JP2010041044A5 - - Google Patents

Claims (26)

1. 少なくとも一方の面上に変質層を有するガラス基板と、
   前記変質層上に接する第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に接する単結晶半導体層と、
   を有し、
   前記変質層の組成における酸化シリコンの割合は、前記ガラス基板の組成における酸化シリコンの割合より大きく、
   前記変質層の密度は、前記ガラス基板の密度より低いことを特徴とするＳＯＩ基板。
2. 少なくとも一方の面上に変質層を有するガラス基板と、
   前記変質層上に接する窒素含有層と、
   前記窒素含有層上に接する第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に接する単結晶半導体層と、
   を有し、
   前記変質層の組成における酸化シリコンの割合は、前記ガラス基板の組成における酸化シリコンの割合より大きく、
   前記変質層の密度は、前記ガラス基板の密度より低いことを特徴とするＳＯＩ基板。
3. 少なくとも一方の面上に変質層を有するガラス基板と、
   前記変質層上に接する第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に接する窒素含有層と、
   前記窒素含有層上に接する第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に接する単結晶半導体層と、
   を有し、
   前記変質層の組成における酸化シリコンの割合は、前記ガラス基板の組成における酸化シリコンの割合より大きく、
   前記変質層の密度は、前記ガラス基板の密度より低いことを特徴とするＳＯＩ基板。
4. 請求項２又は請求項３において、
   前記窒素含有層は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜若しくは酸化窒化シリコン膜から選ばれた一の層又は複数の膜の積層であることを特徴とするＳＯＩ基板。
5. 請求項３において、
   前記第２の絶縁層は、酸化シリコン膜であることを特徴とするＳＯＩ基板。
6. 請求項５において、
   前記酸化シリコン膜は、有機シランガスを用いた化学気相成長法により形成されたものであることを特徴とするＳＯＩ基板。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記変質層は、前記ガラス基板よりアルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度が低いことを特徴とするＳＯＩ基板。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記変質層と前記ガラス基板との間に中間層を有し、
   前記中間層は、組成及び密度において、前記ガラス基板と前記変質層の間の値をとることを特徴とするＳＯＩ基板。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記第１の絶縁層は、酸化シリコン膜であることを特徴とするＳＯＩ基板。
10. 請求項９において、
    前記酸化シリコン膜は、有機シランガスを用いた化学気相成長法により形成されたものであることを特徴とするＳＯＩ基板。
11. 請求項９において、
    前記酸化シリコン膜中に塩素原子が含まれることを特徴とするＳＯＩ基板。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記ガラス基板は、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はバリウムホウケイ酸ガラスであることを特徴とするＳＯＩ基板。
13. 請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載のＳＯＩ基板が有する前記単結晶半導体層を用いた薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
14. ガラス基板を塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液で処理して、前記ガラス基板の少なくとも一方の面上に変質層を形成し、
    前記変質層上に第１の絶縁層を介して単結晶半導体基板を貼り合わせ、
    前記単結晶半導体基板の一部を分離して、前記ガラス基板上に単結晶半導体層を形成し、
    前記変質層の組成における酸化シリコンの割合は、前記ガラス基板の組成における酸化シリコンの割合より大きく、
    前記変質層の密度は、前記ガラス基板の密度より低いことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
15. ガラス基板を塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液で処理して、前記ガラス基板の少なくとも一方の面上に変質層を形成し、
    前記変質層上に窒素含有層と第１の絶縁層を介して単結晶半導体基板を貼り合わせ、
    前記単結晶半導体基板の一部を分離して、前記ガラス基板上に単結晶半導体層を形成し、
    前記変質層の組成における酸化シリコンの割合は、前記ガラス基板の組成における酸化シリコンの割合より大きく、
    前記変質層の密度は、前記ガラス基板の密度より低いことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
16. ガラス基板を塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液で処理して、前記ガラス基板の少なくとも一方の面上に変質層を形成し、
    前記変質層上に第２の絶縁層と窒素含有層と第１の絶縁層を介して単結晶半導体基板を貼り合わせ、
    前記単結晶半導体基板の一部を分離して、前記ガラス基板上に単結晶半導体層を形成し、
    前記変質層の組成における酸化シリコンの割合は、前記ガラス基板の組成における酸化シリコンの割合より大きく、
    前記変質層の密度は、前記ガラス基板の密度より低いことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
17. 請求項１５又は請求項１６において、
    前記窒素含有層は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜若しくは酸化窒化シリコン膜から選ばれた一の層又は複数の膜の積層を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
18. 請求項１６において、
    前記第２の絶縁層は、酸化シリコン膜を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
19. 請求項１８において、
    前記酸化シリコン膜は、有機シランガスを用いた化学気相成長法により形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
20. 請求項１４乃至請求項１９のいずれか一項において、
    前記変質層は、前記ガラス基板よりアルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度が低いことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
21. 請求項１４乃至請求項２０のいずれか一項において、
    前記第１の絶縁層は、酸化シリコン膜を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
22. 請求項２１において、
    前記酸化シリコン膜は、有機シランガスを用いた化学気相成長法により形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
23. 請求項２１において、
    前記酸化シリコン膜中に塩素原子を含ませることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
24. 請求項１４乃至請求項２３のいずれか一項において、
    前記ガラス基板は、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はバリウムホウケイ酸ガラスであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
25. 請求項１４乃至請求項２４のいずれか一項において、
    前記塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液として、塩酸と過酸化水素と純水を混合した塩酸過酸化水素水混合溶液を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
26. 請求項１４乃至請求項２５のいずれか一項において、
    前記塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液に超音波振動を加えて処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。