JP2009130229A5 - 成膜装置および半導体装置の作製方法 - Google Patents
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- 成膜室と、
前記成膜室内に設けられ、前記成膜室より小さい反応室と、を有し、
前記反応室を除いた前記成膜室の空間には封止ガスが導入され、前記反応室には反応ガスが導入された状態で、前記反応室においてプラズマ励起した化学気相成長法により、基板上に半導体膜を成膜することを特徴とする成膜装置。 - 第１の供給系を有する成膜室と、
第２の供給系を有する反応室と、を有し、
前記反応室は、前記成膜室内に設けられ、前記成膜室より小さく、
前記反応室を除いた前記成膜室の空間には、前記第１の供給系より封止ガスが導入され、前記反応室には前記第２の供給系より反応ガスが導入された状態で、前記反応室においてプラズマ励起した化学気相成長法により、基板上に半導体膜を成膜することを特徴とする成膜装置。 - 請求項１または請求項２において、前記封止ガスは水素または希ガスを含み、前記水素または前記希ガス以外の元素濃度が１０ −７ ａｔｏｍｓ％以下であることを特徴とする成膜装置。
- 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記反応室に隣接する搬送室を有し、前記搬送室から前記反応室に前記基板は導入され、前記搬送室は前記封止ガスの雰囲気であることを特徴とする成膜装置。 - 成膜室内に設けられた前記成膜室より小さい反応室に、基板を導入し、
前記反応室を除いた前記成膜室の空間に封止ガスを導入し、前記反応室に反応ガスを導入し、
前記反応室においてプラズマを励起して、化学気相成長法により、前記基板上に半導体膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 成膜室内に設けられた前記成膜室より小さい反応室に、基板を導入し、
前記反応室を除いた前記成膜室の空間に封止ガスを導入し、前記反応室に反応ガスを導入し、
前記反応室においてプラズマを励起して、化学気相成長法により、前記基板上に半導体膜を成膜し、
前記半導体膜は、第１の成膜速度で成膜された第１の半導体膜と、前記第１の成膜速度よりも速い第２の成膜速度で成膜された、前記第１の半導体膜上の第２の半導体膜とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項５または請求項６において、
前記封止ガスは、水素または希ガスを含み、前記水素または前記希ガス以外の元素濃度が１０−７ａｔｏｍｓ％以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記半導体膜の成膜時に、前記反応室にフッ素またはフッ化物を含む気体を導入することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記基板を前記反応室に導入する前に、前記反応室にフッ素またはフッ化物を含む気体を導入してプラズマを発生させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項５乃至請求項９のいずれか一において、
前記半導体膜の成膜時に、前記反応室にフォスフィンを含む気体を導入することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項５乃至請求項９のいずれか一において、
前記基板を前記反応室に導入する前に、前記反応室にフォスフィンを含む気体を導入することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項５乃至請求項１１のいずれか一において、
前記半導体膜は微結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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