JP2569754B2 - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法Info
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- JP2569754B2 JP2569754B2 JP63227300A JP22730088A JP2569754B2 JP 2569754 B2 JP2569754 B2 JP 2569754B2 JP 63227300 A JP63227300 A JP 63227300A JP 22730088 A JP22730088 A JP 22730088A JP 2569754 B2 JP2569754 B2 JP 2569754B2
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- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
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- F16C19/00—Bearings with rolling contact, for exclusively rotary movement
- F16C19/02—Bearings with rolling contact, for exclusively rotary movement with bearing balls essentially of the same size in one or more circular rows
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- F16C19/06—Bearings with rolling contact, for exclusively rotary movement with bearing balls essentially of the same size in one or more circular rows for radial load mainly with a single row or balls
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明はプラズマプロセスによる化合物半導体表面の
表面汚染を防止し、該化合物半導体がエッチングされる
ことを防止するために、プロセスガスとしてSF6および
ガス中にCH結合を含むガスを用いるプラズマエッチン
グに関して、 化合物半導体上の金属電極、あるいは絶縁物に対して
行われるプラズマエッチングにおいて、該化合物半導体
表面の損傷を防止し、該化合物半導体がエッチングされ
ることを防止し、異方性エッチングを行う方法を提供す
ることを目的とし、 化合物半導体素子の製造において、プロセスガスとし
てSF6および ガス中にCH結合を含むガスを用いること
を特徴とする半導体装置の製造方法を含み構成する。
表面汚染を防止し、該化合物半導体がエッチングされる
ことを防止するために、プロセスガスとしてSF6および
ガス中にCH結合を含むガスを用いるプラズマエッチン
グに関して、 化合物半導体上の金属電極、あるいは絶縁物に対して
行われるプラズマエッチングにおいて、該化合物半導体
表面の損傷を防止し、該化合物半導体がエッチングされ
ることを防止し、異方性エッチングを行う方法を提供す
ることを目的とし、 化合物半導体素子の製造において、プロセスガスとし
てSF6および ガス中にCH結合を含むガスを用いること
を特徴とする半導体装置の製造方法を含み構成する。
本発明は、化合物半導体装置を製造するプロセスにお
いて、結晶表面がプラズマに曝されることにより受ける
基板損傷を防止し、基板結晶のエッチングを防止し、化
合物半導体上の金属電極、あるいは絶縁物の異方性エッ
チングを可能とするために、プロセスガスとしてSF6お
よび ガス中にCH結合を含むガスを用いることを特徴と
するプラズマエッチングに関する。
いて、結晶表面がプラズマに曝されることにより受ける
基板損傷を防止し、基板結晶のエッチングを防止し、化
合物半導体上の金属電極、あるいは絶縁物の異方性エッ
チングを可能とするために、プロセスガスとしてSF6お
よび ガス中にCH結合を含むガスを用いることを特徴と
するプラズマエッチングに関する。
化合物半導体装置の高速化、高集積化にともない、化
