JPH0360126A

JPH0360126A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0360126A
Application number: JP19600689A
Authority: JP
Inventors: Renpei Nakada; 錬平中田; Hitoshi Ito; 仁伊藤; Takayuki Endo; 隆之遠藤; Haruo Okano; 晴雄岡野; Toru Watanabe; 徹渡辺
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-07-28
Filing date: 1989-07-28
Publication date: 1991-03-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に電極配線
の形成に関する。

（従来の技術）近年、コンピュータや通信機器の重要部分には大規模集
積回路（ＬＳＩ）が広く用いられるようになってきてい
る。これらＬＳＩは、数ミリ角の半導体基板上に多数の
能動素子あるいは受動素子を電気回路を構成するように
接続しつつ集積化して作られている。

この集積化はますます進む一方であり、構成素子の微細
化および高密度化への研究が急速に進められ、超高集積
化回路の製造も実用化されてきている。

このようなＬＳＩの高集積化は素子の微細化によっても
たらされている。例えば、ＩＭＤＲＡＭ。

２５６ＫＳＲＡＭ等の超ＬＳＩは１〜１．　２μｍの設
計基準で作られ、さらに高集積化を目的としてサブミク
ロンの設計基準で作られようとしている。

しかし、この微細化は、超ＬＳＩの製造を次第に困難に
している。これは配線技術を例にとると、設計基準の縮
小で配線幅は小さくなるのに対し、能動素子が増大する
ため、細くかつ複雑な配線の取り回しを行う必要があり
、コンタクトホール内に直接アルミニウム配線が延在す
る一般の配線では、高抵抗化や段切れ等の問題が生じる
。そこでこのような問題がなく、信頼性の高い配線構造
が要求される。

その配線構造の１つに、配線の水平部分にはアルミ系の
一般配線を用いると共に、垂直部分ではコンタクトホー
ル内にタングステンやアルミニウムなどを埋め込んだ埋
め込み配線を用いる手法かある。

この配線構造を第３図に示す。

この配線構造は、半導体基板１１表面に形成された絶縁
層１２上にアルミニウム系の第１の配線層１３が形成さ
れており、この上層を覆う絶縁膜１４が開口され、この
接続孔１５に選択ＣＶＤ法などによりタングステン膜１
８が埋め込まれ、この上層に形成される第２の配線層１
９と前記第１の配線層１３はこのタングステン膜１８を
介して接続されるようになっている。

この配線構造によれば、コンタクトホール内にＷ膜が充
填されているため、直接アルミニウム配線が延在する一
般の配線に比べ、段切れ等の問題は解消される。

しかしながら、この配線構造にも問題がある。

これは、選択的ＣＶＤ法等によるタングステン膜１８の
形成に先立ち、基板表面に形成されている自然酸化膜の
問題である。

例えば、タングステンＷの選択ＣＶＤ法は、六フッ化タ
ングステンＷ　Ｆ　ｅ等のＷのハロゲン化物と水素Ｈ２
やシランＳＨ４等の還元剤との混合ガスを原料ガスとし
て、減圧ＣＶＤ法によりアルミニウム合金膜等の導体表
面にのみＷ膜を成長し、酸化シリコン膜等の絶縁膜上に
は形成しないＷ膜の形成方法であるが、この方法では、
アルミニウム合金膜等の導体表面の自然酸化膜が、Ｗの
堆積時の特性や堆積したＷと下地導体との間の電気的特
性に重要な役割を果たすことがわかってきた。

超ＬＳＩプロセスでは、１つの工程から次の工程に移る
場合には、必ず大気中での基板の搬送がある。このとき
、基板表面に存在する導体膜は大気中の酸素によって酸
化され、その表面には自然酸化膜が成長する。

すなわち、通常、基板内に素子形成を行い、絶縁膜を堆
積して、この基板内の素子領域とあるいは下層配線領域
とコンタクトするための接続孔あるいは層間接続孔を形
成したのち、この接続孔あるいは層間接続孔に選択ＣＶ
Ｄ膜を形成するという方法がとられる。そして、実際は
、接続孔あるいは層間接続孔の形成後、レジスト剥離工
程、表面／ｒｔ浄化工程を経て、希弗酸（例えば水：弗
酸−２００：　１）により、Ｗ膜形成領域の自然酸化膜
を除太し、純水による洗浄、乾燥工程を経、ＣＶＤ炉に
該基板を設置するという順序で処理が進行する。しかし
、この方法でも、希弗酸処理後の純水洗浄と乾燥の工程
で基板は再度大気にさらされるため、金属領域表面には
再度自然酸化膜が戊長するという問題があった。

この自然酸化膜の形威された基板にＷ膜を堆積しようと
すると、Ｗ膜が均一に戊長し得ない、堆積の再現性がと
れない、コンタクト抵抗が非常に高くなる等の現象がみ
られたそこで、この問題を解決すべく、基板表面を大気中にさ
らすことなく、清浄に処理するため、酸化シリコン層１
４に接続孔１５を形成しアルミニウムの第１の配線層１
３を露出させるときに形威された絶縁性の高いフッ化物
、炭化物、酸化物あるいはその混合物などの汚染膜を除
去することが必要である。

そこで、ＣＶＤ装置として使用する真空容器内でスパッ
タリングやプラズマエッチング処理などのドライ処理に
よって基板表面の汚染膜をエッチング除去し、そのまま
ＣＶＤを行うという方法も提案されている。

しかしながら、この汚染膜は蒸気圧が低く、化学的に極
めて安定な化合物であるため化学的に除去することは困
難である。

そこで、第１の配線層１３を露出した状態で、アルゴン
などの不活性ガスのスパッタリング法により、真空中で
物理的に除去するあるいは不活性ガスとハロゲン原子と
を含むガスによるスパッタリングの後、水素プラズマで
処理するのが効果的である。

しかしながら、この後、タングステンの選択ＣＶＤを行
うと、第１の配線層１３上の深さ１，４μｍのコンタク
トホールの場合、完全に埋め込む前に、第４図に示すよ
うに、絶縁層１４の上にできたダメージ層に起因して絶
縁層１４の上にもタングステンが成長してしまい、完全
な選択成長を行うことができないという問題があった。

このような場合、第１の配線層１３上に完全な選択成長
でタングステン膜を埋め込むことのできる膜厚は、前処
理の方法によって異なり、アルゴンなどの不活性ガスの
スパッタリング法による処理の場合は約１０００人、不
活性ガスとハロゲン原子とを含むガスによるスパッタリ
ングの後、水素プラズマで処理する方法による場合は約
５０００人であった。

このような問題は、シラン（Ｓ　ｉ　Ｈ４）ガスを原料
ガスとするシリコン膜の形成、トリメチルアルミ（ＡＩ
　　（ＣＨａ）３）を用いたアルミニウム膜の形成等、
他の選択ＣＶＤにおいても同様であった。

（発明が解決しようとする課題）このように、選択ＣＶＤ法によって基板表面または第１
の配線層の上に接続孔を介して選択的に形成される第２
の配線層とのコンタクト抵抗を良好に保つため、不活性
ガスのスパッタリング法等の前処理を行うと、アスペク
ト比の高い接続孔に完全に第２の配線層を埋め込むこと
はできないという問題があった。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、配線層の
コンタクト抵抗を低減し、かつアスペクト比の高いコン
タクトホールを完全に埋め込むことのできる半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）そこで本発明の方法では、基板表面あるいは第１の配線
層等の導体層上のコンタクトホールを介して該導体層と
絶縁膜が混在している基板をＡ「ガスあるいはＨ２ガス
のプラズマなどで主として物理反応により処理し表面の
清浄化をはかった後、導体層上に選択形成が可能な膜厚
まで第２の配線層を形威し、この後、ハロゲン原子を含
むプラズマにより主として化学反応により絶縁膜表面を
エッチングし、さらにこの第２の配線層上に選択的に第
３の配線層を形成し、コンタクトホールを完全に埋め込
むようにしている。

望ましくは、この第２及び第３の配線層は選択ＣＶＤ法
によって形成するようにする。

あるいは、このハロゲン原子を含むプラズマにより絶縁
膜表面のダメージ層をエッチング除去し、さらに下地の
配線層上に選択的に配線層を形威するという工程を繰り
返すことにより、コンタクトホールを完全に埋め込むよ
うにしている。

（作用）ところで、このようなＡｒガスあるいはＨ２ガスのプラ
ズマ処理は、主として物理反応によって反応が進行する
ため、絶縁膜表面は、絶縁膜の組成のずれ（酸化シリコ
ン膜の場合はシリコンリッチになる）、ダングリングボ
ンドの形成などのダメージを受は易く、このダメージ層
の部分で堆積種を形成し易くなり、成膜の選択性が低下
する。

一方、ハロゲン原子を含むガスのプラズマによる処理は
主として化学的反応によって進行し、Ａ「ガスあるいは
Ｈ２ガスのプラズマ処理で形成された堆積種をエッチン
グするため、成膜の選択性が向上する。しかし、この処
理では第１の配線層等の導体層表面にハロゲン原子の残
留が生じやすいという不都合もある。

そこで、まず、ＡｒガスあるいはＨ２ガスの′プラズマ
処理を行うことにより、コンタクトホール内で絶縁膜か
ら露呈する第１の配線層等の導体層表面に形成される自
然酸化膜なとのｌダ染膜は、除去され、第１の配線層等
の導体層とこの上層に形成される第２の配線層とのコン
タクト抵抗は低くすることができる。

しかしながら、このとき絶縁膜表面にはＡｒガスあるい
はＨ２ガスのプラズマ処理によるダメージ層が形成され
ている。そこで、この状態でハロゲン原子を含むガスの
プラズマによる処理を実行することにことにより、ダメ
ージ層が除去され、絶縁膜上への膜形成を抑制すること
ができる。

このようにして選択成長を行うことにより、接続孔内を
選択性良く埋め込むことができる。　なお、このとき第
２の配線層表面に第２の配線層のハロゲン化物が形成さ
れるが、短時間のエッチングであればそのままでもコン
タクト抵抗はそれほど上昇しないし、また、例えば第２
の配線層がタングステンである場合には、この工程で加
熱処理を行うことにより、昇華除去することが可能であ
る。

また、アスペクト比の特に高い接続孔を埋め込む場合に
は、ハロゲン原子を含むガスのプラズマによる処理と選
択成長とを繰り返すことにより、選択性良く接続孔を埋
め込むことが可能である。

（実施料）以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。

実施例１まず、第１図（ａ）に示すように、素子分離のなされた
シリコン基板１１表面に、所望の素Ｔ−領域（図示せず
）の形成を行った後、ＣＶＤ法等により酸化シリコン膜
１２を形成し、この上層にマグネトロンスパッタリング
法により第↓の配線層としてアルミニウム合金膜１３を
形成し、通常のフォトリソ法および反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）法によりこのアルミニウム合金膜をパタ
ーニングする。

この後、第１図（ｂ）に示すように、この上層に、シラ
ン（Ｓ　ｉ　Ｈ４）と酸素（０２）とを原料ガスとして
用いたプラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜として膜厚１
４０００への酸化シリコン膜１４を形成する。

そして、第１図（Ｃ）に示すように、フォトリソ法およ
び反応性イオンエッチングとして用いた反応性イオンエ
ッチングにより第１の配線層１３上の所望の領域に、層
間接続孔１５を形成する。この反応性イオンエッチング
工程では、反応性ガスとしてフッ素ガスを用いる。

このようにして形成された層間接続孔１５の底部のアル
ミニウム合金表面には、反応性イオンエッチングで開孔
するときのエッチングガスのフッ素、炭素等が取り込ま
れて形成されたと考えられるフッ化物、炭化物、酸化物
あるいはこれらの混合物からなる汚染膜１０が第１の配
線層の表面に形成されている。

このような状態の基板１１をスパッタエッチングのでき
る前処理室と反応室を備えた薄膜形成装置にセットし、
その表面を前処理室でエッチングする。

その際のエッチング条件は、ＳＦ６のアルゴン希釈ガス
（ＳＦ６濃度１％）を用い、ガス流量ＩＱ　ｃｃ／ｗｉ
ｎ、ガス圧力２　Ｘ　１０−２Ｔｏｒｒ、基板温度２０
℃、高周波電力２００Ｗ、基板バイアス−５００ｖ１工
ッチング時間約１分とし、第１の配線層１３の表面を１
２ＯＡ、酸化シリコン膜の表面を３０ＯＡ程度エッチン
グする。このようにして、層間接続孔５の底部に付着す
る汚染膜１０を除去することができるが、同時に第１の
配線層１３の表面にフッ化物１６が形成されている。

この処理を施した基板を反応室に移送し、水素プラズマ
処理を行い、第１図（ｅ）に示すように、第１の配線層
１３の表面のフッ化物１６を除去する。この際のエッチ
ング条件は、エッチングガスとして水素ガスを用い、ガ
ス流量２　Ｊ　／ｌｌｌ１ｎ、ガス圧力ＩＴｏｒｒ、基
板温度２０℃、高周波電力２００Ｗ１基板バイアス−１
０ｖ１工ッチング時間約１分とした。

続いて、この処理後の基板を真空を破ることなく、ＣＶ
Ｄ装置に移し、基板温度３００℃、ＷＦ６流量１０　ｃ
ｃ／ｒｌｎ、　Ｓ　Ｈ４流量１０　ｃｃ／ｌｌ１ｉｎ、
水素流ｆｆｉ　５００　ｃｃ／ｍＩｎ、堆積圧力０　、
　２　Ｔｏｒｒでタングステンの堆積を行い、第１図（
ｆ）に示すように、膜厚約２０００Ａのタングステン膜
１７を層間接続孔１５内に埋め込む。このときの堆積速
度は約５００八／ｌ１ｌｉｎであった。

この基板を再びスパッタエッチングのできる前処理室と
反応室を備えた薄膜形成装置にセットシ、その表面を前
処理室でエッチングする。

その際のエッチング条件は、ＳＦ６ガスを用い、ガス流
量１０　ｃｃ／ｗｉｎ、ガス圧力２　Ｘ　１０−２Ｔｏ
ｒｒ、基板温度２０℃、高周波電力２００Ｗ、基板バイ
アス−５００Ｖ、エッチング時間約１分とした。

そしてこの基板を真空を破ることなく、ＣＶＤ装置に移
し、前記工程と同一の条件で第１図（ｇ）に示すように
、膜厚約１２０００人のタングステン膜１８を層間接続
孔１５内に埋め込む。

このようにして、層間接続孔１５内にタングステン膜１
７およびタングステン膜１８を完全に埋め込んだ後全面
にアルミニウム膜を堆積し、第１図（ｈ）に示すように
、所望の配線パターンに加工し第２の配線層１つを形成
する。

このようにして、極めて選択性良く、層間接続孔１５内
にタングステン膜を埋め込むことができ、またコンタク
ト抵抗も低く抑えることができた。

実施例２前記実施例では第１の配線層の上に第２の配線層を形成
する例について説明してきたが、シリコン基板表面にコ
ンタクトするように配線を形成する場合についても有効
である。

次に本発明の第２の実施例として、シリコン基板表面に
形成された接続孔内に選択ＣＶＤ法によりタングステン
膜を埋め込む方法について説明する。

まず、第２図（ａ）に示すように、ｐ型のシリコン基板
２１の表面に、窒化シリコン膜２２を形成しこれをパタ
ーニングした後、これをマスクとして表面酸化を行い、
素子分離絶縁膜２３を形成する。

この後、この窒化シリコン膜２２を除去し、第２図（ｂ
）に示すように、ヒ素をイオン注入し、ｎ型拡散層２４
を形成する。このとき表面には自然酸化膜２５等が形成
されている。

そして、第２図（Ｃ，）に示すように、ＣＶＤ法により
酸化シリコン膜２６を堆積した後、フォトリソ法および
反応性イオンエッチングとにより、接続孔２７を形成す
る。この反応性イオンエッチング工程では、反応性ガス
としてフッ素ガスを用いる。

このようにして形成された接続孔２７の底部のｎ型拡散
層２４表面には、反応性イオンエッチングで開孔すると
きのエッチングガスのフッ素、炭素等が取り込まれて形
成されたと考えられるフッ化物、炭化物、酸化物あるい
はこれらの混合物からなるｔり染膜が形成されている。

