CN109490218A - 一种金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，所述多晶硅蚀刻液为电子级磷酸。具体内容如下：选择同一批次生产的电子级磷酸作为蚀刻液，保证初始的金属杂质种类及含量一致；然后在电子级磷酸中分别添加不同含量的同一种金属盐，验证金属离子含量对多晶硅蚀刻率的影响；同时按上述方法对同一含量不同种类的金属添加剂的蚀刻数据进行分析，得出不同种类金属离子对多晶硅蚀刻率的影响程度。本发明对半导体用电子级磷酸生产工艺中金属杂质种类及含量的控制具有指导性意义。

Description

一种金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用
技术领域
本发明属于集成电路用半导体材料技术领域，具体涉及一种电子级磷酸中金属离子杂质对多晶硅蚀刻速率的检测方法，可以确定电子级磷酸中金属杂质种类及含量对多晶硅蚀刻率的影响程度。
背景技术
多晶硅薄膜广泛应用于半导体器件和集成电路中，可用于制作MOS器件的栅极材料、牺牲层材料、太阳能电池和各种光电子器件。在集成电路制造中，多晶硅栅结构的制作是流程当中最关键的一步，因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的蚀刻，而多晶硅栅的蚀刻是整个集成电路工艺中物理尺寸最小的结构。多晶硅栅蚀刻的基本步骤分别是：①栅氧化层生长以及多晶硅淀积，SiON 抗反射层淀积和光刻胶的定义；②在光刻胶的未定义区蚀刻去除不需要的抗反射层；③多晶硅的蚀刻；④光刻胶的去除；⑤SiON抗反射层的去除。
在去除SiON抗反射层时，目前在集成电路制造中通常采用热磷酸湿法蚀刻的方法来去除SiON抗反射层。蚀刻过程中磷酸质量的优劣也会对SiON抗反射层下的多晶硅层进行不同程度的蚀刻，主要体现在磷酸中含有的金属杂质，这些金属杂质会促进磷酸对多晶硅层的蚀刻，从而对多晶硅层造成破坏。
目前，没有关于电子级磷酸中金属离子杂质含量影响多晶硅蚀刻率的专利报告，本发明通过在电子级磷酸中添加金属盐来证实金属离子杂质对多晶硅蚀刻率的影响，同时也为电子级磷酸生产过程中各金属离子杂质的含量提供了一个有效控制范围。
发明内容
本发明旨在提供一种检测方法去验证金属离子杂质对多晶硅蚀刻速率的影响程度，为电子级磷酸中各金属离子杂质的含量提供一个可控的范围。
本发明采用的多晶硅样片，其特征在于，多晶硅样片大小切割为3cm×3cm。本发明验证金属杂质对多晶硅蚀刻率影响的蚀刻液为电子级磷酸，其特征在于，电子级磷酸浓度为85％-86％。
进一步地，本发明涉及上述蚀刻方法，其特征在于，蚀刻处理温度为150-200℃，优选为160℃，处理时间为5-60min。
进一步地，本发明涉及的金属离子杂质，其特征在于，选择具有代表性的金属杂质Fe、Ni；Sb、Cu、Zn。
进一步地，本发明涉及上述金属离子杂质，其特征在于，该金属离子杂质是以金属盐的形式添加到磷酸中。
进一步地，本发明涉及上述含Fe金属盐，其特征在于，选择的含Fe金属盐为三氯化铁。
进一步地，本发明涉及上述含Ni金属盐，其特征在于，选择的含Ni金属盐为氯化镍。
进一步地，本发明涉及上述含Sb金属盐，其特征在于，选择的含Sb金属盐为三氯化锑。
进一步地，本发明涉及上述含Cu金属盐，其特征在于，选择的含Cu金属盐为氯化铜。
进一步地，本发明涉及上述含Zn金属盐，其特征在于，选择的含Zn金属盐为氯化锌。
更进一步地，本发明涉及上述各金属盐，其特征在于，各金属盐的添加量(以金属添加量计算)为0-100ppm。
本发明提供了一种金属离子对多晶硅蚀刻速率的检测方法，通过在磷酸蚀刻液中添加不同金属离子，验证了其对多晶硅的蚀刻速率的影响，可以通过添加金属离子来调节多晶硅的蚀刻速率，以及通过多晶硅的蚀刻速率来反应出金属离子的含量情况。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明做进一步详细的说明，但不限于这些实施例。本发明中所使用的蚀刻液为电子级磷酸，使用的检测仪器为椭圆偏振光谱仪，测试多晶硅样片蚀刻前后的厚度，得到多晶硅样片的蚀刻率，其蚀刻率计算公式为 (蚀刻前厚度-蚀刻后厚度)/蚀刻时间。
实施例1
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Fe含量为1ppm称取FeCl3添加到磷酸中，超声分散使FeCl3完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x 3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻60min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例2
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Fe含量为0.5ppm称取 FeCl3添加到磷酸中，超声分散使FeCl3完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻60min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例3
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Fe含量为0.1ppm称取 FeCl3添加到磷酸中，超声分散使FeCl3完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻60min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例4
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Ni含量为1ppm称取NiCl2添加到磷酸中，超声分散使NiCl2完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x 3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻60min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例5
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Ni含量为0.5ppm称取 NiCl2添加到磷酸中，超声分散使NiCl2完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻60min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例6
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Sb含量为1ppm称取SbCl3添加到磷酸中，超声分散使SbCl3完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x 3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻10min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例7
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Sb含量为0.5ppm称取 SbCl3添加到磷酸中，超声分散使SbCl3完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻20min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例8
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Sb含量为0.1ppm称取 SbCl3添加到磷酸中，超声分散使SbCl3完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻30min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例9
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Sb含量为0.05ppm称取 SbCl3添加到磷酸中，超声分散使SbCl3完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻30min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例10
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Cu含量为1ppm称取 CuCl2添加到磷酸中，超声分散使CuCl2完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻5min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例11
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Cu含量为0.5ppm称取 CuCl2添加到磷酸中，超声分散使CuCl2完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻10min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例12
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Cu含量为0.1ppm称取 CuCl2添加到磷酸中，超声分散使CuCl2完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻20min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例13
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Zn含量为100ppm称取ZnCl2添加到磷酸中，超声分散使ZnCl2完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻60min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例14
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，按Zn含量为50ppm称取 ZnCl2添加到磷酸中，超声分散使ZnCl2完全溶解于磷酸中，然后将混合磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻60min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
对比例1
在1000mL石英烧杯中称取700g电子级磷酸，将磷酸溶液加热至160℃，再将3cm x 3cm的多晶硅样片放入160℃磷酸中蚀刻60min，并使用椭圆偏振光谱仪测试样片蚀刻前后的多晶硅层厚度，计算出蚀刻速率。
实施例与对比例的蚀刻速率结果如下表所示：
实施例 添加金属 添加含量(ppm) 蚀刻速率(nm/min)
实施例1 Fe 1 0.2083
实施例2 Fe 0.5 0.1496
实施例3 Fe 0.1 0.0768
实施例4 Ni 1 0.0837
实施例5 Ni 0.5 0.0781
实施例6 Sb 1 0.4372
实施例7 Sb 0.5 0.2115
实施例8 Sb 0.1 0.1214
实施例9 Sb 0.05 0.0947
实施例10 Cu 1 0.5603
实施例11 Cu 0.5 0.2648
实施例12 Cu 0.1 0.1312
实施例13 Zn 100 0.0926
实施例14 Zn 50 0.0742
对比例1 无添加 — 0.0740
与对比例1的蚀刻速率结果比较可知，金属离子Zn对多晶硅蚀刻率影响很小；随着金属离子含量的增加，对多晶硅蚀刻率的影响程度增大；不同金属离子的影响大小为Cu2+>Sb3+>Fe3+>Ni2+>Zn2+。
总体而言，按照上述实施方式收集的蚀刻结果，本发明的方法能够确定电子级磷酸中各金属离子杂质的含量在一定范围内，不会对多晶硅产生蚀刻影响，在半导体制程中，可以选择范围内的电子级磷酸作为蚀刻液。
以上对本发明的方法做了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。

Claims (9)

1.一种金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述的金属离子在电子级磷酸中对多晶硅蚀刻速率的检测，其中电子级磷酸浓度为85%-86%。
2.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，蚀刻温度为150-200℃，蚀刻时间为5-60min。
3.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述的金属离子包括Fe3+、Ni2+、Sb3+、Cu2+、Zn2+中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，将权利要求3所述的金属离子添加到电子级磷酸中混合均匀进行多晶硅蚀刻；所述的金属盐的添加量以金属量计算为0-100 ppm。
5.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述三价铁盐为三氯化铁。
6.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述二价镍盐为氯化镍。
7.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述三价锑盐为三氯化锑。
8.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述二价铜盐为氯化铜。
9.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述二价锌盐为氯化锌。
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