合物半導体結晶表面に微細な金属電極を形成する技術、
絶縁膜の微細加工技術が重要となっいる。微細加工技術
としてはプラズマエッチングを利用した、異方性ドライ
エッチングが主流である。
合物半導体結晶表面に微細な金属電極を形成する技術、
絶縁膜の微細加工技術が重要となっいる。微細加工技術
としてはプラズマエッチングを利用した、異方性ドライ
エッチングが主流である。
第５図は被エッチング物を示す断面図で、下地（例え
ばガリウム砒素GaAs基板）１上に被エッチング物２が設
けられていて、それをマスク３をマスクとして異方性ド
ライエッチングを行う例を示す。
ばガリウム砒素GaAs基板）１上に被エッチング物２が設
けられていて、それをマスク３をマスクとして異方性ド
ライエッチングを行う例を示す。
化合物半導体結晶表面での金属、絶縁物の微細加工技
術として、従来のプラズマエッチング技術ではCF4・O2
あるいはCF4・CHF3等のプロセスガスが用いられてい
る。しかしながら基板表面への高エネルギー粒子の入
射、不純物による汚染等によりプラズマ損傷を生じる。
このプラズマ損傷により半導体素子の特性は損なわれ
る。
術として、従来のプラズマエッチング技術ではCF4・O2
あるいはCF4・CHF3等のプロセスガスが用いられてい
る。しかしながら基板表面への高エネルギー粒子の入
射、不純物による汚染等によりプラズマ損傷を生じる。
このプラズマ損傷により半導体素子の特性は損なわれ
る。
第６図はカーボンを含まないエッチングガスを用い
た、被エッチング物を示す断面図で、下地（例えばガリ
ウム砒素GaAs基板）１上に被エッチング物２が設けられ
ていて、それをマスク３をマスクとしてカーボンを含ま
ないエッチングガスを用いて、ドライエッチングを行う
例を示す。
た、被エッチング物を示す断面図で、下地（例えばガリ
ウム砒素GaAs基板）１上に被エッチング物２が設けられ
ていて、それをマスク３をマスクとしてカーボンを含ま
ないエッチングガスを用いて、ドライエッチングを行う
例を示す。
カーボンを含まないエッチングガスとしてSF6を用い
たプラズマプロセスがシリコン基板と化合物半導体双方
に対して実施されているが、SF6単独ではプラズマエッ
チングで通常用いられる真空度領域（10-4〜10-2Torr）
において、パターンシフトのない異方性エッチングを実
現することはできない。これは、プラズマ中のラジカル
成分が主となる、化学反応が進み、被エッチング物の横
方向へのサイドエッチングが進む為で、異方性の微細加
工は困難である。
たプラズマプロセスがシリコン基板と化合物半導体双方
に対して実施されているが、SF6単独ではプラズマエッ
チングで通常用いられる真空度領域（10-4〜10-2Torr）
において、パターンシフトのない異方性エッチングを実
現することはできない。これは、プラズマ中のラジカル
成分が主となる、化学反応が進み、被エッチング物の横
方向へのサイドエッチングが進む為で、異方性の微細加
工は困難である。
これに対して、シリコン半導体装置の場合には、堆積
性の強いガスとしてCCl2F2等の添加ガスを加えて、CF系
のポリマーを被エッチング物の配線金属の側壁に、被着
堆積させてサイドエッチングを防ぐことが行われる。
性の強いガスとしてCCl2F2等の添加ガスを加えて、CF系
のポリマーを被エッチング物の配線金属の側壁に、被着
堆積させてサイドエッチングを防ぐことが行われる。
しかし、化合物半導体装置では、III族、Ｖ族等の元
素とCCl2F2等の添加ガスの塩素とが反応して、蒸気圧の
高い塩化物が形成され、蒸発するので化合物半導体基板
表面がエッチングされてしまい、このような塩素を含む
ガスの使用は困難である。
素とCCl2F2等の添加ガスの塩素とが反応して、蒸気圧の
高い塩化物が形成され、蒸発するので化合物半導体基板
表面がエッチングされてしまい、このような塩素を含む
ガスの使用は困難である。
第７図は塩素を含むガスによる化合物半導体上の被エ
ッチング物を示す断面図で、下地（例えば、ガリウム砒
素GaAs基板）１上に被エッチング物２が設けられてい
て、それをマスク３をマスクにエッチングを行う。18は
蒸気圧の高いIII族、Ｖ族塩化物である。
ッチング物を示す断面図で、下地（例えば、ガリウム砒
素GaAs基板）１上に被エッチング物２が設けられてい
て、それをマスク３をマスクにエッチングを行う。18は
蒸気圧の高いIII族、Ｖ族塩化物である。
本発明は、エッチングガスとしてSF6とCHF3を用い、
