TW201638393A - 蝕刻劑組合物和製作用於液晶顯示器的陣列基板的方法 - Google Patents
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Abstract
公開了蝕刻劑組合物和用於液晶顯示器的陣列基板的製作方法。所述蝕刻劑組合物包含貴金屬化合物因而表現出催化效果，由此，通常被幹法蝕刻的非晶矽層或含摻雜物的非晶矽層能夠使用濕法蝕刻工藝連同上金屬線一起被一步蝕刻。
Description
本發明涉及蝕刻劑組合物和製作用於液晶顯示器的陣列基板的方法。
在半導體裝置中，在基板上形成金屬線通常包括使用濺射法形成金屬層、塗覆光致抗蝕劑、進行曝光和顯影以使光致抗蝕劑形成在選定區域、以及進行蝕刻，在上述各個單獨的工藝之前或之後進行清洗工藝。使用光致抗蝕劑作為掩模進行蝕刻工藝以使金屬層留在選定區域上，並且蝕刻工藝可以包括使用等離子體等的幹法蝕刻或使用蝕刻液的濕法蝕刻。
這種半導體設備最近的主要問題是金屬線的電阻。這是因為，就薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)而言，在增加面板尺寸和實現高解析度方面，目前認為解決RC信號延遲問題很重要，而這種RC信號延遲主要由電阻引起。因此，為了減少RC信號延遲(其為增加TFT-LCD尺寸的重要要求)，有必要開發具有低電阻的材
料。雖然習慣使用鉻(Cr，電阻率：12.7×10-8Ωm)、鉬(Mo，電阻率：5×10-8Ωm)、鋁(Al，電阻率：2.65×10-8Ωm)及其合金，但它們很難應用於大尺寸TFT-LCD的柵極線和資料線。
因此，具有低電阻的新型金屬層，例如，諸如銅層和銅鉬層之類的銅基金屬層，和用於該新型金屬層的蝕刻劑組合物受到關注和深入研究。鑒於此，韓國專利申請公開No.2010-0090538公開了用於蝕刻銅/鉬合金雙層的蝕刻劑，其包括過氧化氫、有機酸、磷酸化合物、水溶性環胺化合物、分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物、含氟化合物、多元醇表面活性劑和水。然而，這種蝕刻劑是有問題的，因為其不能用於蝕刻非晶矽層或含摻雜物的非晶矽層。
韓國專利申請公開No.2010-0090538
因此，針對相關技術中遇到的問題，做出了本發明，並且本發明的目的是提供蝕刻劑組合物，其使通常被幹法蝕刻的非晶矽層或含摻雜物的非晶矽層可以連同上金屬線一起使用濕法蝕刻工藝被一步蝕刻。
本發明提供用於蝕刻銅基金屬層和矽基層的蝕刻劑組合物，其包括：10-35wt%的過氧化氫，0.5-5wt%
的有機酸，0.1-5wt%的磷酸或磷酸鹽，0.1-5wt%的水溶性環胺化合物，0.1-5wt%的分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物，0.01-0.9wt%的氟化合物，0.01-2wt%的貴金屬化合物，和餘量的水。
在示例性實施方式中，有機酸可以包括選自乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸和戊酸組成的組中的至少一種。
在另一個示例性實施方式中，水溶性環胺化合物可以包括氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、喹諾酮和吡咯啉組成的組中的至少一種。
在又一示例性實施方式中，分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物可以包括選自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亞氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸組成的組中的至少一種。
在再一示例性實施方式中，氟化合物可以包括選自氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉和氟化氫鉀組成的組中的至少一種。
