JP2009076753A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 絶縁膜上に、シリコン又はゲルマニウムを含む第１の堆積性ガスと、第１の水素ガスと、を用いて非晶質半導体部分及び結晶半導体部分を有する第１の半導体膜を形成する工程と、
   プラズマ処理により前記第１の半導体膜の前記非晶質半導体部分を選択的にエッチングして、前記絶縁膜上に前記結晶半導体部分を残存させる工程と、
   シリコン又はゲルマニウムを含む第２の堆積性ガスと、第２の水素ガスと、を用い、且つ、前記残存した前記結晶半導体部分を核とした結晶成長をさせることによって、第２の半導体膜を形成する工程と、を有し、
   前記プラズマ処理は、水素プラズマ処理、フッ素プラズマ処理、又は希ガスプラズマ処理であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
2. ゲート電極上に絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜上に、シリコン又はゲルマニウムを含む第１の堆積性ガスと、第１の水素ガスと、を用いて非晶質半導体部分及び結晶半導体部分を有する第１の半導体膜を形成する工程と、
   プラズマ処理により前記第１の半導体膜の前記非晶質半導体部分を選択的にエッチングして、前記絶縁膜上に前記結晶半導体部分を残存させる工程と、
   シリコン又はゲルマニウムを含む第２の堆積性ガスと、第２の水素ガスと、を用い、且つ、前記残存した前記結晶半導体部分を核とした結晶成長をさせることによって、第２の半導体膜を形成する工程と、を有し、
   前記プラズマ処理は、水素プラズマ処理、フッ素プラズマ処理、又は希ガスプラズマ処理であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
3. ゲート電極上に絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜上に、シリコン又はゲルマニウムを含む第１の堆積性ガスと、第１の水素ガスと、を用いて非晶質半導体部分及び結晶半導体部分を有する第１の半導体膜を形成する工程と、
   プラズマ処理により前記第１の半導体膜の前記非晶質半導体部分を選択的にエッチングして、前記絶縁膜上に前記結晶半導体部分を残存させる工程と、
   シリコン又はゲルマニウムを含む第２の堆積性ガスと、第２の水素ガスと、を用い、且つ、前記残存した前記結晶半導体部分を核とした結晶成長をさせることによって、第２の半導体膜を形成する工程と、
   前記第２の半導体膜上にバッファ層を形成する工程と、
   前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、を有し、
   前記プラズマ処理は、水素プラズマ処理、フッ素プラズマ処理、又は希ガスプラズマ処理であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
4. 請求項３において、
   前記第２の半導体膜を形成した後、前記第２の半導体膜を大気に触れさせることなく連続的に前記バッファ層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。