JP2001168030A - 薄膜形成方法及び薄膜堆積装置 - Google Patents
薄膜形成方法及び薄膜堆積装置Info
- Publication number
- JP2001168030A JP2001168030A JP34850599A JP34850599A JP2001168030A JP 2001168030 A JP2001168030 A JP 2001168030A JP 34850599 A JP34850599 A JP 34850599A JP 34850599 A JP34850599 A JP 34850599A JP 2001168030 A JP2001168030 A JP 2001168030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- gas
- raw material
- silicon
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
排気装置を必要としない常圧に近い減圧下で、かつ安全
な環境下で、シリコンなどの半導体薄膜やシリコン窒化
膜などの絶縁体薄膜を堆積可能にする。 【解決手段】 本発明では、膜堆積に寄与する原料ガス
自体の分圧はたとえば1Torr以下に保ちつつもガス圧全
体としてはそれよりもはるかに高い760Torrの常圧また
はそれ以下であっても高度な真空排気装置を必要としな
い減圧レベルとし、このようなガス圧下で基板までそれ
ら堆積種が輸送されるようにした。そのため、原料ガス
を接触分解させる触媒体と、基板試料を保持する基板ホ
ルダーなどを備えた反応室内に、化学的に不活性なガス
により少なくとも1000ppm 以下に希釈された原料ガスを
反応室内に導入し、反応室内をガス圧全体として760Tor
r の常圧以下で高度な真空排気装置を必要としない減圧
レベルに保つように排気している。
Description
わけ太陽電池や液晶ディスプレイの製作に有用な薄膜形
成方法及び薄膜堆積装置に関する。
膜トランジスタ(TFT=Thin Film Transistor) の製
作の際などでは、半導体薄膜や絶縁体薄膜を、大面積に
わたり、一般のガラス基板が使用できる600 ℃以下、望
ましくは450 ℃以下の低温で、しかも安価に形成できる
方法が必要である。
により発生するプラズマを用いて分解堆積する「プラズ
マ気相化学堆積法(PECVD法=Plasma Enhanced Ch
emical Vapor Deposition 法)」が広く使用されてい
た。しかし、この方法には、(1) プラズマや電荷による
堆積膜自身や基板への損傷があること、(2) 放電を行わ
せるために1Torrから0.01Torr程度の範囲にガス圧を設
定しなければならないという制約があること、(3) 一般
的には、高周波放電を用いているため、定在波が発生し
て堆積膜厚分布が生じてしまうので、堆積面積を1m以
上に拡大することは難しいこと、(4) 放電、とりわけ高
周波放電を用いるため、薄膜堆積装置の電極部の構造が
複雑になること、などの問題がある。
法として、本発明者らの一人は、先に、原料ガスを加熱
触媒体との接触分解反応により分解堆積する「触媒気相
化学堆積法(Cat-CVD 法) =Catalytic Chemical Vapor
Deposition 法」を発明し、特許出願を行った( 特開昭
63-40314号、特開昭61-276976 号の各公開公報参照) 。
この先願発明の方法では、プラズマを用いていないの
で、上記(1)、(3) 、(4) の問題は解決できているもの
の、(5) 例えば良く使われるシリコン半導体薄膜製作の
際の原料であるシラン(SiH4 )ガスなどは、PECVD
法と同様に爆発限界以上の濃度で使用しなければならな
いこと、また、(6) 堆積時のガス圧力も、PECVD法
よりは適用範囲が広いものの、1Torrから0.001 Torr以
上の間を使用しなければ高品質な膜堆積ができないこ
と、さらに(7)反応室のガス圧を1Torr 以上に上昇させ
ると、触媒体から基板に分解種が輸送される過程で、分
解種どうしの化学反応により分解種が失われたり、気相
中で重合反応などが進み、それが粉状になり膜堆積が起
きなくなること、などの問題を抱えたままであった。そ
のため、この種の薄膜堆積装置で SiH4 ガスなどを使用
する際には、安全装置に多大な費用をかける必要がある
上、ガス圧を下げるために、薄膜堆積装置に高価な本格
的真空排気装置を必要としていた。
ら(7) の問題点の全てを同時に解決しようとするもの
で、高価な本格的真空排気装置を必要としない常圧また
は常圧に近い減圧下で、爆発限界をはるかに下回るほど
に希釈された SiH4 ガスなどを用いる安全な環境下で、
シリコンなどの半導体薄膜やシリコン窒化膜などの絶縁
体薄膜を堆積しようとするものである。
一人による前述の先願発明であるCat-CVD 法の技術思想
に、本発明を構成する新たな技術思想を付加することに
より、上記問題を解決するなどの特段の効果をもたら
す。そのための解決手段として、本発明においては、化
学的に不活性なガスにより少なくとも1000ppm 以下に希
釈された原料ガスを加熱触媒体に接触させ、その原料ガ
ス分子が接触分解されて触媒体上で発生した堆積種が気
相中で反応してしまうのを、堆積種の周辺には化学的に
不活性なガスしかほとんどない状態にすることで防ぐよ
うにするものであるる。
る原料ガス自体の分圧はたとえば1Torr以下に保ちつつ
も、ガス圧全体としてはそれよりもはるかに高い圧力、
760Torr の常圧またはそれ以下であっても高度な排気機
