JP5781833B2 - 薄膜形成方法 - Google Patents
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- 第1方向の幅が成膜対象の円形基板の直径より長く、前記第1方向に直交する第2方向の長さが前記円形基板の直径より短いプラズマ照射領域で原料ガスのプラズマを照射している状態で、前記プラズマ照射領域に対して相対的に前記第2方向に前記円形基板を移動させる第1工程と、
前記プラズマの照射により前記円形基板の上にシリコンの化合物からなる薄膜を形成する第2工程と
を少なくとも備え、
前記プラズマ照射領域以外にまで前記円形基板を移動させる往復移動を前記第2方向に行うことで、前記円形基板に前記プラズマを照射し、前記円形基板の上に前記薄膜を形成し、
前記往復移動の回数および移動速度により前記円形基板の成膜中の温度および前記薄膜の厚さをそれぞれ所望の値に制御する
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項1に記載の薄膜形成方法において、
前記プラズマとしてECRプラズマを発生させるプラズマ生成室と、
前記円形基板が設置され、前記円形基板を移動させる照射領域移動手段を収容する反応室と
を備える薄膜形成装置を用い、
前記第1工程の前に、
前記原料ガスとアルゴンガスを前記反応室の側より前記プラズマ生成室に導く工程をさらに備える
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項1または2記載の薄膜形成方法において、
第1方向の幅が成膜対象の円形基板の直径より長く、前記第1方向に直交する第2方向の長さが前記円形基板の直径より短い領域で前記プラズマを生成することで、前記プラズマ照射領域における前記プラズマの照射を行うことを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項1または2記載の薄膜形成方法において、
生成された前記プラズマを、第1方向の幅が成膜対象の円形基板の直径より長く、前記第1方向に直交する第2方向の長さが前記円形基板の直径より短い領域の引き出し部から引き出すことで、前記プラズマ照射領域における前記プラズマの照射を行うことを特徴とする薄膜形成方法。
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