JP2004207327A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】エッチバック時にプラグ表面に生じるの反応生成物を除去した上で安定な酸化膜を形成させ、電気抵抗値の安定した配線構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第1の配線3と、第1の配線3を覆う層間絶縁膜4と、層間絶縁膜4に設けられ第1の配線3に達するコンタクトホール5と、コンタクトホール5内に形成された第1のバリアメタル6およびタングステンプラグ8と、タングステンプラグ8表面に形成された酸化膜9と、酸化膜9上に形成された第2のバリアメタル11および第2の配線10とを備える。
【選択図】 図7
【解決手段】半導体装置は、第1の配線3と、第1の配線3を覆う層間絶縁膜4と、層間絶縁膜4に設けられ第1の配線3に達するコンタクトホール5と、コンタクトホール5内に形成された第1のバリアメタル6およびタングステンプラグ8と、タングステンプラグ8表面に形成された酸化膜9と、酸化膜9上に形成された第2のバリアメタル11および第2の配線10とを備える。
【選択図】 図7
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、多層配線間に電気的接続を取るために形成されたコンタクトホール内に、たとえばタングステンなどでプラグを形成するような配線構造を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体装置におけるタングステンプラグの形成方法については、たとえば特開平11−330241号公報などに記載されている。
【0003】
特開平11−330241号公報では、まず、コンタクトホールを形成した基板にバリアメタルを形成し、その上にタングステンを成膜する。その後、タングステンをエッチバックしてプラグを形成する。ここで、タングステンのオーバーエッチング時に、バリアメタルとエッチングガスから供給されるフッ素が反応し、バリアメタル上に付着し、反応生成物が形成される。次に、該基板を別のチャンバーに搬送せず、連続して同一チャンバーにてO2プラズマ処理を行なう。このプラズマ処理により、反応生成物上を含むバリアメタルの表面が酸化され、酸化膜層が形成される。この結果、バリアメタル上のパターンのショートなどを抑制することができる。
【0004】
【特許文献1】
特開平11−330241号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平11−330241号公報のような工程では、タングステンプラグと上層配線との間に酸化膜層と反応生成物の層が存在することになるが、この反応生成物の厚さを制御することは困難である。よって、タングステンプラグと上層配線との間の電気抵抗値が安定しないという問題が生じる。
【0006】
また、特開平11−330241号公報においては、タングステンのエッチバック工程と同じ処理室を、その後のアッシング工程にも用いている。このとき、エッチバック室に、アッシングのための酸素ガスを入れることになるため、処理室内に堆積した反応生成物が酸化され、異物発生の原因となる。また、エッチバック時とアッシング時とで室内の雰囲気を変化させると、雰囲気が安定するまでに時間を要し、安定的な製造を実施することができない。
【0007】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、エッチバック時にプラグ表面に生じる反応生成物を除去した上で安定な酸化膜を形成することで、電気抵抗値の安定した配線構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、第1の導電膜と、第1の導電膜を覆う層間絶縁膜と、層間絶縁膜に設けられ、第1の導電膜に達する開口部と、開口部内に位置する第1の導電膜表面に形成された酸化膜と、酸化膜を取り囲むように開口部内に形成された第2の導電膜とを備える。
【0009】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1の導電膜を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に第1の導電膜に達するコンタクトホールを形成する工程と、コンタクトホール内から層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成する工程と、第2の導電膜をエッチバックすることによりコンタクトホール内にプラグを形成する工程と、プラグを形成する工程とは異なる処理室においてプラグ表面に熱処理を施すことによりエッチバック後にプラグに生成した反応生成物を分解する工程と、プラグ上に第3の導電膜を形成する工程とを備える。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に基づく半導体装置およびその製造方法の実施の形態について説明する。
【0011】
(実施の形態1)
図1から図4は、実施の形態1における半導体装置の各製造工程を示す断面図である。
【0012】
本実施の形態においては、ホール径が0.80μm以下のホールパターンを想定している。図4に示すように、本実施の形態における半導体装置は、アルミニウム膜1と反射防止膜2を有する第1の導電膜としての第1の配線3と、第1の配線3を覆う層間絶縁膜4と、層間絶縁膜4に設けられ第1の配線3に達するコンタクトホール5と、コンタクトホール5内に形成された第2の導電膜としての第1のバリアメタル膜6およびタングステンプラグ8と、タングステンプラグ8表面に形成された酸化膜9と、酸化膜9上に形成された第3の導電膜としての第2の配線10とを備える。なお、タングステンプラグ8または第1のバリアメタル6の代わりに、タンタルまたはタンタル化合物を使用してもよい。
【0013】
また、上記半導体装置の製造方法は、第1の導電膜としての第1の配線3を覆うように層間絶縁膜4を形成する工程と、層間絶縁膜4に第1の配線3に達するコンタクトホール5を形成する工程と、コンタクトホール5内から層間絶縁膜4上に第2の導電膜としての第1のバリアメタル膜6およびタングステン膜7を形成する工程と、タングステン膜7をエッチバックすることによりコンタクトホール5内にタングステンプラグ8を形成する工程と、タングステンプラグ8表面に熱処理としてのアッシングを施すことにより、エッチバック後にタングステンプラグ8および第1のバリアメタル6表面に生成した第1の反応生成物12を分解する工程と、タングステンプラグ8上に第3の導電膜としての第2の配線10を形成する工程とを備える。
【0014】
以下、本実施の形態における半導体装置の製造方法について、より詳しく説明する。
【0015】
図1に示すように、まず、反射防止膜2およびアルミニウム膜1を含む第1の導電膜としての第1の配線3を、ドライエッチングなどの方法で形成する。その後、層間絶縁膜4を成膜し、その層間絶縁膜4にドライエッチングなどの方法でコンタクトホール5を形成する。このコンタクトホール5内に、タンタルまたはタンタル系化合物、チタンまたはチタン系化合物を少なくとも一つ含む第1のバリアメタル6を、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、またはスパッタリング法などで約100nm成膜する。その後CVD法などにより、第2の導電膜としてのタングステン膜7を全面に約400nm成膜する。そして、タングステン膜7をフッ素系を主とするガスでエッチバックする。
【0016】
図2は、上記タングステン膜7のエッチバック後のウエハの断面を示す。タングステン膜7のエッチバックにより、タングステンプラグ8が形成されている。第1のバリアメタル6およびタングステンプラグ8の表面に、タングステン膜7のエッチバックによる、たとえばフッ化チタンなどの第1の反応生成物12が堆積している。なお、図2において、第1の反応生成物12は粒状に堆積しているが、これは例示であって、被処理ウエハ全面に堆積している場合もある。これについては、後述する他の実施の形態においても同様である。