能を持つ真空排気装置を必要としない減圧レベルとし、
このようなガス圧下において、基板までそれら堆積種を
輸送し、基板上に、各種電子デバイスに使用可能な高品
質の半導体膜または絶縁体膜を、基板温度が600 ℃以下
の低温でかつ工業的に満足できる堆積速度で、堆積可能
にする。
は、1000ppm 以下、場合によっては100ppm以下または10
ppm 以下にまでアルゴン(Ar)などの希ガス等で希釈し
て、1500℃から2000℃の間の温度に加熱された触媒体
と、ガス圧1Torr以上から常圧(760 Torr)に近い値ま
での範囲のガス圧下において接触分解させる。気相中で
の分解堆積後の反応による堆積種の変性は、多量の希ガ
スで防止され、生成された堆積種は、触媒体から数cm
離れた 600℃以下、望ましくは 450℃以下、場合によっ
ては 300℃以下の温度に保った基板上に輸送され、膜堆
積される。
と爆発限界をはるかに下回るようにAr などの希ガスで
高希釈されるので、取り扱い時の安全性は、従来法に比
べて飛躍的に向上する。また、本発明では高度の(本格
的な)真空排気装置は本質的に必要ではなく、例えば、
いわゆるバキューム・ジェネレータ・ポンプ( 高速の窒
素ガス流にプロセスガスをその高速流の横から細いノズ
ルなどにより導入することによりベルヌーイの原理に基
づきそのプロセスガスを吸引排気する減圧排気するポン
プ) や水流ポンプ( 高速窒素ガス流の代わりに水等の液
体を用いるポンプ) などで500Torr から300Torr に減圧
する程度でも十分であるし、SiH4ガスの希釈率を5ppm程
度にまですれば、760Torr の常圧でも十分に使用可能と
なる。
幅に低下するので、太陽電池の製作や、TFTの製作な
どに革命的変化を招くことが期待される。
するための薄膜堆積装置の原理説明図である。
処理を行う反応容器、2は反応容器1の内部の反応室で
断面を示したもの、3は不活性ガスにより希釈された原
料ガスを反応室2へ供給する原料ガス供給管、4は反応
室2の上部中央に取り付けられて原料ガス供給管3から
供給された原料ガスを反応室2内に広範囲に噴出拡散さ
せるためのシャワーヘッド、5はタングステン材料など
からなって例えばそれ自身に直接通電することにより加
熱される触媒体、6は薄膜形成中試料を保持して加熱あ
るいは冷却する基板ホルダー、7は外部から反応室2へ
試料を搬入する際に開閉する試料供給ゲート、8は反応
室2から外部へ試料を搬出する際に開閉する試料排出ゲ
ート、9はガラス基板などの薄膜を形成される基板の試
料、10は反応容器1に接続された排気管である。
試料供給ゲート7を一時的に開いて、コンベア機構によ
り反応室2内へ送り込まれ、薄膜形成処理の間中基板ホ
ルダー6上に保持されている。薄膜形成処理が済むと、
試料排出ゲート8を一時的に開き、試料9を反応容器1
の外へ送り出す。この機構を用いて多数の試料9を一枚
ずつ所定の時間間隔で間欠的に供給すれば、薄膜形成処
理を連続的に行わせることができる。試料供給ゲート7
と試料排出ゲート8は、試料9が通過するときの比較的
短い時間だけ開けばよく、薄膜形成処理時間中は閉じて
いるので、反応室2からのガス漏洩を最小限に抑えるこ
とができる。
媒体5と、基板ホルダー6が平行に配置されており、シ
ャワーヘッド4から噴出された原料ガスは下方に流れ、
触媒体5で接触分解される。分解により生成された堆積
種は、原料ガス成分の大半を占める不活性ガス中を下方
に運ばれ、基板ホルダー6上に保持されている試料9の
基板上に堆積する。なお、図示されていないが基板ホル
ダー6の内部には、試料9を加熱するためのヒーターお
よび冷却するための冷媒供給管が設けられている。これ
らにより加熱あるいは冷却される試料9の温度は、熱電
対などの温度センサーによってモニターされ、必要な温
度制御が行われる。前述した触媒体5を加熱するために
は1000W以下の適当な交流電力が供給され、それにより
触媒体5は、1500℃から2000℃の高温に加熱される。こ
の高温の触媒体5にシャワーヘッド4から原料ガスが吹
付けられ、原料ガスと触媒体5とが接触することによ
り、原料ガスが分解され、ラジカル等の活性種が形成さ
れる。また反応容器1に接続されている排気管10に
は、図示されていないバキューム・ジェネレータ・ポン
プが接続されていて、堆積処理時に反応容器1内に生じ
る反応ガスの排気を行う。
ガスを用いることに思い至らなかったため、分解堆積種
同士の気相反応により堆積種が重合して粉末になるほど
であり、常圧下では膜堆積ができなかったが、本発明で
は、堆積種は希ガスや反応しないガスにしか衝突しない
ので、その形を変えずに基板まで到達することができ
る。このようにして生じた活性種を含む雰囲気に試料が
曝されることにより、成膜が行われる。
1実施例構成を図2に示す。この実施例は反応室内のガ
ス圧を常圧近くに保って堆積処理を行うことを可能にす
る。装置全体は、原料ガスの分解と堆積処理を行う反応
容器の外側にガス緩衝用の容器を備えた二重殻構造をと
っている。
要素は図1に同一番号で示されている要素と同じもの
で、1は反応容器、2は反応室、3はSiH4を希ガスある
いは不活性ガスで希釈した原料ガスを供給する原料ガス
供給管、4はシャワーヘッド、5は触媒体、6は基板ホ
ルダー,7は試料供給ゲート、8は試料排出ゲート,9
は試料、10は排気管である。11は反応容器1を包む
外側容器、12は外側容器11内に希ガスや不活性ガス
からなる希釈ガスを導入するための希釈ガス供給菅、1
3は外側容器11に接続されて反応容器1と外側容器1
1の間の希釈ガスおよび反応容器1からの漏洩ガスを排
出する排気管、14は外側容器11の側壁に設けられた
試料供給用の試料入口、15は同様な試料出口である。
ら供給され、反応容器1の試料供給ゲートを経て反応室
2内の基板ホルダー6上へ,ローラーなどのコンベア機
構により原料ガスの流れと垂直な方向に移動されて自動
的に搬入される。次に試料9は、薄膜を形成されたあ
と、試料排出ゲート8を経て試料出口15から自動的に
排出されるようになっている。
用のゲートは設けられていないが、外側容器11に接続
されている排気管13にはバキューム・ジェネレータ・
ポンプなどが接続されていて、これで外側容器11内を
大気圧より少し減圧することにより、内部のガスが試料
入口14および試料出口15から大気中に漏れ出ないよ
うにする。
う構造となっており、希釈ガス供給管12から外側容器
11を介して希ガスや反応しないガスを供給し、反応容
器1から試料供給ゲート7や試料排出ゲート8から漏れ
出る堆積用の原料ガスSiH4を希釈するようにして安全を
図っている。また、外側容器11に接続されている排気
管13からバキューム・ジェネレータ・ポンプにより外
側容器11内のSiH4が排出される結果、外側容器11内
のSiH4を、少なくとも5ppm以下(人体に影響のある許容
濃度) にまで希釈できる。さらに前述したように、排気
管13に接続されているバキューム・ジェネレータ・ポ
ンプは、外側容器11内を大気圧より少し減圧して、中
のガスが大気に漏れ出ないように緩衝するので,一層安
全なものとなる。
れているが、このような構造の堆積装置を複数台一つの
ラインで結ぶことにより、たとえばp型、i型、n型が
順次重なったアモルファス・シリコン太陽電池を大気圧
から真空を引くことなく容易に形成することができる。
コン膜の堆積を行った一つの例を示す。試料作製条件を
表1に、また堆積した試料をラマン分光により測定した
結果を図3に示す。図3中の(a)、(b)、(c)
は、表1の試料欄に示される番号と対応している。
を 450℃として、 SiH4 をAr により50ppm に希釈して
得られた膜は、 480(cm -1) にピークを示すスペクトル
を描いていることから、アルモファス・シリコン膜であ
ることが明らかとなった。また、この時の堆積速度は25
nm/min であった。SiH4の利用効率を見積もると、少な
くとも40%以上となり、減圧下で同様なSiH4を用いたP
ECVDに比べて、10倍以上もガスの利用効率が高いこ
とが確認された。
気相反応により生じる分解堆積種の変性を多量の希ガス
で防いで膜堆積できるため、高価な本格的真空排気装置
を必要としないような常圧または常圧に近い減圧下で、
爆発限界をはるかに下回るほどに希釈された SiH4 ガス
などを用いることを可能にする。このように本発明は、
常圧に近いガス圧の使用と安全な環境下で、シリコンな
どの半導体薄膜やシリコン窒化膜などの絶縁体薄膜を堆
積させることができるため、たとえばアルモファス・シ
リコン太陽電池や、大面積ディスプレイ用のTFTの生
産に適用した場合、製造装置を著しく簡素化することが
でき、製品コストの大幅な低下を図ることができる。
る。
である。
を示すグラフである。
Claims (23)
- 【請求項1】 化学的に不活性なガスにより少なくとも
1000ppm 以下に希釈された原料ガスを、加熱した触媒体
に接触させ、接触分解により生じた堆積種を基板上に堆
積させて薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方
法。 - 【請求項2】 請求項1において、希釈された原料ガス
自体の分圧は1Torr以下に保ちつつも、全体のガス圧と
しては760Torr の常圧またはそれ以下で高度な真空排気
装置を必要としない減圧レベルとすることを特徴とする
薄膜形成方法。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2において、堆積
種を堆積させる際の基板の温度は600 ℃以下の低温であ
ることを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項4】 請求項1において、化学的に不活性なガ
スは、アルゴンなどの希ガスか、設定した触媒体温度で
は分解されない窒素などのガスであることを特徴とする
薄膜形成方法。 - 【請求項5】 請求項1において、原料ガスは、シラン
などを含む爆発性の高反応性ガスであり、かつ化学的に
不活性なガスによる原料ガスの希釈の希釈比は、その原
料ガスの貯蔵、輸送、処理の全ての工程において原料ガ
スの爆発限界を大きく下回らせるのに十分なものである
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項6】 請求項1において、触媒体は、タングス
テン、モリブデン、タンタルなどの高融点金属であるこ
とを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項7】 請求項3において、基板の温度は、 450
℃以下であることを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項8】 請求項5において、化学的に不活性なガ
スにより希釈される原料ガスの希釈比は、100ppm以下で
あることを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項9】 請求項1において、触媒体の加熱温度
は、1500℃以上で2000℃以下の範囲にあることを特徴と
する薄膜形成方法。 - 【請求項10】 請求項2において、高度な真空排気装
置を必要としない減圧レベルは、1Torr以上で760Torr
以下の範囲にあることを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項11】 請求項1ないし請求項10において、
基板上に形成される薄膜は、アモルファス・シリコン、
ポリ・シリコンなどのシリコン膜、アモルファス・ゲル
マニウム、ポリ・ゲルマニウムなどのゲルマニウム膜、
アモルファス・シリコン・ゲルマニウム、ポリ・シリコ
ン・ゲルマニウムなどの化合物半導体膜、あるいはシリ
コン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜などの
絶縁体膜であることを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項12】 請求項1ないし請求項11において、
堆積種の堆積速度は、毎分20ナノ・メートル以上である
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項13】 反応室を形成する容器と、化学的に不
活性なガスにより少なくとも1000ppm 以下に希釈された
原料ガスを反応室内に導入する原料ガス供給手段と、反
応室内をガス圧全体として760Torr の常圧以下で高度な
真空排気装置を必要としない減圧レベルに保つ排気手段
と、反応室内に設けられて原料ガスを接触分解させる触
媒体と、基板試料を保持する基板ホルダーと、を備えて
いることを特徴とする薄膜堆積装置。 - 【請求項14】 請求項13において、前記反応室を形
成する容器は内側容器と外側容器からなる2重構造を有
し、前記原料ガス供給手段は内側容器に対して設けら
れ、また外側容器には化学的に不活性なガスを供給する
不活性ガス供給手段が設けられて、外側容器は、内側容
器から外側容器に漏れる原料ガスを、化学的に不活性な
ガスにより希釈して保全するガス緩衝手段を構成してい
ることを特徴とする薄膜堆積装置。 - 【請求項15】 請求項13または請求項14におい
て、原料ガス自体の分圧は1Torr以下に保ちつつもガス
圧全体としては760Torr の常圧またはそれ以下の本格的
な真空排気装置を必要としない減圧レベルとすることを
特徴とする薄膜堆積装置。 - 【請求項16】 請求項13または請求項14におい
て、基板ホルダーは基板を加熱または冷却する手段を有
し、堆積種を堆積させる際に基板の温度を600 ℃以下の
低温に保持することを特徴とする薄膜堆積装置。 - 【請求項17】 請求項13において、化学的に不活性
なガスは、アルゴンなどの希ガスか、設定した触媒体温
度では分解されない窒素などのガスであることを特徴と
する薄膜堆積装置。 - 【請求項18】 請求項13において、原料ガスは、シ
ランなどを含む爆発性のある高反応性ガスであり、かつ
化学的に不活性なガスによる原料ガスの希釈は、その原
料ガスの貯蔵、輸送、処理の全ての工程において原料ガ
スの爆発限界を大きく下回るのに十分な希釈比によるも
のであることを特徴とする薄膜堆積装置。 - 【請求項19】 請求項13において、触媒体は、タン
グステン、モリブデン、タンタルなどの高融点金属であ
ることを特徴とする薄膜堆積装置。 - 【請求項20】 請求項13において、化学的に不活性
なガスによる原料ガスの希釈の希釈比は、100ppm以下で
あることを特徴とする薄膜堆積装置。 - 【請求項21】 請求項13において、触媒体の加熱温
度は、1500℃以上で2000℃以下の範囲にあることを特徴
とする薄膜堆積装置。 - 【請求項22】 請求項13において、基板上に形成さ
れる薄膜は、アモルファス・シリコン、ポリ・シリコン
などのシリコン膜、アモルファス・ゲルマニウム、ポリ
・ゲルマニウムなどのゲルマニウム膜、アモルファス・
シリコン・ゲルマニウム、ポリ・シリコン・ゲルマニウ
ムなどの化合物半導体膜、あるいはシリコン窒化膜、シ
リコン酸化膜、シリコン酸窒化膜などの絶縁体膜である
ことを特徴とする薄膜堆積装置。 - 【請求項23】 請求項13において、排気手段は、高
速ガス流を用いて吸引排気する、バキューム・ジェネレ
ータ・ポンプあるいは水流ポンプであることを特徴とす
る薄膜堆積装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34850599A JP2001168030A (ja) | 1999-12-08 | 1999-12-08 | 薄膜形成方法及び薄膜堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34850599A JP2001168030A (ja) | 1999-12-08 | 1999-12-08 | 薄膜形成方法及び薄膜堆積装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001168030A true JP2001168030A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=18397477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34850599A Pending JP2001168030A (ja) | 1999-12-08 | 1999-12-08 | 薄膜形成方法及び薄膜堆積装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001168030A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2003005435A1 (ja) * | 2001-07-05 | 2004-10-28 | 大見 忠弘 | 基板処理装置および基板処理方法、基板平坦化方法 |
JP2009130229A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
KR101305298B1 (ko) | 2009-03-10 | 2013-09-06 | 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 | 원자층 퇴적 장치 |
-
1999
- 1999-12-08 JP JP34850599A patent/JP2001168030A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2003005435A1 (ja) * | 2001-07-05 | 2004-10-28 | 大見 忠弘 | 基板処理装置および基板処理方法、基板平坦化方法 |
JP2009130229A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
KR101305298B1 (ko) | 2009-03-10 | 2013-09-06 | 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 | 원자층 퇴적 장치 |
US9194043B2 (en) | 2009-03-10 | 2015-11-24 | Mitsui Engineering & Shipbuilding | Atomic layer deposition apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9963785B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
TWI325600B (ja) | ||
CN101096755B (zh) | 成膜装置和使用该装置的方法 | |
KR100860437B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
US8093072B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
US20050255712A1 (en) | Method of cvd for forming silicon nitride film on substrate | |
US20100209624A1 (en) | Film-forming apparatus and film-forming method | |
TWI443747B (zh) | 半導體裝置製造方法以及基板處理方法及設備 | |
US8193101B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method for forming film | |
JP5805461B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2004281853A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5718031B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
US10672617B2 (en) | Etching method and etching apparatus | |
TWI754364B (zh) | 基板處理裝置、以及半導體器件的製造方法 | |
KR20140038298A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
JP5888820B2 (ja) | 基板処理装置、クリーニング方法及び半導体装置の製造方法 | |
JPH10149984A (ja) | 多結晶シリコンの形成方法及び形成装置 | |
JP2001168030A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜堆積装置 | |
JP4563113B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法、半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 | |
JP2005197561A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2012049349A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010123752A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH02226721A (ja) | 処理方法 | |
WO2004006317A1 (ja) | 基板処理装置のクリーニング方法 | |
JP2006287153A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040210 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061102 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090113 |