このような状態の基板２１をスパッタエッチングのでき
る前処理室と反応室を備えた薄膜形成装置にセットし、
その表面を前処理室でエッチングする。

その際のエッチング条件は、アルゴンガスを用い、ガス
流量１０　ｃｃ／ｍｉｎ、ガス圧力２Ｘ］、０−２７゜
「「、基板温度２０℃、高周波電力２００Ｗ、基板バイ
アス−５００Ｖ、エッチング時間約２分とし、ｎ型拡散
層２４の表面を１２０人、酸化シリコン膜の表面を３０
０八程度エッチングする。このようにして、接続孔２７
の底部に付着する汚染膜２５を除去することができる（
第２図（ｄ））。

続いて、この処理後の基板を真空を破ることなく、ＣＶ
Ｄ装置に移し、基板温度３００℃、ＷＦＧ流ｍ　１０　
ｃｃ／＋Ｉｎ、　Ｓ　Ｈ４流量１０　ｃｃ／ｓｉｎ、水
素流ｆｊｋ　５００　ｃｃ／＋１ｎ、堆積圧力０　、　
２　Ｔｏｒｒでタングステンの堆積を行い、第２図（ｅ
）に示すように、膜厚約２０００人のタングステン膜２
８ａを層間接続孔１５内に埋め込む。このときの堆積速
度は約５００　Ａ／ｍｉｎであった。

この基板を再びスパッタエッチングのできる前処理室と
反応室を備えた薄膜形成装置にセットし、その表面を前
処理室でエッチングする。

その際のエッチング条件は、ＳＦ６ガスを用い、ガス流
量１０　ｃｃ／ｍｆｎ、ガス圧力２　Ｘ　１０−２Ｔｏ
ｒｒ、基板温度２０℃、高周波電力２００Ｗ、基板バイ
アス−５００■、エッチング時間約１分とした。

そしてこの基板を真空を破ることなく、ＣＶＤ装置に移
し、前記工程と同一の条件で第２図（ｒ）に示すように
、膜厚約１２０００へのタングステン膜２８ｂを接続孔
２７内に埋め込む。

このようにして、接続孔２７内にタングステンｌＬ１２
８ａ、２８ｂを完全に埋め込んだ後全面にアルミニウム
膜を堆積し、第２図（ｇ）に示すように、所望の配線パ
ターンに加工し第２の配線層２つを形成する。

このようにして、コンタクト抵抗も低く信頼性の高い配
線層を得ることができる。

なお、前記実施例では、アルミニウム表面の前処理とし
てＳＦ６のアルゴン希釈ガス（ＳＦ６＞８度１％）を用
いたプラズマエッチングと、水素を用いたプラズマエッ
チングとを用いたが、ＳＦｓのアルゴン希釈ガスに代え
て、ＳＦ’６．ＣＦ４（：ＨＦ３．Ｃ２Ｈ６，Ｃ３Ｆｓ
、ＮＦ３．Ｆ２゜ＢＦ３等のフッ素系ガスあるいはＢＣ
１３、ＰＣｌ３．Ｆ２　Ｃ１５，ＡＩＣＩａ、ＡｌＣｌ
５等の塩素系ガス単独あるいはアルゴン等の不活性ガス
との混合ガスのプラズマエッチングを用いても有効であ
る。

また、プラズマによりダメージを受けた絶縁幕表面をエ
ッチングするガスとしてＳＦ６プラズマを用いたが、上
記ガスの他、上記フッ素系、塩素系ガス単独あるいは不
活性ガスとの混合ガスのプラズマを用いるようにしても
有効である。

さらにまた、ＸｅＦ２、ＣｌＦ３等のガスによりプラズ
マレスでエッチングするようにしても効果がある。

また、第１の配線層としてアルミニウムを用いたが、モ
リブデン、タングステン、チタン、硅化モリブデン、硅
化タングステン、硅化チタン、あるいは窒化チタン、銅
等の金属でも良く、さらにはシリコン、ゲルマニウム、
等の■族半導体、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の■Ｖ族化合物半
導体などでもよい。

さらに絶縁膜としては、酸化シリコン膜や窒化シリコン
膜の他、燐や硼素等の不純物をドープしたものでもよい
。

さらに基板としては、シリコン基板の他ゲルマニウム、
ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体、サファイア等でもよい。

さらにまた、接続孔に形成する第２の導体層としては、
タングステンに限らず、アルミニウム、硅化タンタル、
モリブデン等の金属のほか、Ｐ型あるいはＮ型不純物を
含むそれぞれの導電型を呈するシリコン等の導電性の高
い半導体層を用いても良い。

その他、要旨を逸脱しない範囲で変形して応用できる。

なお、上記実施例に限定されることなく、エッチングガ
スやガス条件、薄膜等種々選択することがてきるうえ、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変形応用可能であ
る。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明の方法にょれば、主と
して物理反応によって反応が進行するＡｒガスあるいは
Ｈ２ガスのプラズマ処理等により下地表面の清浄化をは
かった後、まず選択成長を行い所望の深さまで埋め込み
、プラズマ処理等による絶縁膜表面のダメージを、ハロ
ゲン原子を含むガスのプラズマによる処理など主として
化学反応によって反応が進行する処理を行い、さらに選
択成長をおこなうことにより、アスペクト比の特に高い
接続孔を埋め込む場合にも、選択性良く接続孔を埋め込
むことができ、またコンタク゛ト抵抗も低くすることが
可能である。

【図面の簡単な説明】第１図は（ａ）乃至第１図（ｈ）は本発明の第１の実施
例の配線パターンの形成工程を示す図、第２図（ａ）乃
至第２図（ｇ）は本発明の第２の実施例の半導体装置の
製造工程を示す図、第３図および第４図は従来例の半導
体装置およびその製造工程の一部を示す図である。１１・・・シリコン基板、１２・・・酸化シリコン膜、
１３・・・アルミニウム合金膜、１４・・・酸化シリコ
ン膜、１５・・・層間接続孔、１６・・・第１の配線層
のノ＼ロゲン化物、１７．１８・・・タングステン膜、
１つ・・・第２の配線層、２１・・・シリコン基板、２
２・・・窒化シリコン膜、２３・・・素子分離絶縁膜、
２４・・・ｎ型拡散層、２５・・・自然酸化膜、２６・
・・酸化シリコン膜、２７・・・接続孔、２８・・・タ
ングステン層、２９・・・配線層。第図Ｃ′？ｆ１１）第図（１の２）２５第２図（その１）８ａ８ａ８第２図（その２）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体基板表面または半導体基板表面に形成され
た第１の導体層の表面に、絶縁膜を形成する絶縁膜形成
工程と、前記絶縁膜に接続孔を形成する接続孔形成工程と、前記接続孔内に露呈する第１の導体層表面を主として物理反応により清浄化する第１の前処理工程
と、前記第１の導体層上に完全に選択形成が可能な膜厚まで第２の配線層を形成する第２の配線層形成
工程と、主として化学的反応により絶縁膜表面をエッチングする第２の前処理工程と、前記第２の配線層上に選択的に第３の配線層を形成し、前記接続孔を埋め込む第３の配線層形成工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）前記第２及び第３の配線層形成工程は選択ＣＶＤ
工程であることを特徴とする請求項（１）記載の半導体
装置の製造方法。
（３）前記第１の前処理工程は、前記被処理基板を不活
性ガスのプラズマ中に放置する工程であることを特徴と
する請求項（１）記載の半導体装置の製造方法。
（４）前記第１の前処理工程は、前記被処理基板をハロ
ゲン原子を含む気相化合物のプラズマまたはこの気相化
合物を水素、アルゴン、窒素の内の少なくとも１つを含
むガスで希釈した混合ガスプラズマ中に放置する工程と
、水素原子を含むガスプラズマ中に放置する工程とを含む工程であることを特徴とする請求項（１）
記載の半導体装置の製造方法。
（５）前記第２の前処理工程は、前記被処理基板をハロ
ゲン原子を含むガスのプラズマ中に放置する工程である
ことを特徴とする請求項（１）記載の半導体装置の製造
方法。