在還一示例性實施方式中，貴金屬化合物可以包括選自銅、銀和金組成的組中的至少一種。
在另一示例性實施方式中，銅基金屬層可以是銅或銅合金的單層、或是包括鉬層和在鉬層上形成的銅層的銅鉬層、包括鉬合金層和在鉬合金層上形成的銅層的銅鉬合金層、包括鈦層和在鈦層上形成的銅層的銅鈦層、或
包括鈦合金層和在鈦合金層上形成的銅層的銅鈦合金層。
此外，本發明提供了製作用於液晶顯示器的陣列基板的方法，其包括：a)在基板上形成柵極線；b)在包括柵極線的基板上形成柵極絕緣層；c)在柵極絕緣層上形成半導體層；d)在半導體層上形成源電極和漏電極；和e)形成連接至漏電極的像素電極，其中a)包括在基板上形成銅基金屬層並使用蝕刻劑組合物蝕刻銅基金屬層，從而形成柵極線，d)包括形成銅基金屬層並使用蝕刻劑組合物蝕刻銅基金屬層，從而形成源電極和漏電極，並且蝕刻劑組合物包括，基於所述組合物的總重量，10-35wt%的過氧化氫，0.5-5wt%的有機酸，0.1-5wt%的磷酸或磷酸鹽，0.1-5wt%的水溶性環胺化合物，0.1-5wt%的分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物，0.01-0.9wt%的氟化合物，0.01-2wt%的貴金屬化合物，和餘量的水。
在示例性實施方式中，陣列基板可以是薄膜電晶體(TFT)陣列基板。
在另一示例性實施方式中，銅基金屬層可以是銅或銅合金的單層、或是包括鉬層和在鉬層上形成的銅層的銅鉬層、包括鉬合金層和在鉬合金層上形成的銅層的銅鉬合金層、包括鈦層和在鈦層上形成的銅層的銅鈦層、或包括鈦合金層和在鈦合金層上形成的銅層的銅鈦合金層。
根據本發明，蝕刻劑組合物包含貴金屬化合物以因此表現出催化效果，由此通常被幹法蝕刻的非晶矽層或含摻雜物的非晶矽層，能夠使用濕法蝕刻工藝連同
上金屬線一起被一步蝕刻。
本發明涉及蝕刻劑組合物和用於液晶顯示器的陣列基板的製作方法。根據本發明的蝕刻劑組合物包括貴金屬化合物，因此表現出催化效果，由此，通常採用幹法蝕刻的非晶矽層或含摻雜物的非晶矽層可通過濕法蝕刻連同上金屬線一起被一步蝕刻。
在下文中，將對本發明給出詳細描述。
本發明論述了用於蝕刻銅基金屬層和矽基層的蝕刻劑組合物，其包括：10-35wt%的過氧化氫，0.5-5wt%的有機酸，0.1-5wt%的磷酸或磷酸鹽，0.1-5wt%的水溶性環胺化合物，0.1-5wt%的分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物，0.01-0.9wt%的氟化合物，0.01-2wt%的貴金屬化合物，和餘量的水。
借助於根據本發明的蝕刻劑組合物，用於LCD或OLED中薄膜電晶體的線(line，即線路)中的銅/鉬合金層或銅/鈦合金層以用作電路的線的形式提供。通常通過幹法蝕刻形成的矽基活性層可以使用上述蝕刻劑和貴金屬的催化活性被濕法蝕刻，因此減少工藝成本和時間。
銅基金屬層可以是銅或銅合金的單層、或是包括鉬層和在鉬層上形成的銅層的銅鉬層、包括鉬合金層和在
鉬合金層上形成的銅層的銅鉬合金層、包括鈦層和在鈦層上形成的銅層的銅鈦層、或包括鈦合金層和在鈦合金層上形成的銅層的銅鈦合金層。
特別地，鉬合金層可以包括鉬單層或鉬和選自鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉻(Gr)、鎳(Ni)、釹(Nd)、鋁(Al)、鈀(Pd)和銦(In)中的至少一種，且鈦合金層可以包括鈦單層或鈦和選自鉬(Mo)、鉭(Ta)、鉻(Gr)、鎳(Ni)、釹(Nd)、鋁(Al)、鈀(Pd)和銦(In)中的至少一種。
矽基層可以包括矽或含摻雜物的非晶矽。在含摻雜物的非晶矽中，摻雜物可以包括硼(B)或磷(P)。
銅/鉬合金層或銅/鈦合金層以將鉬合金層或鈦合金層置於銅層上方或下方的雙層結構的形式提供，或以將鉬合金層或鈦合金層置於銅層上方和下方的三層結構的形式提供。
基板以用於TFT-LCD、TFT-OLED和觸摸感測器面板(TSP)的基板舉例示出。
根據本發明的蝕刻劑組合物使顯示裝置中用於柵電極的柵極線和資料用於電極的資料線能夠一步蝕刻，其中柵極線和資料線包括銅層和鉬合金層、或銅層和鈦合金層。
