JP2009283916A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 第１電極上に設けられ、一導電型を付与する不純物元素を含む微結晶半導体の第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上に設けられた第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層上に設けられ、前記第１の半導体層と逆の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層と、
   前記第３の半導体層上に設けられた第２電極と、を有し、
   前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層との界面から前記第３の半導体層との界面に向かって先細りの形状を有する結晶を有することを特徴とする光電変換装置。
2. 第１電極上に設けられ、一導電型を付与する不純物元素を含む微結晶半導体の第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上に設けられた第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層上に設けられ、前記第１の半導体層と逆の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層と、
   前記第３の半導体層上に設けられた第２電極と、を有し、
   前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層との界面から前記第３の半導体層との界面に向かって先細りの形状を有する結晶を有し、
   前記結晶は、前記第１の半導体層から成長した結晶であることを特徴とする光電変換装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１の半導体層はｐ型半導体であり、前記第２の半導体層はｉ型半導体であり、前記第３の半導体層はｎ型半導体であることを特徴とする光電変換装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第２の半導体層は、非晶質領域と前記結晶を有する領域とを有することを特徴とする光電変換装置。
5. 基板上に第１電極を形成し、
   半導体材料ガスと希釈ガスとを反応室内に導入しプラズマを生成して、前記第１電極上に一導電型を付与する不純物元素を含む微結晶半導体の第１の半導体層を形成し、
   前記第１の半導体層形成時よりも前記半導体材料ガスに対する前記希釈ガスの流量比を小さくしてプラズマを生成して、前記第１の半導体層上に、上面に向かって先細りの形状を有する結晶を有する第２の半導体層を形成し、
   前記第２の半導体層上に、前記第１の半導体層と逆の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層を形成し、
   前記第３の半導体層上に第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
6. 基板上に第１電極を形成し、
   前記第１電極上に、一導電型を付与する不純物元素を含む微結晶半導体の第１の半導体層を形成し、
   結晶が成長する成膜初期段階までは、半導体材料ガスと希釈ガスとの流量比を１倍以上６倍以下として、プラズマを生成して、前記第１の半導体層上に、上面に向かって先細りの形状を有する前記結晶を有する第２の半導体層を形成し、
   前記第２の半導体層上に、前記第１の半導体層と逆の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層を形成し、
   前記第３の半導体層上に第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
7. 請求項５又は請求項６において、
   前記半導体材料ガスとしては、水素化シリコンガス、フッ化シリコンガス又は塩化シリコンガスを用い、
   前記希釈ガスとしては水素を用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
8. 請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第２の半導体層は、非晶質領域と前記結晶を有する領域とを有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。