JP2011044704A5 - 微結晶半導体膜の作製方法および半導体装置の作製方法 - Google Patents
微結晶半導体膜の作製方法および半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
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- 水素と、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、を処理室内に導入し、
前記堆積性気体の流量比を周期的に増減させ、
高周波電力を供給して前記処理室の内部にプラズマを発生させて、基板上方に微結晶半導体膜を形成し、
前記堆積性気体の流量比を周期的に増減させるステップは、第１のステップと第２のステップを交互に繰り返し有し、
前記第１のステップは、前記堆積性気体の流量比を第１の流量比から第２の流量比へ増加させるステップを有し、
前記第２のステップは、前記堆積性気体の流量比を前記第２の流量比から前記第１の流量比へ減少させるステップを有することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。 - 水素と、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、希ガスと、を処理室内に導入し、
前記堆積性気体の流量比を周期的に増減させ、
高周波電力を供給して前記処理室の内部にプラズマを発生させて、基板上方に微結晶半導体膜を形成し、
前記堆積性気体の流量比を周期的に増減させるステップは、第１のステップと第２のステップを交互に繰り返し有し、
前記第１のステップは、前記堆積性気体の流量比を第１の流量比から第２の流量比へ増加させるステップを有し、
前記第２のステップは、前記堆積性気体の流量比を前記第２の流量比から前記第１の流量比へ減少させるステップを有することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。 - 請求項２において、
前記希ガスの流量は一定であることを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。 - 請求項２において、
前記希ガスの流量比を周期的に増減させることを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。 - 請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記水素の流量は一定であることを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。 - 請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記微結晶半導体膜を有するトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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