JP7080781B2 - 多孔質層の形成方法、エッチング方法、物品の製造方法、半導体装置の製造方法、及びめっき液 - Google Patents
多孔質層の形成方法、エッチング方法、物品の製造方法、半導体装置の製造方法、及びめっき液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7080781B2 JP7080781B2 JP2018180346A JP2018180346A JP7080781B2 JP 7080781 B2 JP7080781 B2 JP 7080781B2 JP 2018180346 A JP2018180346 A JP 2018180346A JP 2018180346 A JP2018180346 A JP 2018180346A JP 7080781 B2 JP7080781 B2 JP 7080781B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- porous layer
- plating solution
- etching
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 87
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 68
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 88
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 57
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 56
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 56
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 33
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 31
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 30
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 7
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 70
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 22
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 20
- -1 fluororesin Substances 0.000 description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- OIZJPMOIAMYNJL-UHFFFAOYSA-H gold(3+);trisulfate Chemical compound [Au+3].[Au+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OIZJPMOIAMYNJL-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 150000004685 tetrahydrates Chemical class 0.000 description 2
- GXCDLJXPZVCHBX-UHFFFAOYSA-N 3-methylpent-1-yn-3-yl carbamate Chemical compound CCC(C)(C#C)OC(N)=O GXCDLJXPZVCHBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920005646 polycarboxylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/3085—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by their behaviour during the process, e.g. soluble masks, redeposited masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0335—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by their behaviour during the process, e.g. soluble masks, redeposited masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Dicing (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
構造物1の表面の少なくとも一部は、半導体からなる。半導体は、例えば、Si、Ge、GaAs及びGaNなどのIII族元素とV族元素との化合物からなる半導体、並びにSiCから選択される。なお、ここで使用する用語「族」は、短周期型周期表の「族」である。
マスク層2は、構造物1の表面に、後述する多孔質層を金属パターンとして形成するための層である。マスク層2は、構造物1の表面を部分的に覆っており、開口部を有している。開口部の幅は、0.1μm以上であることが好ましく、0.2μm以上であることがより好ましい。開口部の幅は、1μm以上であってもよい。開口部の幅に上限値はないが、一例によれば300μm以下であり、他の例によれば10μm以下である。
置換めっきは、無電解めっきの1種である。ここで行う置換めっきには、水中で貴金属を含んだイオンを生じる貴金属源と、弗化水素と、pH値又はゼータ電位を調整する調整剤とを含み、pH値が1乃至6の範囲内にあるめっき液を使用する。このめっき液は、置換めっき用であるので、自己触媒型無電解めっきで使用するめっき液とは異なり、還元剤を含んでいない。
置換めっきを終了した後、構造物1を洗浄する。次いで、構造物1を乾燥させる。例えば、構造物1が円盤形状を有している場合には、それを回転させながら乾燥させる。
エッチング剤8における弗化水素の濃度は、1乃至15mol/Lの範囲内にあることが好ましく、5乃至10mol/Lの範囲内にあることがより好ましく、3乃至8mol/Lの範囲内にあることが更に好ましい。弗化水素濃度が低い場合、高いエッチングレートを達成することが難しい。弗化水素濃度が高い場合、過剰なサイドエッチングを生じる可能性がある。
以上のようにして、図6に示す構造物1’を得る。なお、マスク層2は、構造物1’から除去しても、除去しなくてもよい。
