JP2011003885A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011003885A5 JP2011003885A5 JP2010086380A JP2010086380A JP2011003885A5 JP 2011003885 A5 JP2011003885 A5 JP 2011003885A5 JP 2010086380 A JP2010086380 A JP 2010086380A JP 2010086380 A JP2010086380 A JP 2010086380A JP 2011003885 A5 JP2011003885 A5 JP 2011003885A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas supply
- reaction chamber
- chlorine
- supply unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (9)
- 所定の間隔で積層された複数の基板を処理する反応室と、
少なくともシリコン含有ガス及び塩素含有ガス、若しくは、シリコン及び塩素含有ガスを供給する第１のガス供給系と、
前記第１のガス供給系に接続される第１のガス供給部であって、前記反応室内の前記基板の主面に対して平行方向にガスを供給する第１のガス供給口を有する第１のガス供給部と、
少なくとも還元ガスを供給する第２のガス供給系と、
前記第２のガス供給系に接続される第２のガス供給部であって、少なくとも第２のガス供給口を有する第２のガス供給部と、
少なくとも炭素含有ガスを供給する第３のガス供給系であって、少なくとも前記第１のガス供給部又は前記第２のガス供給部のいずれかに接続される第３のガス供給系と、
前記第１のガス供給系が前記第１のガス供給部の前記第１のガス供給口から少なくとも前記シリコン含有ガス及び前記塩素含有ガス、若しくは、前記シリコン及び塩素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第２のガス供給系が前記第２のガス供給部の前記第２のガス供給口から少なくとも前記還元ガスを前記反応室内へ供給し、前記第３のガス供給系が前記第１のガス供給部の前記第１のガス供給口又は前記第２のガス供給部の前記第２のガス供給口から少なくとも前記炭素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に炭化珪素膜を形成するよう制御する制御部と、
を備える基板処理装置。 - 前記第１のガス供給系は、更に希ガスをも供給するように構成されており、
前記制御部は、前記第１のガス供給系が前記第１のガス供給部の前記第１のガス供給口から少なくとも前記シリコン含有ガスと前記塩素含有ガスとともに前記希ガス、若しくは、前記シリコン及び塩素含有ガスとともに前記希ガスを前記反応室内へ供給するよう制御する請求項１に記載の基板処理装置。 - 前記第１のガス供給系は、更にアルゴンガスをも供給するように構成されており、
前記制御部は、前記第１のガス供給系が前記第１のガス供給部の前記第１のガス供給口から少なくとも前記シリコン含有ガス及び前記塩素含有ガスとともに前記アルゴンガス、若しくは、前記シリコン及び塩素含有ガスとともに前記アルゴンガスを前記反応室内へ供給するよう制御する請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。 - 前記還元ガスは、水素ガスまたは水素含有ガスである請求項１乃至３のいずれか１つに記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記第１のガス供給部内における塩素原子と水素原子の比率が、前記反応室内の塩素原子と水素原子の比率と異なるように前記第１のガス供給系と前記第２のガス供給系を制御する請求項４に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記処理室内における塩素原子と水素原子の比率を予め定められた基準値よりも小さくすることで成膜速度を増大させ、前記塩素原子と水素原子の比率を前記予め定められた基準値よりも大きくすることで成膜速度を低下させるように前記第１のガス供給系と第２のガス供給系を制御する請求項４に記載の基板処理装置。
- 前記反応室内の温度は、１５００℃以上１７００℃以下であり、
前記反応室内の圧力は、１０Ｔｏｒｒ以上２００Ｔｏｒｒ以下である請求項１乃至６のいずれか１つに記載の基板処理装置。 - 所定の間隔で積層された複数の基板を反応室内に搬入する工程と、
前記反応室内の前記基板の主面に対して平行方向にガスを供給する第１のガス供給口を有する第１のガス供給部の該第１のガス供給口から少なくともシリコン含有ガス及び塩素含有ガス、若しくは、シリコン及び塩素含有ガスを前記反応室内へ供給し、第２のガス供給部の第２のガス供給口から少なくとも還元ガスを前記反応室内へ供給し、前記第１のガス供給部の前記第１のガス供給口または前記第２のガス供給部の前記第２のガス供給口から少なくとも炭素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に炭化珪素膜を形成する工程と、
前記反応室から前記基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 所定の間隔で積層された複数の基板を反応室内に搬入する工程と、
前記反応室内の前記基板の主面に対して平行方向にガスを供給する第１のガス供給口を有する第１のガス供給部の該第１のガス供給口から少なくともシリコン含有ガス及び塩素含有ガス、若しくは、シリコン及び塩素含有ガスを前記反応室内へ供給し、第２のガス供給部の第２のガス供給口から少なくとも還元ガスを前記反応室内へ供給し、前記第１のガス供給部の前記第１のガス供給口または前記第２のガス供給部の前記第２のガス供給口から少なくとも炭素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に炭化珪素膜を形成する工程と、
前記反応室から前記基板を搬出する工程と、
を有する基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010086380A JP5564311B2 (ja) | 2009-05-19 | 2010-04-02 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法 |
| US12/782,090 US20100297832A1 (en) | 2009-05-19 | 2010-05-18 | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, substrate manufacturing method |
| US13/732,460 US9177799B2 (en) | 2009-05-19 | 2013-01-02 | Semiconductor device manufacturing method and substrate manufacturing method of forming silicon carbide films on the substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009120882 | 2009-05-19 | ||
| JP2009120882 | 2009-05-19 | ||
| JP2010086380A JP5564311B2 (ja) | 2009-05-19 | 2010-04-02 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011003885A JP2011003885A (ja) | 2011-01-06 |
| JP2011003885A5 true JP2011003885A5 (ja) | 2013-05-16 |
| JP5564311B2 JP5564311B2 (ja) | 2014-07-30 |
Family
ID=43124833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010086380A Active JP5564311B2 (ja) | 2009-05-19 | 2010-04-02 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20100297832A1 (ja) |
