JP6121959B2 - エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液 - Google Patents
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Description
成することと、前記構造物を、フッ化水素酸と酸化剤と有機添加剤とを含んだエッチング
液中に浸漬させて、前記構造物のうち前記触媒層と接している部分を除去することとを含み、前記有機添加剤は、ポリエチレングリコール、コハク酸、リンゴ酸、ジプロピルアミン、及びアラニンからなる群より選ばれる1以上の化合物であり、前記エッチング液における前記有機添加剤の濃度は0.01質量%乃至1質量%の範囲内にある。
構造物10は半導体からなる。半導体は、例えば、Si、Ge、GaAs及びGaNなどのIII族元素とV族元素との化合物からなる半導体、並びにSiCから選択される。なお、ここで使用する用語「族」は、短周期型周期表の「族」である。
絶縁層20は、開口部を有している。この方法では、構造物10のうち絶縁層の開口部に対応した領域11を、エッチングによって除去する。
触媒層30は、貴金属から各々がなる複数の粒子31の集合体である。触媒層30は、それと接している領域11を構成している半導体の酸化反応を活性化させるために用いる。貴金属は、例えば、Au、Ag、Pt、Pd、及びそれらの組み合わせから選択することができる。
なお、上述した理由の2以上が複合している可能性がある。
以下に、当初の特許請求の範囲に記載していた発明を付記する。
[1]
半導体からなる構造物上に、貴金属からなる触媒層を形成することと、
前記構造物を、フッ化水素酸と酸化剤と有機添加剤とを含んだエッチング液中に浸漬させて、前記構造物のうち前記触媒層と接している部分を除去することと
を含んだエッチング方法。
[2]
前記有機添加剤の分子は極性分子である項1に記載のエッチング方法。
[3]
前記有機添加剤の分子量は60乃至20000の範囲内にある項1又は2に記載のエッチング方法。
[4]
前記有機添加剤は、アルコール、カルボン酸、ヒドロキシ酸、アミン、アミノ酸、有機フッ素化合物、及びキレート剤からなる群より選ばれる1以上の化合物である項1乃至3の何れか1項に記載のエッチング方法。
[5]
前記有機添加剤は、ポリエチレングリコール、コハク酸、リンゴ酸、ジプロピルアミン、及びアラニンからなる群より選ばれる1以上の化合物である項1乃至3の何れか1項に記載のエッチング方法。
[6]
前記エッチング液における前記有機添加剤の濃度は0.01質量%乃至1質量%の範囲内にある項1乃至5の何れか1項に記載のエッチング方法。
[7]
前記エッチング液におけるフッ化水素の濃度は5ol/L乃至10mol/Lの範囲内にある項1乃至6の何れか1項に記載のエッチング方法。
[8]
前記エッチング液における前記酸化剤の濃度は2mol/L乃至4mol/Lの範囲内にある項1乃至7の何れか1項に記載のエッチング方法。
[9]
前記触媒層として、前記貴金属から各々がなる複数の粒子の集合体を形成し、前記エッチング液中への前記構造物の浸漬により、前記構造物のうち前記複数の粒子と近接している部分と、前記構造物のうち前記複数の粒子間の隙間に対応した部分とを除去する項1乃至8の何れか1項に記載のエッチング方法。
[10]
項1乃至9の何れか1項に記載のエッチング方法により前記構造物をエッチングすることを含んだ物品の製造方法。
[11]
項1乃至9の何れか1項に記載のエッチング方法により前記構造物をエッチングすることを含んだ半導体装置の製造方法。
[12]
フッ化水素酸と酸化剤と有機添加剤とを含んだエッチング液。
[13]
前記有機添加剤の分子は極性分子である項12に記載のエッチング液。
[14]
前記有機添加剤の分子量は60乃至20000の範囲内にある項12又は13に記載のエッチング液。
[15]
前記有機添加剤は、アルコール、カルボン酸、ヒドロキシ酸、アミン、アミノ酸、有機フッ素化合物、及びキレート剤からなる群より選ばれる1以上の化合物である項12乃至14の何れか1項に記載のエッチング液。
[16]
前記有機添加剤は、ポリエチレングリコール、コハク酸、リンゴ酸、ジプロピルアミン、及びアラニンからなる群より選ばれる1以上の化合物である項12乃至14の何れか1項に記載のエッチング液。
[17]
前記有機添加剤の濃度は0.01質量%乃至1質量%の範囲内にある項12乃至16の何れか1項に記載のエッチング液。
[18]
前記エッチング液におけるフッ化水素の濃度は5mol/L乃至10mol/Lの範囲内にある項12乃至17の何れか1項に記載のエッチング液。
[19]
前記エッチング液における前記酸化剤の濃度は2mol/L乃至4mol/Lの範囲内にある項12乃至18の何れか1項に記載のエッチング液。
Claims (11)
- 半導体からなる構造物上に、貴金属からなる触媒層を形成することと、
前記構造物を、フッ化水素酸と酸化剤と有機添加剤とを含んだエッチング液中に浸漬させて、前記構造物のうち前記触媒層と接している部分を除去することとを含み、
前記有機添加剤は、ポリエチレングリコール、コハク酸、リンゴ酸、ジプロピルアミン、及びアラニンからなる群より選ばれる1以上の化合物であり、
前記エッチング液における前記有機添加剤の濃度は0.01質量%乃至1質量%の範囲内にあるエッチング方法。 - 前記有機添加剤の分子量は60乃至20000の範囲内にある請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記エッチング液におけるフッ化水素の濃度は5mol/L乃至10mol/Lの範囲内にある請求項1又は2に記載のエッチング方法。
- 前記エッチング液における前記酸化剤の濃度は2mol/L乃至4mol/Lの範囲内にある請求項1乃至3の何れか1項に記載のエッチング方法。
- 前記触媒層として、前記貴金属から各々がなる複数の粒子の集合体を形成し、前記エッチング液中への前記構造物の浸漬により、前記構造物のうち前記複数の粒子と近接している部分と、前記構造物のうち前記複数の粒子間の隙間に対応した部分とを除去する請求項1乃至4の何れか1項に記載のエッチング方法。
- 請求項1乃至5の何れか1項に記載のエッチング方法により前記構造物をエッチングすることを含んだ物品の製造方法。
- 請求項1乃至5の何れか1項に記載のエッチング方法により前記構造物をエッチングすることを含んだ半導体装置の製造方法。
- 貴金属からなる触媒層が形成された半導体からなる構造物のうち、前記触媒層と接している部分を除去するために使用するエッチング液であって、フッ化水素酸と酸化剤と有機添加剤とを含み、前記有機添加剤は、ポリエチレングリコール、コハク酸、リンゴ酸、ジプロピルアミン、及びアラニンからなる群より選ばれる1以上の化合物であり、前記エッチング液における前記有機添加剤の濃度は0.01質量%乃至1質量%の範囲内にあるエッチング液。
- 前記有機添加剤の分子量は60乃至20000の範囲内にある請求項8に記載のエッチング液。
- 前記エッチング液におけるフッ化水素の濃度は5mol/L乃至10mol/Lの範囲
内にある請求項8又は9に記載のエッチング液。 - 前記エッチング液における前記酸化剤の濃度は2mol/L乃至4mol/Lの範囲内
にある請求項8乃至10の何れか1項に記載のエッチング液。
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