【0017】
次に、ウエハを真空搬送にて隣接するアッシング室に搬送し、第1の反応生成物12を分解するための熱処理として、酸素ガスを主とするアッシング処理を実施する。アッシング処理後、異物などの除去のために、表1に示す条件で、過酸化水素水および水による洗浄を実施する。上記のアッシング処理および洗浄後の断面を図3に示す。
【0018】
【表1】
【0019】
異物除去後、図4に示すように、第3の導電膜としての第2の配線10を形成する。図3において、過酸化水素水および水による洗浄を実施する前に、上記のアッシング処理を行なうことで、タングステンプラグ8の表面が酸化膜9によって覆われているので、タングステンプラグ8の膜減りが防止される。よって、図4において、第2の配線10の配線時に成膜を容易に行なうことができ、酸化膜9と、第2の配線10との実質的な接触面積を増大させることができる。なお、酸化膜9の厚みは、3nmから5nm程度と薄いので、酸化膜9の存在による抵抗値の増大はほぼ問題とならない程度である。これは、以下の各実施の形態においても同様である。この結果、抵抗の小さい、安定した配線構造を得ることができる。
【0020】
図5から図7は実施の形態1の変形例を示す図である。本変形例は、上記半導体装置の製造方法における各工程に加えて、タングステン膜7をエッチバックした後、第1のバリアメタル6をエッチバックする工程をさらに備える。
【0021】
図5は、図2の状態のウエハにおいて、第1のバリアメタル6を塩素系を主とするガスでエッチバックした後のウエハの断面を示す。層間絶縁膜4およびタングステンプラグ8の表面に、第1のバリアメタル6のエッチバックによる、たとえば塩化チタンなどの第2の反応生成物13が堆積している。
【0022】
上記エッチバックのエッチング条件の例を表2に示す。ステップ1からステップ3ではタングステン膜7を、ステップ4からステップ5では第1のバリアメタル6をエッチングする。ステップ2の終点検出後、ステップ3では、ステップ1とステップ2の合計の時間の15パーセントの時間のオーバーエッチングを実施する。また、ステップ4の終点検出後、ステップ5では、ステップ4の時間の50パーセントの時間のオーバーエッチングを実施する。
【0023】
【表2】
【0024】
エッチバック後、該ウエハを真空搬送にて隣接するアッシング室に搬送する。その後、第2の反応生成物13を分解するための熱処理として、酸素ガスを主とするアッシング処理を実施し、さらに、異物などの除去のために、表1に示す条件で、過酸化水素水および水による洗浄を実施する。上記のアッシング処理および洗浄後の断面を図6に示す。また、上記アッシング処理における、アッシング条件の例を表3に示す。
【0025】
【表3】
【0026】
上記のアッシングおよび洗浄工程の実施後、図7に示すように、タングステンプラグ8上に、積み直しによる第2のバリアメタル11が形成され、その上に第2の配線10が形成される。
【0027】
なお、本変形例においては、第1のバリアメタル6をエッチバックすることにより、第2の配線10形成時に、第1のバリアメタル6の厚さ分のリセス14が低減され、第2のバリアメタル11および第2の配線10の成膜マージンが向上する。また、タングステンプラグ8と第2の配線10とが直接接するよりも、その間に第2のバリアメタル11が形成されることで配線の信頼性が向上する。
【0028】
以上のように、図6において、過酸化水素水および水による洗浄を実施する前に、上記のアッシング処理を実施することで、図4の場合と同様に、タングステンプラグ8の膜減りが防止される。よって、図7において、第2のバリアメタル11および第2の配線10の成膜を容易に行なうことができ、酸化膜9と、第2のバリアメタル11との実質的な接触面積を増大させることができる。この結果、抵抗の小さい、安定した配線構造を得ることができる。
【0029】
ここで、熱処理としてのアッシング処理を行なう工程は、第1および第2の反応生成物12,13を分解する温度(本実施の形態においては、たとえばウエハステージは25℃程度、ウエハは43℃から50℃程度)で行なわれることが好ましい。これにより、エッチバックによる第1および第2の反応生成物12,13は除去され、厚みの制御が困難なこれらの層を介することなく、タングステンプラグ8と第2の配線10とが電気的に接続され、配線の信頼性、安定性が向上する。
【0030】
また、上記のアッシングを行なう工程は、タングステンプラグ8を形成するエッチバックの工程を行なう処理室とは異なる処理室で行なわれることが好ましい。処理室を別にすることで、アッシング時の電極温度を容易に上昇させることができる。また、各処理室の温度を経時的に変化させる必要がないため、異物の発生を防ぐことができ、安定した配線の供給が可能となる。
【0031】
本実施の形態における典型的なエッチバック装置を図23に示す。被処理ウエハは、ロード−ロック室16から装置内に入り、バッファチャンバ17を経由し、エッチングチャンバ18に搬送される。その反応室で、タングステン膜7のエッチバックおよび第1のバリアメタル6のエッチバック処理を実施する。その後、該ウエハを真空搬送にて、バッファチャンバ17を経由し、アッシングチャンバ19に搬送し、その反応室で、アッシング処理を実施する。その後、該ウエハは、バッファチャンバ17およびアンロード−ロック室20を経由し、装置内から搬出される。第1のバリアメタル6をエッチバックせず、タングステン膜7のみのエッチバックを行なう場合も、同様の装置を用いる。
【0032】
なお、本装置としては、従来からタングステン配線形成などで用いられている装置に、若干の改良を加えることで使用可能となる。たとえば、アッシングチャンバ19において下部電極の温度調節機構が水冷のみであったものに、250℃まで上昇させることができるサーキュレーターを搭載し、高温でのアッシング処理が可能となるようにすればよい。したがって、追加のコストはほとんど発生しない。また、従来の装置でも、本実施の形態の装置として使用可能である。
【0033】
ところで、上記アッシング工程においては、酸素ガスのプラズマにより、被処理ウエハ温度を上昇させ、第1および第2の反応生成物12,13(たとえばTixFy,TixClyなど)中に含まれる塩素を脱離させる。
【0034】
ここで、酸素ガスおよびフッ素を含むガス(たとえば、CHF3,CF4)を用いて熱処理としてのアッシングを行なうことが好ましい。酸素ガスに加えて、フッ素を含むガスを用いることにより、第1および第2の反応生成物12,13中に含まれる塩素をフッ素に置換する効果が期待できる。
【0035】
本実施の形態においては、以上の構成および作用により、タングステンプラグを備える、安定した多層配線構造を提供することができる。
【0036】
(実施の形態2)
図8から図11は、実施の形態2における半導体装置の各製造工程を示す断面図である。
【0037】
本実施の形態における半導体装置は、実施の形態1と同程度のホール径を想定した変形例の1つであり、図8に示すように、コンタクトホール5の内部がタングステン膜7により完全には充填されず、ホール中央部に空洞部15を有する点が異なっている。
【0038】
図9に示すように、タングステン膜7のエッチバック後においては、第1のバリアメタル6およびタングステンプラグ8上に、第1の反応生成物12が堆積している。また、同じく図9において、空洞部15上部のタングステンがエッチバックされ、上記空洞部15の上部がプラグ表面に現れている。この状態で、異物などの除去のために過酸化水素水および水による洗浄を実施すると、空洞部15上部のタングステンと、ウエハ上に残留しているフッ素ガス、または第1の反応生成物12、または過酸化水素水とが反応するため、プラグ表面中心部の空洞が拡大し、タングステンプラグ8表面の面積が減少する。タングステンプラグ8表面の面積が減少すると、次工程でのアルミニウム配線との接触面積が減少するなどして、配線の抵抗が増大する。これを防ぎ、洗浄の工程後も洗浄前のプラグ形状を維持するため、エッチバック後、実施の形態1と同様のアッシング工程を実施し、その後に上記表1の条件での洗浄を実施する。上記のアッシング処理および洗浄実施後の断面を図10に示す。
