JPH04348035A - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法Info
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- JPH04348035A JPH04348035A JP3149433A JP14943391A JPH04348035A JP H04348035 A JPH04348035 A JP H04348035A JP 3149433 A JP3149433 A JP 3149433A JP 14943391 A JP14943391 A JP 14943391A JP H04348035 A JPH04348035 A JP H04348035A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置において素
子または回路の端子同士を電気的に接続するための配線
形成方法に関するものである。
子または回路の端子同士を電気的に接続するための配線
形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の配線膜としては、抵抗率が
低く、Ｓｉに対してオーミックコンタクト形成が容易で
あり、ＳｉＯ２ 膜等の絶縁膜に対する密着性がよい等
の理由から、Ａｌ膜やＣｕ膜が一般的に使用されている
。
低く、Ｓｉに対してオーミックコンタクト形成が容易で
あり、ＳｉＯ２ 膜等の絶縁膜に対する密着性がよい等
の理由から、Ａｌ膜やＣｕ膜が一般的に使用されている
。
【０００３】一方、配線膜を配線のパターンに加工する
に際しては、特に、微細なパターンの形成には、アンダ
ーカットの少ないドライエッチング法を用いてエッチン
グする。そして、Ａｌ膜やＣｕ膜のドライエッチングに
は、反応ガスとして一般的にＨＣｌガスが用いられてい
る。
に際しては、特に、微細なパターンの形成には、アンダ
ーカットの少ないドライエッチング法を用いてエッチン
グする。そして、Ａｌ膜やＣｕ膜のドライエッチングに
は、反応ガスとして一般的にＨＣｌガスが用いられてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このＨＣｌ
ガスを用いてＡｌ膜やＣｕ膜をドライエッチングすると
、揮発しにくいＡｌＣｌ３ やＣｕＣｌ２ 等の塩化物
がドライエッチング後に残り易い。この結果、これらの
塩化物が水分と反応して塩酸が生成され、この塩酸のた
めに配線膜が短時間で腐食してしまう。従って、上述の
様な従来の方法では、信頼性の高い配線を形成すること
ができなかった。
ガスを用いてＡｌ膜やＣｕ膜をドライエッチングすると
、揮発しにくいＡｌＣｌ３ やＣｕＣｌ２ 等の塩化物
がドライエッチング後に残り易い。この結果、これらの
塩化物が水分と反応して塩酸が生成され、この塩酸のた
めに配線膜が短時間で腐食してしまう。従って、上述の
様な従来の方法では、信頼性の高い配線を形成すること
ができなかった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による配線形成方
法は、非塩素系のエッチング液またはエッチングガスを
用いて金属膜を配線のパターンに加工し、この加工した
金属膜の表面にアルミニウム膜または銅膜を選択成長さ
せている。
法は、非塩素系のエッチング液またはエッチングガスを
用いて金属膜を配線のパターンに加工し、この加工した
金属膜の表面にアルミニウム膜または銅膜を選択成長さ
せている。
【０００６】
【作用】本発明による配線形成方法では、配線のパター
ンのアルミニウム膜または銅膜を形成するに際して、塩
素系のエッチングガスを用いていない。従って、配線の
形成後に配線材料の塩化物が残らない。
ンのアルミニウム膜または銅膜を形成するに際して、塩
素系のエッチングガスを用いていない。従って、配線の
形成後に配線材料の塩化物が残らない。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を、図１を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
【０００８】まず、図１（ａ）に示す様に、フィールド
酸化膜や層間絶縁膜等であるＳｉＯ２ 膜１の全面に、
スパッタリングや蒸着等によって、膜厚が２０００Å程
度のＣｒ膜２を形成する。
酸化膜や層間絶縁膜等であるＳｉＯ２ 膜１の全面に、
スパッタリングや蒸着等によって、膜厚が２０００Å程
度のＣｒ膜２を形成する。
【０００９】次に、Ｃｒ膜２上にフォトレジスト（図示
せず）を塗布し、フォトリソグラフィによって、形成し
ようとする配線のパターンにフォトレジストをパターニ
ングする。そして、このフォトレジストをマスクにして
、フッ酸を用いたウェットエッチングをＣｒ膜２に対し
て施す。
せず）を塗布し、フォトリソグラフィによって、形成し
ようとする配線のパターンにフォトレジストをパターニ
ングする。そして、このフォトレジストをマスクにして
、フッ酸を用いたウェットエッチングをＣｒ膜２に対し
て施す。
【００１０】この結果、図１（ｂ）に示す様に、Ｃｒ膜
２が配線のパターンに加工される。その後、Ｏ２ プラ
ズマによる灰化等によって、ウェットエッチングのマス
クにした上述のフォトレジストを除去する。
