JP2012023350A5 - - Google Patents

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  1. 導電層上に、低圧化学的気相堆積法により、第1の導電型を付与する不純物元素を含む第1の半導体領域を形成し、
    前記第1の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第2の半導体領域を形成するとともに、前記第1の半導体領域から前記第2の半導体領域の方向に、前記第1の導電型を付与する不純物元素を移動させ、
    前記第2の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第2の導電型を付与する不純物元素を含む第3の半導体領域を形成し、
    前記第1の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第1の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
    前記第1の半導体領域の形成は、550℃より高く650℃より低い温度で行い、
    前記第2の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用いて行い、
    前記第2の半導体領域の形成は、550℃より高く650℃より低い温度で行い、
    前記第3の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第2の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
    前記第3の半導体領域の形成は、550℃以下または650℃以上の温度で行い、
    前記第1の半導体領域は、結晶性を有し、
    前記第2の半導体領域は、結晶性を有し、
    前記第2の半導体領域は、複数の突起を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
  2. 導電層上に、低圧化学的気相堆積法により、第1の導電型を付与する不純物元素を含む第1の半導体領域を形成し、
    前記第1の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第2の半導体領域を形成するとともに、前記第1の半導体領域から前記第2の半導体領域の方向に、前記第1の導電型を付与する不純物元素を移動させ、
    前記第2の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第2の導電型を付与する不純物元素を含む第3の半導体領域を形成し、
    前記第1の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第1の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
    前記第1の半導体領域の形成は、550℃より高く650℃より低い温度で行い、
    前記第2の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用いて行い、
    前記第2の半導体領域の形成は、550℃より高く650℃より低い温度で行い、
    前記第3の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第2の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
    前記第3の半導体領域の形成は、550℃以下または650℃以上の温度で行い、
    前記第1の半導体領域は、結晶性を有し、
    前記第2の半導体領域は、結晶性を有し、
    前記第1の半導体領域は、複数の突起を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
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