JP2007049171A - 微結晶薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 - Google Patents
微結晶薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007049171A JP2007049171A JP2006234578A JP2006234578A JP2007049171A JP 2007049171 A JP2007049171 A JP 2007049171A JP 2006234578 A JP2006234578 A JP 2006234578A JP 2006234578 A JP2006234578 A JP 2006234578A JP 2007049171 A JP2007049171 A JP 2007049171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- raw material
- image display
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 285
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 117
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 63
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 27
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 89
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 46
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】画像表示装置は気相中で結合した場合に多数の原子が重合することによってポリマーを形成する元素を含有する第1原料気体と、気相中でポリマーを形成することのない第2原料とを用いてプラズマCVD法によって微結晶を成膜した薄膜トランジスタを備える。具体的には、特定の流量比rで第1原料気体および第2原料気体を供給する原料供給工程と、上記の第1原料気体の供給を停止して第2原料気体のみを供給し、原料供給工程において供給された原料を基板上に成膜させる原料堆積工程とを含み、これらの工程を交互に繰り返すことによって高品質のものに成膜する。図1において、実線で示すタイミングチャートはSiH4の供給量について示し、破線で示すタイミングチャートはH2の供給量について示す。
【選択図】 図1
Description
<成膜方法>
まず、この発明において用いられる微結晶薄膜の成膜方法は、気相中で結合した場合に多数の原子が重合することによってポリマーを形成する元素を含有する第1原料気体と、気相中でポリマーを形成することのない第2原料とを用いてプラズマCVD法によって微結晶を成膜する方法である。具体的には、この微結晶薄膜の成膜方法は、第1原料気体および第2原料気体を供給する原料供給工程と、上記の第1原料気体の供給を停止して第2原料気体のみを供給し、原料供給工程において供給された原料を基板上に成膜させる原料堆積工程とを含み、これらの工程を交互に繰り返すことによって高品質の微結晶薄膜を成膜する。なお、以下においては、微結晶薄膜の主成分となる元素としてシリコンを想定し、第1原料気体としてSiH4を使用し、第2原料気体としてH2を使用した場合を例として微結晶薄膜の成膜方法について説明する。
P≧60mW/cm2のとき、r≧−(7/12)×P+72.5
P<60mW/cm2のとき、r≧−2×P+185
を満たすように流量比rを設定することが好ましい。
次に、この微結晶薄膜の成膜方法を用いて薄膜トランジスタを製造する方法について説明する。ここで、成膜される微結晶薄膜は、薄膜トランジスタのチャネル層の少なくとも一部をこの微結晶薄膜の成膜方法によって形成するものとする。なお、以下においてはnチャネルの薄膜トランジスタの製造方法について説明するが、pチャネルの薄膜トランジスタについても同様の手法を用いて製造できるのはもちろんである。以下、図面を適宜参照して薄膜トランジスタの製造方法について説明する。
次に、実施の形態1にかかる画像表示装置について説明する。実施の形態1にかかる画像表示装置は、上記微結晶薄膜の成膜方法を用いて形成した薄膜トランジスタを使用して構成されている。図8は、実施の形態1にかかる画像表示装置を構成するアレイ基板の主要構成を示す概略図であって、図9は、アレイ基板の回路構成を示す図である。なお、実施の形態1にかかる画像表示装置について、例えば液晶表示装置とした場合にはアレイ基板に対向して配置される対向基板、アレイ基板および対向基板の間に封入される液晶層および液晶層に対して白色光を入力するバックライト等が必要となるが、本発明に特徴的な部分ではないため、その説明を省略する。以下、図8および図9を適宜参照して実施の形態1にかかる画像表示装置について説明する。
次に、実施の形態2にかかる画像表示装置について説明する。実施の形態2にかかる画像表示装置は、電流駆動の発光素子を備え、発光素子に流す電流を薄膜トランジスタによって制御する構造を有する。図11は、実施の形態2にかかる画像表示装置における表示領域内の任意の画素に対応した配線構造について示す回路図である。以下、図11を適宜参照して本実施の形態2にかかる画像表示装置について説明を行う。なお、画素がマトリックス状に配置され、画素に対応して複数の信号線および走査線等が配置され、かかる信号線および走査線は信号線駆動回路および走査線駆動回路にそれぞれ接続されている等、全体構造に関しては実施の形態1にかかる画像表示装置のアレイ基板と同様であるため、以下では説明を省略する。
2 基板
3 SiH4供給源
4、6 バルブ
5 H2供給源
11 基板
12 ゲート電極
13 ゲート絶縁層
14 半導体層
14a 微結晶薄膜
14b 非晶質薄膜
15 エッチングストップ層
16 n+半導体層
17 導電層
18 チャネル層
18a 微結晶薄膜
18b 非晶質薄膜
19、20 ソース/ドレイン領域
21、22 ソース/ドレイン電極
23 絶縁層
24 平坦化層
25 ITO層
30、30a、30b 信号線
31 表示領域
32 信号線駆動回路
33、33a〜33d 走査線
34 走査線駆動回路
35a〜35f 画素電極
36a 第1の薄膜トランジスタ
36b 第2の薄膜トランジスタ
36c 第3の薄膜トランジスタ
41 有機EL素子
42、43 薄膜トランジスタ
44 蓄積容量
45 信号線
46 走査線
47 電源線
48 信号線駆動回路
49 走査線駆動回路
50 電源線駆動回路
Claims (15)
- 少なくとも1つの薄膜トランジスタを備えた画像表示装置であって、
前記少なくとも1つの薄膜トランジスタはそれぞれ、
基板と、前記基板上のゲート電極と、前記基板および前記ゲート電極上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたソース/ドレインとを備え、
前記チャネル層は少なくともその一部の領域にわたって実質的に非晶質を含まない微結晶薄膜で構成され、
前記チャネル層を構成する微結晶薄膜は、気相中で複数結合した場合にポリマーを形成する元素を含む第1原料気体を活性化して、成膜対象上に前記元素を主成分とする微結晶構造を成膜する微結晶薄膜の成膜方法であって、
前記第1原料気体を供給する原料供給工程と、
前記第1原料気体の供給を停止し、気相中の結合を抑制しつつ活性化された前記第1原料気体を成膜対象上に堆積させる原料堆積工程と
を交互に繰り返すこと、
前記原料供給工程および前記原料堆積工程において、気相中で互いに結合した場合にポリマーを形成しない第2原料気体を供給すること、および
前記原料供給工程において、前記第1原料気体と前記第2原料気体との流量比rは、前記第1原料気体と前記第2原料気体に照射される電界強度密度P(mW/cm2)を用いた以下の不等式
P≧60mW/cm2のとき、r≧−(7/12)×P+72.5
P<60mW/cm2のとき、r≧−2×P+185
を満たす微結晶薄膜の成膜方法により成膜されたものであること
を特徴とする画像表示装置。 - 前記第2原料気体は、前記原料供給工程および前記原料堆積工程を通じて一定流量供給されることを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記原料供給工程において、前記第1原料気体と前記第2原料気体に照射される電界強度密度P(mW/cm2)は、P=約50〜約135mW/cm2であることを特徴とする請求項1または2に記載の画像表示装置。
- 前記原料供給工程において、前記第1原料気体と前記第2原料気体に照射される電界強度密度P(mW/cm2)は、P≧0.1W/cm2であることを特徴とする請求項1または2に記載の画像表示装置。
- 前記原料供給工程に要する時間は2秒以下であって、前記原料堆積工程に要する時間は、前記原料供給工程よりも長いことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の画像表示装置。
- 前記第1原料気体はSiH4を含み、前記第2原料気体はH2を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の画像表示装置。
- 前記第1原料気体に含まれるSiH4は、活性化の際にSiH2に分解されることを特徴とする請求項6に記載の画像表示装置。
- 前記画像表示装置は、
表示画素に対応して配置された画素電極と、
画素電極に対応して配置され、すくなくとも1つの薄膜トランジスタを含むスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を介して前記画素電極に表示信号を供給する信号線と、
前記スイッチング素子の駆動状態を制御する走査信号を供給する走査線と、
を有するアレイ基板を備え、
前記少なくとも1つの薄膜トランジスタはそれぞれ
基板と、前記基板上のゲート電極と、前記基板および前記ゲート電極上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたソース/ドレインとを備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の画像表示装置。 - 表示信号を供給するための信号線と、
走査信号を供給するための走査線と、
所定の信号線から表示信号が供給される第1画素電極および第2画素電極と、
前記所定の信号線と前記第1画素電極との間に配置され、かつ前記表示信号の供給を制御するゲート電極を備えた第1薄膜トランジスタを有する第1スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子の前記ゲート電極と所定の走査線との間に配置される第2薄膜トランジスタを有する第2スイッチング素子と、
前記所定の信号線に接続され、前記第2画素電極への前記表示信号の供給を制御する第3薄膜トランジスタを有する第3スイッチング素子とを有するアレイ基板を備え、
前記第1薄膜トランジスタと前記第2薄膜トランジスタの少なくとも一方が請求項1〜7のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタである
ことを特徴とする画像表示装置。 - 表示画素に対応して配置され、注入電流によって発光状態が制御される発光素子と、
前記発光素子に流入する電流値を制御する第1薄膜トランジスタと、
前記第1薄膜トランジスタのゲート電位を制御する第2薄膜トランジスタと、
前記第1薄膜トランジスタのゲート電位を保持するコンデンサと、
前記表示画素に表示信号を供給する信号線と、
前記第2薄膜トランジスタの駆動状態を制御する走査信号を供給する走査線と、
前記第1薄膜トランジスタを介して前記発光素子に対して電流を供給する電源線と、
を備え、
前記第1薄膜トランジスタと前記第2薄膜トランジスタの少なくとも一方が請求項1〜7のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタであることを特徴とする画像表示装置。 - 前記発光素子は、発光層が有機材料によって形成された有機EL素子であって、前記発光素子は前記第1薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極と接続されていることを特徴とする請求項10に記載の画像表示装置。
- 前記チャネル層は前記実質的に非晶質を含まない微結晶薄膜が少なくとも前記絶縁層との界面から層方向に1nmの膜厚を有してなることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載の画像表示装置。
- 表示画素に対応して配置された画素電極と、
画素電極に対応して配置され、すくなくとも1つの薄膜トランジスタを含むスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を介して前記画素電極に表示信号を供給する信号線と、
前記スイッチング素子の駆動状態を制御する走査信号を供給する走査線と、
を有するアレイ基板を備えた画像表示装置であって、
前記少なくとも1つの薄膜トランジスタの1つまたはそれ以上の薄膜トランジスタは
基板と、前記基板上のゲート電極と、前記基板および前記ゲート電極上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたソース/ドレインとを備え、
前記チャネル層は前記絶縁層との界面から層方向に、実質的に非晶質を含まない、0.7cm2/Vsより高いキャリア移動度を有する微結晶薄膜で構成される
ことを特徴とする画像表示装置。 - 前記チャネル層を構成する前記微結晶薄膜は、約0.7cm2/Vs〜約0.95のキャリア移動度を有することを特徴とする請求項13に記載の画像表示装置。
- 前記チャネル層は前記実質的に非晶質を含まない微結晶薄膜を少なくとも前記絶縁層との界面から層方向に1nm離隔する領域まで形成してなることを特徴とする請求項13〜14のいずれか一項に記載の画像表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006234578A JP2007049171A (ja) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | 微結晶薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006234578A JP2007049171A (ja) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | 微結晶薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002311558A Division JP2004146691A (ja) | 2002-10-25 | 2002-10-25 | 微結晶薄膜の成膜方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007049171A true JP2007049171A (ja) | 2007-02-22 |
Family
ID=37851677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006234578A Pending JP2007049171A (ja) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | 微結晶薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007049171A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090009728A (ko) * | 2007-07-20 | 2009-01-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시장치 |
JP2009071288A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2009071289A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2009071286A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
US7842586B2 (en) | 2007-08-17 | 2010-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma CVD apparatus, method for manufacturing microcrystalline semiconductor layer, and method for manufacturing thin film transistor |
US7968885B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP2012033902A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微結晶半導体膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法 |
US8247315B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
US8945962B2 (en) | 2007-10-05 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, display device having thin film transistor, and method for manufacturing the same |
KR101617202B1 (ko) * | 2008-08-05 | 2016-05-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 표시장치 |
KR101752646B1 (ko) * | 2009-07-23 | 2017-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 미결정 반도체막 및 박막 트랜지스터의 제작 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04266019A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-22 | Canon Inc | 成膜方法 |
JP2004146691A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Chi Mei Electronics Corp | 微結晶薄膜の成膜方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 |
-
2006
- 2006-08-30 JP JP2006234578A patent/JP2007049171A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04266019A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-22 | Canon Inc | 成膜方法 |
JP2004146691A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Chi Mei Electronics Corp | 微結晶薄膜の成膜方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090009728A (ko) * | 2007-07-20 | 2009-01-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시장치 |
JP2009049385A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
KR101581171B1 (ko) * | 2007-07-20 | 2015-12-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시장치 |
US9142632B2 (en) | 2007-07-20 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8896778B2 (en) | 2007-07-20 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8633485B2 (en) | 2007-08-07 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7968885B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US8368075B2 (en) | 2007-08-17 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma CVD apparatus |
TWI506677B (zh) * | 2007-08-17 | 2015-11-01 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置的製造方法 |
JP2016076715A (ja) * | 2007-08-17 | 2016-05-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP2009071288A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US8309406B2 (en) | 2007-08-17 | 2012-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8017946B2 (en) | 2007-08-17 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor having microcrystalline semiconductor layer and amorphous semiconductor layer |
US8395158B2 (en) | 2007-08-17 | 2013-03-12 | Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. | Thin film transistor having microcrystalline semiconductor layer |
US7842586B2 (en) | 2007-08-17 | 2010-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma CVD apparatus, method for manufacturing microcrystalline semiconductor layer, and method for manufacturing thin film transistor |
JP2009071286A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
US8101444B2 (en) | 2007-08-17 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2009071289A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US8945962B2 (en) | 2007-10-05 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, display device having thin film transistor, and method for manufacturing the same |
US8247315B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
KR101617202B1 (ko) * | 2008-08-05 | 2016-05-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 표시장치 |
KR101752646B1 (ko) * | 2009-07-23 | 2017-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 미결정 반도체막 및 박막 트랜지스터의 제작 방법 |
JP2012033902A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微結晶半導体膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法 |
KR101840183B1 (ko) | 2010-06-29 | 2018-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 미결정 반도체막의 제작 방법 및 반도체 장치의 제작 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007049171A (ja) | 微結晶薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 | |
JP7440692B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4562835B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
KR100906964B1 (ko) | 유기 전계발광 구동 소자와 이를 갖는 유기 전계발광 표시패널 | |
US9917117B2 (en) | Display device and method of fabricating the same | |
US6911666B2 (en) | Flexible metal foil substrate display and method for forming same | |
US8586979B2 (en) | Oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same | |
US6501448B1 (en) | Electroluminescence display device with improved driving transistor structure | |
CN102479752B (zh) | 薄膜晶体管、有源矩阵背板及其制造方法和显示器 | |
KR101281167B1 (ko) | 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자 및 그제조방법 | |
US7422770B2 (en) | Forming a thin film structure | |
JP2006041457A (ja) | 薄膜トランジスター構造及び製作方法 | |
US7777700B2 (en) | Pixel having intrinsic semiconductor as an electrode and electroluminescent displays employing such a pixel | |
EP2086013A1 (en) | Oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same | |
Aman et al. | Reliability improvement of IGZO‐TFT in hybrid process with LTPS | |
US20210343543A1 (en) | Manufacturing method of thin film transistor | |
CN104393026A (zh) | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 | |
US11437455B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US20200124914A1 (en) | Display systems and methods involving mim diodes | |
US11309373B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
JP2010141224A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
CN204216048U (zh) | Oled 显示基板、显示装置 | |
US10361263B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
KR20040005168A (ko) | 액티브 매트릭스형 유기 전계발광 표시패널 및 그의제조방법 | |
KR20230068697A (ko) | 유기전계발광 표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110823 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120131 |