JP6805088B2 - 光導波路およびその製造方法 - Google Patents
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- 基板の上に酸化シリコンからなる下部クラッド層が形成された状態とする第1工程と、
前記下部クラッド層の上に、ECRプラズマCVD法によりSiCから構成されたコア形成層が形成された状態とする第2工程と、
前記コア形成層の上にマスクパターンが形成された状態とする第3工程と、
カーボンを含むガスおよびフッ素を含むガスを用いたドライエッチングにより、前記マスクパターンをマスクとして前記コア形成層を選択的にエッチングして前記下部クラッド層の上にSiCから構成されたコアが形成された状態とする第4工程と、
プラズマCVD法により前記下部クラッド層および前記コアの上に酸化シリコンを堆積して前記コアを覆う上部クラッド層が前記下部クラッド層の上に形成された状態とする第5工程と
を備え、
前記第2工程では、重水素化シランと重水素化エチレンとからなる原料ガス、または重水素化シランと重水素化エチレンと希ガスとからなる原料ガスのいずれかを用いたECRプラズマCVD法により前記コア形成層を形成することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項1記載の光導波路の製造方法において、
前記第2工程では、炭素を含む原料ガスの流量によって前記コア形成層の屈折率を制御することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項1または2記載の光導波路の製造方法において、
前記第4工程では、C2F6のガスおよびSF6のガスを用いたドライエッチングにより前記コアを形成することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 基板の上に形成された酸化シリコンからなる下部クラッド層と、
前記下部クラッド層の上に形成されたSiCから構成されたコアと、
前記コアを覆って前記下部クラッド層の上に形成された酸化シリコンからなる上部クラッド層と
を備え、
前記コアは、重水素を含んでいることを特徴とする光導波路。 - 請求項4記載の光導波路において、
前記コアと前記下部クラッド層の比屈折率差は、34〜38%とされていることを特徴とする光導波路。
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