２が配線のパターンに加工される。その後、Ｏ２ プラ
ズマによる灰化等によって、ウェットエッチングのマス
クにした上述のフォトレジストを除去する。
【００１１】次に、基板温度を３５０℃程度にし、且つ
全圧力を２０００Ｐａ程度にした状態で、例えばＣｕ（
ｈｆａ）２ を原料ガスとするＣＶＤを行う。すると、
図１（ｃ）に示す様に、Ｃｕ膜３が、Ｃｒ膜２の表面に
のみ選択的に成長し、ＳｉＯ２ 膜１上には成長しない
。 この結果、Ｃｒ膜２と同じパターンつまり配線のパター
ンのＣｕ膜３が形成される。
全圧力を２０００Ｐａ程度にした状態で、例えばＣｕ（
ｈｆａ）２ を原料ガスとするＣＶＤを行う。すると、
図１（ｃ）に示す様に、Ｃｕ膜３が、Ｃｒ膜２の表面に
のみ選択的に成長し、ＳｉＯ２ 膜１上には成長しない
。 この結果、Ｃｒ膜２と同じパターンつまり配線のパター
ンのＣｕ膜３が形成される。
【００１２】以上の様に本実施例では、Ｃｒ膜２のパタ
ーニングにもＣｕ膜３の形成にも、ＨＣｌガス等の塩素
系のガスを用いていない。従って、配線の形成後にＣｕ
やＣｒの塩化物が残らず、これらの塩化物が水分と反応
して生成される塩酸のためにＣｕ膜３やＣｒ膜２が腐食
するということがない。
ーニングにもＣｕ膜３の形成にも、ＨＣｌガス等の塩素
系のガスを用いていない。従って、配線の形成後にＣｕ
やＣｒの塩化物が残らず、これらの塩化物が水分と反応
して生成される塩酸のためにＣｕ膜３やＣｒ膜２が腐食
するということがない。
【００１３】なお、Ｃｒ膜２の膜厚は、２０００Å程度
であり、配線膜全体の膜厚つまりＣｕ膜３とＣｒ膜２と
の合計の膜厚である９０００Å程度よりも遙に薄い。従
って、本実施例ではＣｒ膜２をウエットエッチングによ
ってパターニングしているが、このＣｒ膜２のアンダー
カットは少ない。
であり、配線膜全体の膜厚つまりＣｕ膜３とＣｒ膜２と
の合計の膜厚である９０００Å程度よりも遙に薄い。従
って、本実施例ではＣｒ膜２をウエットエッチングによ
ってパターニングしているが、このＣｒ膜２のアンダー
カットは少ない。
【００１４】また、本実施例ではＣｒ膜２をフッ酸を用
いたウエットエッチングによってパターニングしたが、
Ｃｒ膜２のパターニングは例えばフッ素系ガス（ＣＦ４
ガスなど）を用いたドライエッチングによって行うこ
ともできる。また、本実施例ではＣｒ膜２の表面にＣｕ
膜３を成長させたが、Ｃｕ膜３の代わりにＡｌ膜を成長
させてもよい。さらに、Ｃｒ膜２以外でもＣｕ膜３やＡ
ｌ膜の選択成長が可能な金属膜であればよく、例えばＷ
膜やＴｉ膜やＭｏ膜等をＣｒ膜２の代わりに用いること
もできる。
いたウエットエッチングによってパターニングしたが、
Ｃｒ膜２のパターニングは例えばフッ素系ガス（ＣＦ４
ガスなど）を用いたドライエッチングによって行うこ
ともできる。また、本実施例ではＣｒ膜２の表面にＣｕ
膜３を成長させたが、Ｃｕ膜３の代わりにＡｌ膜を成長
させてもよい。さらに、Ｃｒ膜２以外でもＣｕ膜３やＡ
ｌ膜の選択成長が可能な金属膜であればよく、例えばＷ
膜やＴｉ膜やＭｏ膜等をＣｒ膜２の代わりに用いること
もできる。
【００１５】
【発明の効果】本発明による配線形成方法では、配線の
形成後に配線材料の塩化物が残らない。従って、塩化物
と水分とが反応して生成される塩酸のために配線が腐食
するということがなく、信頼性の高い配線を形成するこ
とができる。
形成後に配線材料の塩化物が残らない。従って、塩化物
と水分とが反応して生成される塩酸のために配線が腐食
するということがなく、信頼性の高い配線を形成するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例を順次に示す側断面図である
。
。
１ ＳｉＯ２ 膜
２ Ｃｒ膜
３ Ｃｕ膜
Claims (1)
- 【請求項１】 非塩素系のエッチング液またはエッチ
ングガスを用いて金属膜を配線のパターンに加工し、こ
の加工した金属膜の表面にアルミニウム膜または銅膜を
選択成長させることを特徴とする配線形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149433A JPH04348035A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 配線形成方法 |
| US08/497,396 US5580824A (en) | 1991-05-24 | 1995-06-30 | Method for fabrication of interconnections in semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149433A JPH04348035A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348035A true JPH04348035A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=15475009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3149433A Withdrawn JPH04348035A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 配線形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5580824A (ja) |
