JP2012114423A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 絶縁膜上に、第１の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により種結晶を形成し、
   前記種結晶上に、第２の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により微結晶半導体膜を形成する作製方法であって、
   前記第１の条件は、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下として、第１の原料ガスと第２の原料ガスとを前記処理室内に交互に供給する条件であって、
   前記第１の原料ガスは、シリコンを含む堆積性気体と水素とを含み、水素の第１流量は、前記堆積性気体の第２流量に対して５０倍以上１０００倍以下であり、
   前記第２の原料ガスは、前記堆積性気体と水素とを含み、前記堆積性気体の第３流量は、前記堆積性気体の前記第２流量よりも小さく、
   前記第２の条件は、前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下として、第３の原料ガスと第４の原料ガスとを前記処理室内に交互に供給する条件であって、
   前記第３の原料ガスは、前記堆積性気体と水素とを含み、水素の第４流量は、前記堆積性気体の第５流量に対して１００倍以上２０００倍以下であり、
   前記４の原料ガスは、前記堆積性気体と水素とを含み、前記堆積性気体の第６流量は、前記堆積性気体の前記第５流量よりも小さいことを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
2. 基板上に、ゲート電極を形成し、
   前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に、第１の条件により種結晶を形成し、
   前記種結晶上に、第２の条件により微結晶半導体膜を形成し、
   前記微結晶半導体膜上に、微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域を有する半導体膜を形成し、
   前記半導体膜上に第１の不純物半導体膜を形成し、
   前記第１の不純物半導体膜の一部をエッチングして、島状の第２の不純物半導体膜を形成し、
   前記種結晶、前記微結晶半導体膜、及び前記半導体膜の一部をエッチングして、島状の第１の半導体積層体を形成し、
   前記第２の不純物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線を形成し、
   前記第２の不純物半導体膜をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体膜を形成し、
   前記第１の条件は、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下として、第１の原料ガスと第２の原料ガスとを前記処理室内に交互に供給する条件であって、
   前記第１の原料ガスは、シリコンを含む堆積性気体と水素とを含み、水素の第１流量は、前記堆積性気体の第２流量に対して５０倍以上１０００倍以下であり、
   前記第２の原料ガスは、前記堆積性気体と水素とを含み、前記堆積性気体の第３流量は、前記堆積性気体の前記第２流量よりも小さく、
   前記第２の条件は、前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下として、第３の原料ガスと第４の原料ガスとを前記処理室内に交互に供給する条件であって、
   前記第３の原料ガスは、前記堆積性気体と水素とを含み、水素の第４流量は、前記堆積性気体の第５流量に対して１００倍以上２０００倍以下であり、
   前記４の原料ガスは、前記堆積性気体と水素とを含み、前記堆積性気体の第６流量は、前記堆積性気体の前記第５流量よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。