JP2011091388A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (3)

1. 処理室内に導入された基板を、４００℃未満に保持し、
   前記処理室内の水分を除去しながら、前記基板上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上に、欠陥を含む酸化シリコン膜を形成し、
   前記酸化シリコン膜が形成された基板を、２００℃乃至４００℃に加熱して、前記酸化物半導体膜に含まれる水素若しくは水分を、前記酸化シリコン膜側に拡散させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 処理室内に導入された基板を、４００℃未満に保持し、
   前記処理室内の水分を除去しながら、前記基板上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上に、欠陥を含む酸化シリコン膜を形成し、
   前記酸化シリコン膜が形成された基板を、２００℃乃至４００℃に加熱して、前記酸化物半導体膜に含まれる水素若しくは水分を、前記酸化シリコン膜側に拡散させ、
   前記酸化シリコン膜上に、窒化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記処理室を、クライオポンプを用いて排気することを特徴とする半導体装置の作製方法。