JPH05144948A - 化学的気相成長法における前処理方法 - Google Patents
化学的気相成長法における前処理方法Info
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- JPH05144948A JPH05144948A JP33290791A JP33290791A JPH05144948A JP H05144948 A JPH05144948 A JP H05144948A JP 33290791 A JP33290791 A JP 33290791A JP 33290791 A JP33290791 A JP 33290791A JP H05144948 A JPH05144948 A JP H05144948A
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- insulating layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＣＶＤ法にてアルミニウム配線上に接続孔を形
成する場合に、アルミニウム配線の表面に生成したＡｌ
Ｆ3やＡｌ2Ｏ3等の反応生成物や不純物を確実に除去し
得る、ＣＶＤ法における前処理方法を提供する。 【構成】本発明は、アルミニウム配線上に層間絶縁層を
形成し、該層間絶縁層に開口部を設けた後、化学的気相
成長工程において開口部に配線材料を形成する化学的気
相成長法における前処理方法であり、（イ）化学的気相
成長工程より以前に、アッシング処理及び水洗処理を含
む、アルミニウム配線のエッチング処理を行い、（ロ）
化学的気相成長工程の最初の段階において、アルミニウ
ム配線を再度エッチングすることを特徴とする。
成する場合に、アルミニウム配線の表面に生成したＡｌ
Ｆ3やＡｌ2Ｏ3等の反応生成物や不純物を確実に除去し
得る、ＣＶＤ法における前処理方法を提供する。 【構成】本発明は、アルミニウム配線上に層間絶縁層を
形成し、該層間絶縁層に開口部を設けた後、化学的気相
成長工程において開口部に配線材料を形成する化学的気
相成長法における前処理方法であり、（イ）化学的気相
成長工程より以前に、アッシング処理及び水洗処理を含
む、アルミニウム配線のエッチング処理を行い、（ロ）
化学的気相成長工程の最初の段階において、アルミニウ
ム配線を再度エッチングすることを特徴とする。
Description
【０００１】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、
更に詳しくは、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）における
前処理方法に関する。
更に詳しくは、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）における
前処理方法に関する。
【０００２】半導体装置においては、下層のアルミニウ
ム配線と上層の配線を電気的及び機械的に接続するため
に、微細なコンタクトホールあるいはビアホール（以
下、単に接続孔ともいう）が形成される。接続孔は、下
層のアルミニウム配線上に形成された層間絶縁層に開口
部を設け、かかる開口部に配線材料を埋め込むことによ
って形成される。
ム配線と上層の配線を電気的及び機械的に接続するため
に、微細なコンタクトホールあるいはビアホール（以
下、単に接続孔ともいう）が形成される。接続孔は、下
層のアルミニウム配線上に形成された層間絶縁層に開口
部を設け、かかる開口部に配線材料を埋め込むことによ
って形成される。
【０００３】微細な開口部を埋め込む技術として、高融
点金属ＣＶＤ法が注目されている。高融点金属ＣＶＤ法
は、従来の高融点金属スパッタ法と比較して、優れたス
テップカバレッジ及び埋め込み能力を有する。例えば、
タングステンＣＶＤ法では、ＷＦ6ガス／ＳｉＨ4ガス及
びＨ2ガスが使用される。そして、ＳｉＨ4ガス及びＨ2
ガスによりＷＦ6が還元されることによって生成するタ
ングステンを開口部の内部に堆積させ、これによって接
続孔を形成する。
点金属ＣＶＤ法が注目されている。高融点金属ＣＶＤ法
は、従来の高融点金属スパッタ法と比較して、優れたス
テップカバレッジ及び埋め込み能力を有する。例えば、
タングステンＣＶＤ法では、ＷＦ6ガス／ＳｉＨ4ガス及
びＨ2ガスが使用される。そして、ＳｉＨ4ガス及びＨ2
ガスによりＷＦ6が還元されることによって生成するタ
ングステンを開口部の内部に堆積させ、これによって接
続孔を形成する。
【０００４】高融点金属ＣＶＤ法には、ブランケットＣ