【0039】
図15は図9の状態におけるSEM(Scanning Electron Microscope)写真であり、図19は図15の模式図である。また、図16は図15の状態から上記のアッシング処理および洗浄の工程を実施した状態、すなわち図10の状態におけるSEM写真であり、図20は図16の模式図である。図15と図16、または図19と図20とを見比べると、第1のバリアメタル6およびタングステンプラグ8の表面に堆積していた、たとえばフッ化チタンなどの第1の反応生成物12は、アッシング工程により分解されており、その後の洗浄工程によっても、タングステンプラグ8表面の空洞部15は拡大していないことがわかる。
【0040】
上記アッシング処理および洗浄工程の実施後、図11に示すように、第2の配線10を形成する。図10において、過酸化水素水および水による洗浄を実施する前に、上記のアッシング処理を行なうことで、タングステンプラグ8の表面の空洞部15の拡大が防止される。この結果、図11において、第2の配線10の配線時に成膜を容易に行なうことができ、抵抗の小さい、安定した配線構造を得ることができる。
【0041】
図12から図14は実施の形態2の変形例である。本変形例は、上記半導体装置の製造方法の各工程に加えて、タングステン膜7をエッチバックした後、第1のバリアメタル6をエッチバックする工程をさらに備える。
【0042】
図12は、図9の状態の被処理ウエハにおいて、第1のバリアメタル6を塩素系を主とするガスでエッチバックした後のウエハの断面を示す。層間絶縁膜4およびタングステンプラグ8の表面に、第1のバリアメタル6のエッチバックによる、たとえば塩化チタンなどの第2の反応生成物13が堆積している。
【0043】
エッチバック後、該ウエハを真空搬送にて隣接するアッシング室に搬送する。その後、第2の反応生成物13を分解するための熱処理として、酸素ガスを主とするアッシング処理を実施する。その後、異物などの除去のために、表1の条件で、過酸化水素水および水による洗浄を実施する。上記のアッシング処理および表1の条件での洗浄後の断面を図13に示す。
【0044】
図17は図12の状態におけるSEM写真であり、図21は図17の模式図である。また、図18は図17の状態から上記のアッシング工程を実施しないで、洗浄の工程を実施した状態におけるSEM写真であり、図22は図18の模式図である。ここで、タングステンプラグ8の表面部と、ウエハ上に残留している塩素ガス、第2の反応生成物13または過酸化水素水が反応し、プラグ表面中心部の空洞が拡大する。そのためタングステンプラグ8の表面の面積が減少し、その結果、配線抵抗が増大する。
【0045】
図17と図18、または図21と図22とを見比べると、タングステンプラグ8表面の空洞部15が拡大していることがわかる。上記のアッシング工程を実施することにより、このようなプラグ表面の面積の減少を防ぐことができる。
【0046】
上記アッシングおよび洗浄工程の実施後、図14に示すように、タングステンプラグ8上に、積み直しによる第2のバリアメタル11が形成され、その上に第2の配線10が形成される。
【0047】
なお、本変形例においては、第1のバリアメタル6をエッチバックすることにより、第2のバリアメタル11および第2の配線10形成時に、第1のバリアメタル6の厚さ分のリセス14が低減され、第2の配線10の配線時の成膜マージンが向上する。また、タングステンプラグ8と第2の配線10とが接するよりも、その間に第2のバリアメタル11が形成されていることで配線の信頼性が向上する。
【0048】
以上のように、図13において、過酸化水素水および水による洗浄を実施する前に、上記のアッシング処理を実施することで、タングステンプラグ8の膜減りが防止される。この結果、タングステンプラグ8表面の面積の減少が防止される。また、図14において、第2の配線10の配線時に成膜を容易に行なうことができる。これにより、抵抗の小さい、安定した配線構造を得ることができる。
【0049】
本実施の形態においては、以上の構成および作用により、中央部に空洞を有するタングステンプラグを備える、安定した多層配線構造を提供することができる。
【0050】
(実施の形態3)
図25から図28は、実施の形態3における半導体装置の各製造工程を示す断面図である。
【0051】
本実施の形態における半導体装置は、第1の導電膜としての第1の配線3と、第1の配線3を覆う層間絶縁膜4と、層間絶縁膜4に設けられ、第1の配線3に達する開口部と、開口部内に位置する第1の配線3に形成された酸化膜9と、酸化膜9を取り囲むように開口部内に形成された第2の導電膜としてのタングステン膜7とを備える。
【0052】
本実施の形態においては、実施の形態1および実施の形態2とは異なり、たとえば、周辺回路部のアライメントパターンなど、ホール径が0.80μmを超えるホールパターン(開口部)を想定している。
【0053】
実施の形態1にあるように、被処理ウエハに400nm程度のタングステン膜7の成膜を行った場合、図25に示すように、アライメントパターンのホール内部は、タングステン膜7で完全に充填されていない。この状態で、タングステン膜7のエッチバックを実施した後の状態を図26、さらに第1のバリアメタル6のエッチバックを実施した後の状態を図27に示す。図27においては、第1の配線3が露出し、第1の配線3、タングステン膜7および層間絶縁膜4の表面に、第2の反応生成物13が堆積している。
【0054】
図27の状態から、異物などの除去のために、上記表1の条件で、過酸化水素水および水による洗浄を実施すると、被処理ウエハは一度大気中にさらされることになるため、第1の配線3(たとえばアルミニウム配線)と、ウエハ上に残留している塩素ガスまたは塩素を含有する第2の反応生成物13(たとえばAlxCly,TixClyなど)との反応(アルミニウムの腐食反応)が常温でおこる。
【0055】
上記の腐食反応を防ぐため、第1のバリアメタル6のエッチバック後、すなわち図27の状態から、第2の反応生成物13を分解するための熱処理として、酸素ガスを主とするアッシング処理を実施する。その後に、異物などの除去のために、表1の条件で、過酸化水素水および水による洗浄を実施する。上記のアッシング処理および洗浄後の断面を図28に示す。
【0056】
図24は、上記表3と同じアッシング条件でアッシング工程を実施した場合の、アッシング時間とアルミニウム腐食箇所数との関係を示している。図24によると、アッシング処理を実施することにより、アルミニウムの腐食箇所数が急激に減少していることがわかる。
【0057】
ここで、酸素ガスおよびH2Oを含むガスを用いて、熱処理としてのアッシングを行なうことが好ましい。上記の通り、アッシング工程においては、酸素ガスのプラズマにより、ウエハ温度を上昇させ、第1および第2の反応生成物12,13中に含まれる塩素を脱離させている。酸素ガスに加えて、H2Oを含むガスによりアッシング工程を実施した場合、次のような反応がおこる。
【0058】
2ALCl3+3H2O → AL2O3+6HCl (電極温度180℃以上)
ALCl3+3H2O → AL(OH)3+3HCl (電極温度180℃以下)
特に電極温度が180℃以上の場合に、第1の配線3の露出部分にAL2O3が形成され、腐食反応を防止するより大きな効果が期待できる。
【0059】
本実施の形態においては、以上の構成および作用により、周辺回路部のアライメントパターンなど大きなホールパターンにおいて、アルミニウムの腐食反応を防止することができる。
【0060】
(実施の形態4)
図29から図33は、実施の形態4における半導体装置の各製造工程を示す断面図である。
【0061】
