JP2001077193A - コンタクトの形成方法 - Google Patents
コンタクトの形成方法Info
- Publication number
- JP2001077193A JP2001077193A JP24609099A JP24609099A JP2001077193A JP 2001077193 A JP2001077193 A JP 2001077193A JP 24609099 A JP24609099 A JP 24609099A JP 24609099 A JP24609099 A JP 24609099A JP 2001077193 A JP2001077193 A JP 2001077193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanium
- contact
- tungsten
- contact hole
- barrier metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 タングステンプラグを形成したコンタクトに
おいて、コンタクト抵抗を劣化させない製造方法を提供
する。 【解決手段】 コンタクトホール５を形成したＳｉ基板
１に、チタンまたはチタン化合物からなるバリアメタル
６を形成し、コンタクトホール内部を埋めるようにタン
グステン７を堆積し、エッチバックしてタングステンを
埋め込む。この時、エッチングガスに含まれるフッ素が
バリヤメタルと反応しチタンフッ化物ができるが、これ
が大気中の水分と反応して異物を生じるのを防止するた
めにＯ 2プラズマ処理すると、チタンの酸化膜１０が形
成される。次にチタンの酸化膜１０を逆スパッタして除
去し、第２アルミニウム配線１２を形成する。このよう
にチタンの酸化膜１０を除去するのでコンタクト抵抗が
上昇せず信頼性の高いコンタクトが形成できる。
おいて、コンタクト抵抗を劣化させない製造方法を提供
する。 【解決手段】 コンタクトホール５を形成したＳｉ基板
１に、チタンまたはチタン化合物からなるバリアメタル
６を形成し、コンタクトホール内部を埋めるようにタン
グステン７を堆積し、エッチバックしてタングステンを
埋め込む。この時、エッチングガスに含まれるフッ素が
バリヤメタルと反応しチタンフッ化物ができるが、これ
が大気中の水分と反応して異物を生じるのを防止するた
めにＯ 2プラズマ処理すると、チタンの酸化膜１０が形
成される。次にチタンの酸化膜１０を逆スパッタして除
去し、第２アルミニウム配線１２を形成する。このよう
にチタンの酸化膜１０を除去するのでコンタクト抵抗が
上昇せず信頼性の高いコンタクトが形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のコン
タクトの形成方法、特にタングステンプラグを用いたコ
ンタクトおよびコンタクトホールの形成方法に関するも
のである。
タクトの形成方法、特にタングステンプラグを用いたコ
ンタクトおよびコンタクトホールの形成方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の素子パターンの微細
化に伴い、絶縁膜の厚さはあまり変わらないが、横方向
の寸法は小さくなるのでコンタクトの高アスペクト化が
進み、タングステンプラグ等を用いた埋め込み技術が広
く用いられている。
化に伴い、絶縁膜の厚さはあまり変わらないが、横方向
の寸法は小さくなるのでコンタクトの高アスペクト化が
進み、タングステンプラグ等を用いた埋め込み技術が広
く用いられている。
【０００３】図３は、従来の一般的なタングステンプラ
グ形成工程を示した半導体装置の断面概略図である。図
３において、１はＳｉ基板、２はＳｉ基板１上に形成さ
れた第１層間絶縁膜、３は第１層間絶縁膜２上に形成さ
れた第１アルミニウム配線、４は第１アルミニウム配線
３上の第２層間絶縁膜、５は第１アルミニウム配線３と
上層の第２アルミニウム配線１４とをつなぐコンタクト
ホール、６はバリアメタル、７はタングステン、８はタ
ングステンプラグ、９は、タングステン７をエッチバッ
クする際、オーバーエッチ中にエッチングガスとバリア
メタル６が反応してできたＴｉxＦy等の反応生成物、１
３は反応生成物９と大気中の水分が反応し、発生したＴ
ｉxＯyの異物、１４は第２アルミニウム配線である。
グ形成工程を示した半導体装置の断面概略図である。図
３において、１はＳｉ基板、２はＳｉ基板１上に形成さ
れた第１層間絶縁膜、３は第１層間絶縁膜２上に形成さ
れた第１アルミニウム配線、４は第１アルミニウム配線
３上の第２層間絶縁膜、５は第１アルミニウム配線３と
上層の第２アルミニウム配線１４とをつなぐコンタクト
ホール、６はバリアメタル、７はタングステン、８はタ
ングステンプラグ、９は、タングステン７をエッチバッ
クする際、オーバーエッチ中にエッチングガスとバリア
メタル６が反応してできたＴｉxＦy等の反応生成物、１
３は反応生成物９と大気中の水分が反応し、発生したＴ
ｉxＯyの異物、１４は第２アルミニウム配線である。
【０００４】まず、図３(ａ)に示すようなコンタクトホ
ール５を形成した基板に図３(ｂ)に示すバリアメタル６
としてチタンおよび窒化チタンをそれぞれ５０ないし１
００ｎｍの膜厚にスパッタリング形成する。さらにタン
グステン７をＣＶＤにより約４００ｎｍ堆積する。
ール５を形成した基板に図３(ｂ)に示すバリアメタル６
としてチタンおよび窒化チタンをそれぞれ５０ないし１
００ｎｍの膜厚にスパッタリング形成する。さらにタン
グステン７をＣＶＤにより約４００ｎｍ堆積する。
【０００５】次に図３(ｃ)に示すように全面エッチバッ
クを行い、コンタクトホール５を埋め込んだタングステ
ン７のみを残した状態でエッチングを停止することによ
ってタングステンプラグ８が形成される。エッチバック
は例えば、ＳＦ6＝１００ｓｃｃｍ、圧力３００ｍＴｏ
ｒｒ、１３．５６ＭＨｚの高周波電力２Ｗ／ｃｍ2の条
件で３０％オーバーエッチングし、タングステン７のみ
エッチングし、バリアメタル６はエッチングしない。こ
のオーバーエッチング時にバリアメタル６とエッチング
ガスから供給されるフッ素(Ｆ)が反応し、バリアメタル
６上に付着し、ＴｉxＦy等の反応生成物９を形成する。
この状態で大気中に放置すると、図３(ｄ)に示すように
大気中の水分と反応生成物９とが反応、凝集し、最終的
にＴｉxＯyの異物１３に変化し、これが核となって図３
(ｅ)に示す第２アルミニウム配線１４の形成時にパター
ン不良を引き起こし、歩留まり低下の要因となる。
クを行い、コンタクトホール５を埋め込んだタングステ
ン７のみを残した状態でエッチングを停止することによ
ってタングステンプラグ８が形成される。エッチバック
は例えば、ＳＦ6＝１００ｓｃｃｍ、圧力３００ｍＴｏ
ｒｒ、１３．５６ＭＨｚの高周波電力２Ｗ／ｃｍ2の条
件で３０％オーバーエッチングし、タングステン７のみ
エッチングし、バリアメタル６はエッチングしない。こ
のオーバーエッチング時にバリアメタル６とエッチング
ガスから供給されるフッ素(Ｆ)が反応し、バリアメタル
６上に付着し、ＴｉxＦy等の反応生成物９を形成する。
この状態で大気中に放置すると、図３(ｄ)に示すように
大気中の水分と反応生成物９とが反応、凝集し、最終的
にＴｉxＯyの異物１３に変化し、これが核となって図３
(ｅ)に示す第２アルミニウム配線１４の形成時にパター
ン不良を引き起こし、歩留まり低下の要因となる。
【０００６】これを防止するために発明者らは、エッチ
バック直後に酸素(Ｏ2)を含むプラズマ処理(以下、Ｏ2
プラズマ処理という)を施し表面に酸化膜層を形成する
方法を見出し、特許出願（特願平１０−１３６８９７
号）した。
バック直後に酸素(Ｏ2)を含むプラズマ処理(以下、Ｏ2
プラズマ処理という)を施し表面に酸化膜層を形成する
方法を見出し、特許出願（特願平１０−１３６８９７
号）した。
【０００７】図４は、タングステンエッチバック後の異
物１３の発生を抑制するためにＯ2プラズマ処理工程を
追加した半導体装置の製造工程の断面概略図である。図
４において、工程（ａ）から（ｃ）までの１〜９は図３
の工程（ａ）から（ｃ）までと同様の構成要素である。
工程（ｄ）における１０はＴｉxＦy等反応生成物９をＯ
2プラズマ処理して形成された酸化膜、１１は主にチタ
ンからなる酸化膜、１５は第２アルミニウム配線であ
る。
物１３の発生を抑制するためにＯ2プラズマ処理工程を
追加した半導体装置の製造工程の断面概略図である。図
４において、工程（ａ）から（ｃ）までの１〜９は図３
の工程（ａ）から（ｃ）までと同様の構成要素である。
工程（ｄ）における１０はＴｉxＦy等反応生成物９をＯ
2プラズマ処理して形成された酸化膜、１１は主にチタ
ンからなる酸化膜、１５は第２アルミニウム配線であ
る。
【０００８】この方法において歩留低下を引き起こす異
物１３の発生を防ぐために、図４に示すようにタングス
テンエッチバック処理で発生する反応生成物９に対し
て、タングステンエッチバックと同一チャンバーでＯ2
プラズマ処理を行う。そうすることで反応生成物９を酸
化し、大気中の水分と反応してできる異物１３の発生を
抑制している。その結果、異物１３による第２アルミニ
ウム配線１５の形成時のパターン不良を防止でき、歩留
まり低下を防ぐ事ができる。
物１３の発生を防ぐために、図４に示すようにタングス
テンエッチバック処理で発生する反応生成物９に対し
