JP6324848B2 - 導波路材料膜の形成方法 - Google Patents
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- プラズマCVD法により、基板の上にハロゲン系シリコン化合物からなる原料ガスを供給して前記基板の上にSiNまたはSiONからなる導波路材料膜を形成する工程を備え、
前記原料ガスとは別の、重水素を含む水素供給ガスより重水素イオンを生成し、生成した重水素イオンを前記基板の上に供給して前記導波路材料膜を形成する
ことを特徴とする導波路材料膜の形成方法。 - 請求項1記載の導波路材料膜の形成方法において、
前記ハロゲン系シリコン化合物は、SiCl4,Si2Cl6,SiHCl3,SiH2Cl2,SiH3Cl,SiDCl3,SiD2Cl2,SiD3Cl,SiF4,Si2F6,SiHF3,SiH2F2,SiH3F,SiDF3,SiD2F2,SiD3Fの少なくとも1つから構成する
ことを特徴とする導波路材料膜の形成方法。 - 請求項1または2記載の導波路材料膜の形成方法において、
前記水素供給ガスは、D 2 ,ND3の少なくとも1つから構成する
ことを特徴とする導波路材料膜の形成方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の導波路材料膜の形成方法において、
プラズマCVD法は、ECRプラズマCVD法であることを特徴とする導波路材料膜の形成方法。 - 請求項4記載の導波路材料膜の形成方法において、
前記水素供給ガスは、ECRプラズマを生成するプラズマ生成室に供給し、前記水素供給ガスのプラズマより水素イオンまたは重水素イオンを生成する
ことを特徴とする導波路材料膜の形成方法。
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