本実施の形態においては、ホール径が0.30μm以下の埋め込み配線を想定している。本実施の形態における半導体装置は、図32に示すように、ゲート電極22と、第1の導電膜としてのシリコン基板23と、ゲート電極22を覆う絶縁膜と、該絶縁膜およびシリコン基板23を覆う層間絶縁膜4と、層間絶縁膜4に設けられ、上記絶縁膜に達し、コンタクトホールを兼ねる配線溝21と、配線溝21内に形成された、第1のバリアメタル6および第2の導電膜としての埋め込み配線24と、埋め込み配線24表面に形成された酸化膜9とを備える。
【0062】
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、より詳しく説明する。
【0063】
図29に示すように、シリコン基板23上に、ポリシリコンおよびタングステンシリサイドなどでゲート電極22を形成し、このゲート電極22を覆うように絶縁膜を形成する。該絶縁膜を覆うように層間絶縁膜4を堆積する。ドライエッチングなどでシリコン基板23および上記絶縁膜に達する配線溝21を形成した後、配線溝21内に、第1のバリアメタル6およびタングステン膜7を成膜する。
【0064】
図30に示すように、フッ素系のガスによるタングステン膜7のエッチバックを実施した後、第1のバリアメタル6のエッチバックを行なう。図31は、塩素系のガスによる第1のバリアメタル6のエッチバックを実施した後の状態を示す。図31において、埋め込み配線24および層間絶縁膜4上に塩素を含有する第2の反応生成物13が堆積している。
【0065】
図31の状態から、被処理ウエハを真空搬送にて隣接するアッシング室に搬送する。その後、第2の反応生成物13を分解するための熱処理として、酸素ガスを主とするアッシング処理を実施し、さらに、異物などの除去のために、表1の条件で、過酸化水素水および水による洗浄を実施する。上記のアッシング処理および洗浄後の断面を図32に示す。なお、図33に示すように、酸化膜9上に、第2のバリアメタル11が形成され、その上に第2の配線10が形成されてもよい。
【0066】
本実施の形態においては、以上の構成および作用により、タングステン膜の膜減りを減少させ、抵抗の少ない、安定した埋め込み配線を提供することができる。
【0067】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【0068】
【発明の効果】
本発明によれば、第2の導電膜表面に酸化膜を形成することにより、第2の導電膜表面上に反応生成物が残余するのを阻止することができる。したがって、抵抗の小さい、安定した配線を有する半導体装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図2】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図3】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の断面図である。
【図5】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の変形例の製造工程における特徴的な第1工程を示す断面図である。
【図6】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の変形例の製造工程における特徴的な第2工程を示す断面図である。
【図7】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の変形例の断面図である。
【図8】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図9】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図10】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図11】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の断面図である。
【図12】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の変形例の製造工程における特徴的な第1工程を示す断面図である。
【図13】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の変形例の製造工程における特徴的な第2工程を示す断面図である。
【図14】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の変形例の断面図である。
【図15】本発明の実施の形態2に係る半導体装置のSEM写真であり、タングステンプラグをエッチバックした後の状態を示す。
【図16】本発明の実施の形態2に係る半導体装置のSEM写真であり、タングステンプラグをエッチバックし、アッシング処理を実施した後、過酸化水素水を用いて洗浄した後の状態を示す。
【図17】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の変形例のSEM写真であり、タングステンプラグおよび第1のバリアメタルをエッチバックした後の状態を示す。
【図18】図17の状態から、アッシング処理を実施せずに、過酸化水素水を用いて洗浄した後の状態を示すSEM写真である。
【図19】図15に示すSEM写真の模式図である。
【図20】図16に示すSEM写真の模式図である。
【図21】図17に示すSEM写真の模式図である。
【図22】図18に示すSEM写真の模式図である。
【図23】本発明の実施の形態1から実施の形態4において使用可能なエッチバック装置の平面図である。
【図24】本発明の実施の形態3に係る、アッシング時間とアルミニウム腐食箇所数との関係を示した図である。
【図25】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図26】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図27】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図28】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の断面図である。
【図29】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図30】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図31】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図32】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の断面図である。
【図33】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の変形例の断面図である。
【符号の説明】
1 アルミニウム膜、2 反射防止膜、3 第1の配線、4 層間絶縁膜、5コンタクトホール、6 第1のバリアメタル、7 タングステン膜、8 タングステンプラグ、9 酸化膜、10 第2の配線、11 第2のバリアメタル、12 第1の反応生成物、13 第2の反応生成物、14 リセス、15 空洞部、16 ロード−ロック室、17 バッファチャンバ、18 エッチングチャンバ、19 アッシングチャンバ、20 アンロード−ロック室、21配線溝、22 ゲート電極、23 シリコン基板、24 埋め込み配線。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、多層配線間に電気的接続を取るために形成されたコンタクトホール内に、たとえばタングステンなどでプラグを形成するような配線構造を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体装置におけるタングステンプラグの形成方法については、たとえば特開平11−330241号公報などに記載されている。