サイドエッチングを防止し、化合物半導体基板のエッチ
ングを防止し、化合物半導体基板の表面にプラズマによ
る損傷を生じないプラズマプロセス技術を提供すること
を目的としたものである。
サイドエッチングを防止し、化合物半導体基板のエッチ
ングを防止し、化合物半導体基板の表面にプラズマによ
る損傷を生じないプラズマプロセス技術を提供すること
を目的としたものである。
上記問題点は、金属または絶縁物よりなる層の形成さ
れた化合物半導体基板上に、部分的にマスク層を形成
し、該マスク層をマスクとしてSF6およびCHF3を含むガ
スを用いたプラズマエッチングにより該金属又は絶縁物
よりなる層を部分的に除去してパターンニングし、化合
物半導体の表面を露出した後、前記化合物半導体にイオ
ン注入を行う前に前記プラズマエッチングのダメージを
除去する熱処理を行うことを特徴とする化合物半導体装
置の製造方法によって解決される。
れた化合物半導体基板上に、部分的にマスク層を形成
し、該マスク層をマスクとしてSF6およびCHF3を含むガ
スを用いたプラズマエッチングにより該金属又は絶縁物
よりなる層を部分的に除去してパターンニングし、化合
物半導体の表面を露出した後、前記化合物半導体にイオ
ン注入を行う前に前記プラズマエッチングのダメージを
除去する熱処理を行うことを特徴とする化合物半導体装
置の製造方法によって解決される。
本発明においては、化合物半導体上の金属電極絶縁物
をプラズマによりドライエッチングする際に、エッチン
グガスとして、化学的エッチング成分の強いSF6を用い
ることにより、基板化合物半導体に対する損傷を防止
し、なおかつ、側壁保護の為に非塩素系の添加ガスとし
て、CH結合を含む添加ガスを用いることにより、化合物
半導体結晶のエッチングを防止する。
をプラズマによりドライエッチングする際に、エッチン
グガスとして、化学的エッチング成分の強いSF6を用い
ることにより、基板化合物半導体に対する損傷を防止
し、なおかつ、側壁保護の為に非塩素系の添加ガスとし
て、CH結合を含む添加ガスを用いることにより、化合物
半導体結晶のエッチングを防止する。
第１図は本発明による化合物半導体上の金属電極、絶
縁物のエッチング原理図である。下地（例えばガリウム
砒素GaAs基板）１上に被エッチング物２が設けられてい
て、マスク３をマスクにエッチングを行う。４はCH系ポ
リマーによる側壁保護物質である。側壁保護物質に保護
され被エッチング物の横方向へのエッチングは進まずSF
6の効果により基板損傷も少ない。さらにイオン注入の
前にプラズマエッチングによって生じた損傷を回復する
熱処理を実施するので、プラズマエッチングによって生
じた損傷がイオン注入によって大きくなり、SF6による
損傷低減の効果を半減するようなこともない。
縁物のエッチング原理図である。下地（例えばガリウム
砒素GaAs基板）１上に被エッチング物２が設けられてい
て、マスク３をマスクにエッチングを行う。４はCH系ポ
リマーによる側壁保護物質である。側壁保護物質に保護
され被エッチング物の横方向へのエッチングは進まずSF
6の効果により基板損傷も少ない。さらにイオン注入の
前にプラズマエッチングによって生じた損傷を回復する
熱処理を実施するので、プラズマエッチングによって生
じた損傷がイオン注入によって大きくなり、SF6による
損傷低減の効果を半減するようなこともない。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例による化合
物半導体の製造方法を説明するための工程断面図であ
る。本実施例は電界効果型トランジスターの製造方法で
あり、ショットキー電極形成のプラズマエッチングでSF
6およびCH結合を含むガスを用いる。
物半導体の製造方法を説明するための工程断面図であ
る。本実施例は電界効果型トランジスターの製造方法で
あり、ショットキー電極形成のプラズマエッチングでSF
6およびCH結合を含むガスを用いる。
第２図（ａ）において、GaAs基板１上に部分的に形成
された絶縁膜６をマスクとしてSiイオン注入を行い、後
に加熱処理により活性層５を形成する。活性層濃度とし
ては1017〜1018cm-3が一般的である。
された絶縁膜６をマスクとしてSiイオン注入を行い、後
に加熱処理により活性層５を形成する。活性層濃度とし
ては1017〜1018cm-3が一般的である。
第２図（ｂ）においてGaAs基板１上にスパッタ等によ
りWSi配線金属層２を形成し、しかるのちに、フォトレ
ジスト等によりマスク層３を形成する。
りWSi配線金属層２を形成し、しかるのちに、フォトレ
ジスト等によりマスク層３を形成する。
次に、第２図（ｃ）に示すように、このマスク３を用
いて下記の条件のプラズマエッチングにより配線金属層
２をエッチングして微細ショットキー電極を形成する。
いて下記の条件のプラズマエッチングにより配線金属層
２をエッチングして微細ショットキー電極を形成する。
反応ガス……六弗化イオウ（SF6） 2SCCM（cc/min） ……フロン23（CHF3） 16SCCM（cc/min） 反応室圧力……４×10-3Torr 基板加熱温度……60℃ 高周波電源周波数……13.56MHz 高周波電源出力……0.02W/cm2 この場合WSiのエッチング速度は約1500Å/min、GaAs
のエッチング速度は約20Å/minであり、非塩素系ガスの
効果によりGaAsのエッチング速度は十分に遅く、側壁保
護の効果により横方向へのエッチングは進まない。
のエッチング速度は約20Å/minであり、非塩素系ガスの
効果によりGaAsのエッチング速度は十分に遅く、側壁保
護の効果により横方向へのエッチングは進まない。
次に、エッチング後のGaAs基板に400℃程度の熱処理
を施すことによって、プラズマエッチング後のGaAs基板
表面層の損傷を取り除く。
を施すことによって、プラズマエッチング後のGaAs基板
表面層の損傷を取り除く。
次に、第２図（ｄ）に示すように、金属電極２を含む
領域に部分的に形成された絶縁膜６をマスクとしてSiイ
オン注入を行い、後に加熱処理により低抵抗層８を形成
する。
領域に部分的に形成された絶縁膜６をマスクとしてSiイ
オン注入を行い、後に加熱処理により低抵抗層８を形成
する。
最後に、第２図（ｅ）に示すように、ソース、ドレイ
ン電極９をリフトオフ法により形成する。
ン電極９をリフトオフ法により形成する。
第３図（ａ），（ｂ）は本発明の他の実施例による、
化合物半導体上の絶縁膜の異方性エッチングを説明する
断面図である。本実施例は、活性層を形成されたGaAs基
板上の絶縁物のエッチング方法であり、絶縁物のエッチ
ングでSF6およびCH結合を含むガスを用いる。
化合物半導体上の絶縁膜の異方性エッチングを説明する
断面図である。本実施例は、活性層を形成されたGaAs基
板上の絶縁物のエッチング方法であり、絶縁物のエッチ
ングでSF6およびCH結合を含むガスを用いる。
第３図（ａ）において活性層５、ならびに電極９を形
成されたGaAs基板上にCVD法などにより、SIO2絶縁膜層
２を形成する。しかるのちに、フォトレジスト等により
マスク層３を形成する。
成されたGaAs基板上にCVD法などにより、SIO2絶縁膜層
２を形成する。しかるのちに、フォトレジスト等により
マスク層３を形成する。
次に、第３図（ｂ）に示すようにSF6/CHF3の混合ガス
で絶縁膜層２をエッチングし、続いてレジストマスク
層、SIO2絶縁膜層を除去する。
で絶縁膜層２をエッチングし、続いてレジストマスク
層、SIO2絶縁膜層を除去する。
この場合、プラズマエッチングによりガリウム砒素化
合物半導体基板表面の導電層５が、プラズマに曝され損
傷を受け、第３図（ｃ）において金属電極９の間を流れ
る電流は減少する。
合物半導体基板表面の導電層５が、プラズマに曝され損
傷を受け、第３図（ｃ）において金属電極９の間を流れ
る電流は減少する。
第４図はエッチングによる導電層８を流れる電流値の
初期減少、および熱処理による電流値の回復を示す。熱
処理は300℃〜500℃の温度で１〜５分間行う。13はSF6/
CHF3の混合ガスによる電流値の変化を、14はCF4系のエ
ッチングによる電流値の変化を示している。
初期減少、および熱処理による電流値の回復を示す。熱
処理は300℃〜500℃の温度で１〜５分間行う。13はSF6/
CHF3の混合ガスによる電流値の変化を、14はCF4系のエ
ッチングによる電流値の変化を示している。
SF6/CHF3の混合ガスでは、熱処理により初期の電流値
まで回復している。しかしCF4系のエッチングでは、熱
処理による電流値の回復率は低く初期の電流値まで回復
しない。化学的なエッチング要素の強いSF6を用いるた
め、基板に対するプラズマ損傷の影響は小さい。同様の
効果は基板表面に導電層を形成されたアルミニウムガリ
ウム砒素上の絶縁膜のエッチングにおいても確認され
た。
まで回復している。しかしCF4系のエッチングでは、熱
処理による電流値の回復率は低く初期の電流値まで回復
しない。化学的なエッチング要素の強いSF6を用いるた
め、基板に対するプラズマ損傷の影響は小さい。同様の
効果は基板表面に導電層を形成されたアルミニウムガリ
ウム砒素上の絶縁膜のエッチングにおいても確認され
た。
以上に説明した実施例では、エッチング後すぐに基板
損傷を取り除く熱処理を行うものであるが、この熱処理
は電極のショットキ特性又はオーミック特性を劣化させ
ない温度以下でエッチング後イオン注入がある場合に
は、その前までに行えば良い。これはイオン注入が行わ
れると、エッチングの際生じた損傷、欠陥等が更に大き
な損傷、欠陥へと変化してしまい、電極の特性を劣化さ
せない温度での熱処理では損傷、欠陥等が回復できなく
なるためである。
損傷を取り除く熱処理を行うものであるが、この熱処理
は電極のショットキ特性又はオーミック特性を劣化させ
ない温度以下でエッチング後イオン注入がある場合に
は、その前までに行えば良い。これはイオン注入が行わ
れると、エッチングの際生じた損傷、欠陥等が更に大き
な損傷、欠陥へと変化してしまい、電極の特性を劣化さ
せない温度での熱処理では損傷、欠陥等が回復できなく
なるためである。
以上のような本発明の効果は、ガリウム砒素化合物半
導体に対してだけではなく、III族・Ｖ族元素塩化物の
蒸気圧が高いアルミニウムガリウム砒素・ガリウム燐・
インジウム燐・インジウムガリウム砒素・インジウムガ
リウム砒素燐 等、広く適用できる。
導体に対してだけではなく、III族・Ｖ族元素塩化物の
蒸気圧が高いアルミニウムガリウム砒素・ガリウム燐・
インジウム燐・インジウムガリウム砒素・インジウムガ
リウム砒素燐 等、広く適用できる。
以上のように、本発明によれば、化合物半導体結晶上
の配線金属、絶縁膜をエッチングする際に、添加ガスに
よる側壁保護の効果、非塩素系添加ガスによる化合物半
導体結晶との高選択比、低損傷、の効果がある。これに
より、化合物半導体装置の特性は著しく向上し、エッチ
ングプロセスの安定性、再現性は向上し、工業的には極
めて有用なものである。
の配線金属、絶縁膜をエッチングする際に、添加ガスに
よる側壁保護の効果、非塩素系添加ガスによる化合物半
導体結晶との高選択比、低損傷、の効果がある。これに
より、化合物半導体装置の特性は著しく向上し、エッチ
ングプロセスの安定性、再現性は向上し、工業的には極
めて有用なものである。
第１図は本発明の原理を示す図、 第２図は本発明による実施例を示す図、 第３図は本発明による他の実施例を示す図、 第４図は本発明による他の実施例の効果を表す図、 第５図、第６図、第７図は従来技術によるエッチング例
を示す図である。 図中、 １は化合物半導体基板 ２は絶縁物、配線金属などの被エッチング物 ３はエッチングマスク ４は側壁保護物質 ５は化合物半導体中の活性層 ６は絶縁膜 ７はシリコンイオン ８は化合物半導体中の導電層 ９は化合物半導体上の電極 10は電極間を流れる電流 11は測定端子 12は電流計 13はSF6/CHF3によるエッチング後の電流変化 14はCF4/O2によるエッチング後の電流変化 15は表面不純物 16はプラズマ中のイオン種 17はプラズマ中のラジカル種 18はIII・Ｖ属元素の塩化物
を示す図である。 図中、 １は化合物半導体基板 ２は絶縁物、配線金属などの被エッチング物 ３はエッチングマスク ４は側壁保護物質 ５は化合物半導体中の活性層 ６は絶縁膜 ７はシリコンイオン ８は化合物半導体中の導電層 ９は化合物半導体上の電極 10は電極間を流れる電流 11は測定端子 12は電流計 13はSF6/CHF3によるエッチング後の電流変化 14はCF4/O2によるエッチング後の電流変化 15は表面不純物 16はプラズマ中のイオン種 17はプラズマ中のラジカル種 18はIII・Ｖ属元素の塩化物
Claims (1)
- 【請求項１】金属または絶縁物よりなる層の形成された
化合物半導体基板上に、部分的にマスク層を形成し、 該マスク層をマスクとしてSF6およびCHF3を含むガスを
用いたプラズマエッチングにより該金属又は絶縁物より
なる層を部分的に除去してパターンニングし、化合物半
導体の表面を露出した後、 前記化合物半導体にイオン注入を行う前に前記プラズマ
エッチングのダメージを除去する熱処理を行うことを特
徴とする化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63227300A JP2569754B2 (ja) | 1988-09-10 | 1988-09-10 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63227300A JP2569754B2 (ja) | 1988-09-10 | 1988-09-10 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276224A JPH0276224A (ja) | 1990-03-15 |
| JP2569754B2 true JP2569754B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=16858656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63227300A Expired - Lifetime JP2569754B2 (ja) | 1988-09-10 | 1988-09-10 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569754B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5797600B2 (ja) | 2012-04-26 | 2015-10-21 | グローブライド株式会社 | 磁性流体シール付き軸受 |
| CN105317848B (zh) | 2014-07-29 | 2017-12-12 | 古洛布莱株式会社 | 磁流体密封式轴承及具备该轴承的钓鱼用卷线器 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5533060A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-08 | Semiconductor Res Found | Composite dry etching process |
| JPS5994815A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-05-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0622279B2 (ja) * | 1984-05-09 | 1994-03-23 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像素子の製造方法 |
| JPS61131456A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Canon Inc | シリコン化合物用ドライエツチングガス |
| CA1260365A (en) * | 1985-05-06 | 1989-09-26 | Lee Chen | Anisotropic silicon etching in fluorinated plasma |
| JPS62132344A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Nec Corp | 集積回路用シリコン基板の製造方法 |
| JPS62285432A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気的接続材料のマイクロ形成方法 |
| JPS62285426A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JPS63102373A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2506151B2 (ja) * | 1988-06-15 | 1996-06-12 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0212915A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Sharp Corp | 窒化珪素絶縁膜の加工方法 |
-
1988
- 1988-09-10 JP JP63227300A patent/JP2569754B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0276224A (ja) | 1990-03-15 |
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