JP3271085B2 - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JP3271085B2 JP3271085B2 JP27317092A JP27317092A JP3271085B2 JP 3271085 B2 JP3271085 B2 JP 3271085B2 JP 27317092 A JP27317092 A JP 27317092A JP 27317092 A JP27317092 A JP 27317092A JP 3271085 B2 JP3271085 B2 JP 3271085B2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に使
用されるエッチング方法に関する。特に、本発明はドラ
イエッチングの後処理方法に関する。
用されるエッチング方法に関する。特に、本発明はドラ
イエッチングの後処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のＶＬＳＩ，ＵＬＳＩなどに見られ
るように半導体装置の高集積化及び高性能化が進むに伴
い、配線材料のデザインルールもサブミクロン、さらに
はクォーターミクロンに微細化されようとしている。ま
た、例えば多結晶シリコンからなるゲート電極の下に形
成される例えばＳｉＯ2 等によりゲート絶縁膜の膜厚も
１５ｎｍ〜１０ｎｍ、さらには８ｎｍと薄くなってきて
いる。これに伴いゲート電極の加工においては下地であ
るゲート絶縁膜に対して高選択比の加工が可能なエッチ
ング技術が求められている。例えばＥＣＲ型イオン源を
用いたエッチング装置で臭素を含有するガス例えばＨＢ
ｒガスにＯ2 ガスを添加したガス系を用いることでゲー
ト絶縁膜に対して高選択比でゲート電極の加工が可能で
ある。すなわち、ＨＢｒガス系にＯ2 ガスを添加するこ
とでシリコンのエッチングレート向上が達成され、さら
にエッチングマスクであるレジスト表面に反応生成物の
再分解物であるＳｉＯ2 が付着し、対レジスト選択比の
向上が可能となる。
るように半導体装置の高集積化及び高性能化が進むに伴
い、配線材料のデザインルールもサブミクロン、さらに
はクォーターミクロンに微細化されようとしている。ま
た、例えば多結晶シリコンからなるゲート電極の下に形
成される例えばＳｉＯ2 等によりゲート絶縁膜の膜厚も
１５ｎｍ〜１０ｎｍ、さらには８ｎｍと薄くなってきて
いる。これに伴いゲート電極の加工においては下地であ
るゲート絶縁膜に対して高選択比の加工が可能なエッチ
ング技術が求められている。例えばＥＣＲ型イオン源を
用いたエッチング装置で臭素を含有するガス例えばＨＢ
ｒガスにＯ2 ガスを添加したガス系を用いることでゲー
ト絶縁膜に対して高選択比でゲート電極の加工が可能で
ある。すなわち、ＨＢｒガス系にＯ2 ガスを添加するこ
とでシリコンのエッチングレート向上が達成され、さら
にエッチングマスクであるレジスト表面に反応生成物の
再分解物であるＳｉＯ2 が付着し、対レジスト選択比の
向上が可能となる。
【０００３】これは１９９２年春季の第３９回応用物理
学会関係連合講演会でも報告されている（講演予稿集Ｎ
ｏ．２、Ｐ５０４講演番号２８ｐ−ＮＣ−４）。
学会関係連合講演会でも報告されている（講演予稿集Ｎ
ｏ．２、Ｐ５０４講演番号２８ｐ−ＮＣ−４）。
【０００４】図３及び図４は上述のエッチング方法を用
いた従来のドライエッチング方法を示す。まず、図３Ａ
に示すように、シリコン基板１上にＳｉＯ2 からなるゲ
ート絶縁膜２を形成し、このゲート絶縁膜２上にゲート
電極となる多結晶シリコン膜３をＣＶＤ（化学的気相成
長）法にて形成し、さらにこの多結晶シリコン膜３上に
エッチングレジスト層となるレジストマスク４をフォト
リソグラフィ法によって形成する。
いた従来のドライエッチング方法を示す。まず、図３Ａ
に示すように、シリコン基板１上にＳｉＯ2 からなるゲ
ート絶縁膜２を形成し、このゲート絶縁膜２上にゲート
電極となる多結晶シリコン膜３をＣＶＤ（化学的気相成
長）法にて形成し、さらにこの多結晶シリコン膜３上に
エッチングレジスト層となるレジストマスク４をフォト
リソグラフィ法によって形成する。
【０００５】次に、図３Ｂに示すように、ＥＣＲ型イオ
ン源を用いたエッチング装置、例えばリアクティブイオ
ンビームエッチング装置を用いて反応ガスとしてＨＢｒ
ガスにＯ2 ガスを添加したガス系を供給し、多結晶シリ
コン膜３をドライエッチングしてゲート電極３Ｇを形成
する。このドライエッチングにおいて、レジストマスク
４を含む表面上に反応生成物の再分解物であるＳｉＯ2
膜５が付着する。
ン源を用いたエッチング装置、例えばリアクティブイオ
ンビームエッチング装置を用いて反応ガスとしてＨＢｒ
ガスにＯ2 ガスを添加したガス系を供給し、多結晶シリ
コン膜３をドライエッチングしてゲート電極３Ｇを形成
する。このドライエッチングにおいて、レジストマスク
４を含む表面上に反応生成物の再分解物であるＳｉＯ2
膜５が付着する。
【０００６】次にレジストマスクのアッシングの前に、
図３Ｃに示すように、この反応生成物であるＳｉＯ2 膜
５を除去するために一旦装置外にこれを取出して０．５
％のＨＦ溶液によってレジストマスク４表面を含むＳｉ
Ｏ2 膜４を除去する。
図３Ｃに示すように、この反応生成物であるＳｉＯ2 膜
５を除去するために一旦装置外にこれを取出して０．５
％のＨＦ溶液によってレジストマスク４表面を含むＳｉ
Ｏ2 膜４を除去する。
【０００７】次に、図４Ｄに示すように、酸素プラズマ
処理によってレジストマスク４をアッシング処理で除去
する。しかる後、再びＨＦ溶液処理をして反応生成物を
完全に除去する。
処理によってレジストマスク４をアッシング処理で除去
する。しかる後、再びＨＦ溶液処理をして反応生成物を
完全に除去する。
【０００８】すなわち、レジストマスク４に形成される
反応生成物は炭素を含む反応物（Ｃ，ＳｉＢｒｘ）６が
形成され、さらにその表面にＳｉＯ2 膜５が形成され
る。すなわち、図３Ｃに示すＨＦ溶液では有機系の反応
生成物６は除去されず残ってしまう。そして、この炭素
を含む反応物６はその後の酸素プラズマ処理によってＳ
ｉＯ2 に変化するために最終的にもう一度ＨＦ溶液によ
る処理を行うようになしている。
反応生成物は炭素を含む反応物（Ｃ，ＳｉＢｒｘ）６が
形成され、さらにその表面にＳｉＯ2 膜５が形成され
る。すなわち、図３Ｃに示すＨＦ溶液では有機系の反応
生成物６は除去されず残ってしまう。そして、この炭素
を含む反応物６はその後の酸素プラズマ処理によってＳ
ｉＯ2 に変化するために最終的にもう一度ＨＦ溶液によ
る処理を行うようになしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のドラ
イエッチング方法においては、上述したようにレジスト
マスク４上に反応生成物であるＳｉＯ2 膜５が付着する
ために酸素プラズマによるレジストマスク４の除去が非
常に困難となる。前述の報告では０．５％のＨＦ溶液処
理によりレジストマスク４上のＳｉＯ2 膜５が除去さ
れ、レジストマスク４のアッシングが可能となるが、ア
ッシング処理の前に薬液処理の工程が増加してしまうと
いう欠点があった。
イエッチング方法においては、上述したようにレジスト
マスク４上に反応生成物であるＳｉＯ2 膜５が付着する
ために酸素プラズマによるレジストマスク４の除去が非
常に困難となる。前述の報告では０．５％のＨＦ溶液処
理によりレジストマスク４上のＳｉＯ2 膜５が除去さ
れ、レジストマスク４のアッシングが可能となるが、ア
ッシング処理の前に薬液処理の工程が増加してしまうと
いう欠点があった。
【００１０】一方反応生成物であるＳｉＯ2 膜をＨＦ溶
液によりエッチング除去する際には、ＳｉＯ2 からなる
ゲート絶縁膜２をも一部除去する恐れがあり、またゲー
ト電極３Ｇ下にアンダーカットが入る等の不都合が生じ
る。
液によりエッチング除去する際には、ＳｉＯ2 からなる
ゲート絶縁膜２をも一部除去する恐れがあり、またゲー
ト電極３Ｇ下にアンダーカットが入る等の不都合が生じ
る。
【００１１】本発明は、上述の点に鑑み、レジストマス
クのアッシング処理の前に薬液処理を行うことなくレジ
ストマスク除去を可能にしたエッチング方法を提供する
ものである。
クのアッシング処理の前に薬液処理を行うことなくレジ
ストマスク除去を可能にしたエッチング方法を提供する
ものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係るエッチング
方法は、レジストマスク４を介してドライエッチングで
所定のパターンを形成する工程と、レジストマスク４の
表面に付着した反応生成物５をプラズマ処理で除去する
工程と、酸素ガスを含有したガス系にてプラズマ処理し
てレジストマスク４を除去する工程と、反応生成物５の
残渣を溶液処理で除去する工程とを有し、反応生成物を
除去するプラズマ処理では、リアクティブイオンエッチ
ング装置を用いて被エッチング基板７を任意の角度に傾
斜させてレジストマスク４の上面及び側壁に付着した反
応生成物５を除去するようになす。
方法は、レジストマスク４を介してドライエッチングで
所定のパターンを形成する工程と、レジストマスク４の
表面に付着した反応生成物５をプラズマ処理で除去する
工程と、酸素ガスを含有したガス系にてプラズマ処理し
てレジストマスク４を除去する工程と、反応生成物５の
残渣を溶液処理で除去する工程とを有し、反応生成物を
除去するプラズマ処理では、リアクティブイオンエッチ
ング装置を用いて被エッチング基板７を任意の角度に傾
斜させてレジストマスク４の上面及び側壁に付着した反
応生成物５を除去するようになす。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】さらに、本発明は、上記のエッチング方法
において、その反応生成物５を除去するプラズマ処理を
行うガス系としてハロゲンを含有しないガスを用いて行
うようになす。
において、その反応生成物５を除去するプラズマ処理を
行うガス系としてハロゲンを含有しないガスを用いて行
うようになす。
【００１７】
【作用】本発明では、レジストマスク４を介してドライ
エッチングで所定パターンを形成した後、レジストマス
ク４の表面特に上面に付着した反応生成物５をプラズマ
処理で除去するので、薬液処理を用いることなく、その
後の酸素ガスを含有したガス系によるプラズマ処理でレ
ジストマスク４のアッシング処理すなわちレジストマス
ク４の除去を行うことができる。レジストマスク除去
（いわゆるアッシング処理）の前の溶液処理が省略され
るので、工程の簡略化が図られると共に、例えばＳｉＯ
2 による下地膜の一部をエッチン除去することがない。
プラズマ処理でレジストマスク４を除去した後、反応生
成物５の残渣を溶液処理で除去するので、確実に反応生
成物を除去することができ、半導体装置の製造の信頼性
が向上する。ドライエッチング、反応生成物５の除去及
びレジストマスク４の除去までがドライ処理で行われ、
最後の反応生成物５の残渣除去が溶液処理となるので、
工程の簡素化が図られる。反応生成物５を除去するプラ
ズマ処理では、リアクティブイオンビームエッチング装
置を用いて被エッチング基板７を任意の角度に傾斜させ
て、上面及び側壁に付着した反応生成物５を除去するの
で、その後のレジストマスク４のアッシング処理をより
容易に行うことができる。
エッチングで所定パターンを形成した後、レジストマス
ク４の表面特に上面に付着した反応生成物５をプラズマ
処理で除去するので、薬液処理を用いることなく、その
後の酸素ガスを含有したガス系によるプラズマ処理でレ
ジストマスク４のアッシング処理すなわちレジストマス
ク４の除去を行うことができる。レジストマスク除去
（いわゆるアッシング処理）の前の溶液処理が省略され
るので、工程の簡略化が図られると共に、例えばＳｉＯ
2 による下地膜の一部をエッチン除去することがない。
プラズマ処理でレジストマスク４を除去した後、反応生
成物５の残渣を溶液処理で除去するので、確実に反応生
成物を除去することができ、半導体装置の製造の信頼性
が向上する。ドライエッチング、反応生成物５の除去及
びレジストマスク４の除去までがドライ処理で行われ、
最後の反応生成物５の残渣除去が溶液処理となるので、
工程の簡素化が図られる。反応生成物５を除去するプラ
ズマ処理では、リアクティブイオンビームエッチング装
置を用いて被エッチング基板７を任意の角度に傾斜させ
て、上面及び側壁に付着した反応生成物５を除去するの
で、その後のレジストマスク４のアッシング処理をより
容易に行うことができる。
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】反応生成物５を除去するプラズマ処理を行
うガス系としてハロゲン原子を含有しないガスを用いる
ことによって確実に反応生成物を除去することができ
る。
うガス系としてハロゲン原子を含有しないガスを用いる
ことによって確実に反応生成物を除去することができ
る。
【００２２】
【実施例】本発明は、特にシリコンを含有してなる材料
のエッチングにおいて、ドライエッチング後にハロゲン
を含有しないガス系にてレジストマスクの上部をスパッ
タエッチングすることを特徴とするものである。
のエッチングにおいて、ドライエッチング後にハロゲン
を含有しないガス系にてレジストマスクの上部をスパッ
タエッチングすることを特徴とするものである。
【００２３】以下、図１及び図２を参照して本発明によ
るエッチング方法の実施例を説明する。
るエッチング方法の実施例を説明する。
【００２４】まず、図１Ａに示すように、シリコン基板
１上にＳｉＯ2 からなるゲート絶縁膜２を形成し、この
ゲート絶縁膜２上にゲート電極となる多結晶シリコン膜
３をＣＶＤ法にて形成する。そして、この多結晶シリコ
ン膜３上にゲート電極形成時のエッチングレジスト層と
なるレジストマスク４をフォトリソグラフィ法により形
成する。
１上にＳｉＯ2 からなるゲート絶縁膜２を形成し、この
ゲート絶縁膜２上にゲート電極となる多結晶シリコン膜
３をＣＶＤ法にて形成する。そして、この多結晶シリコ
ン膜３上にゲート電極形成時のエッチングレジスト層と
なるレジストマスク４をフォトリソグラフィ法により形
成する。
【００２５】次に、図１Ｂに示すように、ＥＣＲ型イオ
ン源を用いたエッチング装置例えばリアクティブイオン
ビームエッチング装置を用い、次に示す条件にて多結晶
シリコン膜３をドライエッチングし、ゲート電極３Ｇを
形成する。 エッチング条件 ＨＢｒガス ５０ｓｃｃｍ Ｏ2 ガス ０．５ｓｃｃｍ ガス圧 ５ｍＴｏｒｒ マイクロ波パワー ４００Ｗ
ン源を用いたエッチング装置例えばリアクティブイオン
ビームエッチング装置を用い、次に示す条件にて多結晶
シリコン膜３をドライエッチングし、ゲート電極３Ｇを
形成する。 エッチング条件 ＨＢｒガス ５０ｓｃｃｍ Ｏ2 ガス ０．５ｓｃｃｍ ガス圧 ５ｍＴｏｒｒ マイクロ波パワー ４００Ｗ
【００２６】上記エッチング時、放電分解で発生した臭
素ラジカルＢｒ* と多結晶シリコン膜３が反応し、Ｓｉ
Ｂｒ4 が形成されるがＯ2 ガスの添加により、その一部
が以下の反応によりＳｉＯ2 を形成する。
素ラジカルＢｒ* と多結晶シリコン膜３が反応し、Ｓｉ
Ｂｒ4 が形成されるがＯ2 ガスの添加により、その一部
が以下の反応によりＳｉＯ2 を形成する。
【００２７】ＳｉＢｒ4 ＋Ｏ2 →ＳｉＯ2 ＋２Ｂｒ2
【００２８】気相反応で生じたＳｉＯ2 は、エッチング
面に付着する。したがって臭素による反応とＳｉＯ2 の
堆積の競合反応によりエッチングは進行する。エッチン
グが終了した時点で下地のシリコン基板１及び多結晶シ
リコンによるゲート電極３Ｇの側壁、レジストマスクの
表面には気相反応で生成したＳｉＯ2 膜５が薄く付着し
た状態になる。この反応生成物であるＳｉＯ2 膜５は酸
素プラズマ処理によるレジストマスク４の除去を困難に
している。
面に付着する。したがって臭素による反応とＳｉＯ2 の
堆積の競合反応によりエッチングは進行する。エッチン
グが終了した時点で下地のシリコン基板１及び多結晶シ
リコンによるゲート電極３Ｇの側壁、レジストマスクの
表面には気相反応で生成したＳｉＯ2 膜５が薄く付着し
た状態になる。この反応生成物であるＳｉＯ2 膜５は酸
素プラズマ処理によるレジストマスク４の除去を困難に
している。
【００２９】したがって、次に図１Ｃに示すように、同
一チャンバー内で多結晶シリコン膜３をエッチングした
後、以下のプラズマ処理を行ってレジストマスク４の上
面のＳｉＯ2 膜５を除去する。
一チャンバー内で多結晶シリコン膜３をエッチングした
後、以下のプラズマ処理を行ってレジストマスク４の上
面のＳｉＯ2 膜５を除去する。
【００３０】プラズマ処理の条件として Ａｒガス ５０ｓｃｃｍ ガス圧 ５ｍＴｏｒｒ マイクロ波パワー ４００Ｗ 高周波バイアス １０Ｗ
【００３１】即ち、Ａｒ放電を行い、基体７に、バイア
ス電圧を印加させてＡｒイオンを基体７に入射させる。
下地のシリコン基板１、ゲート絶縁膜２上及びレジスト
マスク４上のＳｉＯ2 膜５はＡｒイオンのスパッタによ
り除去される。このプラズマ処理にてレジストマスク４
の上面が露出する（図１Ｃ参照）。
ス電圧を印加させてＡｒイオンを基体７に入射させる。
下地のシリコン基板１、ゲート絶縁膜２上及びレジスト
マスク４上のＳｉＯ2 膜５はＡｒイオンのスパッタによ
り除去される。このプラズマ処理にてレジストマスク４
の上面が露出する（図１Ｃ参照）。
【００３２】次に、図２Ｄに示すようにこの状態で酸素
プラズマ処理を行う。レジストマスク４の上面に対応す
る部分のＳｉＯ2 膜５が除去されているため、酸素ラジ
カル（Ｏ* ）とレジストマスク４が反応可能となり、反
応が進んでレジストマスク４が除去される。
プラズマ処理を行う。レジストマスク４の上面に対応す
る部分のＳｉＯ2 膜５が除去されているため、酸素ラジ
カル（Ｏ* ）とレジストマスク４が反応可能となり、反
応が進んでレジストマスク４が除去される。
【００３３】その後、後処理を兼ねてＨＦを含む溶液に
て処理を行い、酸素プラズマ処理で除去できない残渣も
含めゲート電極３Ｇ及びレジストマスク４の側壁に付着
していた反応生成物であるＳｉＯ2 膜５を除去する（図
２Ｅ参照）。これによってドライエッチング工程が完了
する。
て処理を行い、酸素プラズマ処理で除去できない残渣も
含めゲート電極３Ｇ及びレジストマスク４の側壁に付着
していた反応生成物であるＳｉＯ2 膜５を除去する（図
２Ｅ参照）。これによってドライエッチング工程が完了
する。
【００３４】本実施例によれば、ＨＢｒガスにＯ2 ガス
を添加したガス系を用いてゲート電極を形成すべき多結
晶シリコン膜３を高選択比エッチングした際、レジスト
マスク４に付着する無機物の反応生成物、例えばＳｉＯ
2 の少なくとも上面を除去することにより、その後の酸
素プラズマによるアッシング処理でレジストマスク４の
除去が可能となる。そして、酸素プラズマ処理によるレ
ジストマスク４のアッシング後に従来のゲート電極３Ｇ
及びレジストマスク４の側壁に付着していたＳｉＯ2 膜
５の除去をＨＦを含む溶液によって処理することによ
り、従来の酸素プラズマ処理の前のＨＦを含む溶液処理
を省略することが可能となり、工程の簡略化を図ること
ができる。
を添加したガス系を用いてゲート電極を形成すべき多結
晶シリコン膜３を高選択比エッチングした際、レジスト
マスク４に付着する無機物の反応生成物、例えばＳｉＯ
2 の少なくとも上面を除去することにより、その後の酸
素プラズマによるアッシング処理でレジストマスク４の
除去が可能となる。そして、酸素プラズマ処理によるレ
ジストマスク４のアッシング後に従来のゲート電極３Ｇ
及びレジストマスク４の側壁に付着していたＳｉＯ2 膜
５の除去をＨＦを含む溶液によって処理することによ
り、従来の酸素プラズマ処理の前のＨＦを含む溶液処理
を省略することが可能となり、工程の簡略化を図ること
ができる。
【００３５】また、多結晶シリコン膜３に対する選択エ
ッチング、レジストマスク４の上面の反応生成物（Ｓｉ
Ｏ2 膜５）の除去するためのプラズマ処理、その後の酸
素プラズマ処理によるレジストマスク４の除去を同一の
チャンバー内で行うことができ、半導体デバイスの製造
のスループットを向上することができる。
ッチング、レジストマスク４の上面の反応生成物（Ｓｉ
Ｏ2 膜５）の除去するためのプラズマ処理、その後の酸
素プラズマ処理によるレジストマスク４の除去を同一の
チャンバー内で行うことができ、半導体デバイスの製造
のスループットを向上することができる。
【００３６】更に、Ａｒガスによるプラズマ処理でレジ
ストマスク４の上面及びゲート絶縁膜２上の反応生成物
であるＳｉＯ2 膜５を除去するので、ＨＦ溶液処理で生
ずるゲート電極３Ｇ下のアンダーカットは起こらず信頼
性の高い半導体デバイスが得られる。
ストマスク４の上面及びゲート絶縁膜２上の反応生成物
であるＳｉＯ2 膜５を除去するので、ＨＦ溶液処理で生
ずるゲート電極３Ｇ下のアンダーカットは起こらず信頼
性の高い半導体デバイスが得られる。
【００３７】上例においては、ゲート電極材料として多
結晶シリコンを用いたが、その他、タングステンシリサ
イド（ＷＳｉｘ）とリンをドープした多結晶シリコン層
との積層体いわゆるポリサイド構造を用いた場合のドラ
イエッチングにおいても適用可能である。
結晶シリコンを用いたが、その他、タングステンシリサ
イド（ＷＳｉｘ）とリンをドープした多結晶シリコン層
との積層体いわゆるポリサイド構造を用いた場合のドラ
イエッチングにおいても適用可能である。
【００３８】前述のポリサイド構造において、タングス
テンシリサイドの代わりにモリブデンシリサイドを用い
ることもできる。
テンシリサイドの代わりにモリブデンシリサイドを用い
ることもできる。
【００３９】上例ではプラズマ処理に適用したガス系と
してＨＢｒとＯ2 の混合ガス系を用いたが、ＨＢｒガス
の代わりにＢＢｒ3 ，Ｂｒ2 ，Ｃｌ2 ，ＨＣｌ，ＢＣｌ
3 の群より１種以上のガスを含有してなるガス系を用い
ることも可能である。
してＨＢｒとＯ2 の混合ガス系を用いたが、ＨＢｒガス
の代わりにＢＢｒ3 ，Ｂｒ2 ，Ｃｌ2 ，ＨＣｌ，ＢＣｌ
3 の群より１種以上のガスを含有してなるガス系を用い
ることも可能である。
【００４０】また、レジストマスク４上のＳｉＯ2 膜５
を除去するガスとしてＡｒガスを示したが、Ａｒガス以
外にＨｅ，Ｎｅ，Ｏ2 ，Ｎ2 及びＮＨ3 等も適用可能で
ある。
を除去するガスとしてＡｒガスを示したが、Ａｒガス以
外にＨｅ，Ｎｅ，Ｏ2 ，Ｎ2 及びＮＨ3 等も適用可能で
ある。
【００４１】また、上例ではレジストマスク４の上面の
ＳｉＯ2 膜５を一部除去するようにしたが、その他、リ
アクティブイオンビームエッチング装置において、その
被エッチング基体７を任意の角度に傾斜させて側壁に付
着した反応生成物であるＳｉＯ2 膜５をも除去するよう
になすことも可能である。
ＳｉＯ2 膜５を一部除去するようにしたが、その他、リ
アクティブイオンビームエッチング装置において、その
被エッチング基体７を任意の角度に傾斜させて側壁に付
着した反応生成物であるＳｉＯ2 膜５をも除去するよう
になすことも可能である。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、レジストマスクの表面
に形成される反応生成物を一部除去することにより、そ
の後の酸素プラズマ処理によって容易にレジストマスク
を除去することができる。また、酸素プラズマ処理の前
に弗化水素を含有してなる溶液を用いて反応生成物を除
去することが不要となり、一連の工程が同一処理室内で
行われるので工程の簡略化が図られ、半導体装置の製造
のスループットを向上することができる。レジストマス
クの除去後等に、さらに反応生成物の残渣を溶液処理で
除去するので、反応生成物の除去を確実にすることがで
きる。反応生成物を除去するプラズマ処理において、被
エッチング基板を任意の角度に傾斜させて、上面及び側
壁に付着した反応生成物を除去するので、その後のレジ
ストマスクの除去の更なる容易化を図ることができる。
に形成される反応生成物を一部除去することにより、そ
の後の酸素プラズマ処理によって容易にレジストマスク
を除去することができる。また、酸素プラズマ処理の前
に弗化水素を含有してなる溶液を用いて反応生成物を除
去することが不要となり、一連の工程が同一処理室内で
行われるので工程の簡略化が図られ、半導体装置の製造
のスループットを向上することができる。レジストマス
クの除去後等に、さらに反応生成物の残渣を溶液処理で
除去するので、反応生成物の除去を確実にすることがで
きる。反応生成物を除去するプラズマ処理において、被
エッチング基板を任意の角度に傾斜させて、上面及び側
壁に付着した反応生成物を除去するので、その後のレジ
ストマスクの除去の更なる容易化を図ることができる。
【図１】本発明に係るドライエッチング方法の例を示す
工程図（その１）である。
工程図（その１）である。
【図２】本発明に係るドライエッチング方法の例を示す
工程図（その２）である。
工程図（その２）である。
【図３】従来のドライエッチング方法の例を示す工程図
（その１）である。
（その１）である。
【図４】従来のドライエッチング方法の例を示す工程図
（その２）である。
（その２）である。
１ シリコン基板 ２ ゲート絶縁膜（ＳｉＯ2 ） ３ 多結晶シリコン膜 ３Ｇ ゲート電極 ４ レジストマスク ５ 反応生成物（ＳｉＯ2 膜） ６ 炭素を含む反応生成物 ７ 基体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/304 645
Claims (2)
- 【請求項１】 レジストマスクを介してドライエッチン
グで所定のパターンを形成する工程と、 上記レジストマスクの表面に付着した反応生成物をプラ
ズマ処理で除去する工程と、 酸素ガスを含有したガス系にてプラズマ処理して上記レ
ジストマスクを除去する工程と、 上記反応生成物の残渣を溶液処理で除去する工程とを有
し、 上記反応生成物を除去するプラズマ処理では、リアクテ
ィブイオンエッチング装置を用いて被エッチング基板を
任意の角度に傾斜させて上記レジストマスクの上面及び
側壁に付着した上記反応生成物を除去すること を特徴と
するエッチング方法。 - 【請求項２】 上記反応生成物を除去するプラズマ処理
を行うガス系としてハロゲンを含有しないガスを用いる
ことを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27317092A JP3271085B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27317092A JP3271085B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124927A JPH06124927A (ja) | 1994-05-06 |
| JP3271085B2 true JP3271085B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=17524078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27317092A Expired - Fee Related JP3271085B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3271085B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4780264B2 (ja) * | 2001-05-16 | 2011-09-28 | 信越化学工業株式会社 | クロム系フォトマスクの形成方法 |
-
1992
- 1992-10-12 JP JP27317092A patent/JP3271085B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06124927A (ja) | 1994-05-06 |
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