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  1. 少なくとも半導体層と前記半導体層に対してゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極とを具備した電界効果型トランジスタであって、
    前記半導体層は、ＺｎまたはＩｎから選択される少なくとも１つの元素を含む第１のアモルファス酸化物半導体層と、ＧｅまたはＳｉから選択される少なくとも１つの元素と、ＺｎまたはＩｎから選択される少なくとも１つの元素と、を含む第２のアモルファス酸化物半導体層と、を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
  2. 前記第１のアモルファス酸化物半導体層は、少なくともＺｎとＩｎとを含み、
    前記第２のアモルファス酸化物半導体層は、少なくともＺｎとＩｎとＧｅとを含むことを特徴とする請求項１記載の電界効果型トランジスタ。
  3. 第１のアモルファス酸化物半導体層がゲート絶縁層と第２のアモルファス酸化物半導体層との間に設けられることを特徴とする請求項１乃至２記載の電界効果型トランジスタ。
  4. 前記第２のアモルファス酸化物半導体層に含まれるＧｅの組成比Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）が、０．０１以上０．４以下であることを特徴とする請求項１乃至３記載の電界効果型トランジスタ。
  5. 前記第２のアモルファス酸化物半導体層に含まれるＧｅの組成比Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）が、０．０３以上０．１５以下であることを特徴とする請求項１乃至４記載の電界効果型トランジスタ。
  6. 前記第１のアモルファス酸化物半導体層に含まれるＺｎの組成比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．３以上、０．７５未満であることを特徴とする請求項１乃至５記載の電界効果型トランジスタ。
  7. 前記第１のアモルファス酸化物半導体層に含まれるＺｎの組成比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．４未満であることを特徴とする請求項１乃至５記載の電界効果型トランジスタ。
  8. 前記第１のアモルファス酸化物半導体層に含まれるＺｎの組成比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）と前記第２のアモルファス酸化物半導体層に含まれるＺｎの組成比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）とが同一であることを特徴とする請求項２記載の電界効果型トランジスタ。
  9. 前記第２のアモルファス酸化物半導体層の一部がソース電極またはドレイン電極と前記第１のアモルファス酸化物半導体層との間に設けられることを特徴とする請求項１乃至８記載の電界効果型トランジスタ。
  10. 前記ゲート絶縁層は、シリコン酸化物からなることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載の電界効果型トランジスタ。
  11. 少なくとも半導体層と前記半導体層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを具備した薄膜トランジスタであって、
    前記半導体層は、ＺｎまたはＩｎから選択される少なくとも１つの元素を含む第１および第２のアモルファス酸化物半導体層からなり、
    前記第１のアモルファス酸化物半導体層におけるＺｎの組成比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が前記第２のアモルファス酸化物半導体層におけるＺｎの組成比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）よりも小さく、０．７５未満であり、
    前記第１のアモルファス酸化物半導体層におけるＩｎの組成比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５７以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
  12. 第１のアモルファス酸化物半導体層がゲート絶縁層と第２のアモルファス酸化物半導体層との間に設けられることを特徴とする請求項１１記載の電界効果型トランジスタ。
  13. 第１のアモルファス酸化物半導体層を形成する第１の工程と、第２のアモルファス酸化物半導体層を形成する第２の工程とを有し、第１の工程と第２の工程が同一の装置内で実施され、第１の工程と第２の工程を通して装置内の圧力が３００Ｐａ以下の真空雰囲気又は大気圧以下の不活性ガス雰囲気に維持されることを特徴とする、請求項１乃至１２記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
  14. 請求項１乃至１３のいずれか１項記載の電界効果型トランジスタと、
    該電界効果型トランジスタによって駆動される有機ＥＬ素子と、を含むことを特徴とする表示装置。
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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101648927B1 (ko) 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8492756B2 (en) * 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI476917B (zh) 2009-04-16 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
KR102089200B1 (ko) 2009-11-28 2020-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102415143B1 (ko) 2010-01-20 2022-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 휴대 전화기
KR20130007597A (ko) * 2010-03-08 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
WO2012002974A1 (en) * 2010-07-02 2012-01-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film transistors
US8593858B2 (en) * 2010-08-31 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
WO2012056933A1 (ja) * 2010-10-25 2012-05-03 株式会社日立製作所 酸化物半導体装置およびその製造方法
JP2012099661A (ja) * 2010-11-02 2012-05-24 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体の製造方法
KR101995082B1 (ko) 2010-12-03 2019-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
TWI657565B (zh) 2011-01-14 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶裝置
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2012235104A (ja) * 2011-04-22 2012-11-29 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ構造、ならびにその構造を備えた薄膜トランジスタおよび表示装置
JP2012238763A (ja) * 2011-05-12 2012-12-06 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8952377B2 (en) * 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4982620B1 (ja) * 2011-07-29 2012-07-25 富士フイルム株式会社 電界効果型トランジスタの製造方法、並びに、電界効果型トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びｘ線センサ
JP5052693B1 (ja) 2011-08-12 2012-10-17 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置、イメージセンサー、ｘ線センサー並びにｘ線デジタル撮影装置
WO2013047629A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
SG11201505099TA (en) * 2011-09-29 2015-08-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
JP2013093561A (ja) * 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
CN104025301B (zh) * 2011-10-14 2017-01-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20130046357A (ko) * 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102646676B (zh) * 2011-11-03 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种tft阵列基板
US9082861B2 (en) * 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
KR101942980B1 (ko) 2012-01-17 2019-01-29 삼성디스플레이 주식회사 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
KR20130111874A (ko) * 2012-04-02 2013-10-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치, 그리고 박막 트랜지스터의 제조 방법
US9553201B2 (en) 2012-04-02 2017-01-24 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor
KR102330543B1 (ko) 2012-04-13 2021-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2014061535A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102891183B (zh) * 2012-10-25 2015-09-30 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及主动矩阵式平面显示装置
US9171960B2 (en) * 2013-01-25 2015-10-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Metal oxide layer composition control by atomic layer deposition for thin film transistor
US9373711B2 (en) * 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014159033A1 (en) * 2013-03-13 2014-10-02 Applied Materials, Inc. Vth control method of multiple active layer metal oxide semiconductor tft
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6261125B2 (ja) * 2014-01-31 2018-01-17 国立研究開発法人物質・材料研究機構 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法
TWI772799B (zh) * 2014-05-09 2022-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
CN104916703B (zh) * 2015-05-07 2018-07-31 京东方科技集团股份有限公司 一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
CN105280717B (zh) * 2015-09-23 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 Tft及其制作方法、阵列基板及显示装置
KR101872421B1 (ko) * 2016-04-12 2018-06-28 충북대학교 산학협력단 산화물 반도체 기반의 트랜지스터 및 그 제조 방법
CN106711196B (zh) * 2016-10-20 2019-11-19 浙江大学 一种p型ZnGeSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
CN108389947B (zh) * 2018-04-27 2024-03-26 芜湖德豪润达光电科技有限公司 发光二极管及其制备方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10149250A1 (de) * 2001-10-05 2003-04-17 Sf Koop Gmbh Beton Konzepte Formstein aus Beton und Bausatz aus Formsteinen zur Erstellung von Erdreichabdeckungen
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7242039B2 (en) * 2004-03-12 2007-07-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) * 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
JP5138163B2 (ja) * 2004-11-10 2013-02-06 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
AU2005302962B2 (en) * 2004-11-10 2009-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
JP4850457B2 (ja) * 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP2007073704A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 半導体薄膜
US7622371B2 (en) * 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
KR101312259B1 (ko) 2007-02-09 2013-09-25 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5121254B2 (ja) * 2007-02-28 2013-01-16 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
JP4727684B2 (ja) * 2007-03-27 2011-07-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP2008276212A (ja) * 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
US8274078B2 (en) * 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
KR100982395B1 (ko) * 2007-04-25 2010-09-14 주식회사 엘지화학 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
KR101345376B1 (ko) * 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5512078B2 (ja) * 2007-11-22 2014-06-04 富士フイルム株式会社 画像形成装置

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