【0003】
特開平11−330241号公報では、まず、コンタクトホールを形成した基板にバリアメタルを形成し、その上にタングステンを成膜する。その後、タングステンをエッチバックしてプラグを形成する。ここで、タングステンのオーバーエッチング時に、バリアメタルとエッチングガスから供給されるフッ素が反応し、バリアメタル上に付着し、反応生成物が形成される。次に、該基板を別のチャンバーに搬送せず、連続して同一チャンバーにてO2プラズマ処理を行なう。このプラズマ処理により、反応生成物上を含むバリアメタルの表面が酸化され、酸化膜層が形成される。この結果、バリアメタル上のパターンのショートなどを抑制することができる。
【0004】
【特許文献1】
特開平11−330241号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平11−330241号公報のような工程では、タングステンプラグと上層配線との間に酸化膜層と反応生成物の層が存在することになるが、この反応生成物の厚さを制御することは困難である。よって、タングステンプラグと上層配線との間の電気抵抗値が安定しないという問題が生じる。
【0006】
また、特開平11−330241号公報においては、タングステンのエッチバック工程と同じ処理室を、その後のアッシング工程にも用いている。このとき、エッチバック室に、アッシングのための酸素ガスを入れることになるため、処理室内に堆積した反応生成物が酸化され、異物発生の原因となる。また、エッチバック時とアッシング時とで室内の雰囲気を変化させると、雰囲気が安定するまでに時間を要し、安定的な製造を実施することができない。
【0007】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、エッチバック時にプラグ表面に生じる反応生成物を除去した上で安定な酸化膜を形成することで、電気抵抗値の安定した配線構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、第1の導電膜と、第1の導電膜を覆う層間絶縁膜と、層間絶縁膜に設けられ、第1の導電膜に達する開口部と、開口部内に位置する第1の導電膜表面に形成された酸化膜と、酸化膜を取り囲むように開口部内に形成された第2の導電膜とを備える。
【0009】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1の導電膜を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に第1の導電膜に達するコンタクトホールを形成する工程と、コンタクトホール内から層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成する工程と、第2の導電膜をエッチバックすることによりコンタクトホール内にプラグを形成する工程と、プラグを形成する工程とは異なる処理室においてプラグ表面に熱処理を施すことによりエッチバック後にプラグに生成した反応生成物を分解する工程と、プラグ上に第3の導電膜を形成する工程とを備える。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に基づく半導体装置およびその製造方法の実施の形態について説明する。
【0011】
(実施の形態1)
図1から図4は、実施の形態1における半導体装置の各製造工程を示す断面図である。
【0012】
本実施の形態においては、ホール径が0.80μm以下のホールパターンを想定している。図4に示すように、本実施の形態における半導体装置は、アルミニウム膜1と反射防止膜2を有する第1の導電膜としての第1の配線3と、第1の配線3を覆う層間絶縁膜4と、層間絶縁膜4に設けられ第1の配線3に達するコンタクトホール5と、コンタクトホール5内に形成された第2の導電膜としての第1のバリアメタル膜6およびタングステンプラグ8と、タングステンプラグ8表面に形成された酸化膜9と、酸化膜9上に形成された第3の導電膜としての第2の配線10とを備える。なお、タングステンプラグ8または第1のバリアメタル6の代わりに、タンタルまたはタンタル化合物を使用してもよい。
【0013】
また、上記半導体装置の製造方法は、第1の導電膜としての第1の配線3を覆うように層間絶縁膜4を形成する工程と、層間絶縁膜4に第1の配線3に達するコンタクトホール5を形成する工程と、コンタクトホール5内から層間絶縁膜4上に第2の導電膜としての第1のバリアメタル膜6およびタングステン膜7を形成する工程と、タングステン膜7をエッチバックすることによりコンタクトホール5内にタングステンプラグ8を形成する工程と、タングステンプラグ8表面に熱処理としてのアッシングを施すことにより、エッチバック後にタングステンプラグ8および第1のバリアメタル6表面に生成した第1の反応生成物12を分解する工程と、タングステンプラグ8上に第3の導電膜としての第2の配線10を形成する工程とを備える。
【0014】
以下、本実施の形態における半導体装置の製造方法について、より詳しく説明する。
【0015】
図1に示すように、まず、反射防止膜2およびアルミニウム膜1を含む第1の導電膜としての第1の配線3を、ドライエッチングなどの方法で形成する。その後、層間絶縁膜4を成膜し、その層間絶縁膜4にドライエッチングなどの方法でコンタクトホール5を形成する。このコンタクトホール5内に、タンタルまたはタンタル系化合物、チタンまたはチタン系化合物を少なくとも一つ含む第1のバリアメタル6を、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、またはスパッタリング法などで約100nm成膜する。その後CVD法などにより、第2の導電膜としてのタングステン膜7を全面に約400nm成膜する。そして、タングステン膜7をフッ素系を主とするガスでエッチバックする。
【0016】
図2は、上記タングステン膜7のエッチバック後のウエハの断面を示す。タングステン膜7のエッチバックにより、タングステンプラグ8が形成されている。第1のバリアメタル6およびタングステンプラグ8の表面に、タングステン膜7のエッチバックによる、たとえばフッ化チタンなどの第1の反応生成物12が堆積している。なお、図2において、第1の反応生成物12は粒状に堆積しているが、これは例示であって、被処理ウエハ全面に堆積している場合もある。これについては、後述する他の実施の形態においても同様である。
【0017】
次に、ウエハを真空搬送にて隣接するアッシング室に搬送し、第1の反応生成物12を分解するための熱処理として、酸素ガスを主とするアッシング処理を実施する。アッシング処理後、異物などの除去のために、表1に示す条件で、過酸化水素水および水による洗浄を実施する。上記のアッシング処理および洗浄後の断面を図3に示す。
【0018】
【表1】
【0019】
異物除去後、図4に示すように、第3の導電膜としての第2の配線10を形成する。図3において、過酸化水素水および水による洗浄を実施する前に、上記のアッシング処理を行なうことで、タングステンプラグ8の表面が酸化膜9によって覆われているので、タングステンプラグ8の膜減りが防止される。よって、図4において、第2の配線10の配線時に成膜を容易に行なうことができ、酸化膜9と、第2の配線10との実質的な接触面積を増大させることができる。なお、酸化膜9の厚みは、3nmから5nm程度と薄いので、酸化膜9の存在による抵抗値の増大はほぼ問題とならない程度である。これは、以下の各実施の形態においても同様である。この結果、抵抗の小さい、安定した配線構造を得ることができる。
【0020】
図5から図7は実施の形態1の変形例を示す図である。本変形例は、上記半導体装置の製造方法における各工程に加えて、タングステン膜7をエッチバックした後、第1のバリアメタル6をエッチバックする工程をさらに備える。
【0021】
図5は、図2の状態のウエハにおいて、第1のバリアメタル6を塩素系を主とするガスでエッチバックした後のウエハの断面を示す。層間絶縁膜4およびタングステンプラグ8の表面に、第1のバリアメタル6のエッチバックによる、たとえば塩化チタンなどの第2の反応生成物13が堆積している。
【0022】
上記エッチバックのエッチング条件の例を表2に示す。ステップ1からステップ3ではタングステン膜7を、ステップ4からステップ5では第1のバリアメタル6をエッチングする。ステップ2の終点検出後、ステップ3では、ステップ1とステップ2の合計の時間の15パーセントの時間のオーバーエッチングを実施する。また、ステップ4の終点検出後、ステップ5では、ステップ4の時間の50パーセントの時間のオーバーエッチングを実施する。
【0023】
【表2】
【0024】
エッチバック後、該ウエハを真空搬送にて隣接するアッシング室に搬送する。その後、第2の反応生成物13を分解するための熱処理として、酸素ガスを主とするアッシング処理を実施し、さらに、異物などの除去のために、表1に示す条件で、過酸化水素水および水による洗浄を実施する。上記のアッシング処理および洗浄後の断面を図6に示す。また、上記アッシング処理における、アッシング条件の例を表3に示す。
【0025】
【表3】
【0026】
上記のアッシングおよび洗浄工程の実施後、図7に示すように、タングステンプラグ8上に、積み直しによる第2のバリアメタル11が形成され、その上に第2の配線10が形成される。
【0027】
なお、本変形例においては、第1のバリアメタル6をエッチバックすることにより、第2の配線10形成時に、第1のバリアメタル6の厚さ分のリセス14が低減され、第2のバリアメタル11および第2の配線10の成膜マージンが向上する。また、タングステンプラグ8と第2の配線10とが直接接するよりも、その間に第2のバリアメタル11が形成されることで配線の信頼性が向上する。
【0028】
以上のように、図6において、過酸化水素水および水による洗浄を実施する前に、上記のアッシング処理を実施することで、図4の場合と同様に、タングステンプラグ8の膜減りが防止される。よって、図7において、第2のバリアメタル11および第2の配線10の成膜を容易に行なうことができ、酸化膜9と、第2のバリアメタル11との実質的な接触面積を増大させることができる。この結果、抵抗の小さい、安定した配線構造を得ることができる。
【0029】
ここで、熱処理としてのアッシング処理を行なう工程は、第1および第2の反応生成物12,13を分解する温度(本実施の形態においては、たとえばウエハステージは25℃程度、ウエハは43℃から50℃程度)で行なわれることが好ましい。これにより、エッチバックによる第1および第2の反応生成物12,13は除去され、厚みの制御が困難なこれらの層を介することなく、タングステンプラグ8と第2の配線10とが電気的に接続され、配線の信頼性、安定性が向上する。
【0030】
また、上記のアッシングを行なう工程は、タングステンプラグ8を形成するエッチバックの工程を行なう処理室とは異なる処理室で行なわれることが好ましい。処理室を別にすることで、アッシング時の電極温度を容易に上昇させることができる。また、各処理室の温度を経時的に変化させる必要がないため、異物の発生を防ぐことができ、安定した配線の供給が可能となる。
【0031】
本実施の形態における典型的なエッチバック装置を図23に示す。被処理ウエハは、ロード−ロック室16から装置内に入り、バッファチャンバ17を経由し、エッチングチャンバ18に搬送される。その反応室で、タングステン膜7のエッチバックおよび第1のバリアメタル6のエッチバック処理を実施する。その後、該ウエハを真空搬送にて、バッファチャンバ17を経由し、アッシングチャンバ19に搬送し、その反応室で、アッシング処理を実施する。その後、該ウエハは、バッファチャンバ17およびアンロード−ロック室20を経由し、装置内から搬出される。第1のバリアメタル6をエッチバックせず、タングステン膜7のみのエッチバックを行なう場合も、同様の装置を用いる。
【0032】
なお、本装置としては、従来からタングステン配線形成などで用いられている装置に、若干の改良を加えることで使用可能となる。たとえば、アッシングチャンバ19において下部電極の温度調節機構が水冷のみであったものに、250℃まで上昇させることができるサーキュレーターを搭載し、高温でのアッシング処理が可能となるようにすればよい。したがって、追加のコストはほとんど発生しない。また、従来の装置でも、本実施の形態の装置として使用可能である。
【0033】
ところで、上記アッシング工程においては、酸素ガスのプラズマにより、被処理ウエハ温度を上昇させ、第1および第2の反応生成物12,13(たとえばTixFy,TixClyなど)中に含まれる塩素を脱離させる。
【0034】
ここで、酸素ガスおよびフッ素を含むガス(たとえば、CHF3,CF4)を用いて熱処理としてのアッシングを行なうことが好ましい。酸素ガスに加えて、フッ素を含むガスを用いることにより、第1および第2の反応生成物12,13中に含まれる塩素をフッ素に置換する効果が期待できる。
【0035】
本実施の形態においては、以上の構成および作用により、タングステンプラグを備える、安定した多層配線構造を提供することができる。
【0036】
(実施の形態2)
図8から図11は、実施の形態2における半導体装置の各製造工程を示す断面図である。
【0037】
本実施の形態における半導体装置は、実施の形態1と同程度のホール径を想定した変形例の1つであり、図8に示すように、コンタクトホール5の内部がタングステン膜7により完全には充填されず、ホール中央部に空洞部15を有する点が異なっている。
【0038】
図9に示すように、タングステン膜7のエッチバック後においては、第1のバリアメタル6およびタングステンプラグ8上に、第1の反応生成物12が堆積している。また、同じく図9において、空洞部15上部のタングステンがエッチバックされ、上記空洞部15の上部がプラグ表面に現れている。この状態で、異物などの除去のために過酸化水素水および水による洗浄を実施すると、空洞部15上部のタングステンと、ウエハ上に残留しているフッ素ガス、または第1の反応生成物12、または過酸化水素水とが反応するため、プラグ表面中心部の空洞が拡大し、タングステンプラグ8表面の面積が減少する。タングステンプラグ8表面の面積が減少すると、次工程でのアルミニウム配線との接触面積が減少するなどして、配線の抵抗が増大する。これを防ぎ、洗浄の工程後も洗浄前のプラグ形状を維持するため、エッチバック後、実施の形態1と同様のアッシング工程を実施し、その後に上記表1の条件での洗浄を実施する。上記のアッシング処理および洗浄実施後の断面を図10に示す。
【0039】
図15は図9の状態におけるSEM(Scanning Electron Microscope)写真であり、図19は図15の模式図である。また、図16は図15の状態から上記のアッシング処理および洗浄の工程を実施した状態、すなわち図10の状態におけるSEM写真であり、図20は図16の模式図である。図15と図16、または図19と図20とを見比べると、第1のバリアメタル6およびタングステンプラグ8の表面に堆積していた、たとえばフッ化チタンなどの第1の反応生成物12は、アッシング工程により分解されており、その後の洗浄工程によっても、タングステンプラグ8表面の空洞部15は拡大していないことがわかる。
【0040】
上記アッシング処理および洗浄工程の実施後、図11に示すように、第2の配線10を形成する。図10において、過酸化水素水および水による洗浄を実施する前に、上記のアッシング処理を行なうことで、タングステンプラグ8の表面の空洞部15の拡大が防止される。この結果、図11において、第2の配線10の配線時に成膜を容易に行なうことができ、抵抗の小さい、安定した配線構造を得ることができる。
【0041】
図12から図14は実施の形態2の変形例である。本変形例は、上記半導体装置の製造方法の各工程に加えて、タングステン膜7をエッチバックした後、第1のバリアメタル6をエッチバックする工程をさらに備える。