めっき液から調整剤を省略すると、図7に示すように、粒子5の一部は、マスク層2の表面に付着する。マスク層2上の粒子5は、マスク層2を除去した場合には、構造物1’の表面に付着し得る。
比較例において、粒子5の一部がマスク層2の表面に付着し易いのは、以下の理由によると考えられる。なお、ここでは、一例として、貴金属源は、水中でテトラクロロ金(III)酸イオンを生じる金源であるとする。
上述したエッチング方法は、様々な物品の製造に利用することができる。例えば、上述したエッチング方法は、半導体装置、インターポーザなどの回路基板、又は、ナノインプリントにおいて使用するスタンパの製造に利用することができる。このエッチング方法は、一方の主面に凹部が設けられ、他の基板と貼り合せることにより中空構造を形成する基板、例えば保護基板の製造に利用することもできる。
この方法では、図1を参照しながら説明した構造を準備する。ここでは、構造物1は、表面領域に半導体素子が形成された半導体ウエハである。マスク層2は、構造物1の表面のうち、半導体素子が形成された領域を被覆している。マスク層2の開口部は、半導体チップの輪郭と等しい形状を有している。なお、構造物1のマスク層2が設けられた面の裏面には、ダイシングシートを貼り付けておいてもよい。
[例1(比較例)]
シリコンウエハの一方の面に、フォトリソグラフィを利用してレジストパターンを形成した。
めっき処理後、レジストパターン及び多孔質層が形成されたシリコンウエハを洗浄し、続いて、これを乾燥させた。
図11及び表1に示すように、ポリエチレングリコールを含まないめっき液を使用した場合、レジストパターン上には、多数の金粒子が付着した。
めっき液として、テトラクロロ金(III)酸四水和物と弗化水素とポリエチレングリコールとを含んだ水溶液を使用したこと以外は、例1と同様の方法により多孔質層を形成した。めっき液におけるテトラクロロ金(III)酸の濃度及び弗化水素の濃度は、それぞれ、0.003mol/L及び1mol/Lとした。ポリエチレングリコールとしては、平均分子量が200であるものを使用し、そのめっき液における濃度は0.0001質量%とした。 その後、例1と同様に、レジストパターンの上面を走査電子顕微鏡で撮影し、金粒子の数を求めた。結果を、図12及び表1に示す。
めっき液におけるポリエチレングリコールの濃度を0.001質量%としたこと以外は、例2と同様の方法により多孔質層を形成した。
その後、シリコンウエハの表面のうち、レジストパターンの開口部に対応した部分を、走査顕微鏡で観察した。その結果、この部分に多孔質層が形成されていることを確認できた。
例2と例3との対比から明らかなように、めっき液におけるポリエチレングリコールの濃度を0.0001質量%から0.001質量%へ高めることにより、レジストパターン上に付着した金粒子の数は大幅に減少した。
めっき液におけるポリエチレングリコールの濃度を1質量%としたこと以外は、例2と同様の方法により多孔質層を形成した。
その後、シリコンウエハの表面のうち、レジストパターンの開口部に対応した部分を、走査顕微鏡で観察した。その結果、この部分に多孔質層が形成されていることを確認できた。
例3と例4との対比から明らかなように、めっき液におけるポリエチレングリコールの濃度を0.001質量%から1質量%へ高めても、レジストパターン上に付着した金粒子の数は減少することはなかった。
ポリエチレングリコールとして平均分子量が6000であるものを使用したこと以外は、例2と同様の方法により多孔質層を形成した。
その後、シリコンウエハの表面のうち、レジストパターンの開口部に対応した部分を、走査顕微鏡で観察した。その結果、この部分に多孔質層が形成されていることを確認できた。
例2と例5との対比から明らかなように、ポリエチレングリコールの平均分子量を200から6000へ高めることにより、レジストパターン上に付着した金粒子の数は大幅に減少した。
めっき液におけるポリエチレングリコールの濃度を0.001質量%としたこと以外は、例5と同様の方法により多孔質層を形成した。
その後、シリコンウエハの表面のうち、レジストパターンの開口部に対応した部分を、走査顕微鏡で観察した。その結果、この部分に多孔質層が形成されていることを確認できた。
めっき液におけるポリエチレングリコールの濃度を1質量%としたこと以外は、例5と同様の方法により多孔質層を形成した。
その後、シリコンウエハの表面のうち、レジストパターンの開口部に対応した部分を、走査顕微鏡で観察した。その結果、この部分に多孔質層が形成されていることを確認できた。
例6と例7との対比から明らかなように、めっき液におけるポリエチレングリコールの濃度を0.001質量%から1質量%へ高めても、レジストパターン上に付着した金粒子の数は大きく減少することはなかった。
ポリエチレングリコールとして平均分子量が20000であるものを使用したこと以外は、例2と同様の方法により多孔質層を形成した。
その後、シリコンウエハの表面のうち、レジストパターンの開口部に対応した部分を、走査顕微鏡で観察した。その結果、この部分に多孔質層が形成されていることを確認できた。
例5と例8との対比から明らかなように、ポリエチレングリコールの平均分子量を6000から20000へ高めることにより、レジストパターン上に付着した金粒子の数は減少した。
めっき液におけるポリエチレングリコールの濃度を0.001質量%としたこと以外は、例8と同様の方法により多孔質層を形成した。
その後、シリコンウエハの表面のうち、レジストパターンの開口部に対応した部分を、走査顕微鏡で観察した。その結果、この部分に多孔質層が形成されていることを確認できた。
めっき液におけるポリエチレングリコールの濃度を1質量%としたこと以外は、例8と同様の方法により多孔質層を形成した。
その後、シリコンウエハの表面のうち、レジストパターンの開口部に対応した部分を、走査顕微鏡で観察した。その結果、この部分に多孔質層が形成されていることを確認できた。
例9と例10との対比から明らかなように、めっき液におけるポリエチレングリコールの濃度を0.001質量%から1質量%へ高めても、レジストパターン上に付着した金粒子の数は大きく減少することはなかった。
以下に、当初の特許請求の範囲に記載していた発明を付記する。
[1]
置換めっきによって、半導体からなる表面上に、貴金属を含んだ多孔質層を形成することを含み、前記置換めっきに使用するめっき液は、水中で前記貴金属を含んだイオンを生じる貴金属源と、弗化水素と、pH値又はゼータ電位を調整する調整剤とを含み、pH値が1乃至6の範囲内にある多孔質層の形成方法。
[2]
前記半導体はシリコンを含んだ項1に記載の形成方法。
[3]
前記貴金属は金を含んだ項1又は2に記載の形成方法。
[4]
前記調整剤は、ノニオン界面活性剤及びアニオン界面活性剤の少なくとも一方を含んだ項1乃至3の何れか1項に記載の形成方法。
[5]
前記調整剤は、高分子添加剤を含んだ項1乃至4の何れか1項に記載の形成方法。
[6]
前記めっき液は、前記高分子添加剤として、平均分子量が1000乃至100000の範囲内にあるポリエチレングリコールを含んだ項5に記載の形成方法。
[7]
前記めっき液は、前記高分子添加剤として、ポリエチレングリコールを0.0005乃至5質量%の濃度で含んだ項5又は6に記載の形成方法。
[8]
前記調整剤は、弗化アンモニウム、アンモニア、水酸化ナトリウム、及び水酸化カリウムからなる群より選択される1以上を含んだ項1乃至3の何れか1項に記載の形成方法。
[9]
前記めっき液は、pH値が4乃至6の範囲内にある項1乃至8の何れか1項に記載の形成方法。
[10]
前記多孔質層の形成に先立ち、基材の一主面に、マスク層を、前記主面が前記マスク層によって部分的に覆われるように形成することを更に含み、前記半導体からなる前記表面は、前記主面のうち前記マスク層によって覆われていない領域である項1乃至9の何れか1項に記載の形成方法。
[11]
前記マスク層と前記めっき液との界面におけるゼータ電位を10乃至-100mVの範囲内とする項10に記載の形成方法。
[12]
項1乃至11の何れか1項に記載の方法により、前記半導体からなる前記表面上に前記多孔質層を形成することと、
酸化剤と弗化水素とを含んだエッチング剤を前記半導体からなる前記表面に接触させて、前記多孔質層の触媒としての作用のもとで前記半導体からなる前記表面をエッチングすることと
を含んだエッチング方法。
[13]
項1乃至11の何れか1項に記載の方法により、前記半導体からなる前記表面上に前記多孔質層を形成することと、
酸化剤と弗化水素とを含んだエッチング剤を前記半導体からなる前記表面に接触させて、前記多孔質層の触媒としての作用のもとで前記半導体からなる前記表面をエッチングすることと
を含んだ物品の製造方法。
[14]
項12に記載のエッチング方法により半導体基板をエッチングすることを含んだ半導体装置の製造方法。
[15]
項12に記載のエッチング方法により半導体基板を個片化することを含んだ半導体チップの製造方法。
[16]
置換めっきによって、半導体からなる表面上に、貴金属を含んだ多孔質層を形成するために使用するめっき液であって、
水溶液中で前記貴金属を含んだイオンを生じる貴金属源と、
pH値又はゼータ電位を調整する調整剤と
を含み、
pH値が1乃至6の範囲内にあるめっき液。
Claims (13)
- 置換めっきによって、半導体からなる表面上に、貴金属を含んだ多孔質層を形成することを含み、前記置換めっきに使用するめっき液は、水中で前記貴金属を含んだイオンを生じる貴金属源と、弗化水素と、pH値又はゼータ電位を調整する調整剤とを含み、pH値が1乃至6の範囲内にあり、前記調整剤は、高分子添加剤として平均分子量が1000乃至100000の範囲内にあるポリエチレングリコールを含んだ多孔質層の形成方法。
- 前記半導体はシリコンを含んだ請求項1に記載の形成方法。
- 前記貴金属は金を含んだ請求項1又は2に記載の形成方法。
- 前記調整剤は、ノニオン界面活性剤及びアニオン界面活性剤の少なくとも一方を含んだ請求項1乃至3の何れか1項に記載の形成方法。
- 前記めっき液は、前記高分子添加剤として、ポリエチレングリコールを0.0005乃至5質量%の濃度で含んだ請求項1乃至4の何れか1項に記載の形成方法。
- 前記めっき液は、pH値が4乃至6の範囲内にある請求項1乃至5の何れか1項に記載の形成方法。
- 前記多孔質層の形成に先立ち、基材の一主面に、マスク層を、前記主面が前記マスク層によって部分的に覆われるように形成することを更に含み、前記半導体からなる前記表面は、前記主面のうち前記マスク層によって覆われていない領域である請求項1乃至6の何れか1項に記載の形成方法。
- 前記マスク層と前記めっき液との界面におけるゼータ電位を10乃至-100mVの範囲内とする請求項7に記載の形成方法。
- 請求項1乃至8の何れか1項に記載の方法により、前記半導体からなる前記表面上に前記多孔質層を形成することと、
酸化剤と弗化水素とを含んだエッチング剤を前記半導体からなる前記表面に接触させて、前記多孔質層の触媒としての作用のもとで前記半導体からなる前記表面をエッチングすることと
を含んだエッチング方法。 - 請求項1乃至8の何れか1項に記載の方法により、前記半導体からなる前記表面上に前記多孔質層を形成することと、
酸化剤と弗化水素とを含んだエッチング剤を前記半導体からなる前記表面に接触させて、前記多孔質層の触媒としての作用のもとで前記半導体からなる前記表面をエッチングすることと
を含んだ物品の製造方法。 - 請求項9に記載のエッチング方法により半導体基板をエッチングすることを含んだ半導体装置の製造方法。
- 請求項9に記載のエッチング方法により半導体基板を個片化することを含んだ半導体チップの製造方法。
- 置換めっきによって、半導体からなる表面上に、貴金属を含んだ多孔質層を形成するために使用するめっき液であって、
水溶液中で前記貴金属を含んだイオンを生じる貴金属源と、
弗化水素と、
pH値又はゼータ電位を調整する調整剤と
を含み、
pH値が1乃至6の範囲内にあり、
前記調整剤は、高分子添加剤として平均分子量が1000乃至100000の範囲内にあるポリエチレングリコールを含んだめっき液。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018180346A JP7080781B2 (ja) | 2018-09-26 | 2018-09-26 | 多孔質層の形成方法、エッチング方法、物品の製造方法、半導体装置の製造方法、及びめっき液 |
US16/359,427 US10991590B2 (en) | 2018-09-26 | 2019-03-20 | Etching method and plating solution |
US17/215,320 US20210217626A1 (en) | 2018-09-26 | 2021-03-29 | Etching method and plating solution |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018180346A JP7080781B2 (ja) | 2018-09-26 | 2018-09-26 | 多孔質層の形成方法、エッチング方法、物品の製造方法、半導体装置の製造方法、及びめっき液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020053520A JP2020053520A (ja) | 2020-04-02 |
JP7080781B2 true JP7080781B2 (ja) | 2022-06-06 |
Family
ID=69884697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018180346A Active JP7080781B2 (ja) | 2018-09-26 | 2018-09-26 | 多孔質層の形成方法、エッチング方法、物品の製造方法、半導体装置の製造方法、及びめっき液 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10991590B2 (ja) |
JP (1) | JP7080781B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11018012B2 (en) | 2018-09-21 | 2021-05-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Contact structures with deposited silicide layers |
JP2021197506A (ja) * | 2020-06-17 | 2021-12-27 | 東京応化工業株式会社 | 半導体基板のエッチング方法及びエッチング液 |
EP3961676A1 (en) * | 2020-08-26 | 2022-03-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Etching method and photosensitive resin composition |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003113479A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Chang Chun Petrochemical Co Ltd | 集積回路の銅インタコネクション晶種層の形成方法 |
JP2004273790A (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
US20120088372A1 (en) | 2010-10-08 | 2012-04-12 | Wakom Semiconductor Corporation | Method of forming micro-pore structures or trench structures on surface of silicon wafer substrate |
JP2016213385A (ja) | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 株式会社東芝 | 半導体チップの製造方法 |
JP2018018965A (ja) | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社東芝 | エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法 |
JP2018510266A (ja) | 2015-03-20 | 2018-04-12 | アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー | シリコン基板を活性化する方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3565302B2 (ja) | 1996-11-18 | 2004-09-15 | 日立化成工業株式会社 | 無電解金めっき方法 |
JPH1121672A (ja) | 1997-07-04 | 1999-01-26 | Hitachi Ltd | 無電解金めっき液及び金めっき方法 |
TW577938B (en) * | 1998-11-05 | 2004-03-01 | Uyemura C & Co Ltd | Tin-copper alloy electroplating bath and plating process therewith |
US7078276B1 (en) * | 2003-01-08 | 2006-07-18 | Kovio, Inc. | Nanoparticles and method for making the same |
TW200620451A (en) | 2004-11-09 | 2006-06-16 | Univ Osaka | Method for forming hole in crystal substrate, and crystal substrate having hole formed by the method |
SE0403042D0 (sv) * | 2004-12-14 | 2004-12-14 | Polymer Kompositer I Goeteborg | Improved stabilization and performance of autocatalytic electroless process |
JP2006265648A (ja) | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解金めっき液再調製方法、無電解金めっき方法及び金イオン含有液 |
JP5526462B2 (ja) | 2006-04-18 | 2014-06-18 | 日立化成株式会社 | 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
JP2008177489A (ja) | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Seiko Epson Corp | 素子基板の製造方法 |
JP5317433B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2013-10-16 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 酸性金合金めっき液 |
JP5370886B2 (ja) | 2009-03-10 | 2013-12-18 | 関東化学株式会社 | 金微細構造体形成用無電解金めっき液およびこれを用いた金微細構造体形成方法ならびにこれを用いた金微細構造体 |
BRPI1011514B1 (pt) * | 2009-03-24 | 2018-07-24 | Basf Se | "método para fabricar partículas conformadas de metal de transição" |
WO2010114887A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Georgia Tech Research Corporation | Metal-assisted chemical etching of substrates |
CN103081107B (zh) | 2010-03-09 | 2017-02-08 | 得克萨斯州大学系统董事会 | 多孔和非多孔纳米结构 |
US8193095B2 (en) * | 2010-05-28 | 2012-06-05 | National Taiwan University | Method for forming silicon trench |
WO2012150627A1 (ja) * | 2011-05-02 | 2012-11-08 | 三菱電機株式会社 | シリコン基板の洗浄方法および太陽電池の製造方法 |
TWI671813B (zh) | 2013-11-13 | 2019-09-11 | 東芝股份有限公司 | 半導體晶片之製造方法 |
JP6193321B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2017-09-06 | 株式会社東芝 | エッチング方法、物品の製造方法、及びエッチング装置 |
US9935004B2 (en) * | 2016-01-21 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Process and chemistry of plating of through silicon vias |
CN111937120A (zh) * | 2018-04-05 | 2020-11-13 | 麻省理工学院 | 多孔和纳米多孔半导体材料及其制造 |
-
2018
- 2018-09-26 JP JP2018180346A patent/JP7080781B2/ja active Active
-
2019
- 2019-03-20 US US16/359,427 patent/US10991590B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-29 US US17/215,320 patent/US20210217626A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003113479A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Chang Chun Petrochemical Co Ltd | 集積回路の銅インタコネクション晶種層の形成方法 |
JP2004273790A (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
US20120088372A1 (en) | 2010-10-08 | 2012-04-12 | Wakom Semiconductor Corporation | Method of forming micro-pore structures or trench structures on surface of silicon wafer substrate |
JP2018510266A (ja) | 2015-03-20 | 2018-04-12 | アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー | シリコン基板を活性化する方法 |
JP2016213385A (ja) | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 株式会社東芝 | 半導体チップの製造方法 |
JP2018018965A (ja) | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社東芝 | エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210217626A1 (en) | 2021-07-15 |
JP2020053520A (ja) | 2020-04-02 |
US10991590B2 (en) | 2021-04-27 |
US20200098582A1 (en) | 2020-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7080781B2 (ja) | 多孔質層の形成方法、エッチング方法、物品の製造方法、半導体装置の製造方法、及びめっき液 | |
JP6081647B1 (ja) | エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法 | |
US9701902B2 (en) | Etching method, method of manufacturing article, and etching solution | |
US10854466B2 (en) | Etching method, method of manufacturing semiconductor chip, and method of manufacturing article | |
JP6193321B2 (ja) | エッチング方法、物品の製造方法、及びエッチング装置 | |
JP2022063074A (ja) | エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法 | |
JP2017195383A (ja) | エッチング方法、物品の製造方法、及びエッチング装置 | |
JP2018022926A (ja) | エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法 | |
JP6246956B1 (ja) | エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法 | |
US20230077915A1 (en) | Etching method | |
WO2019097979A1 (ja) | 半導体基板、及びその製造方法 | |
JP6363245B2 (ja) | エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液 | |
JP6970263B2 (ja) | エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法 | |
JP6494899B1 (ja) | 半導体基板、及びその製造方法 | |
JP7404121B2 (ja) | 触媒層の形成方法 | |
Zhang et al. | High-resolution wet etching technology of thick electroless nickel alloy film for MEMS devices and packaging |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210324 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220426 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220525 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7080781 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |