JPH05267157A - 配線形成法 - Google Patents
配線形成法Info
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- JPH05267157A JPH05267157A JP4091990A JP9199092A JPH05267157A JP H05267157 A JPH05267157 A JP H05267157A JP 4091990 A JP4091990 A JP 4091990A JP 9199092 A JP9199092 A JP 9199092A JP H05267157 A JPH05267157 A JP H05267157A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
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- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線パターニング後のレジストアッシング処
理において、防食性能を高めると共にレジスト除去を容
易にする。 【構成】 半導体基板１０の表面を覆う絶縁膜１２の上
にＡｌ系の配線材層を形成した後、この配線材層をレジ
スト層１６をマスクとしてＣｌ系ガスで選択的にエッチ
して配線層１４を形成する。そして、Ｏ2 ／ＣＨＦ3 ／
ＣＨ3 ＯＨ等のＦ，Ｈ含有Ｏ2 ガスのプラズマを用い且
つ基板１０を加熱しないでレジスト層１６のアッシング
を行なう。この場合、Ｃｌ成分がＨＣｌの形で除去され
ると共に、過剰なＨ成分がＨＦの形で除去されてＨ2 Ｏ
の生成・付着が抑制されるので、防食性能が向上する。
また、基板を加熱しないので、レジストの変質・硬化が
抑制され、レジスト除去が容易となる。この後、Ｏ2 ／
ＣＨＦ3 等のＦ含有Ｏ2 ガスのプラズマを用いてアッシ
ングを行なってもよい。
理において、防食性能を高めると共にレジスト除去を容
易にする。 【構成】 半導体基板１０の表面を覆う絶縁膜１２の上
にＡｌ系の配線材層を形成した後、この配線材層をレジ
スト層１６をマスクとしてＣｌ系ガスで選択的にエッチ
して配線層１４を形成する。そして、Ｏ2 ／ＣＨＦ3 ／
ＣＨ3 ＯＨ等のＦ，Ｈ含有Ｏ2 ガスのプラズマを用い且
つ基板１０を加熱しないでレジスト層１６のアッシング
を行なう。この場合、Ｃｌ成分がＨＣｌの形で除去され
ると共に、過剰なＨ成分がＨＦの形で除去されてＨ2 Ｏ
の生成・付着が抑制されるので、防食性能が向上する。
また、基板を加熱しないので、レジストの変質・硬化が
抑制され、レジスト除去が容易となる。この後、Ｏ2 ／
ＣＨＦ3 等のＦ含有Ｏ2 ガスのプラズマを用いてアッシ
ングを行なってもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＳＩ等の集積回路
の製造に用いられる配線形成法に関し、特に配線パター
ニング後のレジストアッシング処理においてＯ2 ／ＣＨ
Ｆ3 ／ＣＨ3ＯＨ等のＦ，Ｈ含有Ｏ2 ガスのプラズマを
用いて加熱なしでアッシングを行なうことにより防食性
能を高めると共にレジスト除去を容易にしたものであ
る。
の製造に用いられる配線形成法に関し、特に配線パター
ニング後のレジストアッシング処理においてＯ2 ／ＣＨ
Ｆ3 ／ＣＨ3ＯＨ等のＦ，Ｈ含有Ｏ2 ガスのプラズマを
用いて加熱なしでアッシングを行なうことにより防食性
能を高めると共にレジスト除去を容易にしたものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ等の配線形成法としては、
図７に示すような方法が知られている。すなわち、シリ
コン等の半導体基板１０の表面を覆うシリコンオキサイ
ド等の絶縁膜１２の上にＡｌ又はＡｌ合金等のＡｌ系配
線材を被着した後、その被着層をレジスト層１６をマス
クとしてＢＣｌ3 、Ｃｌ2 等のＣｌ系ガスで選択的にエ
ッチして配線層１４を形成する。
図７に示すような方法が知られている。すなわち、シリ
コン等の半導体基板１０の表面を覆うシリコンオキサイ
ド等の絶縁膜１２の上にＡｌ又はＡｌ合金等のＡｌ系配
線材を被着した後、その被着層をレジスト層１６をマス
クとしてＢＣｌ3 、Ｃｌ2 等のＣｌ系ガスで選択的にエ
ッチして配線層１４を形成する。
【０００３】この後、レジスト層１６及びエッチング時
の反応生成物を除去すべくアッシング処理を行なう。こ
のようなアッシング処理としては、ＣＦ4 等のＦ含有ガ
スとＯ2 ガスとの混合ガスのプラズマを用いてアッシン
グを行なう第１の方法と、ＣＨ3 ＯＨ（メタノール）等
のＨ含有ガスとＯ2 ガスとの混合ガスのプラズマを用い
てアッシングを行なう第２の方法とが知られている（第
１及び第２の方法についてはそれぞれ特開昭５８−８７
２７６号公報及び特開平３−８３３３７号公報参照）。
の反応生成物を除去すべくアッシング処理を行なう。こ
のようなアッシング処理としては、ＣＦ4 等のＦ含有ガ
スとＯ2 ガスとの混合ガスのプラズマを用いてアッシン
グを行なう第１の方法と、ＣＨ3 ＯＨ（メタノール）等
のＨ含有ガスとＯ2 ガスとの混合ガスのプラズマを用い
てアッシングを行なう第２の方法とが知られている（第
１及び第２の方法についてはそれぞれ特開昭５８−８７
２７６号公報及び特開平３−８３３３７号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した第１の方法に
よると、エッチング時に基板上面に付着したＣｌ成分を
十分に除去することができず、残留したＣｌ成分により
配線腐食が生ずるという問題点があった。特に、Ａｌ系
配線材層の下にＴｉＷ，ＴｉＮ等のバリアメタル層を敷
いた積層膜にあっては、残留Ｃｌ成分の作用の他に配線
材間の局部的な電池作用も加わるため、一層腐食が生じ
易かった。
よると、エッチング時に基板上面に付着したＣｌ成分を
十分に除去することができず、残留したＣｌ成分により
配線腐食が生ずるという問題点があった。特に、Ａｌ系
配線材層の下にＴｉＷ，ＴｉＮ等のバリアメタル層を敷
いた積層膜にあっては、残留Ｃｌ成分の作用の他に配線
材間の局部的な電池作用も加わるため、一層腐食が生じ
易かった。
【０００５】このような問題点を解決すべく提案された
のが、上記した第２の方法である。しかし、第２の方法
によると、実用的なアッシング速度を得るために２００
〜３５０℃程度の温度で基板（又はウエハ）を加熱する
必要がある。このような加熱処理は、エッチングガスや
反応生成物（ＡｌＣｌx ，ＣｕＣｌ2 ，ＳｉＣｌx 等）
が打込まれたレジスト表面層を変質・硬化させ、特に図
７に示すようにレジスト層１６の両側部のレジスト表面
層１６ａ，１６ｂを除去不能にしてしまう。残されたレ
ジスト表面層１６ａ，１６ｂは、ラビットイヤー（うさ
ぎの耳）と呼ばれることがある。
のが、上記した第２の方法である。しかし、第２の方法
によると、実用的なアッシング速度を得るために２００
〜３５０℃程度の温度で基板（又はウエハ）を加熱する
必要がある。このような加熱処理は、エッチングガスや
反応生成物（ＡｌＣｌx ，ＣｕＣｌ2 ，ＳｉＣｌx 等）
が打込まれたレジスト表面層を変質・硬化させ、特に図
７に示すようにレジスト層１６の両側部のレジスト表面
層１６ａ，１６ｂを除去不能にしてしまう。残されたレ
ジスト表面層１６ａ，１６ｂは、ラビットイヤー（うさ
ぎの耳）と呼ばれることがある。
【０００６】なお、第１の方法を用いた場合にも、アッ
シング後に１６ａ，１６ｂのようなレジスト表面層が残
ることがあるが、これらはアミン系の溶剤で簡単に除去
することができる。しかし、第２の方法を用いた場合に
は、アミン系の溶剤で処理しても除去できないほどレジ
ストが変質・硬化することがあり、歩留りの低下を免れ
なかった。
シング後に１６ａ，１６ｂのようなレジスト表面層が残
ることがあるが、これらはアミン系の溶剤で簡単に除去
することができる。しかし、第２の方法を用いた場合に
は、アミン系の溶剤で処理しても除去できないほどレジ
ストが変質・硬化することがあり、歩留りの低下を免れ
なかった。
【０００７】レジストの変質・硬化を回避するため、加
熱温度を低下させることが試みられた。しかし、このよ
うにすると、アッシング速度が低下するだけでなく、防
食性能も低下する。このように防食性能が低下するの
は、プラズマ放電により生成されたＨ2 Ｏが基板上面に
付着し、残留するためであると考えられる。
熱温度を低下させることが試みられた。しかし、このよ
うにすると、アッシング速度が低下するだけでなく、防
食性能も低下する。このように防食性能が低下するの
は、プラズマ放電により生成されたＨ2 Ｏが基板上面に
付着し、残留するためであると考えられる。
【０００８】この発明の目的は、配線パターニング後の
レジストアッシング処理において、防食性能を高めると
共にレジスト除去を容易にすることにある。
レジストアッシング処理において、防食性能を高めると
共にレジスト除去を容易にすることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明による配線形成
法は、（ａ）基板の絶縁性表面上に配線材層を形成する
工程と、（ｂ）前記配線材層をレジスト層をマスクとす
る選択エッチングによりパターニングして配線層を形成
する工程と、（ｃ）前記パターニングの後前記レジスト
層をＨ成分含有ガスとＦ成分含有ガスとＯ2 ガスとの混
合ガスのプラズマを用い且つ前記基板を加熱しないでア
ッシングする工程とを含むものである。
法は、（ａ）基板の絶縁性表面上に配線材層を形成する
工程と、（ｂ）前記配線材層をレジスト層をマスクとす
る選択エッチングによりパターニングして配線層を形成
する工程と、（ｃ）前記パターニングの後前記レジスト
層をＨ成分含有ガスとＦ成分含有ガスとＯ2 ガスとの混
合ガスのプラズマを用い且つ前記基板を加熱しないでア
ッシングする工程とを含むものである。
【００１０】このような配線形成法にあっては、前記ア
ッシングの後Ｆ成分含有ガスとＯ2ガスとの混合ガスの
プラズマにより追加のアッシング処理を行なってもよ
い。
ッシングの後Ｆ成分含有ガスとＯ2ガスとの混合ガスの
プラズマにより追加のアッシング処理を行なってもよ
い。
【００１１】
【作用】この発明の配線形成法によれば、アッシングガ
ス中にＨ成分が含まれているので、エッチング時に基板
上面に付着したＣｌ成分がＨＣｌの形で除去される。ま
た、アッシングガス中にＦ成分が含まれているので、ア
ッシング速度が増大すると共に、過剰なＨ成分がＨＦの
形で除去され、Ｈ2 Ｏの生成・付着が抑制される。従っ
て、防食性能が大幅に向上する。その上、基板を加熱し
ないので、レジストの変質・硬化を回避することがで
き、レジスト除去が容易となる。
ス中にＨ成分が含まれているので、エッチング時に基板
上面に付着したＣｌ成分がＨＣｌの形で除去される。ま
た、アッシングガス中にＦ成分が含まれているので、ア
ッシング速度が増大すると共に、過剰なＨ成分がＨＦの
形で除去され、Ｈ2 Ｏの生成・付着が抑制される。従っ
て、防食性能が大幅に向上する。その上、基板を加熱し
ないので、レジストの変質・硬化を回避することがで
き、レジスト除去が容易となる。
【００１２】上記したように追加のアッシング処理を行
なうと、基板上面に残留するレジスト、Ｃｌ成分、Ｈ2
Ｏ等の付着物が効率的に除去され、防食性能が一層向上
する。
なうと、基板上面に残留するレジスト、Ｃｌ成分、Ｈ2
Ｏ等の付着物が効率的に除去され、防食性能が一層向上
する。
【００１３】
【実施例】図１〜３は、この発明の一実施例による配線
形成法を示すもので、各々の図に対応する工程（１）〜
（３）を順次に説明する。
形成法を示すもので、各々の図に対応する工程（１）〜
（３）を順次に説明する。
【００１４】（１）シリコン等の半導体基板１０の表面
を覆うシリコンオキサイド等の絶縁膜１２の上にスパッ
タ法等によりＡｌ系の配線材層１４Ａを形成する。配線
材層１４Ａは、一例としてＴｉＮ層（バリアメタル層）
１４ａの上にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金層１４ｂを積層して
形成する。そして、回転塗布法により基板上面にレジス
トを被着した後その被着層をホトリソグラフィ処理によ
りパターニングすることにより所望の配線パターンに対
応したレジスト層１６を配線材層１４Ａ上に形成する。
を覆うシリコンオキサイド等の絶縁膜１２の上にスパッ
タ法等によりＡｌ系の配線材層１４Ａを形成する。配線
材層１４Ａは、一例としてＴｉＮ層（バリアメタル層）
１４ａの上にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金層１４ｂを積層して
形成する。そして、回転塗布法により基板上面にレジス
トを被着した後その被着層をホトリソグラフィ処理によ
りパターニングすることにより所望の配線パターンに対
応したレジスト層１６を配線材層１４Ａ上に形成する。
【００１５】（２）次に、レジスト層１６をマスクとす
るドライエッチング処理により配線材層１４Ａをパター
ニングして配線層１４を形成する。このとき、エッチン
グガスとしては、ＢＣｌ3 、Ｃｌ2 等のＣｌ系のガスを
用いる。
るドライエッチング処理により配線材層１４Ａをパター
ニングして配線層１４を形成する。このとき、エッチン
グガスとしては、ＢＣｌ3 、Ｃｌ2 等のＣｌ系のガスを
用いる。
【００１６】（３）次に、レジスト層１６及びエッチン
グ時の反応生成物を除去すべくアッシング処理を行な
う。この実施例では、図４に示すようなマイクロ波プラ
ズマアッシャを用いて２ステップのアッシング処理を行
なう。
グ時の反応生成物を除去すべくアッシング処理を行な
う。この実施例では、図４に示すようなマイクロ波プラ
ズマアッシャを用いて２ステップのアッシング処理を行
なう。
【００１７】図４において、アッシャの処理室２０内の
試料台２２上には、ウエハ状の半導体基板１０が載置さ
れる。試料台２２は、冷却水２２Ａを循環させることに
より約２０℃に冷却されている。第１ステップのアッシ
ング処理において、処理室２０内には給気管２４Ａから
処理ガスＧとしてＯ2 ／ＣＨＦ3 ／ＣＨ3 ＯＨの混合ガ
スが供給され、ガスＧは圧力調整弁２６を有する排気管
２４Ｂを介して排気される。圧力調整弁２６を調整する
ことにより処理圧力は、１．２［Ｔｏｒｒ］に設定され
た。また、Ｏ2 ／ＣＨＦ3 ／ＣＨ3 ＯＨの流量は、２０
０／５／４０［ｓｃｃｍ］であった。
試料台２２上には、ウエハ状の半導体基板１０が載置さ
れる。試料台２２は、冷却水２２Ａを循環させることに
より約２０℃に冷却されている。第１ステップのアッシ
ング処理において、処理室２０内には給気管２４Ａから
処理ガスＧとしてＯ2 ／ＣＨＦ3 ／ＣＨ3 ＯＨの混合ガ
スが供給され、ガスＧは圧力調整弁２６を有する排気管
２４Ｂを介して排気される。圧力調整弁２６を調整する
ことにより処理圧力は、１．２［Ｔｏｒｒ］に設定され
た。また、Ｏ2 ／ＣＨＦ3 ／ＣＨ3 ＯＨの流量は、２０
０／５／４０［ｓｃｃｍ］であった。
【００１８】この後、第２ステップのアッシング処理で
は、処理室２０内に処理ガスＧとしてＯ2 ／ＣＨＦ3 の
混合ガスを１００／５［ｓｃｃｍ］なる流量で供給し、
処理圧力を０．３［Ｔｏｒｒ］に設定した。このような
ガス及び圧力の条件をアッシング条件Ａと称し、第１ス
テップのガス及び圧力の条件をアッシング条件Ａ１と称
すると、この実施例のアッシング条件Ｄは、アッシング
条件Ａ１＋アッシング条件Ａで表わされる。
は、処理室２０内に処理ガスＧとしてＯ2 ／ＣＨＦ3 の
混合ガスを１００／５［ｓｃｃｍ］なる流量で供給し、
処理圧力を０．３［Ｔｏｒｒ］に設定した。このような
ガス及び圧力の条件をアッシング条件Ａと称し、第１ス
テップのガス及び圧力の条件をアッシング条件Ａ１と称
すると、この実施例のアッシング条件Ｄは、アッシング
条件Ａ１＋アッシング条件Ａで表わされる。
【００１９】図５は、コロージョン数のアッシング条件
依存性を示すものであり、コロージョン数は、図６に示
すようなコロージョン観察パターンにて測定されたもの
である。図６において、Ｐ1 〜Ｐ10は、図３の１４と同
様にして下地絶縁膜上に形成されたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ／
ＴｉＮ配線層であり、各配線層の長さＬは６１［μ
ｍ］、各配線層の幅ＷL は１［μｍ］、各配線間隔ＷS
は３［μｍ］であった。また、図５において、「４ｈｒ
ｓ後」及び「２６ｈｒｓ後」は、それぞれアッシングの
４時間後及び２６時間後を意味する。
依存性を示すものであり、コロージョン数は、図６に示
すようなコロージョン観察パターンにて測定されたもの
である。図６において、Ｐ1 〜Ｐ10は、図３の１４と同
様にして下地絶縁膜上に形成されたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ／
ＴｉＮ配線層であり、各配線層の長さＬは６１［μ
ｍ］、各配線層の幅ＷL は１［μｍ］、各配線間隔ＷS
は３［μｍ］であった。また、図５において、「４ｈｒ
ｓ後」及び「２６ｈｒｓ後」は、それぞれアッシングの
４時間後及び２６時間後を意味する。
【００２０】図５において、アッシング条件Ａは、上記
実施例のアッシング処理の第２ステップのみ行なったも
ので、従来技術として述べた第１の方法に相当する。ア
ッシング条件Ａでのコロージョン数は、アッシングの４
時間後及び２６時間後にそれぞれ４０［個］及び１３６
［個］であったのに対し、この発明によるアッシング条
件Ｄでのコロージョン数は、アッシングの４時間後及び
２６時間後のいずれもゼロであり、このゼロ状態はアッ
シングの４日後まで続いた。
実施例のアッシング処理の第２ステップのみ行なったも
ので、従来技術として述べた第１の方法に相当する。ア
ッシング条件Ａでのコロージョン数は、アッシングの４
時間後及び２６時間後にそれぞれ４０［個］及び１３６
［個］であったのに対し、この発明によるアッシング条
件Ｄでのコロージョン数は、アッシングの４時間後及び
２６時間後のいずれもゼロであり、このゼロ状態はアッ
シングの４日後まで続いた。
【００２１】図５には、比較のため、アッシング条件
Ｂ、Ｃ−１〜Ｃ−３でのコロージョン数も示されてい
る。これらのアッシング条件の詳細は、次の通りであ
る。
Ｂ、Ｃ−１〜Ｃ−３でのコロージョン数も示されてい
る。これらのアッシング条件の詳細は、次の通りであ
る。
【００２２】アッシング条件Ｂ：これは、処理ガスＧと
してＯ2 ／ＣＨ3 ＯＨの混合ガスを２００／４０［ｓｃ
ｃｍ］なる流量で供給すると共に、処理圧力を１．２
［Ｔｏｒｒ］に設定して第１ステップのアッシング処理
を行なった後、前述のアッシング条件Ａと同一条件で第
２ステップのアッシング処理を行なったもので、従来技
術として述べた第２及び第１の方法をこの記載の順序で
組合せたものに相当する。
してＯ2 ／ＣＨ3 ＯＨの混合ガスを２００／４０［ｓｃ
ｃｍ］なる流量で供給すると共に、処理圧力を１．２
［Ｔｏｒｒ］に設定して第１ステップのアッシング処理
を行なった後、前述のアッシング条件Ａと同一条件で第
２ステップのアッシング処理を行なったもので、従来技
術として述べた第２及び第１の方法をこの記載の順序で
組合せたものに相当する。
【００２３】アッシング条件Ｃ−１：これは、前述のア
ッシング条件Ａと同一条件で第１ステップのアッシング
処理を行なった後、処理ガスＧとしてＯ2 ／ＣＨ3 ＯＨ
の混合ガスを５０／１０［ｓｃｃｍ］なる流量で供給し
且つ処理圧力を０．２［Ｔｏｒｒ］に設定して第２ステ
ップのアッシング処理を３０秒間行なったもので、従来
技術として述べた第１及び第２の方法をこの記載の順序
で組合せたものに相当する。
ッシング条件Ａと同一条件で第１ステップのアッシング
処理を行なった後、処理ガスＧとしてＯ2 ／ＣＨ3 ＯＨ
の混合ガスを５０／１０［ｓｃｃｍ］なる流量で供給し
且つ処理圧力を０．２［Ｔｏｒｒ］に設定して第２ステ
ップのアッシング処理を３０秒間行なったもので、従来
技術として述べた第１及び第２の方法をこの記載の順序
で組合せたものに相当する。
【００２４】アッシング条件Ｃ−２：これは、アッシン
グ条件Ｃ−１において、第２ステップのアッシング処理
時間を５０秒に変更したもので、他の条件はアッシング
条件Ｃ−１と同様である。
グ条件Ｃ−１において、第２ステップのアッシング処理
時間を５０秒に変更したもので、他の条件はアッシング
条件Ｃ−１と同様である。
【００２５】アッシング条件Ｃ−３：これは、アッシン
グ条件Ｃ−１において、Ｏ2 ／ＣＨ3 ＯＨの流量を５０
／１５［ｓｃｃｍ］に変更すると共に第２ステップの処
理時間を５０秒に変更したもので、他の条件はアッシン
グ条件Ｃ−１と同様である。換言すれば、アッシング条
件Ｃ−３は、アッシング条件Ｃ−２に対してＯ2 ／ＣＨ
3 ＯＨの流量を５０／１５［ｓｃｃｍ］とした点でのみ
異なるものである。
グ条件Ｃ−１において、Ｏ2 ／ＣＨ3 ＯＨの流量を５０
／１５［ｓｃｃｍ］に変更すると共に第２ステップの処
理時間を５０秒に変更したもので、他の条件はアッシン
グ条件Ｃ−１と同様である。換言すれば、アッシング条
件Ｃ−３は、アッシング条件Ｃ−２に対してＯ2 ／ＣＨ
3 ＯＨの流量を５０／１５［ｓｃｃｍ］とした点でのみ
異なるものである。
【００２６】図５において、アッシング条件ＡとＢとで
コロージョン数を比較すると、アッシング条件Ｂの方が
防食性能が高いといえる。しかし、この程度では実用上
不十分である。また、アッシング条件Ｃ−２及びＣ−３
では、アッシング条件Ａよりもコロージョン数が多くな
っている。これは、Ｏ2 ／ＣＨ3 ＯＨの混合ガスのプラ
ズマの生成物であるＨ2 Ｏが基板上面に付着してコロー
ジョンを促進させたためである。
コロージョン数を比較すると、アッシング条件Ｂの方が
防食性能が高いといえる。しかし、この程度では実用上
不十分である。また、アッシング条件Ｃ−２及びＣ−３
では、アッシング条件Ａよりもコロージョン数が多くな
っている。これは、Ｏ2 ／ＣＨ3 ＯＨの混合ガスのプラ
ズマの生成物であるＨ2 Ｏが基板上面に付着してコロー
ジョンを促進させたためである。
【００２７】ここで、Ｈ2 Ｏは、式（１）及び式（２）
のような反応により生成されるものと考えられる。
のような反応により生成されるものと考えられる。
【００２８】 ２Ｈ＋Ｏ→Ｈ2 Ｏ （１） Ｈ＋ＯＨ→Ｈ2 Ｏ （２） また、ＨやＯＨは、式（３）及び式（４）のような反応
により生成されるものと考えられる。
により生成されるものと考えられる。
【００２９】 ＣＨ3 ＯＨ＋ｅ→ＣＨ3 ＋ＯＨ＋ｅ （３） ＣＨ3 ＋ｅ→ＣＨ3-x ＋ｘＨ＋ｅ （４） アッシング条件Ｄにおいて、防食性能が向上したのは、
次の（イ）〜（ハ）のような理由によるものと考えられ
る。
次の（イ）〜（ハ）のような理由によるものと考えられ
る。
【００３０】（イ）Ｈラジカルが式（５）のような反応
によりＣｌ成分を除去するため、基板上面へのＣｌの付
着量が減少する。
によりＣｌ成分を除去するため、基板上面へのＣｌの付
着量が減少する。
【００３１】 Ｈ＋Ｃｌ→ＨＣｌ↑ （５） （ロ）ＣＨＦ3 の添加によりアッシング速度が増大して
反応熱で基板の上面温度が上昇するため、基板上面への
Ｈ2 Ｏの付着量が減少する。
反応熱で基板の上面温度が上昇するため、基板上面への
Ｈ2 Ｏの付着量が減少する。
【００３２】（ハ）Ｆラジカルが過剰なＨラジカルを式
（６）のような反応により取り除くため、前述の式
（１）や式（２）のような反応が抑制され、Ｈ2 Ｏの生
成量が減少する。
（６）のような反応により取り除くため、前述の式
（１）や式（２）のような反応が抑制され、Ｈ2 Ｏの生
成量が減少する。
【００３３】 Ｈ＋Ｆ→ＨＦ （６） なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではな
く、種々の改変形態で実施可能である。例えば、次の
（Ａ）〜（Ｃ）のような変更が可能である。
く、種々の改変形態で実施可能である。例えば、次の
（Ａ）〜（Ｃ）のような変更が可能である。
【００３４】（Ａ）Ｈ成分含有ガスとしては、ＣＨ3 Ｏ
Ｈに限らず、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ（エタノール）、ＣＨ3 ＣＯ
ＣＨ3 （アセトン）、Ｈ2 （水素）、ＣＨ4 （メタン）
等を使用可能である。
Ｈに限らず、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ（エタノール）、ＣＨ3 ＣＯ
ＣＨ3 （アセトン）、Ｈ2 （水素）、ＣＨ4 （メタン）
等を使用可能である。
【００３５】（Ｂ）Ｆ成分含有ガスとしては、ＣＨＦ3
に限らず、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、ＮＦ3 、ＳＦ6 等のガス
であって、Ｏと反応して不揮発性の反応生成物を形成し
ないものを使用可能である。
に限らず、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、ＮＦ3 、ＳＦ6 等のガス
であって、Ｏと反応して不揮発性の反応生成物を形成し
ないものを使用可能である。
【００３６】（Ｃ）アッシング装置としては、マイクロ
波プラズマアッシャに限らず、平行平板型プラズマアッ
シャ等の他の型式のものを使用可能である。
波プラズマアッシャに限らず、平行平板型プラズマアッ
シャ等の他の型式のものを使用可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、Ｈ成
分含有ガスとＯ2 ガスとの混合ガスにＦ成分含有ガスを
添加したアッシングガスを用い且つ基板を加熱しないで
レジストのプラズマアッシングを行なうようにしたの
で、防食性能が向上すると共にレジスト除去が容易とな
り、高信頼の集積回路を高歩留りで製造可能となる効果
が得られるものである。
分含有ガスとＯ2 ガスとの混合ガスにＦ成分含有ガスを
添加したアッシングガスを用い且つ基板を加熱しないで
レジストのプラズマアッシングを行なうようにしたの
で、防食性能が向上すると共にレジスト除去が容易とな
り、高信頼の集積回路を高歩留りで製造可能となる効果
が得られるものである。
【図１】〜
【図３】 この発明の一実施例による配線形成法を示す
基板断面図である。
基板断面図である。
【図４】 この発明の実施に用いられるマイクロ波プラ
ズマアッシャを示す断面図である。
ズマアッシャを示す断面図である。
【図５】 コロージョン数のアッシング条件依存性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図６】 コロージョン観察パターンを示す上面図であ
る。
る。
【図７】 従来のアッシング処理を説明するための基板
断面斜視図である。
断面斜視図である。
１０：半導体基板、１２：絶縁膜、１４Ａ：配線材層、
１４：配線層、１６：レジスト層。
１４：配線層、１６：レジスト層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｈ 7353−4Ｍ 21/3205
Claims (2)
- 【請求項１】（ａ）基板の絶縁性表面上に配線材層を形
成する工程と、 （ｂ）前記配線材層をレジスト層をマスクとする選択エ
ッチングによりパターニングして配線層を形成する工程
と、 （ｃ）前記パターニングの後前記レジスト層をＨ成分含
有ガスとＦ成分含有ガスとＯ2 ガスとの混合ガスのプラ
ズマを用い且つ前記基板を加熱しないでアッシングする
工程とを含む配線形成法。 - 【請求項２】 前記アッシングの後Ｆ成分含有ガスとＯ
2 ガスとの混合ガスのプラズマにより追加のアッシング
処理を行なうことを特徴とする請求項１記載の配線形成
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04091990A JP3084910B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 配線形成法 |
| US08/033,178 US5451293A (en) | 1992-03-18 | 1993-03-16 | Method of making a wiring layer wherein the masking material is ashed using an alcohol containing plasma |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04091990A JP3084910B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 配線形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267157A true JPH05267157A (ja) | 1993-10-15 |
| JP3084910B2 JP3084910B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=14041895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04091990A Expired - Lifetime JP3084910B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 配線形成法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5451293A (ja) |
| JP (1) | JP3084910B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100377711B1 (ko) * | 1998-01-28 | 2003-03-26 | 애논 인코포레이티드 | 기판으로부터 유기 물질의 회화 방법 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824604A (en) * | 1996-01-23 | 1998-10-20 | Mattson Technology, Inc. | Hydrocarbon-enhanced dry stripping of photoresist |
| US6006764A (en) * | 1997-01-28 | 1999-12-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of stripping photoresist from Al bonding pads that prevents corrosion |
| US5854134A (en) * | 1997-05-05 | 1998-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Passivation layer for a metal film to prevent metal corrosion |
| US6379576B2 (en) | 1997-11-17 | 2002-04-30 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers |
| US6214717B1 (en) | 1998-11-16 | 2001-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for adding plasma treatment on bond pad to prevent bond pad staining problems |
| US6214739B1 (en) | 1999-02-05 | 2001-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of metal etching with in-situ plasma cleaning |
| US6130167A (en) * | 1999-03-18 | 2000-10-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of preventing corrosion of a metal structure exposed in a non-fully landed via |
| US6805139B1 (en) | 1999-10-20 | 2004-10-19 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing |
| US20050022839A1 (en) * | 1999-10-20 | 2005-02-03 | Savas Stephen E. | Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing |
| JP2001313280A (ja) * | 2000-04-02 | 2001-11-09 | Axcelis Technologies Inc | ポスト・エッチ・フォトレジストおよび残留物の除去法 |
| US6440864B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-08-27 | Applied Materials Inc. | Substrate cleaning process |
| US6692903B2 (en) | 2000-12-13 | 2004-02-17 | Applied Materials, Inc | Substrate cleaning apparatus and method |
| US20030200835A1 (en) * | 2002-04-02 | 2003-10-30 | Snecma Services | Diffusion-brazing filler powder for parts made of an alloy based on nickel, cobalt or iron |
| US20070193602A1 (en) * | 2004-07-12 | 2007-08-23 | Savas Stephen E | Systems and Methods for Photoresist Strip and Residue Treatment in Integrated Circuit Manufacturing |
| KR100654051B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2006-12-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100654052B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2006-12-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPH01200628A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
| JPH0383337A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Hitachi Ltd | 後処理方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5887276A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-25 | Matsushita Electronics Corp | ドライエツチング後処理方法 |
| US4961820A (en) * | 1988-06-09 | 1990-10-09 | Fujitsu Limited | Ashing method for removing an organic film on a substance of a semiconductor device under fabrication |
| JP3016261B2 (ja) * | 1991-02-14 | 2000-03-06 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP04091990A patent/JP3084910B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-03-16 US US08/033,178 patent/US5451293A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01200628A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3084910B2 (ja) | 2000-09-04 |
| US5451293A (en) | 1995-09-19 |
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