| JP (1) | JP5564311B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5564311B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2014-07-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法 |
| JP5529634B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2014-06-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法 |
| JP5732284B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2015-06-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
| JP5735304B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2015-06-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法およびガス供給管 |
| JP2012174782A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2012115170A1 (ja) | 2011-02-24 | 2012-08-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2012195565A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP5901978B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2016-04-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理装置制御プログラム、及び半導体装置の製造方法 |
| TWI442012B (zh) * | 2011-11-17 | 2014-06-21 | Kern Energy Entpr Co Ltd | 垂直式熱處理爐結構 |
| JP6066571B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2017-01-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP5766647B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
| JP6076615B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2017-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 不純物拡散方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP6019938B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2016-11-02 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
| US9018639B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
| US9017804B2 (en) | 2013-02-05 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Method to reduce dislocations in SiC crystal growth |
| US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
| US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
| US8940614B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | Dow Corning Corporation | SiC substrate with SiC epitaxial film |
| US9279192B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
| CN107431033B (zh) * | 2015-03-20 | 2021-10-22 | 应用材料公司 | 用于3d共形处理的原子层处理腔室 |
| JP6894521B2 (ja) * | 2017-09-25 | 2021-06-30 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、石英反応管、クリーニング方法並びにプログラム |
| JP6820816B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2021-01-27 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
| US20210317575A1 (en) * | 2020-04-14 | 2021-10-14 | Wonik Ips Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4263336A (en) * | 1979-11-23 | 1981-04-21 | Motorola, Inc. | Reduced pressure induction heated reactor and method |
| EP0235966B1 (en) * | 1986-02-07 | 1994-05-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member |
| JPS62205361A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材及びその製造方法 |
| JP2550024B2 (ja) | 1986-03-17 | 1996-10-30 | 富士通株式会社 | 減圧ｃｖｄ装置 |
| JPH02262324A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 | Hoya Corp | Ｘ線透過膜およびその製造方法 |
| JP2556621B2 (ja) * | 1990-12-11 | 1996-11-20 | ホーヤ株式会社 | 炭化ケイ素膜の成膜方法 |
| JPH07118854A (ja) | 1993-10-22 | 1995-05-09 | Hoya Corp | 炭化ケイ素膜の形成方法 |
| JP2000297375A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-24 | Hoya Corp | 炭化珪素膜の製造方法及び製造装置、並びにｘ線マスクの製造方法 |
| US20030164143A1 (en) * | 2002-01-10 | 2003-09-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| JP4595702B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
| JP2006073997A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
| CN101032006A (zh) * | 2005-02-17 | 2007-09-05 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法以及衬底处理装置 |
| US7629267B2 (en) * | 2005-03-07 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | High stress nitride film and method for formation thereof |
| JP2006321696A (ja) | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Hitachi Cable Ltd | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| US8466049B2 (en) * | 2005-07-29 | 2013-06-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Semiconductor device producing method with selective epitaxial growth |
| JP4677873B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2011-04-27 | 株式会社デンソー | 成膜装置 |
| KR20080089403A (ko) * | 2005-12-22 | 2008-10-06 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 도핑된 반도체 물질들의 에피택시 증착 |
| JPWO2007116768A1 (ja) * | 2006-03-27 | 2009-08-20 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP4753841B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2011-08-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP5051875B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2012-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
| US8012885B2 (en) * | 2007-04-02 | 2011-09-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of semiconductor device |
| KR20090033788A (ko) * | 2007-10-01 | 2009-04-06 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법과 기판 처리 장치 |
| JP4924395B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2012-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JP4611414B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2011-01-12 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
| JP5213594B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP5665289B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2015-02-04 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
| JP5384291B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2014-01-08 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2010141223A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP2010153467A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP5658463B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-01-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP5730496B2 (ja) * | 2009-05-01 | 2015-06-10 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置、半導体デバイスの製造方法および基板処理方法 |
| JP2010287877A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-12-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP5564311B2 (ja) | 2009-05-19 | 2014-07-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法 |
-
2010
- 2010-04-02 JP JP2010086380A patent/JP5564311B2/ja active Active
- 2010-05-18 US US12/782,090 patent/US20100297832A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-01-02 US US13/732,460 patent/US9177799B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011003885A5 (ja) | ||
| TWI439562B (zh) | 金屬硬罩幕、其製造方法及氮化鈦硬罩幕之製造方法 | |
| JP2012033902A5 (ja) | ||
| JP2010034511A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および半導体装置 | |
| JP2015067869A5 (ja) | ||
| JP2015053445A5 (ja) | ||
| US20110287629A1 (en) | Silicon film formation method and silicon film formation apparatus | |
| JP2011252221A5 (ja) | ||
| CN108122736B (zh) | 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质 | |
| JP2010161350A5 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| TW200729304A (en) | Methods for in-situ generation of reactive etch and growth specie in film formation processes | |
| JP2011176095A5 (ja) | ||
| JP2013197307A5 (ja) | ||
| JP2010267925A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP2011044704A5 (ja) | 微結晶半導体膜の作製方法および半導体装置の作製方法 | |
| JP2016131210A5 (ja) | ||
| RU2018105878A (ru) | Выращивание эпитаксиального 3c-sic на монокристаллическом кремнии | |
| JP2011006782A5 (ja) | ||
| WO2011141516A3 (en) | Method and apparatus to control surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices | |
| JP2013080907A5 (ja) | ||
| JP2017042903A5 (ja) | 表面被覆切削工具の製造方法 | |
| JP2014175509A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
| JP6760833B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
| JP4856010B2 (ja) | 触媒化学気相成長装置 | |
| CN108630574B (zh) | 衬底处理装置，半导体器件的制造方法及记录介质 |