JP2012023350A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012023350A5 JP2012023350A5 JP2011132818A JP2011132818A JP2012023350A5 JP 2012023350 A5 JP2012023350 A5 JP 2012023350A5 JP 2011132818 A JP2011132818 A JP 2011132818A JP 2011132818 A JP2011132818 A JP 2011132818A JP 2012023350 A5 JP2012023350 A5 JP 2012023350A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor region
- impurity element
- conductivity type
- gas containing
- element imparting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (2)
- 導電層上に、低圧化学的気相堆積法により、第１の導電型を付与する不純物元素を含む第１の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第２の半導体領域を形成するとともに、前記第１の半導体領域から前記第２の半導体領域の方向に、前記第１の導電型を付与する不純物元素を移動させ、
前記第２の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第２の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第１の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
前記第１の半導体領域の形成は、５５０℃より高く６５０℃より低い温度で行い、
前記第２の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用いて行い、
前記第２の半導体領域の形成は、５５０℃より高く６５０℃より低い温度で行い、
前記第３の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第２の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
前記第３の半導体領域の形成は、５５０℃以下または６５０℃以上の温度で行い、
前記第１の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第２の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第２の半導体領域は、複数の突起を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 導電層上に、低圧化学的気相堆積法により、第１の導電型を付与する不純物元素を含む第１の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第２の半導体領域を形成するとともに、前記第１の半導体領域から前記第２の半導体領域の方向に、前記第１の導電型を付与する不純物元素を移動させ、
前記第２の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第２の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第１の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
前記第１の半導体領域の形成は、５５０℃より高く６５０℃より低い温度で行い、
前記第２の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用いて行い、
前記第２の半導体領域の形成は、５５０℃より高く６５０℃より低い温度で行い、
前記第３の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第２の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
前記第３の半導体領域の形成は、５５０℃以下または６５０℃以上の温度で行い、
前記第１の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第２の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第１の半導体領域は、複数の突起を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011132818A JP5656330B2 (ja) | 2010-06-18 | 2011-06-15 | 光電変換装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010140005 | 2010-06-18 | ||
| JP2010140005 | 2010-06-18 | ||
| JP2011132818A JP5656330B2 (ja) | 2010-06-18 | 2011-06-15 | 光電変換装置の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012023350A JP2012023350A (ja) | 2012-02-02 |
| JP2012023350A5 true JP2012023350A5 (ja) | 2014-07-17 |
| JP5656330B2 JP5656330B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=45329032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011132818A Active JP5656330B2 (ja) | 2010-06-18 | 2011-06-15 | 光電変換装置の作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8569098B2 (ja) |
| JP (1) | JP5656330B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011158722A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| US9076909B2 (en) | 2010-06-18 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
| KR20130006301A (ko) * | 2011-07-08 | 2013-01-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 실리콘막의 제작 방법 및 축전 장치의 제작 방법 |
| JP6065366B2 (ja) * | 2012-01-30 | 2017-01-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9227259B2 (en) * | 2012-08-22 | 2016-01-05 | International Business Machines Corporation | Increasing the efficiency of solar cells by transfer of solder |
| TWI474499B (zh) * | 2012-10-12 | 2015-02-21 | Iner Aec Executive Yuan | Microcrystalline silicon thin film solar cell element and its manufacturing method |
| JP7337756B2 (ja) * | 2020-07-30 | 2023-09-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3203709B2 (ja) * | 1991-10-14 | 2001-08-27 | ソニー株式会社 | フローティングゲートを有する半導体装置及びその製造方法 |
| JPH07235611A (ja) * | 1994-02-21 | 1995-09-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置のキャパシタ及びその製造方法 |
| JPH10242417A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2001068708A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子、太陽電池素子及び半導体素子の製造方法 |
| JP2003069061A (ja) | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Sharp Corp | 積層型光電変換素子 |
| JP2003258285A (ja) | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Sharp Corp | 表面凹凸構造の作製方法及び太陽電池 |
| JP2004014958A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜多結晶太陽電池とその製造方法 |
| JP4140765B2 (ja) | 2002-09-19 | 2008-08-27 | コバレントマテリアル株式会社 | 針状シリコン結晶およびその製造方法 |
| WO2004102677A1 (ja) * | 2003-05-13 | 2004-11-25 | Asahi Glass Company, Limited | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
| JP4480525B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2010-06-16 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
| JP2005150614A (ja) | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Sharp Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP5058084B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の作製方法及びマイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
| US8017429B2 (en) | 2008-02-19 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing photoelectric conversion device |
| US9076909B2 (en) | 2010-06-18 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
| JP5894379B2 (ja) | 2010-06-18 | 2016-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置 |
| JP5792523B2 (ja) | 2010-06-18 | 2015-10-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の作製方法 |
| WO2011158722A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| JP2012023343A (ja) | 2010-06-18 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置及びその作製方法 |
| JP2012023342A (ja) | 2010-06-18 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置及びその作製方法 |
-
2011
- 2011-06-10 US US13/157,593 patent/US8569098B2/en active Active
- 2011-06-15 JP JP2011132818A patent/JP5656330B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012023350A5 (ja) | ||
| JP2015079946A5 (ja) | ||
| JP2012033476A5 (ja) | ||
| JP2015079945A5 (ja) | ||
| JP2012009837A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| SG10201806569PA (en) | Pecvd microcrystalline silicon germanium (sige) | |
| JP2014007388A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012009838A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013153160A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2014007381A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| WO2013019063A3 (ko) | 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비 | |
| WO2013019064A3 (ko) | 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비 | |
| WO2014121187A3 (en) | Photovoltaic device including a p-n junction | |
| JP2011258943A5 (ja) | トランジスタの作製方法 | |
| JP2012033472A5 (ja) | ||
| JP2012004549A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013016785A5 (ja) | ||
| JP2009283916A5 (ja) | ||
| JP2012114423A5 (ja) | ||
| JP2012169602A5 (ja) | 微結晶半導体膜の作製方法、及び、半導体装置の作製方法 | |
| JP2012009432A5 (ja) | 蓄電装置の作製方法 | |
| JP2013131741A5 (ja) | ||
| JP2013530528A5 (ja) | ||
| GB2514711A (en) | Power semiconductor device and method for manufacturing thereof | |
| GB2517325A (en) | High efficiency solar cells fabricated by inexpensive PECVD |