【0042】
図12は、図9の状態の被処理ウエハにおいて、第1のバリアメタル6を塩素系を主とするガスでエッチバックした後のウエハの断面を示す。層間絶縁膜4およびタングステンプラグ8の表面に、第1のバリアメタル6のエッチバックによる、たとえば塩化チタンなどの第2の反応生成物13が堆積している。
【0043】
エッチバック後、該ウエハを真空搬送にて隣接するアッシング室に搬送する。その後、第2の反応生成物13を分解するための熱処理として、酸素ガスを主とするアッシング処理を実施する。その後、異物などの除去のために、表1の条件で、過酸化水素水および水による洗浄を実施する。上記のアッシング処理および表1の条件での洗浄後の断面を図13に示す。
【0044】
図17は図12の状態におけるSEM写真であり、図21は図17の模式図である。また、図18は図17の状態から上記のアッシング工程を実施しないで、洗浄の工程を実施した状態におけるSEM写真であり、図22は図18の模式図である。ここで、タングステンプラグ8の表面部と、ウエハ上に残留している塩素ガス、第2の反応生成物13または過酸化水素水が反応し、プラグ表面中心部の空洞が拡大する。そのためタングステンプラグ8の表面の面積が減少し、その結果、配線抵抗が増大する。
【0045】
図17と図18、または図21と図22とを見比べると、タングステンプラグ8表面の空洞部15が拡大していることがわかる。上記のアッシング工程を実施することにより、このようなプラグ表面の面積の減少を防ぐことができる。
【0046】
上記アッシングおよび洗浄工程の実施後、図14に示すように、タングステンプラグ8上に、積み直しによる第2のバリアメタル11が形成され、その上に第2の配線10が形成される。
【0047】
なお、本変形例においては、第1のバリアメタル6をエッチバックすることにより、第2のバリアメタル11および第2の配線10形成時に、第1のバリアメタル6の厚さ分のリセス14が低減され、第2の配線10の配線時の成膜マージンが向上する。また、タングステンプラグ8と第2の配線10とが接するよりも、その間に第2のバリアメタル11が形成されていることで配線の信頼性が向上する。
【0048】
以上のように、図13において、過酸化水素水および水による洗浄を実施する前に、上記のアッシング処理を実施することで、タングステンプラグ8の膜減りが防止される。この結果、タングステンプラグ8表面の面積の減少が防止される。また、図14において、第2の配線10の配線時に成膜を容易に行なうことができる。これにより、抵抗の小さい、安定した配線構造を得ることができる。
【0049】
本実施の形態においては、以上の構成および作用により、中央部に空洞を有するタングステンプラグを備える、安定した多層配線構造を提供することができる。
【0050】
(実施の形態3)
図25から図28は、実施の形態3における半導体装置の各製造工程を示す断面図である。
【0051】
本実施の形態における半導体装置は、第1の導電膜としての第1の配線3と、第1の配線3を覆う層間絶縁膜4と、層間絶縁膜4に設けられ、第1の配線3に達する開口部と、開口部内に位置する第1の配線3に形成された酸化膜9と、酸化膜9を取り囲むように開口部内に形成された第2の導電膜としてのタングステン膜7とを備える。
【0052】
本実施の形態においては、実施の形態1および実施の形態2とは異なり、たとえば、周辺回路部のアライメントパターンなど、ホール径が0.80μmを超えるホールパターン(開口部)を想定している。
【0053】
実施の形態1にあるように、被処理ウエハに400nm程度のタングステン膜7の成膜を行った場合、図25に示すように、アライメントパターンのホール内部は、タングステン膜7で完全に充填されていない。この状態で、タングステン膜7のエッチバックを実施した後の状態を図26、さらに第1のバリアメタル6のエッチバックを実施した後の状態を図27に示す。図27においては、第1の配線3が露出し、第1の配線3、タングステン膜7および層間絶縁膜4の表面に、第2の反応生成物13が堆積している。
【0054】
図27の状態から、異物などの除去のために、上記表1の条件で、過酸化水素水および水による洗浄を実施すると、被処理ウエハは一度大気中にさらされることになるため、第1の配線3(たとえばアルミニウム配線)と、ウエハ上に残留している塩素ガスまたは塩素を含有する第2の反応生成物13(たとえばAlxCly,TixClyなど)との反応(アルミニウムの腐食反応)が常温でおこる。
【0055】
上記の腐食反応を防ぐため、第1のバリアメタル6のエッチバック後、すなわち図27の状態から、第2の反応生成物13を分解するための熱処理として、酸素ガスを主とするアッシング処理を実施する。その後に、異物などの除去のために、表1の条件で、過酸化水素水および水による洗浄を実施する。上記のアッシング処理および洗浄後の断面を図28に示す。
【0056】
図24は、上記表3と同じアッシング条件でアッシング工程を実施した場合の、アッシング時間とアルミニウム腐食箇所数との関係を示している。図24によると、アッシング処理を実施することにより、アルミニウムの腐食箇所数が急激に減少していることがわかる。
【0057】
ここで、酸素ガスおよびH2Oを含むガスを用いて、熱処理としてのアッシングを行なうことが好ましい。上記の通り、アッシング工程においては、酸素ガスのプラズマにより、ウエハ温度を上昇させ、第1および第2の反応生成物12,13中に含まれる塩素を脱離させている。酸素ガスに加えて、H2Oを含むガスによりアッシング工程を実施した場合、次のような反応がおこる。
【0058】
2ALCl3+3H2O → AL2O3+6HCl (電極温度180℃以上)
ALCl3+3H2O → AL(OH)3+3HCl (電極温度180℃以下)
特に電極温度が180℃以上の場合に、第1の配線3の露出部分にAL2O3が形成され、腐食反応を防止するより大きな効果が期待できる。
【0059】
本実施の形態においては、以上の構成および作用により、周辺回路部のアライメントパターンなど大きなホールパターンにおいて、アルミニウムの腐食反応を防止することができる。
【0060】
(実施の形態4)
図29から図33は、実施の形態4における半導体装置の各製造工程を示す断面図である。
【0061】
本実施の形態においては、ホール径が0.30μm以下の埋め込み配線を想定している。本実施の形態における半導体装置は、図32に示すように、ゲート電極22と、第1の導電膜としてのシリコン基板23と、ゲート電極22を覆う絶縁膜と、該絶縁膜およびシリコン基板23を覆う層間絶縁膜4と、層間絶縁膜4に設けられ、上記絶縁膜に達し、コンタクトホールを兼ねる配線溝21と、配線溝21内に形成された、第1のバリアメタル6および第2の導電膜としての埋め込み配線24と、埋め込み配線24表面に形成された酸化膜9とを備える。
【0062】
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、より詳しく説明する。
【0063】
図29に示すように、シリコン基板23上に、ポリシリコンおよびタングステンシリサイドなどでゲート電極22を形成し、このゲート電極22を覆うように絶縁膜を形成する。該絶縁膜を覆うように層間絶縁膜4を堆積する。ドライエッチングなどでシリコン基板23および上記絶縁膜に達する配線溝21を形成した後、配線溝21内に、第1のバリアメタル6およびタングステン膜7を成膜する。
【0064】
図30に示すように、フッ素系のガスによるタングステン膜7のエッチバックを実施した後、第1のバリアメタル6のエッチバックを行なう。図31は、塩素系のガスによる第1のバリアメタル6のエッチバックを実施した後の状態を示す。図31において、埋め込み配線24および層間絶縁膜4上に塩素を含有する第2の反応生成物13が堆積している。
【0065】