ＶＤ法及び選択ＣＶＤ法がある。高融点金属ブランケッ
トＣＶＤ法では、アルミニウム配線上に層間絶縁層を形
成し、かかる層間絶縁層に開口部を設ける。そして、層
間絶縁層の表面及び開口部の内部にＣＶＤ法にて高融点
金属を堆積させた後、エッチバックによって開口部の内
部にのみ高融点金属を残す。これによって開口部の内部
に高融点金属から成るメタルプラグが形成された接続孔
を形成する。高融点金属選択ＣＶＤ法は、高融点金属が
絶縁膜表面では成長し難いことを応用し、ＣＶＤ法にて
選択的に開口部の内部にのみ高融点金属を成長させ、こ
れによって開口部の内部に高融点金属から成るメタルプ
ラグが形成された接続孔を完成させる方法である。
ＶＤ法及び選択ＣＶＤ法がある。高融点金属ブランケッ
トＣＶＤ法では、アルミニウム配線上に層間絶縁層を形
成し、かかる層間絶縁層に開口部を設ける。そして、層
間絶縁層の表面及び開口部の内部にＣＶＤ法にて高融点
金属を堆積させた後、エッチバックによって開口部の内
部にのみ高融点金属を残す。これによって開口部の内部
に高融点金属から成るメタルプラグが形成された接続孔
を形成する。高融点金属選択ＣＶＤ法は、高融点金属が
絶縁膜表面では成長し難いことを応用し、ＣＶＤ法にて
選択的に開口部の内部にのみ高融点金属を成長させ、こ
れによって開口部の内部に高融点金属から成るメタルプ
ラグが形成された接続孔を完成させる方法である。
【０００５】選択ＣＶＤ法は、原理的には接続孔のアス
ペクト比に関係なく、接続孔あるいは半導体基板表面に
形成されたトレンチを高融点金属にて埋め込むことがで
き、プロセス的にはブレークスルーの大きな技術であ
り、次世代以降の０．３５ミクロンルールのＵＬＳＩプ
ロセスへの適用が期待されている。
ペクト比に関係なく、接続孔あるいは半導体基板表面に
形成されたトレンチを高融点金属にて埋め込むことがで
き、プロセス的にはブレークスルーの大きな技術であ
り、次世代以降の０．３５ミクロンルールのＵＬＳＩプ
ロセスへの適用が期待されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】例えばタングステンを
高融点金属として用いたＣＶＤ法にてアルミニウム配線
上に接続孔を形成する場合、アルミニウム配線の表面と
タングステンとの界面にＡｌＦ3やＡｌ2Ｏ3が残留し、
その結果、コンタクト抵抗が増加したり、コンタクト抵
抗がばらつくといった問題が生じる。通常、層間絶縁層
に開口部を設けるために、リアクティブ・イオン・エッ
チング（ＲＩＥ）によって層間絶縁層をエッチングす
る。このＲＩＥにおいてはフッ素（Ｆ）イオンが使用さ
れるので、配線のアルミニウムとＦイオンが反応してＡ
ｌＦ3が生成する。また、ＲＩＥで開口部を形成した
後、レジストを除去するために酸素プラズマ処理が必要
とされる。酸素プラズマ処理によってＡｌ2Ｏ3が生成す
る。
高融点金属として用いたＣＶＤ法にてアルミニウム配線
上に接続孔を形成する場合、アルミニウム配線の表面と
タングステンとの界面にＡｌＦ3やＡｌ2Ｏ3が残留し、
その結果、コンタクト抵抗が増加したり、コンタクト抵
抗がばらつくといった問題が生じる。通常、層間絶縁層
に開口部を設けるために、リアクティブ・イオン・エッ
チング（ＲＩＥ）によって層間絶縁層をエッチングす
る。このＲＩＥにおいてはフッ素（Ｆ）イオンが使用さ
れるので、配線のアルミニウムとＦイオンが反応してＡ
ｌＦ3が生成する。また、ＲＩＥで開口部を形成した
後、レジストを除去するために酸素プラズマ処理が必要
とされる。酸素プラズマ処理によってＡｌ2Ｏ3が生成す
る。
【０００７】ＡｌＦ3あるいはＡｌ2Ｏ3が生成するとい
う問題を解決するためには、アルミニウム配線の露出部
分をエッチングしてこれらを除去すればよい。ＡｌＦ3
あるいはＡｌ2Ｏ3をエッチングするためには、塩素（Ｃ
ｌ）を含むガス系でＲＩＥを行うことが望ましい（１９
９０年秋応用物理学会予稿集、pp. 596、２７ｐ−Ｅ−
１３ 「Ｗ選択ＣＶＤによるＡｌ上のスルーホールへの
埋め込み」参照）。しかし、塩素を含むＲＩＥを行うだ
けでは、塩素によってアルミニウム配線にアフターコロ
ージョンが発生するという問題がある。
う問題を解決するためには、アルミニウム配線の露出部
分をエッチングしてこれらを除去すればよい。ＡｌＦ3
あるいはＡｌ2Ｏ3をエッチングするためには、塩素（Ｃ
ｌ）を含むガス系でＲＩＥを行うことが望ましい（１９
９０年秋応用物理学会予稿集、pp. 596、２７ｐ−Ｅ−
１３ 「Ｗ選択ＣＶＤによるＡｌ上のスルーホールへの
埋め込み」参照）。しかし、塩素を含むＲＩＥを行うだ
けでは、塩素によってアルミニウム配線にアフターコロ
ージョンが発生するという問題がある。
【０００８】また、ＣＶＤの最初の工程で、プラズマモ
ードにてＡｌＦ3をエッチングすることは可能だが、Ａ
ｌ2Ｏ3はエッチングされずに残存するという問題があ
る。
ードにてＡｌＦ3をエッチングすることは可能だが、Ａ
ｌ2Ｏ3はエッチングされずに残存するという問題があ
る。
【０００９】従って、本発明の目的は、ＣＶＤ法にてア
ルミニウム配線上に接続孔を形成する場合に、アルミニ
ウム配線の表面に生成したＡｌＦ3やＡｌ2Ｏ3等の反応
生成物や不純物を確実に除去し得る、ＣＶＤ法における
前処理方法を提供することにある。
ルミニウム配線上に接続孔を形成する場合に、アルミニ
ウム配線の表面に生成したＡｌＦ3やＡｌ2Ｏ3等の反応
生成物や不純物を確実に除去し得る、ＣＶＤ法における
前処理方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルミニウム
配線上に層間絶縁層を形成し、該層間絶縁層に開口部を
設けた後、化学的気相成長工程において開口部に配線材
料を形成する化学的気相成長法における前処理方法であ
る。そして、上記の目的を達成するために、本発明の前
処理方法は、（イ）化学的気相成長工程より以前に、ア
ッシング処理及び水洗処理を含む、アルミニウム配線の
エッチング処理を行い、（ロ）化学的気相成長工程の最
初の段階において、アルミニウム配線を再度エッチング
することを特徴とする。
配線上に層間絶縁層を形成し、該層間絶縁層に開口部を
設けた後、化学的気相成長工程において開口部に配線材
料を形成する化学的気相成長法における前処理方法であ
る。そして、上記の目的を達成するために、本発明の前
処理方法は、（イ）化学的気相成長工程より以前に、ア
ッシング処理及び水洗処理を含む、アルミニウム配線の
エッチング処理を行い、（ロ）化学的気相成長工程の最
初の段階において、アルミニウム配線を再度エッチング
することを特徴とする。
【００１１】本発明における化学的気相成長法（ＣＶＤ
法）には、ブランケットＣＶＤ法、選択ＣＶＤ法等の各
種ＣＶＤ法が含まれる。また、配線材料として、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｃｕ等の金属のみならず、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、
Ｃｏ、Ｎｉ等の高融点金属シリサイド、ポリシリコン等
が含まれる。層間絶縁層として、ＳｉＯ2、ＰＳＧ、Ｂ
ＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ等を用いることができる。アル
ミニウム配線を構成する材料としては、Ａｌ、Ａｌ−Ｓ
ｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｇｅ、Ａｌ−Ｇｅ−Ｓｉ
を例示することができる。
法）には、ブランケットＣＶＤ法、選択ＣＶＤ法等の各
種ＣＶＤ法が含まれる。また、配線材料として、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｃｕ等の金属のみならず、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、
Ｃｏ、Ｎｉ等の高融点金属シリサイド、ポリシリコン等
が含まれる。層間絶縁層として、ＳｉＯ2、ＰＳＧ、Ｂ
ＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ等を用いることができる。アル
ミニウム配線を構成する材料としては、Ａｌ、Ａｌ−Ｓ
ｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｇｅ、Ａｌ−Ｇｅ−Ｓｉ
を例示することができる。
【００１２】上記（イ）の工程におけるエッチング処理
は、塩素（Ｃｌ）を含むガス系でＲＩＥを行うことが望
ましい。また、アッシング処理は酸素プラズマエッチン
グにて行うことが好ましい。
は、塩素（Ｃｌ）を含むガス系でＲＩＥを行うことが望
ましい。また、アッシング処理は酸素プラズマエッチン
グにて行うことが好ましい。
【００１３】
【作用】ＲＩＥによって層間絶縁層に開口部を形成する
と、アルミニウム配線の表面にはＡｌＦ3やＡｌ2Ｏ3等
の反応生成物あるいは不純物が生成する。これらの生成
物は、例えば塩素を含むガス系のＲＩＥによるアルミニ
ウム配線のエッチング処理にて除去することができる。
このＲＩＥによって発生する虞れのあるアルミニウム配
線のアフターコロージョンは、アッシング処理及び水洗
処理を行うことによって防止することができる。これら
の処理によってアルミニウム配線の表面にはＡｌ2Ｏ3の
薄膜が形成されるが、アルミニウム配線の再度のエッチ
ング工程で除去される。このように、それぞれのエッチ
ング方法の長所を組み合わせることによって、アルミニ
ウム配線の表面から不純物を除去することができる。
と、アルミニウム配線の表面にはＡｌＦ3やＡｌ2Ｏ3等
の反応生成物あるいは不純物が生成する。これらの生成
物は、例えば塩素を含むガス系のＲＩＥによるアルミニ
ウム配線のエッチング処理にて除去することができる。
このＲＩＥによって発生する虞れのあるアルミニウム配
線のアフターコロージョンは、アッシング処理及び水洗
処理を行うことによって防止することができる。これら
の処理によってアルミニウム配線の表面にはＡｌ2Ｏ3の
薄膜が形成されるが、アルミニウム配線の再度のエッチ
ング工程で除去される。このように、それぞれのエッチ
ング方法の長所を組み合わせることによって、アルミニ
ウム配線の表面から不純物を除去することができる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して、配線材料としてタン
グステンを用いる選択タングステンＣＶＤ法に本発明の
前処理方法を適用する実施例に基づき、本発明を詳述す
る。
グステンを用いる選択タングステンＣＶＤ法に本発明の
前処理方法を適用する実施例に基づき、本発明を詳述す
る。
【００１５】先ず、半導体基板１０の表面に、５００ｎ
ｍ厚さのＳｉＯ2から成る絶縁層１２を形成し、次い
で、その上に５００ｎｍ厚さのＡｌＳｉから成る配線層
１４を形成する（図１の（Ａ）参照）。その後、配線層
１４を通常の方法にてパターニング及びエッチングし
て、アルミニウム配線１６を形成する（図１の（Ｂ）参
照）。次いで、その上に、５００ｎｍ厚さのＳｉＯ2か
ら成る層間絶縁層１８を形成する（図１の（Ｃ）参
照）。
ｍ厚さのＳｉＯ2から成る絶縁層１２を形成し、次い
で、その上に５００ｎｍ厚さのＡｌＳｉから成る配線層
１４を形成する（図１の（Ａ）参照）。その後、配線層
１４を通常の方法にてパターニング及びエッチングし
て、アルミニウム配線１６を形成する（図１の（Ｂ）参
照）。次いで、その上に、５００ｎｍ厚さのＳｉＯ2か
ら成る層間絶縁層１８を形成する（図１の（Ｃ）参
照）。
【００１６】この層間絶縁層１８の上に、フォトレジス
ト法にてパターニングされたレジスト２０を形成する
（図１の（Ｄ）参照）。次に、フッ素系のガスを使用し
たＲＩＥにて層間絶縁層１８をエッチングし、開口部２
２を形成する。その後、レジスト２０を酸素プラズマ処
理にて除去する（図２の（Ａ）参照）。この酸素プラズ
マ処理の条件は、例えば、ＲＦパワー２００Ｗ、温度２
００゜Ｃにて４０分間である。これらの処理の結果、先
に述べたように、開口部２２の底部に位置するアルミニ
ウム配線の表面には、ＡｌＦ3及びＡｌ2Ｏ3が生成す
る。図２の（Ａ）において、これらのＡｌＦ3及びＡｌ2
Ｏ3を、参照番号２４で表す。
ト法にてパターニングされたレジスト２０を形成する
（図１の（Ｄ）参照）。次に、フッ素系のガスを使用し
たＲＩＥにて層間絶縁層１８をエッチングし、開口部２
２を形成する。その後、レジスト２０を酸素プラズマ処
理にて除去する（図２の（Ａ）参照）。この酸素プラズ
マ処理の条件は、例えば、ＲＦパワー２００Ｗ、温度２
００゜Ｃにて４０分間である。これらの処理の結果、先
に述べたように、開口部２２の底部に位置するアルミニ
ウム配線の表面には、ＡｌＦ3及びＡｌ2Ｏ3が生成す
る。図２の（Ａ）において、これらのＡｌＦ3及びＡｌ2
Ｏ3を、参照番号２４で表す。
【００１７】次に、本発明の前処理方法の内のエッチン
グ処理を行う。即ち、先ずＡｌＦ3及びＡｌ2Ｏ3の除去
のために、塩素系のガスを使用したＲＩＥを行う。この
ＲＩＥは、有磁場マイクロ波エッチング装置を使用し、
以下の条件にて行うことができる。 ＢＣｌ3／Ｃｌ2＝５０／１０ｓｃｃｍ ＲＦパワー １５Ｗ μ波パワー ３００Ｗ 圧力 ３Ｐａ この塩素系のガスを使用したＲＩＥを行うことによっ
て、ＡｌＦ3及びＡｌ2Ｏ3は除去される。
グ処理を行う。即ち、先ずＡｌＦ3及びＡｌ2Ｏ3の除去
のために、塩素系のガスを使用したＲＩＥを行う。この
ＲＩＥは、有磁場マイクロ波エッチング装置を使用し、
以下の条件にて行うことができる。 ＢＣｌ3／Ｃｌ2＝５０／１０ｓｃｃｍ ＲＦパワー １５Ｗ μ波パワー ３００Ｗ 圧力 ３Ｐａ この塩素系のガスを使用したＲＩＥを行うことによっ
て、ＡｌＦ3及びＡｌ2Ｏ3は除去される。
【００１８】その後、アフターコロージョン防止のため
に、酸素プラズマによるアッシング処理を行う。このア
ッシング処理の条件は、例えば、ＲＦパワー１００Ｗ、
常温にて１５秒とすることができる。このアッシング処
理は、レジスト２０の除去の際の酸素プラズマ処理ほど
過酷な条件では行われないので、ＡｌＦ3は生成しな
い。
に、酸素プラズマによるアッシング処理を行う。このア
ッシング処理の条件は、例えば、ＲＦパワー１００Ｗ、
常温にて１５秒とすることができる。このアッシング処
理は、レジスト２０の除去の際の酸素プラズマ処理ほど
過酷な条件では行われないので、ＡｌＦ3は生成しな
い。
【００１９】更にアルミニウム配線の表面に付着した塩
素を除去するために、純水を使用した水洗処理を施す。
これらの処理を行うことによって、アルミニウム配線の
表面には薄いＡｌ2Ｏ3が形成される（図２の（Ｂ）参
照）。尚、図２の（Ｂ）において、かかるＡｌ2Ｏ3の薄
膜を参照番号２６で示す。
素を除去するために、純水を使用した水洗処理を施す。
これらの処理を行うことによって、アルミニウム配線の
表面には薄いＡｌ2Ｏ3が形成される（図２の（Ｂ）参
照）。尚、図２の（Ｂ）において、かかるＡｌ2Ｏ3の薄
膜を参照番号２６で示す。
【００２０】次に選択タングステンＣＶＤから成る化学
的気相成長工程を行う。選択タングステンＣＶＤの最初
の段階は、本発明の前処理方法を構成するアルミニウム
配線の再度のエッチング工程である。この再度のエッチ
ング工程は、コールドウォールＬＰ−ＣＶＤ装置を使用
して、以下の条件で行うことができる。 ＢＣｌ3／Ａｒ＝５０／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー ５０Ｗ 圧力 ５Ｐａ この再度のエッチング工程で、Ａｌ2Ｏ3の薄膜２６がア
ルミニウム配線の表面から除去される。
的気相成長工程を行う。選択タングステンＣＶＤの最初
の段階は、本発明の前処理方法を構成するアルミニウム
配線の再度のエッチング工程である。この再度のエッチ
ング工程は、コールドウォールＬＰ−ＣＶＤ装置を使用
して、以下の条件で行うことができる。 ＢＣｌ3／Ａｒ＝５０／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー ５０Ｗ 圧力 ５Ｐａ この再度のエッチング工程で、Ａｌ2Ｏ3の薄膜２６がア
ルミニウム配線の表面から除去される。
【００２１】引き続いて、従来の選択タングステンＣＶ
Ｄによって、開口部にタングステンプラグ２８の形成を
行う（図２の（Ｃ）参照）。尚、アルミニウム配線の表
面にＡｌ2Ｏ3が再び形成されないように、アルミニウム
配線の再度のエッチング工程の直後に、同一ＣＶＤ装置
を使用して、即ち所謂「ｉｎ−ｓｉｔｕ」状態で、タン
グステンプラグの形成を行う必要がある。タングステン
プラグを形成するための条件は、以下のとおりとするこ
とができる。 ＷＦ6／ＳｉＨ4／Ａｒ＝１０／７／１５ｓｃｃｍ 温度 ２６０゜Ｃ 圧力 ５Ｐａ
Ｄによって、開口部にタングステンプラグ２８の形成を
行う（図２の（Ｃ）参照）。尚、アルミニウム配線の表
面にＡｌ2Ｏ3が再び形成されないように、アルミニウム
配線の再度のエッチング工程の直後に、同一ＣＶＤ装置
を使用して、即ち所謂「ｉｎ−ｓｉｔｕ」状態で、タン
グステンプラグの形成を行う必要がある。タングステン
プラグを形成するための条件は、以下のとおりとするこ
とができる。 ＷＦ6／ＳｉＨ4／Ａｒ＝１０／７／１５ｓｃｃｍ 温度 ２６０゜Ｃ 圧力 ５Ｐａ
【００２２】以上、好ましい実施例に基づき本発明を説
明したが、各工程の条件を使用する装置等に依存して適
宜変更することができる。配線材料としてタングステン
を用いて実施例を説明したが、タングステンの代わりに
Ｍｏ、Ｃｕ等の金属、あるいはＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、
Ｃｏ等の高融点金属シリサイドやポリシリコン等を用い
ることもできる。
明したが、各工程の条件を使用する装置等に依存して適
宜変更することができる。配線材料としてタングステン
を用いて実施例を説明したが、タングステンの代わりに
Ｍｏ、Ｃｕ等の金属、あるいはＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、
Ｃｏ等の高融点金属シリサイドやポリシリコン等を用い
ることもできる。
【００２３】また、本発明の前処理方法は、選択ＣＶＤ
法のみならず、ブランケットＣＶＤ法等各種のＣＶＤ法
にも適用することができる。
法のみならず、ブランケットＣＶＤ法等各種のＣＶＤ法
にも適用することができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明の前処理方法によれば、層間絶縁
層のエッチング工程やレジスト除去工程で生成した、ア
ルミニウム配線の表面上のＡｌＦ3、Ａｌ2Ｏ3等の反応
生成物や不純物を除去することができる。これによっ
て、コンタクト抵抗の低下あるいはコンタクト抵抗のば
らつき防止を達成することができ、半導体装置の配線接
続部の信頼性を向上させることができる。
層のエッチング工程やレジスト除去工程で生成した、ア
ルミニウム配線の表面上のＡｌＦ3、Ａｌ2Ｏ3等の反応
生成物や不純物を除去することができる。これによっ
て、コンタクト抵抗の低下あるいはコンタクト抵抗のば
らつき防止を達成することができ、半導体装置の配線接
続部の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の前処理方法の各工程を示すための、半
導体素子の模式的断面図である。
導体素子の模式的断面図である。
【図２】図１に引き続く各工程を示すための、半導体素
子の模式的断面図である。
子の模式的断面図である。
１０ 半導体基板 １２ 絶縁層 １４ 配線層 １６ アルミニウム配線 １８ 層間絶縁層 ２０ レジスト ２２ 開口部 ２４ ＡｌＦ3及びＡｌ2Ｏ3 ２６ Ａｌ2Ｏ3 ２８ プラグ
Claims (1)
- 【請求項１】アルミニウム配線上に層間絶縁層を形成
し、該層間絶縁層に開口部を設けた後、化学的気相成長
工程において開口部に配線材料を形成する化学的気相成
長法において、 （イ）化学的気相成長工程より以前に、アッシング処理
及び水洗処理を含む、アルミニウム配線のエッチング処
理を行い、 （ロ）化学的気相成長工程の最初の段階において、アル
ミニウム配線を再度エッチングすることを特徴とする前
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33290791A JPH05144948A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 化学的気相成長法における前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33290791A JPH05144948A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 化学的気相成長法における前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144948A true JPH05144948A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18260139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33290791A Pending JPH05144948A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 化学的気相成長法における前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144948A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015129212A1 (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2015194128A1 (ja) * | 2014-06-19 | 2017-04-20 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | アクティブマトリクス型表示パネルの製造方法とアクティブマトリクス型表示パネル |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP33290791A patent/JPH05144948A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015129212A1 (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 電子デバイスおよびその製造方法 |
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