JP2011091388A - 酸化物半導体膜及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
ることを目的とする。
【解決手段】スパッタリング法による半導体膜の作製方法であって、減圧状態に保持された処理室内に基板を保持し、該基板を400℃未満の温度に加熱し、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、処理室内に装着された金属酸化物をターゲットとして基板に酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜を成膜する際に、反応雰囲気中の残留水分を除去することで、該酸化物半導体膜中の水素及び水素化物の濃度を低減することができる。それにより酸化物半導体膜の安定化を図ることができる。
【選択図】図5
Description
上記吸着型の真空ポンプは、酸化物半導体膜及び/又は酸化シリコン膜に含まれる水素、水酸基又は水素化物の量を低減するように作用する。
本発明を開示又は特定するために、ある構成要素が他の構成要素の「上」にある、或いは「下」にあると言及されたときには、その他の構成要素に直接的に形成されている場合もあるが、中間に他の構成要素が存在する場合もあると理解されなければならない。
本発明を開示又は特定するために用いられる用語において、単数の表現は、文脈上で明白に相違して意味していない限り、複数の表現を含む。「含む」または「有する」などの用語は、明細書中に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであり、1つまたはそれ以上の他の特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加の可能性をあらかじめ排除しないものであると理解されなければならない。
本発明を開示又は特定するために用いられる用語において、特別に定義されない限り、技術的あるいは科学的な用語を含んで用いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって一般的に理解され得るものと同じ意味を有している。一般的に用いられる辞書に定義されているものと同じ用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有するものと解釈されなければならず、本出願で明白に定義しない限り、理想的あるいは過度に形式的な意味として解釈されない。
101a ゲート電極
101b 第1配線
102 ゲート絶縁層
102a 第1のゲート絶縁層
102b 第2のゲート絶縁層
103 酸化物半導体膜
104a ソース電極
104b ドレイン電極
104c 第2配線
105 酸化物絶縁膜
106 保護絶縁膜
108 コンタクトホール
110 薄膜トランジスタ
113 酸化物半導体層
123 酸化物半導体層
201 第1の搬送室
202 第2の搬送室
203 第1の処理室
204 第2の処理室
205 第3の処理室
206 第4の処理室
207 ローダー室
208 アンローダー室
209 搬送手段
210 カセット
211 基板加熱手段
212 排気手段
301 搬送室
302 第1の処理室
303 第2の処理室
304 第3の処理室
305 第4の処理室
306 第5の処理室
307 ローダー室
308 アンローダー室
309 搬送手段
310 カセット
311 基板加熱手段
312 冷却手段
313 排気手段
Claims (9)
- 金属酸化物のターゲットが装着され、減圧状態に保持された処理室内に基板を保持し、
前記基板を400℃未満の温度に保持し、
前記処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、
前記金属酸化物をターゲットとして前記基板に酸化物半導体膜を形成することを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。 - 請求項1において、前記処理室をクライオポンプを用いて排気することで残留水分を除去することを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
- 請求項1又は2において、前記ターゲットは、酸化亜鉛を主成分として含むことを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
- 請求項1又は2において、前記ターゲットは、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む金属酸化物であることを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
- ゲート電極及び該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜が形成された基板を第1の処理室に導入し、前記基板を400℃未満の温度に加熱し、前記第1の処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、前記第1処理室内に装着され少なくとも酸化亜鉛を含む金属酸化物をターゲットとして前記基板上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成した後、該基板を第2処理室に導入し、該基板を100℃未満の温度に保持し、前記第2の処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去された酸素を含むスパッタガスを導入し、前記第2処理室内に装着されたシリコン半導体のターゲットを用い前記基板上に欠陥を含む酸化シリコン膜を形成し、
前記酸化シリコン膜が形成された基板を第3の処理室に導入し、該基板を200℃乃至400℃に加熱して、前記酸化物半導体膜中に含まれる水素若しくは水分を前記欠陥を含む酸化シリコン膜側に拡散させ、該酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5において、前記第1の処理室をクライオポンプを用いて排気することで残留水分を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項5において、前記第1の処理室及び前記第2の処理室をクライオポンプを用いて排気することで残留水分を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項5乃至7のいずれか一項において、前記金属酸化物のターゲットは、酸化亜鉛を主成分として含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項5乃至7のいずれか一項において、前記金属酸化物のターゲットは、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む金属酸化物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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