| JP (1) | JPH04348035A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004134788A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3562588B2 (ja) * | 1993-02-15 | 2004-09-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| US6997985B1 (en) | 1993-02-15 | 2006-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same |
| US6406997B1 (en) * | 1999-06-09 | 2002-06-18 | Klaus Schroder | Chromium films and chromium film overlayers |
| EP1904209B1 (en) * | 2005-07-20 | 2011-06-22 | 3M Innovative Properties Company | Fluid filtration system |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3368124A (en) * | 1965-12-09 | 1968-02-06 | Rca Corp | Semiconductor devices |
| JPS59220966A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US4541169A (en) * | 1984-10-29 | 1985-09-17 | International Business Machines Corporation | Method for making studs for interconnecting metallization layers at different levels in a semiconductor chip |
| US4843453A (en) * | 1985-05-10 | 1989-06-27 | Texas Instruments Incorporated | Metal contacts and interconnections for VLSI devices |
| JPS6271271A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Sharp Corp | 炭化珪素半導体の電極構造 |
| GB2195663B (en) * | 1986-08-15 | 1990-08-22 | Nippon Telegraph & Telephone | Chemical vapour deposition method and apparatus therefor |
| JPS6373660A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US5019531A (en) * | 1988-05-23 | 1991-05-28 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Process for selectively growing thin metallic film of copper or gold |
| JPH01302842A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Nec Corp | 多層配線構造の半導体装置 |
| US4810332A (en) * | 1988-07-21 | 1989-03-07 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making an electrical multilayer copper interconnect |
| US5070029A (en) * | 1989-10-30 | 1991-12-03 | Motorola, Inc. | Semiconductor process using selective deposition |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3149433A patent/JPH04348035A/ja not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-06-30 US US08/497,396 patent/US5580824A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004134788A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5580824A (en) | 1996-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |