体素子の模式構成図である。 第２図は第１図に示す電極構造の電流−電圧特性図であ
る。 １・・・ＳｉＣ単結晶　２・・・チタン層　３用アルミ
ニウム層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、炭化珪素単結晶表面にチタン層あるいはチタン層と
    他の金属層を積層してオーム性電極としたことを特徴と
    する炭化珪素半導体の電極構造。
JP60211661A 1985-09-24 1985-09-24 炭化珪素半導体の電極構造 Granted JPS6271271A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60211661A JPS6271271A (ja) 1985-09-24 1985-09-24 炭化珪素半導体の電極構造
DE19863632209 DE3632209A1 (de) 1985-09-24 1986-09-23 Elektrodenstruktur fuer einen siliciumcarbid-einkristallhalbleiter
US07/403,016 US4990994A (en) 1985-09-24 1989-09-05 Electrode structure for silicon carbide semiconductors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60211661A JPS6271271A (ja) 1985-09-24 1985-09-24 炭化珪素半導体の電極構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6271271A true JPS6271271A (ja) 1987-04-01
JPH0582991B2 JPH0582991B2 (ja) 1993-11-24

Family

ID=16609495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60211661A Granted JPS6271271A (ja) 1985-09-24 1985-09-24 炭化珪素半導体の電極構造

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4990994A (ja)
JP (1) JPS6271271A (ja)
DE (1) DE3632209A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008099597A1 (ja) * 2007-02-14 2008-08-21 Panasonic Corporation 半導体装置及びその製造方法
WO2008114838A1 (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Osaka University Ｐ型４Ｈ-ＳｉＣ基板上のオーミック電極の形成方法
WO2009128419A1 (ja) * 2008-04-15 2009-10-22 住友電気工業株式会社 半導体装置
WO2010082264A1 (ja) * 2009-01-15 2010-07-22 昭和電工株式会社 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2546696B2 (ja) * 1987-12-17 1996-10-23 富士通株式会社 シリコン炭化層構造
US5270252A (en) * 1988-10-25 1993-12-14 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of forming platinum and platinum silicide schottky contacts on beta-silicon carbide
US5216264A (en) * 1989-06-07 1993-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Silicon carbide MOS type field-effect transistor with at least one of the source and drain regions is formed by the use of a schottky contact
JP2509713B2 (ja) * 1989-10-18 1996-06-26 シャープ株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US5008735A (en) * 1989-12-07 1991-04-16 General Instrument Corporation Packaged diode for high temperature operation
US5285109A (en) * 1990-05-24 1994-02-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Ohmic contact electrodes for n-type semiconductor cubic boron nitride
JPH04348035A (ja) * 1991-05-24 1992-12-03 Nippon Steel Corp 配線形成方法
JPH0529621A (ja) * 1991-07-19 1993-02-05 Rohm Co Ltd 炭化珪素薄膜回路素子とその製造方法
JP3086556B2 (ja) * 1993-02-09 2000-09-11 株式会社神戸製鋼所 半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法
KR0179677B1 (ko) * 1993-12-28 1999-04-15 사토 후미오 반도체장치 및 그 제조방법
JPH0897441A (ja) * 1994-09-26 1996-04-12 Fuji Electric Co Ltd 炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法
SE504916C2 (sv) * 1995-01-18 1997-05-26 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande för att åstadkomma en ohmsk kontakt jämte halvledarkomponent försedd med dylik ohmsk kontakt
JP3409958B2 (ja) * 1995-12-15 2003-05-26 株式会社東芝 半導体発光素子
SE9600199D0 (sv) * 1996-01-19 1996-01-19 Abb Research Ltd A semiconductor device with a low resistance ohmic contact between a metal layer and a SiC-layer
CN1131548C (zh) * 1997-04-04 2003-12-17 松下电器产业株式会社 半导体装置
DE19939107A1 (de) 1998-09-23 2000-03-30 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines ohmschen Kontakts
US7262434B2 (en) * 2002-03-28 2007-08-28 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device with a silicon carbide substrate and ohmic metal layer
FR2846788B1 (fr) * 2002-10-30 2005-06-17 Procede de fabrication de substrats demontables
US6815323B1 (en) 2003-01-10 2004-11-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Ohmic contacts on n-type silicon carbide using carbon films
US6747291B1 (en) 2003-01-10 2004-06-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Ohmic contacts on p-type silicon carbide using carbon films
DE102004012819B4 (de) * 2004-03-16 2006-02-23 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbauelement mit erhöhter Robustheit
US7812441B2 (en) 2004-10-21 2010-10-12 Siliconix Technology C.V. Schottky diode with improved surge capability
US7394158B2 (en) * 2004-10-21 2008-07-01 Siliconix Technology C.V. Solderable top metal for SiC device
US7834376B2 (en) * 2005-03-04 2010-11-16 Siliconix Technology C. V. Power semiconductor switch
US9419092B2 (en) * 2005-03-04 2016-08-16 Vishay-Siliconix Termination for SiC trench devices
US8901699B2 (en) 2005-05-11 2014-12-02 Cree, Inc. Silicon carbide junction barrier Schottky diodes with suppressed minority carrier injection
US8368165B2 (en) 2005-10-20 2013-02-05 Siliconix Technology C. V. Silicon carbide Schottky diode
JP2009545885A (ja) * 2006-07-31 2009-12-24 ヴィシェイ−シリコニックス ＳｉＣショットキーダイオード用モリブデンバリア金属および製造方法
JP5728954B2 (ja) * 2011-01-13 2015-06-03 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
US10367089B2 (en) 2011-03-28 2019-07-30 General Electric Company Semiconductor device and method for reduced bias threshold instability
CN102931224A (zh) * 2012-08-21 2013-02-13 中国科学院微电子研究所 用于P-SiC欧姆接触的界面过渡层复合结构及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4979462A (ja) * 1972-12-06 1974-07-31
JPS5057784A (ja) * 1973-09-15 1975-05-20
JPS50134785A (ja) * 1974-04-08 1975-10-25
JPS5380966A (en) * 1976-12-27 1978-07-17 Hitachi Ltd Manufacture of electrode fdr semiconductor device
JPS5864066A (ja) * 1981-10-14 1983-04-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 金属半導体接合電極構造体及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL107889C (ja) * 1958-08-26
CH512822A (de) * 1970-03-06 1971-09-15 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur Kontaktierung von Siliziumkarbid-Halbleitern
JPS55143042A (en) * 1979-04-25 1980-11-08 Hitachi Ltd Semiconductor device
DE3064598D1 (en) * 1979-11-05 1983-09-22 Hitachi Ltd Electrically insulating substrate and a method of making such a substrate
JPS5899172A (ja) * 1981-12-07 1983-06-13 株式会社日立製作所 電気絶縁基板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4979462A (ja) * 1972-12-06 1974-07-31
JPS5057784A (ja) * 1973-09-15 1975-05-20
JPS50134785A (ja) * 1974-04-08 1975-10-25
JPS5380966A (en) * 1976-12-27 1978-07-17 Hitachi Ltd Manufacture of electrode fdr semiconductor device
JPS5864066A (ja) * 1981-10-14 1983-04-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 金属半導体接合電極構造体及びその製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008099597A1 (ja) * 2007-02-14 2008-08-21 Panasonic Corporation 半導体装置及びその製造方法
US8076736B2 (en) 2007-02-14 2011-12-13 Panasonic Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
JPWO2008099597A1 (ja) * 2007-02-14 2010-05-27 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8008180B2 (en) 2007-03-13 2011-08-30 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method of forming an OHMIC contact on a P-type 4H-SIC substrate
WO2008114838A1 (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Osaka University Ｐ型４Ｈ-ＳｉＣ基板上のオーミック電極の形成方法
JP2008227174A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Osaka Univ Ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上のオーミック電極の形成方法
US8373176B2 (en) 2008-04-15 2013-02-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2009128382A1 (ja) * 2008-04-15 2009-10-22 住友電気工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2009128419A1 (ja) * 2008-04-15 2009-10-22 住友電気工業株式会社 半導体装置
US8395163B2 (en) 2008-04-15 2013-03-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor device
KR101442886B1 (ko) * 2008-04-15 2014-09-19 스미토모덴키고교가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2010082264A1 (ja) * 2009-01-15 2010-07-22 昭和電工株式会社 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法
US8466474B2 (en) 2009-01-15 2013-06-18 Showa Denko K.K. Silicon carbide semiconductor device and method of producing silicon carbide semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0582991B2 (ja) 1993-11-24
DE3632209C2 (ja) 1993-05-27
DE3632209A1 (de) 1987-04-02
US4990994A (en) 1991-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6271271A (ja) 炭化珪素半導体の電極構造
JP2509713B2 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP3930561B2 (ja) オーム接触体およびこのようなオーム接触体を備えた半導体デバイスを製造する方法
JPH0897441A (ja) 炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法
JP3079851B2 (ja) 炭化けい素電子デバイスの製造方法
JPH0864800A (ja) 炭化珪素半導体素子
JP2000101064A (ja) 電極、ＳｉＣの電極及びＳｉＣデバイス
EP0419361B2 (en) Method for forming an electrode for electrical connection to oxide superconductor
US4543442A (en) GaAs Schottky barrier photo-responsive device and method of fabrication
JP3275616B2 (ja) 炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法
JP2000299479A (ja) ショットキーダイオードおよびその製造方法
JPH0883932A (ja) 限流素子
JP2708798B2 (ja) 炭化ケイ素の電極形成方法
JPH08316498A (ja) ダイヤモンド半導体整流素子
JPH0637301A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2691065B2 (ja) 超電導素子および作製方法
JP2950958B2 (ja) 超電導素子の製造方法
JPS6298769A (ja) 半導体素子
JPH03148183A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0677467A (ja) ショットキバリア半導体装置
JPS5972130A (ja) 半導体への金属電極付着法
JPH10126003A (ja) Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体素子用電極及びその形成方法
JPS5994480A (ja) 超電導デバイス
JPS62296428A (ja) シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法
JPH0561787B2 (ja)