図31の状態から、被処理ウエハを真空搬送にて隣接するアッシング室に搬送する。その後、第2の反応生成物13を分解するための熱処理として、酸素ガスを主とするアッシング処理を実施し、さらに、異物などの除去のために、表1の条件で、過酸化水素水および水による洗浄を実施する。上記のアッシング処理および洗浄後の断面を図32に示す。なお、図33に示すように、酸化膜9上に、第2のバリアメタル11が形成され、その上に第2の配線10が形成されてもよい。
【0066】
本実施の形態においては、以上の構成および作用により、タングステン膜の膜減りを減少させ、抵抗の少ない、安定した埋め込み配線を提供することができる。
【0067】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【0068】
【発明の効果】
本発明によれば、第2の導電膜表面に酸化膜を形成することにより、第2の導電膜表面上に反応生成物が残余するのを阻止することができる。したがって、抵抗の小さい、安定した配線を有する半導体装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図2】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図3】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の断面図である。
【図5】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の変形例の製造工程における特徴的な第1工程を示す断面図である。
【図6】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の変形例の製造工程における特徴的な第2工程を示す断面図である。
【図7】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の変形例の断面図である。
【図8】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図9】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図10】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図11】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の断面図である。
【図12】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の変形例の製造工程における特徴的な第1工程を示す断面図である。
【図13】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の変形例の製造工程における特徴的な第2工程を示す断面図である。
【図14】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の変形例の断面図である。
【図15】本発明の実施の形態2に係る半導体装置のSEM写真であり、タングステンプラグをエッチバックした後の状態を示す。
【図16】本発明の実施の形態2に係る半導体装置のSEM写真であり、タングステンプラグをエッチバックし、アッシング処理を実施した後、過酸化水素水を用いて洗浄した後の状態を示す。
【図17】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の変形例のSEM写真であり、タングステンプラグおよび第1のバリアメタルをエッチバックした後の状態を示す。
【図18】図17の状態から、アッシング処理を実施せずに、過酸化水素水を用いて洗浄した後の状態を示すSEM写真である。
【図19】図15に示すSEM写真の模式図である。
【図20】図16に示すSEM写真の模式図である。
【図21】図17に示すSEM写真の模式図である。
【図22】図18に示すSEM写真の模式図である。
【図23】本発明の実施の形態1から実施の形態4において使用可能なエッチバック装置の平面図である。
【図24】本発明の実施の形態3に係る、アッシング時間とアルミニウム腐食箇所数との関係を示した図である。
【図25】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図26】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図27】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図28】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の断面図である。
【図29】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図30】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図31】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図32】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の断面図である。
【図33】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の変形例の断面図である。
【符号の説明】
1 アルミニウム膜、2 反射防止膜、3 第1の配線、4 層間絶縁膜、5コンタクトホール、6 第1のバリアメタル、7 タングステン膜、8 タングステンプラグ、9 酸化膜、10 第2の配線、11 第2のバリアメタル、12 第1の反応生成物、13 第2の反応生成物、14 リセス、15 空洞部、16 ロード−ロック室、17 バッファチャンバ、18 エッチングチャンバ、19 アッシングチャンバ、20 アンロード−ロック室、21配線溝、22 ゲート電極、23 シリコン基板、24 埋め込み配線。
Claims (5)
- 第1の導電膜と、
前記第1の導電膜を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に設けられ、前記第1の導電膜に達する開口部と、
前記開口部内に位置する前記第1の導電膜表面に形成された酸化膜と、
前記酸化膜を取り囲むように前記開口部内に形成された第2の導電膜と、
を備えた半導体装置。 - 第1の導電膜を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に前記第1の導電膜に達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内から前記層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成する工程と、
前記第2の導電膜をエッチバックすることにより前記コンタクトホール内にプラグを形成する工程と、
前記プラグを形成する工程とは異なる処理室において前記プラグ表面に熱処理を施すことにより前記エッチバック後に前記プラグに生成した反応生成物を分解する工程と、
前記プラグ上に第3の導電膜を形成する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理後に洗浄処理を行なう、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理を行なう工程は、
前記反応生成物を分解する温度で行なわれる、請求項2または請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 酸素、酸素およびフッ素、あるいは酸素およびH2Oを含むガスを用いて前記熱処理を行なうことを特徴とした、請求項2から請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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