在蝕刻劑組合物中，以基於蝕刻劑組合物總重量的10-35wt%的量包含過氧化氫。一方面，如果過氧化氫的量小於10wt%，蝕刻速率明顯變慢，因此使該工藝很難進行，並且不能進行充分蝕刻，不利地產生蝕刻殘餘物，其
中的銅、鉬合金層、鈦合金層和矽基層不能被有效蝕刻並且其部分可能遺留。另一方面，如果過氧化氫的量超過35wt%，很難控制蝕刻速率，還有，在蝕刻工藝過程中，由於與諸如銅之類的金屬的自由基反應而可能單獨加速過氧化氫的反應，並有爆炸的危險。
在蝕刻劑組合物中，以基於蝕刻劑組合物總重量的0.5-5wt%的量包含有機酸。有機酸連同過氧化氫一起主要用於蝕刻銅層和鉬合金層或銅層和鈦層。有機酸具有適用於半導體工藝和過氧化氫的純度，並優選包含ppb級或更少的金屬雜質。有機酸起調節pH的作用以控制蝕刻銅的速率和蝕刻鉬合金或鈦合金的速率。當添加了有機酸時，pH被適當設置為大約0.5-4.5的範圍。
有機酸可以包括選自乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸和戊酸中的任一種。
在蝕刻劑組合物中，以基於蝕刻劑組合物總重量的0.5-5wt%的量包含磷酸或磷酸鹽。磷酸或磷酸鹽用於得到線的良好錐形輪廓(其為垂直於下層形成的角)，並可降低鉬合金或鈦合金與銅之間的電效應(原電池效應，galvanic effect)，從而防止鑽蝕現象，其中鉬合金層或鈦合金層遠離銅層下方被蝕刻。一方面，如果不使用磷酸或磷酸鹽，或以小於0.1wt%的量包含磷酸或磷酸鹽，則遠離上銅層下方可能過度蝕刻鉬合金層或鈦合金層。嚴重情況下，可能從基板剝落圖案。另一方面，如果磷酸或磷酸鹽的量超過5wt%，可能降低鉬合金層或鈦合金層的蝕刻速
率，並由於拖尾現象而可能發生電短路。
可以使用各種類型的磷酸鹽，且磷酸鹽優選選自：其中磷酸的一個、兩個或三個氫原子被鹼金屬或鹼土金屬代替的鹽。磷酸鹽的示例可以包括磷酸二氫鈉和磷酸二氫鉀等。
在蝕刻劑組合物中，以基於蝕刻劑組合物總重量的0.1-5wt%的量包含水溶性環胺化合物。水溶性環胺化合物起調節銅鉬合金的蝕刻速率和減少圖案的CD損失(條寬損失)的作用，從而增加工藝裕量。一方面，如果不使用水溶性環胺化合物或以小於0.1wt%的量包含水溶性環胺化合物時，很難控制蝕刻速率，且不能得到所需圖案寬度，不利地增加缺陷率以及由於低工藝裕量在大規模生產時引起問題。另一方面，如果水溶性環胺化合物的量超過5wt%，蝕刻速率可能明顯降低，因此得到的蝕刻劑不能應用於該工藝。
可以使用各種類型的水溶性環胺化合物。優選使用選自氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、喹諾酮和吡咯啉中的任一種。
在蝕刻劑組合物中，以基於蝕刻劑組合物總重量的0.1-5wt%的量包含分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物。所述分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物在蝕刻劑貯存過程中起防止雙氧水自分解的作用。進一步地，在蝕刻大量基板的情況下，防止蝕刻性能隨被蝕刻金屬離子的量的增加而改變。當含有分子中具有氨基和羧基的水溶性
化合物時，雙氧水的分解速率降至大約1/10，因此保證對貯存持續時間和穩定性具有有利影響。此外，基本上在蝕刻銅、鉬合金層和鈦合金層時所產生的銅離子、鉬合金離子和鈦合金離子通過螯合反應而失活，因此防止由於這些離子而發生另外的反應。因此，即使當蝕刻大量的基板時，蝕刻性能不隨金屬離子濃度的增加而改變。特別對於銅層，當在蝕刻劑中存在很多銅離子時，可能經常發生鈍化層被氧化變黑且不被進一步蝕刻的情況，然而，這在存在上述化合物的情況下可得以防止。如果分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物的量超過5wt%，可能對蝕刻速率造成負面影響，從而蝕刻劑組合物阻礙以所需形式形成金屬線，不利地引起缺陷。
分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物可以選自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亞氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸。
在蝕刻劑組合物中，以基於蝕刻劑組合物總重量的0.1-0.9wt%的量包含氟化合物。氟化合物起去除殘餘物的作用，該殘餘物基本上是由用於蝕刻銅層和鉬合金層兩者的溶液產生的，並通過氟離子的解離對實現對表面被過氧化氫氧化的矽層的蝕刻起重要作用。還有，氟化合物通過解離用作被過氧化氫氧化的矽基活性層的主要蝕刻劑。
通常，已知銅在低pH(2-4)下被有效蝕刻，而鉬合金在弱酸性或接近中性的pH(5-7)下被有效蝕刻。為了同時蝕刻銅層和鉬合金層，有必要對於銅層和鉬合金層
中的任一種集中進行蝕刻。照此，重點放在較厚層上。由於銅層厚得多，pH較低。具有大約2-4的pH的蝕刻劑能夠以相當慢的蝕刻速率蝕刻鉬合金層，同時有效蝕刻銅層。然而，由於鉬合金層的性質，可能產生小顆粒形式的殘餘物。因此，當產生的殘餘物殘留在玻璃基板上或下層上時，可能產生短路，或降低發光度。為了去除殘餘物，有必要將氟化合物加至蝕刻劑中。玻璃基板、氮化矽和氧化矽層可能不利地被氟化合物所蝕刻，但其蝕刻在以非常低的濃度包含氟化合物的條件下可得以避免。
在根據本發明的蝕刻劑組合物中，以0.01-0.9wt%的量添加了氟化合物。給定上述量的範圍，包括多孔矽或含摻雜物的矽的矽基活性層被蝕刻，而作為鈍化層的玻璃基板、氮化矽和氧化矽層不被蝕刻。即使當添加這樣小量的氟化合物時，也可以充分去除鉬合金層的殘餘物。
可以使用各種類型的氟化合物，並且氟化合物可以選自氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉和氟化氫鉀。
在蝕刻劑中，以0.1-2wt%的量包含貴金屬，貴金屬用作減少活化能的催化劑以促進矽表面被過氧化氫氧化。其表面被貴金屬化合物和過氧化氫氧化的矽層被氟化合物氧化。
一方面，如果貴金屬化合物的量小於0.1wt%，其不能起金屬催化劑的作用，使得不可能蝕刻矽基活性層。
另一方面，如果貴金屬化合物的量超過2wt%，由於其性質加促了與金屬的自由基反應，故可能增加過氧化氫的分解。因此，由於過氧化氫的濃度降低，蝕刻速率也可能降低，不利地失去蝕刻劑的固有功能。在激烈分解的情況下，可能發生爆炸。
貴金屬化合物可以包括選自銅、銀和金組成的組中的至少一種，還可以包括銅化合物和銀化合物等。
銅化合物優選包括硝酸銅、硫酸銅、磷酸銅、氯化銅和乙酸銅中的任一種，且銀化合物優選包括硝酸銀、硫酸銀和磷酸銀中的任一種。
水無特別限制，但優選包括去離子水。特別有用的是具有18MΩ/cm或更大的電阻率(其是從水中去除離子的程度)的去離子水。
如有必要，可以進一步添加典型添加劑。其示例無特別限制，但一般包括表面活性劑、螯合劑和阻蝕劑。
為了增加蝕刻均勻性，添加表面活性劑以減小表面張力，其種類無特別限制，只要其能夠經受住蝕刻劑並以相容的形式提供。其示例可以包括陰離子表面活性劑、陽離子表面活性劑、兩性表面活性劑和非離子表面活性劑。優選使用的是氟基表面活性劑。
此外，本發明論述了製作用於液晶顯示器的陣列基板的方法，其包括：a)在基板上形成柵極線；b)在包括柵極線的基板上形成柵極絕緣層；c)在柵極絕緣層上形成半導體層；d)在半導體層上形成源電極和漏電
極；和e)形成連接至漏電極的像素電極，其中a)包括在基板上形成銅基金屬層並使用蝕刻劑組合物蝕刻銅基金屬層，從而形成柵極線，d)包括形成銅基金屬層並使用蝕刻劑組合物蝕刻銅基金屬層，從而形成源電極和漏電極，並且蝕刻劑組合物包括，基於所述組合物的總重量，10-35wt%的過氧化氫，0.5-5wt%的有機酸，0.1-5wt%的磷酸或磷酸鹽，0.1-5wt%的水溶性環胺化合物，0.1-5wt%的分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物，0.01-0.9wt%的氟化合物，0.01-2wt%的貴金屬化合物，和餘量的水。
通過以下僅以說明本發明為出發點的實施例、比較例和測試例詳細說明本發明，但本發明不限於所述實施例、比較例和測試例並可以進行各種修改和改變。
實施例1-23和比較例1-14：蝕刻劑組合物的製作
使用以下表1和下表2所示的量(wt%)的組分製備蝕刻劑組合物。
測試例1：蝕刻特性評價
在玻璃基板(100mm×100mm)上通過分別沉積銅(Cu)、鉬鈦合金層(MoTi)、鈦層(Ti)和氫化非晶矽層(a-Si：H)至10000Å厚度而製作基板。
分別使用實施例1-23和比較例1-14中的蝕刻劑組合物蝕刻上述四個樣品。在蝕刻工藝中，使用噴霧蝕刻機(ETCHER，由SEMES製造)，並且蝕刻劑組合物的溫度被設置為30℃。當溫度到達30±0.1℃時，各個樣品被蝕刻20s(秒)、40s、60s、80s和100s。清洗和乾燥之後，使用掃描電子顯微鏡(S-4700，由HITACHI製造)測定隨時間的蝕刻厚度，且基於表3中的評價標準評價。結果如下表4和下表5。
測試例2：pH的評價
使用pH計(Orion3 star，由Thermoscientific製造)測定實施例1-23和比較例1-14中各個蝕刻劑組合物的pH，且基於表3中的評價標準評價。結果如下表4和下表5。
測試例3：過度蝕刻的評價
通過依次將氫化非晶矽層(a-Si：H)、摻雜磷(P)的氫化非晶矽層(n+a-Si：H)、鉬鈦合金層(MoTi)和銅(Cu)沉積在玻璃基板(100mm×100mm)上而製作基板。作為另一個樣品，通過依次將氫化非晶矽層(a-Si：H)、摻雜磷的氫化非晶矽層(n+a-Si：H)、鈦層(Ti)和銅(Cu)沉積在玻璃基板(100mm×100mm)上而製作基板。之後，製作出每一個都具有光致抗蝕劑(PR)的樣品，該光致抗蝕劑具有通過光刻形成的預定圖案。
使用實施例1-23和比較例1-14中的各個蝕刻劑組合物蝕刻上述兩個樣品。在蝕刻工藝中，使用噴霧蝕刻機(ETCHER，由SEMES製造)，並且蝕刻劑組合物的溫度被設置為30℃。當溫度到達30±0.1℃時，各個樣品被蝕刻60s。清洗和乾燥之後，使用掃描電子顯微鏡(S-4700，由HITACHI製造)觀察其橫截面，並觀察鉬合金或鈦是否遠離上銅層下方且基於表3中的評價標準評價。結果如下表4和下表5。
測試例4：側面蝕刻的評價
通過依次將氫化非晶矽層(a-Si：H)、摻雜磷的氫化非晶矽層(n+a-Si：H)、鉬鈦合金層(MoTi)和銅(Cu)沉積在玻璃基板(100mm×100mm)上而製作基板。作為另一個樣品，通過依次將氫化非晶矽層(a-Si：H)、摻雜磷的氫化非晶矽層(n+a-Si：H)、鈦層(Ti)和銅(Cu)沉積在玻璃基板(100mm×100mm)上而製作基板。之後，製作出每一個都具有光致抗蝕劑(PR)的樣品，該光致抗蝕劑具有通過光刻形成的預定圖案。
使用實施例1-23和比較例1-14中的各個蝕刻劑組合物蝕刻上述兩個樣品。在蝕刻工藝中，使用噴霧蝕刻機(ETCHER，由SEMES製造)，並且蝕刻劑組合物的溫度被設置為30℃。當溫度到達30±0.1℃時，各個樣品被蝕刻60s。清洗和乾燥之後，使用掃描電子顯微鏡(S-4700，由HITACHI製造)觀察其側面蝕刻長度，並基於表3中的評價標準評價。結果如下表4和下表5。
測試例5：殘餘物評價
通過依次將氫化非晶矽層(a-Si：H)、摻雜磷的氫化非晶矽層(n+a-Si：H)、鉬鈦合金層(MoTi)和銅(Cu)沉積在玻璃基板(100mm×100mm)上而製作基板。作為另一個樣品，通過依次將氫化非晶矽層(a-Si：H)、摻雜磷的氫化非晶矽層(n+a-Si：H)、鈦層(Ti)和銅(Cu)沉積在玻璃基板(100mm×100mm)上而製作基板。之後，製作出每一個都具有光致抗蝕劑(PR)的樣品，該光致抗蝕劑具有通過光刻形成的預定圖案。
使用實施例1-23和比較例1-14中的各個蝕刻劑組合物蝕刻上述兩個樣品。在蝕刻工藝中，使用噴霧蝕刻機(ETCHER，由SEMES製造)，並且蝕刻劑組合物的溫度被設置為30℃。當溫度到達30±0.1℃時，各個樣品被蝕刻60s。清洗和乾燥之後，使用掃描電子顯微鏡(S-4700，由HITACHI製造)觀察其蝕刻表面，且觀察是否銅層未被完全蝕刻而有殘留，並基於表3中的評價標準進行評價。結果如下表4和下表5。
測試例6：爆炸評價
當實施例1-23和比較例1-14中的各個蝕刻劑組合物被貯存在恒溫器中時，測定其24h的溫度。觀察是否產生30℃或更多的熱量或激烈的反應，並基於表3中的評價標準進行評價。結果如下表4和下表5。
雖然於處於說明目的公開了本發明的優選實施方式，但是，本領域技術人員應理解，在不背離如所附申請專利範圍中公開的本發明範圍和精神的情況下，各種修改、添加和替代是可能的。
Claims (10)
- 一種用於蝕刻銅基金屬層和矽基層的蝕刻劑組合物，其包括：基於所述組合物的總重量，10-35wt%的過氧化氫，0.5-5wt%的有機酸，0.1-5wt%的磷酸或磷酸鹽，0.1-5wt%的水溶性環胺化合物，0.1-5wt%的分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物，0.01-0.9wt%的氟化合物，0.01-2wt%的貴金屬化合物，和餘量的水。
- 如請求項1所述的蝕刻劑組合物，其中所述有機酸包括選自乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸和戊酸組成的組中的至少一種。
- 如請求項1所述的蝕刻劑組合物，其中所述水溶性環胺化合物包括氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、喹諾酮和吡咯啉組成的組中的至少一種。
- 如請求項1所述的蝕刻劑組合物，其中分子中具有氨基和羧基的所述水溶性化合物包括選自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亞氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨 酸組成的組中的至少一種。
- 如請求項1所述的蝕刻劑組合物，其中所述氟化合物包括選自氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉和氟化氫鉀組成的組中的至少一種。
- 如請求項1所述的蝕刻劑組合物，其中所述貴金屬化合物包括選自銅、銀和金組成的組中的至少一種。
- 如請求項1所述的蝕刻劑組合物，其中所述銅基金屬層是銅或銅合金的單層、或是包括鉬層和在鉬層上形成的銅層的銅鉬層、包括鉬合金層和在鉬合金層上形成的銅層的銅鉬合金層、包括鈦層和在鈦層上形成的銅層的銅鈦層、或包括鈦合金層和在鈦合金層上形成的銅層的銅鈦合金層。
- 製作用於液晶顯示器的陣列基板的方法，其包括：a)在基板上形成柵極線；b)在包括所述柵極線的基板上形成柵極絕緣層；c)在所述柵極絕緣層上形成半導體層；d)在所述半導體層上形成源電極和漏電極；和e)形成連接至所述漏電極的像素電極，其中a)包括在基板上形成銅基金屬層並使用蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基金屬層，從而形成所述柵極線，d)包括形成銅基金屬層並使用蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基金屬層，從而形成所述源電極和所述漏電極，並且 所述蝕刻劑組合物包括，基於所述組合物的總重量，10-35wt%的過氧化氫，0.5-5wt%的有機酸，0.1-5wt%的磷酸或磷酸鹽，0.1-5wt%的水溶性環胺化合物，0.1-5wt%的分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物，0.01-0.9wt%的氟化合物，0.01-2wt%的貴金屬化合物，和餘量的水。
- 如請求項8所述的方法，其中所述陣列基板是薄膜電晶體陣列基板。
- 如請求項8所述的方法，其中所述銅基金屬層是銅或銅合金的單層、或是包括鉬層和在鉬層上形成的銅層的銅鉬層、包括鉬合金層和在鉬合金層上形成的銅層的銅鉬合金層、包括鈦層和在鈦層上形成的銅層的銅鈦層、或包括鈦合金層和在鈦合金層上形成的銅層的銅鈦合金層。
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