JP2012023350A5 - - Google Patents
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- 導電層上に、低圧化学的気相堆積法により、第１の導電型を付与する不純物元素を含む第１の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第２の半導体領域を形成するとともに、前記第１の半導体領域から前記第２の半導体領域の方向に、前記第１の導電型を付与する不純物元素を移動させ、
前記第２の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第２の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第１の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
前記第１の半導体領域の形成は、５５０℃より高く６５０℃より低い温度で行い、
前記第２の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用いて行い、
前記第２の半導体領域の形成は、５５０℃より高く６５０℃より低い温度で行い、
前記第３の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第２の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
前記第３の半導体領域の形成は、５５０℃以下または６５０℃以上の温度で行い、
前記第１の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第２の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第２の半導体領域は、複数の突起を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 導電層上に、低圧化学的気相堆積法により、第１の導電型を付与する不純物元素を含む第１の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第２の半導体領域を形成するとともに、前記第１の半導体領域から前記第２の半導体領域の方向に、前記第１の導電型を付与する不純物元素を移動させ、
前記第２の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第２の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第１の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
前記第１の半導体領域の形成は、５５０℃より高く６５０℃より低い温度で行い、
前記第２の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用いて行い、
前記第２の半導体領域の形成は、５５０℃より高く６５０℃より低い温度で行い、
前記第３の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第２の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
前記第３の半導体領域の形成は、５５０℃以下または６５０℃以上の温度で行い、
前記第１の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第２の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第１の半導体領域は、複数の突起を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
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