て、タングステンエッチバックと同一チャンバーでＯ2
プラズマ処理を行う。そうすることで反応生成物９を酸
化し、大気中の水分と反応してできる異物１３の発生を
抑制している。その結果、異物１３による第２アルミニ
ウム配線１５の形成時のパターン不良を防止でき、歩留
まり低下を防ぐ事ができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記タン
グステンエッチバック後にＯ2プラズマ処理を行う方法
は、タングステンプラグ８の表面にもＴｉxＦy等の反応
生成物９が酸化されて生じた主にチタンを主成分とする
酸化膜１１が実際には堆積される。タングステンをエッ
チバックした後の表面はコンタクトホール５の領域にお
いてはタングステンが露出しており、エッチングガスに
よってＷＦが生成されるが、ＷＦはガス状になりやす
く、ガスのままエッチングチャンバーから真空ポンプ側
に容易に排気されてしまうので、エッチバックされたタ
ングステン表面にはほとんど残留しない。これに対して
バリアメタル６とエッチングガスとが反応して生じるＴ
ｉＦはガス状になりにくく、コンタクト領域にもＴｉＦ
反応性生物ができる。よってＯ 2プラズマ処理後はコン
タクト領域を含めて図４（ｃ）の断面図に示すように全
面に反応生成物(チタン酸化物)９が生じるのである。
グステンエッチバック後にＯ2プラズマ処理を行う方法
は、タングステンプラグ８の表面にもＴｉxＦy等の反応
生成物９が酸化されて生じた主にチタンを主成分とする
酸化膜１１が実際には堆積される。タングステンをエッ
チバックした後の表面はコンタクトホール５の領域にお
いてはタングステンが露出しており、エッチングガスに
よってＷＦが生成されるが、ＷＦはガス状になりやす
く、ガスのままエッチングチャンバーから真空ポンプ側
に容易に排気されてしまうので、エッチバックされたタ
ングステン表面にはほとんど残留しない。これに対して
バリアメタル６とエッチングガスとが反応して生じるＴ
ｉＦはガス状になりにくく、コンタクト領域にもＴｉＦ
反応性生物ができる。よってＯ 2プラズマ処理後はコン
タクト領域を含めて図４（ｃ）の断面図に示すように全
面に反応生成物(チタン酸化物)９が生じるのである。
【００１０】このためＯ2プラズマ処理に引き続き上層
の第２アルミニウム配線１５を形成した場合、タングス
テンプラグ８と上層配線である第２アルミニウム配線１
５とのコンタクト抵抗が高くなる。今後、パターンの微
細化と半導体集積回路の動作の高速化が進行するなか
で、コンタクト抵抗の上昇は、デバイス特性の劣化をも
たらし、所定の特性を満足しない歩留まり低下の要因と
なる。
の第２アルミニウム配線１５を形成した場合、タングス
テンプラグ８と上層配線である第２アルミニウム配線１
５とのコンタクト抵抗が高くなる。今後、パターンの微
細化と半導体集積回路の動作の高速化が進行するなか
で、コンタクト抵抗の上昇は、デバイス特性の劣化をも
たらし、所定の特性を満足しない歩留まり低下の要因と
なる。
【００１１】したがって本発明の目的はデバイス特性、
特にコンタクト抵抗を劣化させないタングステンプラグ
の形成方法を提供することにより、半導体製品の高い歩
留まりを確保することである。
特にコンタクト抵抗を劣化させないタングステンプラグ
の形成方法を提供することにより、半導体製品の高い歩
留まりを確保することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題を解決
し目的を達成するためにコンタクトホールを形成した基
板にチタンまたはチタン化合物を被着する工程と、コン
タクトホール内部を埋めるように高融点金属を堆積する
工程と、高融点金属をエッチングして、コンタクトホー
ル内部を除く部分の高融点金属を除去し、チタンまたは
チタン化合物を露出させる工程と、チタン又はチタン化
合物をＯ2プラズマ処理する工程と、Ｏ2プラズマ処理し
たチタン又はチタン化合物の表面層を除去する工程とを
含むものである。
し目的を達成するためにコンタクトホールを形成した基
板にチタンまたはチタン化合物を被着する工程と、コン
タクトホール内部を埋めるように高融点金属を堆積する
工程と、高融点金属をエッチングして、コンタクトホー
ル内部を除く部分の高融点金属を除去し、チタンまたは
チタン化合物を露出させる工程と、チタン又はチタン化
合物をＯ2プラズマ処理する工程と、Ｏ2プラズマ処理し
たチタン又はチタン化合物の表面層を除去する工程とを
含むものである。
【００１３】前記Ｏ2プラズマ処理したチタン又はチタ
ン化合物の表面層を除去する工程は、具体的には逆スパ
ッタで行うことができる。
ン化合物の表面層を除去する工程は、具体的には逆スパ
ッタで行うことができる。
【００１４】以上のようにＯ2プラズマ処理したチタン
又はチタン化合物の表面層を除去する工程を実施するこ
とによってＯ2プラズマ処理した後に生ずるチタン又は
チタン化合物の表面上の酸化物が除去されるから、コン
タクト抵抗を劣化させないコンタクトが得られる。
又はチタン化合物の表面層を除去する工程を実施するこ
とによってＯ2プラズマ処理した後に生ずるチタン又は
チタン化合物の表面上の酸化物が除去されるから、コン
タクト抵抗を劣化させないコンタクトが得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
【００１６】図１は、本発明の実施の形態におけるコン
タクトの形成方法のタングステンプラグ形成工程を示す
半導体装置の製造工程の断面概略図である。図１におい
て、１〜９までは図４と同様の構成要素である。１０
は、ＴｉxＦy等反応生成物のＯ 2プラズマ処理により反
応生成物９が酸化されできた酸化膜、１２はタングステ
ンプラグ８を形成後に形成した第２アルミニウム配線で
ある。
タクトの形成方法のタングステンプラグ形成工程を示す
半導体装置の製造工程の断面概略図である。図１におい
て、１〜９までは図４と同様の構成要素である。１０
は、ＴｉxＦy等反応生成物のＯ 2プラズマ処理により反
応生成物９が酸化されできた酸化膜、１２はタングステ
ンプラグ８を形成後に形成した第２アルミニウム配線で
ある。
【００１７】本発明の製造方法においては、図１（ａ）
〜（ｃ）までのＯ2プラズマ処理を施したタングステン
プラグ８の形成までは従来と同様の手段である。上記Ｏ
2プラズマ処理は１００％酸素でなくともよく、酸素を
含む混合ガスでもよい。エッチバックも従来と同様例え
ば、ＳＦ6＝１００ｓｃｃｍ、圧力３００ｍＴｏｒｒ、
１３．５６ＭＨｚの高周波２Ｗ／ｃｍの条件で３０％オ
ーバーエッチングし、タングステン７のみエッチング
し、バリアメタル６はエッチングしない。オーバーエッ
チング時にバリアメタル６とエッチングガスから供給さ
れるＦが反応し、バリアメタル６上に付着し、反応生成
物９を形成する。
〜（ｃ）までのＯ2プラズマ処理を施したタングステン
プラグ８の形成までは従来と同様の手段である。上記Ｏ
2プラズマ処理は１００％酸素でなくともよく、酸素を
含む混合ガスでもよい。エッチバックも従来と同様例え
ば、ＳＦ6＝１００ｓｃｃｍ、圧力３００ｍＴｏｒｒ、
１３．５６ＭＨｚの高周波２Ｗ／ｃｍの条件で３０％オ
ーバーエッチングし、タングステン７のみエッチング
し、バリアメタル６はエッチングしない。オーバーエッ
チング時にバリアメタル６とエッチングガスから供給さ
れるＦが反応し、バリアメタル６上に付着し、反応生成
物９を形成する。
【００１８】次にエッチバック後に連続で同一チャンバ
ーにてＯ2プラズマ処理を行う。Ｏ2プラズマ条件は例え
ばＯ2＝１００ｓｃｃｍ、圧力３０ｍＴｏｒｒ、高周波
１００Ｗで１０ｓｅｃである。このＯ2プラズマ処理に
より、図１（ｄ）に示すように反応生成物９上が酸化さ
れ、１０ｎｍ程度の酸化膜１０が形成される。
ーにてＯ2プラズマ処理を行う。Ｏ2プラズマ条件は例え
ばＯ2＝１００ｓｃｃｍ、圧力３０ｍＴｏｒｒ、高周波
１００Ｗで１０ｓｅｃである。このＯ2プラズマ処理に
より、図１（ｄ）に示すように反応生成物９上が酸化さ
れ、１０ｎｍ程度の酸化膜１０が形成される。
【００１９】ここで本発明の方法においては、図１
（ｆ）に示すように酸化膜１０に対して第２アルミニウ
ム配線１２となるＡｌ成長前に逆スパッタ処理を行う。
逆スパッタ条件は例えばＡｒ＝５ｓｃｃｍ、圧力０．４
ｍＴｏｒｒ、高周波電力１００Ｗで１０ｓｅｃである。
この逆スパッタ処理により、Ｏ2プラズマ処理で形成さ
れた酸化膜１０が図１（ｅ）に示すように除去される。
その後にＡｌ成長を行うことで、第２アルミニウム配線
１２を形成させコンタクト抵抗の上昇を抑制することが
できる。しかし、逆スパッタ時間が長すぎた場合、酸化
膜１０の下地であるバリアメタル６をも逆スパッタする
ため、第２アルミニウム配線１２のマイグレーション信
頼性保持の役割を担っているバリヤメタルの膜厚が薄く
なり、配線の信頼性を悪化させ、歩留まり低下の要因と
なるので逆スパッタ条件は重要である。
（ｆ）に示すように酸化膜１０に対して第２アルミニウ
ム配線１２となるＡｌ成長前に逆スパッタ処理を行う。
逆スパッタ条件は例えばＡｒ＝５ｓｃｃｍ、圧力０．４
ｍＴｏｒｒ、高周波電力１００Ｗで１０ｓｅｃである。
この逆スパッタ処理により、Ｏ2プラズマ処理で形成さ
れた酸化膜１０が図１（ｅ）に示すように除去される。
その後にＡｌ成長を行うことで、第２アルミニウム配線
１２を形成させコンタクト抵抗の上昇を抑制することが
できる。しかし、逆スパッタ時間が長すぎた場合、酸化
膜１０の下地であるバリアメタル６をも逆スパッタする
ため、第２アルミニウム配線１２のマイグレーション信
頼性保持の役割を担っているバリヤメタルの膜厚が薄く
なり、配線の信頼性を悪化させ、歩留まり低下の要因と
なるので逆スパッタ条件は重要である。
【００２０】図２は逆スパッタ時間と逆スパッタでエッ
チングされるスパッタ量膜厚の関係を示す。逆スパッタ
時間が７．５ｓｅｃで１０ｎｍ程度の酸化膜は除去され
るが、２０％の時間増しの１０ｓｅｃにする事でウエハ
面内の酸化膜層を完全に除去する事ができる。
チングされるスパッタ量膜厚の関係を示す。逆スパッタ
時間が７．５ｓｅｃで１０ｎｍ程度の酸化膜は除去され
るが、２０％の時間増しの１０ｓｅｃにする事でウエハ
面内の酸化膜層を完全に除去する事ができる。
【００２１】Ａｌ成長前のこの逆スパッタ処理は、アル
ミニウムスパッタ用チャンバーでも実施できるが、これ
とは独立した専用の逆スパッターチャンバーで行うこと
が望ましい。それは、もしＡｌのスパッタチャンバーで
逆スパッタ処理を施した場合、ＴｉＦ系の汚染がチャン
バー内壁に付着し、それがスパッタ堆積するＡｌ膜中に
取り込まれ、配線の特性が変化する恐れがあるからであ
る。
ミニウムスパッタ用チャンバーでも実施できるが、これ
とは独立した専用の逆スパッターチャンバーで行うこと
が望ましい。それは、もしＡｌのスパッタチャンバーで
逆スパッタ処理を施した場合、ＴｉＦ系の汚染がチャン
バー内壁に付着し、それがスパッタ堆積するＡｌ膜中に
取り込まれ、配線の特性が変化する恐れがあるからであ
る。
【００２２】なお、以上のようなＴｉ酸化膜反応生成物
を逆スパッタで除去する以外に、エッチバック工程後に
スピンエッチを行う事も可能である。酸化膜スピンエッ
チ条件はフッ酸系の溶液、代表的には２０：１でフッ化
アンモニウム希釈したＨＦ溶液を２０℃に温調し２０〜
５０ｓｅｃ処理することで、同様の効果が得られる。
を逆スパッタで除去する以外に、エッチバック工程後に
スピンエッチを行う事も可能である。酸化膜スピンエッ
チ条件はフッ酸系の溶液、代表的には２０：１でフッ化
アンモニウム希釈したＨＦ溶液を２０℃に温調し２０〜
５０ｓｅｃ処理することで、同様の効果が得られる。
【００２３】本実施の形態では、コンタクトの形成工程
について説明したが、基板とアルミニウム配線とのコン
タクト工程等のタングステンプラグ形成工程すべてにつ
いて同様の効果が得られることはいうまでもない。
について説明したが、基板とアルミニウム配線とのコン
タクト工程等のタングステンプラグ形成工程すべてにつ
いて同様の効果が得られることはいうまでもない。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置のコンタクトの形成方法によれば、タングステンエッ
チバックと同一チャンバーでのＯ2プラズマ処理終了
後、反応生成物であるＴｉ酸化物を逆スパッタまたは希
釈ＨＦによるエッチングを行うことでタングステンプラ
グ形成時のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、安定したデバ
イス特性を実現できる。
置のコンタクトの形成方法によれば、タングステンエッ
チバックと同一チャンバーでのＯ2プラズマ処理終了
後、反応生成物であるＴｉ酸化物を逆スパッタまたは希
釈ＨＦによるエッチングを行うことでタングステンプラ
グ形成時のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、安定したデバ
イス特性を実現できる。
【図１】本発明の実施の形態におけるコンタクトの形成
方法のタングステンプラグ形成工程を示す半導体装置の
製造工程の断面概略図
方法のタングステンプラグ形成工程を示す半導体装置の
製造工程の断面概略図
【図２】逆スパッタ時間と逆スパッタ量膜厚の関係図
【図３】従来のタングステンプラグ形成工程を示す半導
体装置の製造工程の断面概略図
体装置の製造工程の断面概略図
【図４】異物発生対策をしたＯ2プラズマ処理工程を追
加した半導体装置の製造工程の断面概略図
加した半導体装置の製造工程の断面概略図
１ Ｓｉ基板 ２ 第１層間絶縁膜 ３ 第１アルミニウム配線 ４ 第２層間絶縁膜 ５ コンタクトホール ６ バリアメタル ７ タングステン ８ タングステンプラグ ９ ＴｉxＦy等の反応生成物 １０ Ｏ2プラズマ処理で形成した酸化膜 １１ 主にチタンからなる酸化膜 １２，１４，１５ 第２アルミニウム配線 １３ ＴｉxＯyの異物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 AA16 BA04 BB13 BD05 CA01 DA18 DA23 DB10 DB13 EA27 EA38 EB02 FA08 5F033 HH08 JJ18 JJ19 JJ33 KK08 NN01 NN06 NN07 PP06 PP15 QQ12 QQ20 QQ31 QQ37 QQ53 QQ89 QQ91 QQ94 XX08
Claims (2)
- 【請求項１】 コンタクトホールを形成した基板にチタ
ンまたはチタン化合物を被着する工程と、前記コンタク
トホール内部を埋めるように高融点金属を堆積する工程
と、前記高融点金属をエッチングして、前記コンタクト
ホール内部を除く部分の前記高融点金属を除去し、前記
チタンまたはチタン化合物を露出させる工程と、前記チ
タン又はチタン化合物を少なくとも酸素を含むプラズマ
処理する工程と、前記プラズマ処理したチタン又はチタ
ン化合物の表面層を除去する工程とを含むことを特徴と
するコンタクトの形成方法。 - 【請求項２】 前記プラズマ処理したチタン又はチタン
化合物の表面層を除去する工程は、逆スパッタまたはフ
ッ酸系の溶液を用いたエッチングによることを特徴とす
る請求項１記載のコンタクトの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24609099A JP2001077193A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | コンタクトの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24609099A JP2001077193A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | コンタクトの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077193A true JP2001077193A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17143353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24609099A Pending JP2001077193A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | コンタクトの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077193A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030052828A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| KR100399910B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법 |
| KR100871358B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2008-12-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
| US8945414B1 (en) | 2013-11-13 | 2015-02-03 | Intermolecular, Inc. | Oxide removal by remote plasma treatment with fluorine and oxygen radicals |
| WO2019058554A1 (ja) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
1999
- 1999-08-31 JP JP24609099A patent/JP2001077193A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399910B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법 |
| KR20030052828A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| KR100871358B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2008-12-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
| US8945414B1 (en) | 2013-11-13 | 2015-02-03 | Intermolecular, Inc. | Oxide removal by remote plasma treatment with fluorine and oxygen radicals |
| WO2019058554A1 (ja) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6177347B1 (en) | In-situ cleaning process for Cu metallization | |
| US5786272A (en) | Metallization over tungsten plugs | |
| EP1041614B1 (en) | Plasma cleaning process for openings formed in one or more low dielectric constant insulation layers over copper metallization integrated circuit structures | |
| US6872652B2 (en) | Method of cleaning an inter-level dielectric interconnect | |
| JP2809087B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JP2891952B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6136691A (en) | In situ plasma clean for tungsten etching back | |
| US20040188842A1 (en) | Interconnect structure | |
| JP2001077193A (ja) | コンタクトの形成方法 | |
| US6057230A (en) | Dry etching procedure and recipe for patterning of thin film copper layers | |
| US6872656B2 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
| JP2000058643A (ja) | プラグの形成方法 | |
| JPH1041389A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7517802B2 (en) | Method for reducing foreign material concentrations in etch chambers | |
| US5915202A (en) | Blanket etching process for formation of tungsten plugs | |
| KR20000071322A (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
| JP3199945B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 | |
| JP3453719B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0745587A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3440599B2 (ja) | ビアホール形成方法 | |
| JP3214146B2 (ja) | 窒化チタン成膜の前処理方法および窒化チタン膜の成膜方法 | |
| JP3592209B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0963988A (ja) | 高融点金属含有膜のエッチング方法並びにそれを用いた半導体装置およびその製造方法 | |
| KR0181959B1 (ko) | 반도체 장치의 비아홀 형성방법 | |
| JPH11204457A (ja) | ＣＶＤ−Ｔｉ膜の成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080205 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100205 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |