JP2012142543A5 - - Google Patents

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まず、選択トランジスタ等のＣＭＯＳ回路が形成された基板４１（後述の図３）上に、例えば窒化チタンよりなる下部電極１０のプラグを形成する。その後、必要であれば逆スパッタ等で、下部電極１０の表面上の酸化物等を除去する。
次いで、この下部電極１１の表面を室温で酸素雰囲気中にさらす。これにより、下部電極１１の表面に酸フッ化膜またはリン酸化膜が形成される。下部電極１１の酸化は、酸素雰囲気へのサンプルの投入の他、例えばプラズマ酸化等の積極的な酸化処理を行うようにしてもよい。また、別工程により酸フッ化膜またはリン酸化膜を、下部電極１１上に形成してもよい。
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