NO324780B1 - Fremgangsmate for vatsyreetsing av AlGaInAsSb-strukturer og anvendelse av vatt, surt etsemiddel - Google Patents
Fremgangsmate for vatsyreetsing av AlGaInAsSb-strukturer og anvendelse av vatt, surt etsemiddel Download PDFInfo
- Publication number
- NO324780B1 NO324780B1 NO20026261A NO20026261A NO324780B1 NO 324780 B1 NO324780 B1 NO 324780B1 NO 20026261 A NO20026261 A NO 20026261A NO 20026261 A NO20026261 A NO 20026261A NO 324780 B1 NO324780 B1 NO 324780B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- etching
- acid
- ysby
- procedure according
- gasb
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002253 acid Substances 0.000 title claims abstract description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 10
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 51
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- YEEGWNXDUZONAA-UHFFFAOYSA-K 5-hydroxy-2,8,9-trioxa-1-gallabicyclo[3.3.2]decane-3,7,10-trione Chemical compound [Ga+3].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YEEGWNXDUZONAA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N Arsenious Acid Chemical compound O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 description 2
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N diarsenic trioxide Chemical compound O1[As](O2)O[As]3O[As]1O[As]2O3 KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017013 As4O6 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001495 arsenic compounds Chemical class 0.000 description 1
- GCPXMJHSNVMWNM-UHFFFAOYSA-N arsenous acid Chemical compound O[As](O)O GCPXMJHSNVMWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N gallium antimonide Chemical compound [Sb]#[Ga] VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940093920 gynecological arsenic compound Drugs 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000004476 mid-IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
- H01L21/30617—Anisotropic liquid etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
Foreliggende oppfinnelse omfatter et vått, surt etsemiddel for våtsyreetsing av intrinsikt, n-dopet eller p-dopet Ali. xz Ga* 1 n,As_ySby med 0<x<l,0<y<l,0<z<logO< x+z < 1, en fremgangsmåte for våtsyreetsing av intrinsikt, n-dopet eller p-dopet Ali -x-z GalnAs_y Sby med 0<x< 1, 0 < y < l,0<z< 1 og 0 < x+z < 1, og en halvlederstniktur fremstilt ved våtsyreetsing av intrinsikt, n-dopet eller p-dopet Al__GalnAs i _y Sby med 0 < x < 1, 0 < y < 1, 0 < z < 1 og 0 < x+z < 1.
Description
Oppfinnelsen omhandler en fremgangsmåte for våtsyreetsing av intrinsikt, n-dopet eller p-dopet Ali-x-zGaxlnzAsi-ySby med 0<x<1,0<y<1,0<z<1 og0< x+z < 1, samt anvendelse av vått, surt etsemiddel blandet i vann som omfatter organisk syre, hydrogenperoksid og hydrogenfluorsyre.
A. Li, C. Lin and Y. Zheng, "Chemical etching liquid system for preparing gallium antimonide semiconductor device", CN A 1328175 brukte en etseveske sammensatt av vinsyre (C4H606), H202 og HF for å etse GaSb-baserte komponenter.
US 5 798540 beskriver etseløsning bestående av melkesyre eller eddiksyre, hydrogenperoksid og HF. Etseløsningen brukes til å fjerne halvledermaterial ved kjemisk ets, halvledermaterialet kan være AlGaAsSb.
JP 08064774 beskriver ets ved bruk av en fortynnet løsning av hydrogenperoksid, sitronsyre og HF.
P.S. Gladkov et al. "Study of a new chemical etchant for GaSb (100) and (111) substrate preparation for epitaxial growth", pp. 2413-17, Journal of Electrochemical Society, Vol. 142, No. 7 (1995) brukte en etseveske sammensatt av vannholdig vinsyre-løsning, H202 og HF for overflate-preparering av GaSb-materiale. De foreslo at følgende reaksjoner kunne foregå i den ferdige løsningen:
Den komplekse vinsyren løser antimonoksidet, mens flussyren løser galliumoksidet.
Dette er i kontrast til galliumcitrat formasjonen som er observert av G.E. Hawes et al. "Solid and Solution State NMR Spectra and the Structure of the Gallium Citrate Complex (NH4)3[Ga(C6H507)2]-4H20", pp.1005-1011, European Journal of Inorganic Chemistry (2001), der Ga reagerer med citratet.
Fra G.C. Desalvo et al. "Citric acid etching of GaAsi-xSbXl Alo.5Gao.5Sb, and InAs for Heterostructure Device Fabrication", pp. 3526-31, Journal of Electrochemical Society, Vol. 141, No. 12 (1994) er det kjent at man benytter en etseløsning basert på sitronsyre og H202 for mønster-preging av komponenter i Gao.5Alo.5Sb og GaAsi-xSbx materiale. For GaAs ble det rapportert en etserate opp til 0,3 urn/min, mens for både GaSb og Gao.5Alo.5Sb var etseratene under 10Å/min i den samme løsningen (respektivt 9.1 og 0.23Å/min).
Fra H.A. Szymanski et al. "Infrared and Råman studies of arsenic compounds", pp. 297-304, Applied Spectroscopy, Vol. 22, No. 4 (1968) vet vi at arsenoksider er løslige i vann (men ikke nødvendigvis i syrer under bias-betingelser ifølge X. Li et al. "Arsenic Oxide Micro crystals in Anodically Processed GaAs", pp. 1740-1746, Journal of Electrochemical Society, Vol. 147, No. 5 (2000)).
I denne oppfinnelsen ble ingen bias-betingelser benyttet, så vi forventer at arsenoksidet er løselig ved reaksjon med vann alene.
Ifølge Per Kofstad "Uorganisk kjemi. En introduksjon til elementenes kjemi", 467 sider, Tano A.S., Oslo (1987), vil faste As(lll)-oksider reagere med vann i et vått miljø:
Dvs., As203 (eller As406) kan danne As(OH)3 (eller H3ASO3) som så er i løsning uten at HF blandes inn. I en syrlig løsning kan følgende reaksjon skje:
Kofstad rapporterer også at Sb i oksidasjonstilstand +III er lite løselig i vann.
R.D. Twesten et al. "Microstructure and interface properties of laterally oxidized AlxGai.xAs", pp. 55-61, SPIE, Vol. 3003 (1997) fant rester av oksider av (AlxGai-x)203, som tilsvarer Ga203 i tilfellet GaAs, ved oksidering av AlxGai-xAs i våt N2. Dette tyder på at vann ikke kan løse Ga oksidet alene, som også er observet av andre (M. J. Howes and D.V. Morgan, "Etching and Surface Preparation of GaAs for Device Fabrication", pp. 119-160, Gallium Arsenide: Materials, Devices and Circuits, John Wiley & Sons Ltd. 1985). Det tyder også på at vann kan reagere med GaAs for å danne oksidet:
Dannelsen av hydrogen vil gi små gass-bobler hvis reaksjonsraten er høy.
I henhold til H. Hashimoto et al. "Optical and structural characteristics of Al203 films deposited by the reactive ionised duster beam method", pp. 241-244, Journal of Applied Physics, Vol. 63, no. 1, (1998) ble deponerte AI2O3 filmer etset av HF, men med en etserate som var avhengig av deponeringsparameterene til Reactive Ionised Cluser Beam metoden som ble brukt. Ved å variere deponeringsparameterene, kunne brytningsindeksen til filmene endres (ved å endre Al/oksygen forholdet i oksidet). Dette varierte i neste omgang etse-raten til materialene, med høyere etserate for lavere brytningsindeks, noe som indikerer at redusert oksygeninnhold gir redusert etse-rate. M. Ishida et al. "A new etching method for single-crystal AI2O3 film on Si using Si ion implantation", pp. 340-4, Sensors and Actuators A (Physical), Vol. A53, no. 1-3, (1996) observerte at HF etset Al203 med høyere rate hvis Si ble inkorporert inn i materialet.
S. Ootomo et al. rapporterte i "Properties of as-grown, chemically treated and thermally oxidized surfaces of AlGaN/GaN heterostructure", pp. 934-7, Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors, Nagoya, Japan, (2000) at en blanding av AI2C-3 og Ga2C"3 ble etset av ren HF, men la igjen F-relaterte urenheter.
For oss antyder dette at del-reaksjonen av aluminiumoksid fjerning, vil øke med HF konsentrasjonen i etseløsningen i gjeldende oppfinnelse. Dette betyr at etseraten også er avhengig av Al-konsentrasjonen i materialet som etses.
J.H. Kim et al. "Selective etching of AlGaAs/GaAs structures using the solutions of citric acid/H202 and de-ionized H20/buffered oxide etch", pp. 558-60, Journal of Vacuum Science Technology, Vol. B16 (1998) observerte noe etsing av AlGaAs med sitronsyre/H202. De observerte at etseraten økte med lavere Al-innhold og/eller med redusert sitronsyre/H202 volumforhold. Dette betyr at en økende mengde H202 måtte være tilstede for å redusere Al oksidet ved økende Al innhold. Det er derfor sannsynlig at H202 faktisk reagerer med Al203 og løser dette ved høye konsentrasjoner av H202 og lave konsentrasjoner av Al. I henhold til P. Kofstad (1987), kan H2O2 virke som et reduksjonsmiddel. I eksperimenter med ets av Ali-x-zGaxlnzAs1-ySby, kan Al-innholdet bli over det som kan forventes å løses for høye etserater med kun H2O2 som eneste reduksjonsmiddel. Vi har introdusert HF inn i vår etseløsning som et forsøk på å øke løseligheten av Al oksidet under ets av Ali-x.zGaxlnzAsi.ySby.
I motsetning til ligning (6) foreslått av Twesten et al., gir ikke etseløsningene i gjeldende oppfinnelse merkbar hydrogen dannelse under GaAs ets. Reaksjonen mellom GaAs og vann er derfor mindre viktig for oksidasjonen av GaAs i våre etseløsninger.
Vi foreslår at i vårt tilfelle kan H2O2 reagere med GaAs, som gir dannelse av Ga og As oksider:
Tidligere fortolkninger av etseeksperimenter på GaSb av P.S. Gladkov et al. kan ikke forklare våre funn. I følge resultatene av våre etseeksperimenter, kan Ga oksidet også løses igjennom andre reaksjoner enn ligning (3). Fra ets av GaAs i sitronsyre/ hydrogenperoksid, har vi funnet at en reaksjon for oppløsning av Ga203 kan være:
med sitronsyre for dannelsen av galliumcitrat komplekser.
For de andre organiske syrene i gjeldende oppfinnelse, tyder etsehastighetene på at lignende kjemiske reaksjoner vil skje under ets med de andre organiske syrene.
Formålet med etseløsningene i gjeldende oppfinnelse er å produsere strukturer i GaSb-baserte materialer med forskjellige innhold av Al, Ga, In, Sb og As. Disse strukturene er blant annet benyttet i halvlederlasere. I en slik laser er det nødvendig å fjerne (etse) lag av Ali-x.zGaxlnzAsi-ySby i utpekte områder under prosessering, for å definere en optisk bølgeleder og et elektrisk injeksjonsområde. Generelt, når man produserer mikrostrukturer basert på 11 I-V halvledere, er det nødvendig å kunne etse materialene. Materialene som er etset i gjeldende oppfinnelse, er basert på AlGalnAsSb materialer med forskjellige innhold av Al, Ga, In, Sb og As. Konvensjonelt har disse materialene vært etset med en dyrere tørr-ets teknikk (gass), også referert til som Reactive lon Etch (RIE), siden det har vært vanskelig å finne en god våtets. Det er antatt at vanskelighetene med å etse disse materialene er hovedgrunnen til at teknologien ikke har vært benyttet i stor grad utenfor lab skala.
Meningen med gjeldende oppfinnelse er å benytte en blanding av to eller flere syrer og et oksiderende stoff for å produsere nye, passende etseløsninger for slike våtets-prosesser.
Hovedhensikten med gjeldende oppfinnelse er anvendelse av etseløsninger for en ny og kost-effektiv fremgangsmåte for å etse halvlederstrukturer som er sammensatt av et eller flere lag eller deler av Ali-x-zGaxlnzAsi-ySby med 0<x<1, 0<y<1, 0<z<1 og 0<x+z<1. Viktigheten av disse strukturene i et økonomisk perspektiv er høy siden de kan benyttes i et utvalg av halvleder fotoniske enheter som mikrolasere og bølgeledere. AlGalnAsSb-baserte halvlederlasere ser ut til å ha en lovende fremtid siden de viser høy ut-effekt, emisjon ved romtemperatur og emitterer i et spekter av bølgelengder i mid-IR området. Ved å benytte kjemisk våtets for å forme mønster inn i disse strukturene, kan man lage rimeligere lasere siden behovet for dyrt tørrets-utstyr (som RIE) kan elimineres. Slik kostnads-reduksjon i fremstillingen av halvlederlasere kan til slutt gi en bredere anvendelse av disse laserne. Den gjeldende oppfinnelsen viser fordelen ved å benytte organiske syrer med et oksiderende stoff og HF som en etseløsning for AlGalnAsSb-baserte materialer.
Foreliggende oppfinnelse omfatter i et aspekt en fremgangsmåte for våtsyreetsing av intrinsikt, n-dopet eller p-dopet
Ali.x.zGaxlnzAsy.ySby med 0<x<1,0<y<1,0<z<1 og0<x+z< 1, karakterisert ved at den omfatter at Ah. x. zGaxlnzAsi-ySby-materialet bringes i kontakt med et vått, surt etsemiddel som omfatter a) 12 - 45 w/v% organisk syre;
b) 0,4-5,5 w/v% oksidasjonsmiddel; og
c) 0,4-2,1 w/v% hydrogenfluorsyre.
idet alle vektprosentene er basert på den samlede vekten av blandingen, og
resten utgjøres av et løsemiddel, fortrinnsvis vann.
I det våte sure etsemidlet kan den organiske syren være ublandet eller en blanding, og velges fra sitronsyre, melkesyre, eddiksyre og vinsyre.
Oksidasjonsmidlet kan være hydrogenperoksid (H2O2), natriumhypokloritt (NaOCI), ozon eller et annet oksiddannende kjemikalie.
I fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse er
Ah-x-zGaxlnzAs^ySby-halvlederoverflaten eller -strukturen utformet (patterned) med et maskeringslag før kontakt med etsemidlet. Maskeringsmaterialet velges fra foto-resister, oksider, nitrider, karbider, diamant-film, halvledere eller metaller.
I fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse kan ett eller flere toppsjikt påføres på Ali.x-zGaxlnzAsi-ySby-halvlederoverflaten eller -strukturen slik at utformingen (patterning) av nevnte halvleder gjennomføres uten noen som helst reaksjon ved grenseflaten mellom overflaten avAh-x-zGaxlnzAsi-ySby halvlederen og et maskeringsmateriale. Toppsjiktet kan være GaSb, InSb, GaAs, InAs, GalnSb, GalnAs, InAsSb, GaAsSb, GalnAsSb eller annet ikke-oksiderende materiale.
Foreliggende fremgangsmåte kan utføres i løpet av to trinn hvor Al 1 .x. zGaxlnzAsi-ySby-halvlederoverflaten eller -strukturen eksponeres for H2O2 og den organiske syren og hydrogenfluorsyren i løpet av to trinn.
I et videre aspekt vedrører foreliggende oppfinnelse anvendelse av et vått, surt etsemiddel blandet i vann som omfatter:
a) 12 - 45 w/v% organisk syre,
b) 0,4-5,5 w/v% hydrogenperoksid; og
c) 0,4-2,1 w/v% hydrogenfluorsyre.
for våtsyreetsing av intrinsikt, n-dopet eller p-dopet
Ali-x-zGaxlnzAsi.ySby med 0<x<1,0<y<1,0<z<1 og0< x+z < 1.
Hele eller deler av Al^x-zGaxlnzAsi-ySby-materialet (-materialene) som strukturen består av, er n-dopet med tellur eller annet n-dopingsmiddel, eller p-dopet med beryllium eller annet p-dopingsmiddel.
Det etsede materialet kan være en del av en laser, lysemitterende diode (LED = Light-Emitting-Diode), fotodetektor eller optisk bølgelederstruktur.
Laseren eller den optiske bølgelederstruktur som det etsende materialet er en del av, er en høyde (ridge).
Laseren som det etsende materialet er en del av, kan være en Fabry Perot-laser, Distributed Feedback/Reflector Laser (DFB/DBR) eller Interferometric laser (som f.eks. Y-laser eller lignende).
Det etsede materialet av halvlederen kan være en del av en vertikal-hulrom overflateemitterende laser (VCSEL = Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser).
Det etsede materialet av halvlederen kan videre være en del av en fotonisk krystallstruktur som Photonic Crystal Distributed Feedback Laser eller lignende.
Det etsede materialet i halvlederen kan være en del av en optisk sensor.
Videre er etsemidlet blandet med blandingen i figur 7 og 8 som viser en uniform isotopisk ets over det etsede materialet. Figur 1 viser SEM bilder av etseprofiler og etsedybder nær fotoresistkanten for forskjellige materialer. Figur 2 viser ets av Alo.esGao.isAsSb (gitter justert til GaSb), med lavt innhold av HF. Selektivitet av AlGaAsSb over GaSb dekklaget kan sees (0,3 vol% HF i figur 9). Figur 3 viser etserater for Al0.82lno.o8Ga0.ioAsSb (gitter justert til GaSb) for eddiksyre, melkesyre og sitronsyre baserte etseløsninger som funksjon av H2O2
innhold (se tabell 2).
Figur 4 viser etserater for Alo.85Gao.15Aso.06Sbo.94 med etseløsninger inneholdende sitronsyre og vinsyre som vist i tabell 4. Figur 5 viser sammenligning av etserater for Alo.goGao.ioAsSb og Alo.82lno.o8Gao.ioAsSb (gitter justert til GaSb) med melkesyre baserte etseløsninger (se tabell 5). Figur 6 viser etserater for GaAs og GaSb substrater for sitronsyre og vinsyre baserte etseløsninger som vist i tabell 1. Figur 7 viser etserater fra tabell 3 som viser uniform ets over Al0.82lno.o8Ga0.ioAsSb (gitter tilpasset til GaSb) prøve med justerte konsentrasjoner av H2O2 i etse-løsningen. Figur 8 viser etserater fra tabell 7 som antyder økt etseuniformitet fra melkesyre-løsningen når man tilsetter In til Alo.goGao.ioAsSb (gitter tilpasset til GaSb). Figur 9 viser etse selektivitet for Alo. ssGao.ioAsSb (gitter tilpasset til GaSb) vs.
GaSb dekklaget (se tabell 6). Reduksjon av HF-konsentrasjonen reduserer etseraten for GaSb dekklaget mer enn for Al0.9oGa0.ioAsSb. Figur 10 viser XPS-spektrum fra Alo.goGao.ioAsSb (gitter tilpasset GaSb) etter ets med etseløsning med 0,18 M HF. Figur 11 viser XPS-spektrum fra Alo.goGao.ioAsSb (gitter tilpasset GaSb) etter ets med etseløsning med 0,9 M HF. Figur 12 viser XPS-spektrum fra Alo.goGao.ioAsSb (gitter tilpasset GaSb) etter ets med etseløsning med 0,18 M HF. Al-topp i spektrum viser rester av Al oksid på
det gjenværende GaSb substratet etter ets.
Figur 13 viser XPS-spektrum fra Al0.9oGa0.ioAsSb (gitter tilpasset GaSb) etter ets med etseløsning med 0,9 M HF. Ingen Al-topp fra det gjenværende GaSb substratet kan sees, men noe As og O signal er tilstede (se figur 11).
Eksempler
Løsninger av sitronsyre, vinsyre, melkesyre og eddiksyre med H2O2 og HF ble laget for å etse mønster inn i GaAs, GaSb, AlGaAsSb og AlGalnAsSb. AlGaAsSb og AlGalnAsSb materialene hadde blitt grodd oppå GaSb substrater ved bruk av molekylstråleepitaksi (MBE). Brede striper av fotoresist (PR) filmer ble lagt på prøvene ved bruk av spin-off, kontakt eksponering og fremkalling. Etsing ble så gjort på de forskjellige prøvene i inntil ett minutt (med røring). De resulterende etseratene på AlGaAsSb (-90% Al), AllnGaAsSb (-8% In), GaSb og GaAs er vist i grafisk form i figur 3 til 9 og i numerisk form i tabell 1 til 7. Figur 1 viser noen etseprofiler for forskjellige materialer, som viser isotrop ets av GaSb og AlGaAsSb (figur 1a og 1b, respektivt) og anisotropisk ets av GaAs (figur 1c). Bøyningen av fotoresisten som sees i figur 1d er assosiert med dannelsen av et lite "nebb" av reaksjonsprodukter som har fremkommet mellom fotoresisten og AlGaAsSb materialet under. Vi fant at dannelsen av et slikt nebb kunne begrenses ved å legge på et dekk-lag med materiale som vist i figur 1b (GaSb dekk-lag).
Alo.esGao.isAso.oeSbo.<g>A med 100 ml 2,5 M sitronsyre, 20 ml 9,8 M H2O2 og 1-5 ml 22,6 M HF.
Alo.82lno,o8Ga0,iAsSb (gitter tilpasset GaSb) med 100 ml 2,5 M melkesyre, 1,25-20 ml 9,8 M H202 og 5 ml 22,6 M HF.
'[Endring midten vs. kant]=[Etserate på midten av prøven]/[Etserate på kanten av prøven]-1
Fra tabell 5 ser man at å bytte ut 8% av Al med In, øker alle etserater.
Fra tabell 7 ser man at den resulterende overflaten etter ets viser bedre etseuniformitet for Al0.82lno.o8Ga0.iAsSb enn for Alo.gGa0.iAsSb.
Det ble funnet at etseløsninger med sitronsyre og melkesyre kunne benyttes for svært uniform etsing av AlGalnAsSb (figur 7 og 8) og rimelig god uniform etsing av AlGaAsSb (figur 8). Selektiviteten av AlGaAsSb over GaSb kunne oppnås ved å redusere HF konsentrasjonen i etseløsningen (se figur 2). Disse to resultatene er viktige for å kunne benytte etseløsningene for industrielle applikasjoner.
Fra figur 6 og tabell 1, kan man se at de organiske syre/H202 løsningene uten HF, etset GaAs, men ikke GaSb i en observerbar rate. Dette antyder at det dannede Sb oksidet (Sb203) (se ligning 1, side 1) ikke løses i nevneverdig grad av noen av de organiske syrene, som er i kontrast til de kjemiske ligningene foreslått av P.S.GIadkov et al. (1995). Alle As-oksider er svært løselige i vann (M. J. Howes and D.V. Morgan (1985)), mens Sb-oksider er lite løselige i vann (P. Kofstad
(1987)).
Siden GaSb blir etset av løsningen som inneholder HF, vil den følgende ligning kunne være gyldig:
Siden HF(aq) er en svak syre, er den direkte reaksjonen med H+:
sannsynligvis mindre viktig. Disse ligningene kan sees å forklare en prosess der HF øker løsningen av Sb-oksider inn i etseløsningen.
Siden Sb-oksidet er lite løsbart i vann, kan vi sannsynligvis se bort ifra påvirkning fra slike reaksjoner.
Kompleks-syre etsene av de GaSb baserte halvlederne ga isotrope og jevne overflater (se figur 1a-b) for en rekke ingrediens konsentrasjoner. For lave H2O2 konsentrasjoner i etseløsningen, viste derimot mesteparten av de GaSb-baserte materialene overflate ruhet/ujevnhet og/eller anisotropisk ets (se figur 3 og 5). For alle etseløsninger ble noen variasjoner i etserate observert over prøvene.
Generelt ble det observert for alle prøvene at etseraten på kanten av prøven var forskjellig fra etseraten på midten av prøven. Lokale variasjoner av etserater ble også observert og var sannsynligvis på grunn av diffusjonsbegrensede reaksjoner: Nær PR (fotoresist) kanten var etseraten generelt lavere enn for de åpne områdene langt unna PR. Variasjonene kunne elimineres eller reduseres ved å justere sammensetningen til etseløsningen, som vist i figur 7 og 8, som dermed ga en isotropisk ets med uniform etserate og jevne overflater.
Figur 4 og 6 viser at etseraten på GaSb og AlGaAsSb øker med økende HF-konsentrasjon i den vinsyre- og sitronsyre-baserte løsningene. Den lille reduksjonen i etserate til GaSb (figur 6) for de høyeste konsentrasjoner av HF, indikerer en annen diffusjonsbegrenset reaksjon i våre etseløsninger. Dette kan muligens forklares ved den økende reaksjonsraten for HF-relaterte reaksjoner med økende HF-konsentrasjoner. For høye reaksjonsrater vil muligens ikke reaksjonsproduktene ha tid til å diffundere vekk, noe som gir reduserte etserater. Ved enda høyere HF-konsentrasjoner vil konsentrasjonsgradientene reduseres, noe som bidrar til mindre diffusjon av produktene og derfor en videre reduksjon i etserate.
Våre resultater viser at den organiske syre baserte etseløsningen kan ha en god uniformitet under etsing av AlGaAsSb og AllnGaAsSb materialer, som resulterer i god planaritet og jevne overflater. Resultatene viser også svært uniforme etse-områder i noen etseløsninger (figur 7 og 8). Dette kan indikere at sitronsyre og melkesyre er fordelaktige fremfor eddiksyre og vinsyre for ets av AllnGaAsSb. Vi viste også at økt selektivitet av AlGaAsSb over GaSb dekk-laget kan oppnås ved å justere HF-sammensetningen i etseløsningen (figur 9).
Røntgen fotoelektron spektroskopi (XPS)
For å undersøke overflate-sammensetningen av AlGaAsSb etter ets, ble XPS-eksperimenter utført. Biter av det samme materialet uten PR ble etset og XPS-spektre ble tatt opp fra prøvene. XPS-spektra fra karakteriseringen av etset AlGaAsSb er vist i figur 10-13.
For å utføre disse XPS-undersøkelsene, ble to prøver med et 2 u.m tykt Alo,85Gao,i5Aso,o6Sb0,94 epilag på et GaSb substrat, etset i ett minutt i en etse-løsning med 2,5 M sitronsyre, 9,8 M H202 og HF (100:20:x). En ble etset i én løsning med 0,18 M HF (x=1) og en annen med 0,9 M HF (x=5, se figur 4 eller tabell 4 for etserater). Dette ble antatt å fjerne det 2 |im tykke AlGaAsSb epilaget, slik at bare GaSb, med eventuelle overflateoksider, ble igjen.
XPS-målingene viste rester av Al på/nær overflaten av den prøven som ble etset med etseløsning med lite HF (0,18 M) (se figur 12). Denne prøven viste også oksygen-topper, men veldig lite Ga-signal, noe som indikerer at et Al-holdig oksid ble igjen på overflaten. Dette var ikke tilfelle når man etset med etseløsningen med mer HF (0,9 M). Denne prøven viste ingen Al 2p topp (figur 13), noe som indikerer at det Al-holdige oksidet ble fjernet på/nær overflaten. Det er mulig at den lavt HF-holdige etseløsningen ikke har fjernet alt av epilagmaterialet, sannsynligvis på grunn av lav oppløsningsrate til Al-oksidet som etterlater Al-holdige rester.
Ved å sammenligne figur 4 og 6, kan vi se at etseraten for AlGaAsSb (figur 4) kan øke til over det for GaSb substratet (figur 6) når HF-konsentrasjonen økes i etseløsningen. Dette betyr at etseraten til As- eller Al-oksidene øker med HF-konsentrasjonen til et nivå over det til Ga- og/eller Sb-oksidene. As 3d toppen (figur 10 og 11) var til stede i begge prøvene, som indikerer at der er noen As-holdige rester igjen på begge overflatene. Ved også å ta i betraktning innholdet av 85% Al og 6% As i AlGaAsSb materialet, må Al-oksidet være mye mer løselig enn As-oksidet for etseløsningen med høyt HF-innhold (med 0,9 M HF, dvs. 1,6 Vol% HF). Vi kan derfor konkludere med at reaksjonen med HF er raskere for Al enn for Ga, som vil si at dannelsen Ga-citrat foreslått i ligning (8) og (9) må være viktig i gjeldende oppfinnelse.
Claims (11)
1. Fremgangsmåte for våtsyreetsing av intrinsikt, n-dopet eller p-dopet Ali.x.zGaxlnzAsi-ySby med 0<x<1,0<y<1,0<z<1 og 0 <x+z < 1, karakterisert ved at den omfatter at A11 _x-zGaxlnzAsi-ySby-materialet bringes i kontakt med et vått, surt etsemiddel som omfatter a) 12 - 45 w/v% organisk syre; b) 0,4-5,5 w/v% oksidasjonsmiddel; og c) 0,4-2,1 w/v% hydrogenfluorsyre,
idet alle vektprosentene er basert på den samlede vekten av blandingen, og resten utgjøres av et løsemiddel, fortrinnsvis vann.
2. Fremgangsmåte i henhold til krav 1,
karakterisert ved at den organiske syren er ublandet eller en blanding.
3. Fremgangsmåte i henhold til krav 1,
karakterisert ved at den organiske syren velges fra sitronsyre, melkesyre, eddiksyre og vinsyre.
4. Fremgangsmåte i henhold til krav 1,
karakterisert ved at oksidasjonsmidlet er hydrogenperoksid (H202).
5. Fremgangsmåte i henhold til krav 1,
karakterisert ved at Ah-x-zGaxlnzAsi-ySby-halvlederoverflaten eller -strukturen eksponeres for H202 og den organiske syren og hydrogenfluorsyren i løpet av to trinn.
6. Fremgangsmåte i henhold til krav 1,
karakterisert ved at ett eller flere toppsjikt påføres på AI, .x.z G axI n2 As t .y S by-halvlederoverflaten eller -strukturen slik at mønsterutformingen av nevnte halvleder gjennomføres uten noen som helst reaksjon ved grenseflaten mellom overflaten av Ali.x.zGaxln2Asi.ySby-halvlederen og et maskeringsmateriale som også påføres på halvlederoverflaten.
7. Fremgangsmåte i henhold til krav 6,
karakterisert ved at toppsjiktet er GaSb, InSb, GaAs, InAs, GalnSb, GalnAs, InAsSb, GaAsSb, GalnAsSb eller annet ikke-oksiderende materiale, og maskeringsmaterialet velges fra foto-resister, oksider, nitrider, karbider, diamant-film, halvledere eller metaller.
8. Fremgangsmåte i henhold til krav 1,
karakterisert ved at Ali-x-zGaxlnzAsi-ySby er et materiale med 0 < x < 1; 0,8 < y < 1; 0 < z < 0,3 og 0 < x+z < 1.
9. Fremgangsmåte i henhold til krav 8,
karakterisert ved at toppsjiktet er GaSb.
10. Anvendelse av et vått, surt etsemiddel blandet i vann som omfatter a) 12 - 45 w/v% organisk syre, b) 0,4-5,5 w/v% hydrogenperoksid; og c) 0,4-2,1 w/v% hydrogenfluorsyre
for våtsyreetsing av intrinsikt, n-dopet eller p-dopet
Ali.x.2Gaxln2Asi.ySby med 0<x<1,0<y<1,0<z<1 og0< x+z < 1.
11. Anvendelse i henhold til krav 10, for våtetsing av Ali.x.2Gaxln2Asi-ySby med 0 < x < 1; 0,8 < y < 1; 0 < z < 0,3 og 0 < x+z< 1.
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20026261A NO324780B1 (no) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | Fremgangsmate for vatsyreetsing av AlGaInAsSb-strukturer og anvendelse av vatt, surt etsemiddel |
| EP03768404A EP1581668B1 (en) | 2002-12-27 | 2003-12-19 | Etching of algainassb |
| DE60334929T DE60334929D1 (de) | 2002-12-27 | 2003-12-19 | Algainassb-ätzung |
| PCT/NO2003/000429 WO2004059038A1 (en) | 2002-12-27 | 2003-12-19 | Etching of algainassb |
| AT03768404T ATE487810T1 (de) | 2002-12-27 | 2003-12-19 | Algainassb-ätzung |
| AU2003291781A AU2003291781A1 (en) | 2002-12-27 | 2003-12-19 | Etching of algainassb |
| US10/540,896 US20060240670A1 (en) | 2002-12-27 | 2003-12-19 | Etching of algainassb |
| US12/686,000 US20110021032A1 (en) | 2002-12-27 | 2010-01-12 | Etching of AlGaInAsSb |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20026261A NO324780B1 (no) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | Fremgangsmate for vatsyreetsing av AlGaInAsSb-strukturer og anvendelse av vatt, surt etsemiddel |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO20026261D0 NO20026261D0 (no) | 2002-12-27 |
| NO20026261L NO20026261L (no) | 2004-06-28 |
| NO324780B1 true NO324780B1 (no) | 2007-12-10 |
Family
ID=19914338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO20026261A NO324780B1 (no) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | Fremgangsmate for vatsyreetsing av AlGaInAsSb-strukturer og anvendelse av vatt, surt etsemiddel |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20060240670A1 (no) |
| EP (1) | EP1581668B1 (no) |
| AT (1) | ATE487810T1 (no) |
| AU (1) | AU2003291781A1 (no) |
| DE (1) | DE60334929D1 (no) |
| NO (1) | NO324780B1 (no) |
| WO (1) | WO2004059038A1 (no) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004037191B4 (de) * | 2004-07-30 | 2008-04-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Halbleiterbautelement mit einer Passivierungsschicht und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US8153019B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-04-10 | Micron Technology, Inc. | Methods for substantially equalizing rates at which material is removed over an area of a structure or film that includes recesses or crevices |
| EP2329534A1 (en) * | 2008-09-25 | 2011-06-08 | California Institute of Technology | High operating temperature barrier infrared detector with tailorable cutoff wavelength |
| JP6121959B2 (ja) | 2014-09-11 | 2017-04-26 | 株式会社東芝 | エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液 |
| JP6294536B2 (ja) * | 2016-05-23 | 2018-03-14 | 住友化学株式会社 | 液晶組成物 |
| RU2699347C1 (ru) * | 2019-04-17 | 2019-09-04 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Состав меза-травителя для антимонида индия ориентации (100) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5235993B1 (no) | 1971-06-30 | 1977-09-12 | ||
| SU784635A1 (ru) | 1979-07-20 | 1982-01-30 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср | Травитель дл химического полировани антимонидов инди и галли |
| SU1135382A1 (ru) | 1983-02-25 | 1986-10-15 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср | Травитель дл прецизионного химического полировани монокристаллов антимонида гали и твердых растворов на его основе |
| JPH0836079A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-02-06 | Mitsubishi Nuclear Fuel Co Ltd | 燃料集合体に用いられるグリッドのロー付け方法及び該方法によりロー付けされた燃料集合体用グリッド |
| US5577061A (en) * | 1994-12-16 | 1996-11-19 | Hughes Aircraft Company | Superlattice cladding layers for mid-infrared lasers |
| US5798540A (en) * | 1997-04-29 | 1998-08-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electronic devices with InAlAsSb/AlSb barrier |
| US6992319B2 (en) * | 2000-07-18 | 2006-01-31 | Epitaxial Technologies | Ultra-linear multi-channel field effect transistor |
| US20020075926A1 (en) * | 2000-08-22 | 2002-06-20 | Coldren Larry A. | Current leveling layer integrated with aperture for intracavity device |
| CN1152154C (zh) | 2001-05-11 | 2004-06-02 | 中国科学院上海冶金研究所 | 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液 |
-
2002
- 2002-12-27 NO NO20026261A patent/NO324780B1/no not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-12-19 US US10/540,896 patent/US20060240670A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-19 DE DE60334929T patent/DE60334929D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-19 WO PCT/NO2003/000429 patent/WO2004059038A1/en not_active Application Discontinuation
- 2003-12-19 EP EP03768404A patent/EP1581668B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-19 AT AT03768404T patent/ATE487810T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-12-19 AU AU2003291781A patent/AU2003291781A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-01-12 US US12/686,000 patent/US20110021032A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2003291781A1 (en) | 2004-07-22 |
| EP1581668B1 (en) | 2010-11-10 |
| ATE487810T1 (de) | 2010-11-15 |
| WO2004059038A1 (en) | 2004-07-15 |
| US20110021032A1 (en) | 2011-01-27 |
| NO20026261L (no) | 2004-06-28 |
| US20060240670A1 (en) | 2006-10-26 |
| EP1581668A1 (en) | 2005-10-05 |
| NO20026261D0 (no) | 2002-12-27 |
| DE60334929D1 (de) | 2010-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DeSalvo et al. | Etch rates and selectivities of citric acid/hydrogen peroxide on GaAs, Al0. 3Ga0. 7As, In0. 2Ga0. 8As, In0. 53Ga0. 47As, In0. 52Al0. 48As, and InP | |
| Kim et al. | Selective etching of AlGaAs/GaAs structures using the solutions of citric acid/H 2 O 2 and de-ionized H 2 O/buffered oxide etch | |
| DeSalvo et al. | Wet chemical digital etching of GaAs at room temperature | |
| KR20210142118A (ko) | 이방성 화학 식각을 위한 대면적 계측 및 공정 제어 | |
| US20110021032A1 (en) | Etching of AlGaInAsSb | |
| Adachi et al. | Chemical etching of InGaAsP/InP DH wafer | |
| Li et al. | Monolithic integration of GaAs/InGaAs lasers on virtual Ge substrates via aspect-ratio trapping | |
| US5110765A (en) | Selective etch for GaAs-containing group III-V compounds | |
| US8685273B2 (en) | Etching agent for type II InAs/GaInSb superlattice epitaxial materials | |
| JPH07105382B2 (ja) | 気相エツチングを含む半導体デバイスの製作プロセス | |
| US4943540A (en) | Method for selectively wet etching aluminum gallium arsenide | |
| Kuźmicz et al. | Selective etching of GaAs grown over AlAs etch-stop layer in buffered citric acid/H2O2 solution | |
| JP2002057142A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| Wang et al. | Wet chemical etching for V‐grooves into InP substrates | |
| Lee et al. | Etching processes for fabrication of GaN/InGaN/AlN microdisk laser structures | |
| El‐Zein et al. | Native‐oxide‐masked Si impurity‐induced layer disordering of Al x Ga1− x As‐Al y Ga1− y As‐Al z Ga1− z As quantum‐well heterostructures | |
| KR100567346B1 (ko) | ＡｌＧａＡｓ 에피층 식각액 및 이를 이용한 반도체소자의 제조 방법 | |
| US7479461B2 (en) | Method of etching silicon anisotropically | |
| US6531414B1 (en) | Method of oxidizing strain-compensated superlattice of group III-V semiconductor | |
| Sun et al. | Selective wet etching of Al0. 7Ga0. 3As layer in concentrated HCl solution for peeling off GaAs microtips | |
| Edwards et al. | Dry etching of anisotropic microstructures for distributed bragg reflectors in AlGaInP/GaAs laser structures | |
| JP3201793B2 (ja) | Ｓｉ基体の加工方法 | |
| Tian | Fabrication and characterisation of nitride DBRs and nitride membranes by electrochemical etching techniques | |
| Shinoda et al. | Highly reliable InGaAsP/InP lasers with defect-free regrowth interfaces formed by newly composed HBr-based solutions | |
| Tian | New Applications of III-V Compound Semiconductor Native Oxides for Photonic Devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM1K | Lapsed by not paying the annual fees |